JPH06196674A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 絶縁物上に単結晶半導体層を有する半導体基
板を貼り合わせ法で得る製造方法において、ダイシング
工程を無くし、ダイシング工程により生じるシリコン粉
汚染及び基板面積の減少を防止した半導体基板の製造方
法を実現する。 【構成】 一方の主面に薄いＮ型シリコン層４を持つＰ
型シリコン基板５を形成する工程（図１（１））と、前
記基板の前記Ｎ型シリコン層４の側を、絶縁膜３を介し
て他の基板１３と貼り合わせる工程（図１（２））と、
少なくとも該Ｎ型シリコン層４の周縁部にＮ型半導体１
４を形成し、前記Ｐ型シリコン基板５の主面に開口部を
形成する工程（図１（３））と、前記Ｎ型半導体１４を
１つの電極として、前記Ｐ型シリコン基板５を電気化学
的にエッチング除去する工程（図１（４））と、を有す
ることを特徴とする半導体基板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の製造方法
に関し、特に絶縁物上の単結晶層に形成される集積回路
に適する半導体基板の形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】［従来例Ａ］従来、絶縁物上の単結晶層
に形成される集積回路に適する半導体基板の製造方法と
して次の方法が知られている。２枚のシリコン基板を用
い、一方のシリコン基板上はシリコン酸化膜やシリコン
窒化膜などの絶縁膜を形成し、もう一方のＰ型シリコン
基板は表面にＮ型シリコンを形成してから酸化膜を形成
し、さらに、絶縁膜を介して２枚のシリコン基板を熱を
かけて貼り合わせた後、一方のシリコン基板を電界エッ
チングにより薄膜化して、絶縁膜の上に単結晶シリコン
薄膜を形成する方法がある。

【０００３】この方法は、図３−（１）に示すようにシ
リコン酸化膜１を形成した第１のシリコン基板２に、表
面がシリコン酸化膜３で覆われた薄い膜厚のＮ型シリコ
ン層４を持つ第２のＰ型シリコン基板５を準備する。

【０００４】次に、図３−（２）に示すように、第１の
シリコン基板２と第２のシリコン基板５を、薄い膜厚の
Ｎ型シリコン層４が第１のシリコン基板２に向かい合う
ように貼り合わせた後、第１のシリコン基板２に面して
いない部分の第２のシリコン基板５を覆っているシリコ
ン酸化膜３をエッチングにより除去した後、電極６を形
成する。

【０００５】次に、図３−（３）に示すように電極６以
外の第２のＰ型シリコン基板５を図４の装置を用いてＮ
型シリコン層４に形成した電極６を正にしてエッチング
すると、シリコン酸化膜１と３の上に薄い膜厚のＮ型シ
リコン層４が形成される。

【０００６】図４において、７は容器、８は電界液、９
は白金電極、１０はヒーター、１１は第１のシリコン基
板２と第２のＰ型シリコン基板５を貼り合わせたシリコ
ン基板、１２は定電圧源である。

【０００７】次に、図３−（４）に示すように第２のシ
リコン基板５直下の第１のシリコン基板２と電極６の部
分の第２のＰ型シリコン基板５をダイシングにより除去
する。

【０００８】［従来例Ｂ］また、従来、絶縁物上の単結
晶層に形成される集積回路に適する半導体基板の製造方
法として次の方法が知られている。２枚のシリコン基板
を用い、一方のシリコン基板上はシリコン酸化膜やシリ
コン窒化膜などの絶縁膜を形成し、もう一方のＰ型シリ
コン基板は表面にＮ型シリコンを形成してから酸化膜を
形成し、さらに、絶縁膜を介して２枚のシリコン基板を
熱をかけて貼り合わせた後、一方のシリコン基板を電界
エッチングにより薄膜化して、絶縁膜の上に単結晶シリ
コン薄膜を形成する方法がある。

【０００９】この方法は、図８−（１）に示すようにシ
リコン酸化膜１を形成した第１のシリコン基板２に、表
面がシリコン酸化膜３で覆われた薄い膜厚のＮ型シリコ
ン層４を持つ第２のＰ型シリコン基板５を準備する。

【００１０】次に、図８−（２）に示すように、第１の
シリコン基板２と第２のシリコン基板５を薄い膜厚のＮ
型シリコン層４が第１のシリコン基板２に向かい合うよ
うに貼り合わせた後、Ｎ型シリコン層４とＰ型シリコン
基板５を覆っているシリコン酸化膜３を部分的にエッチ
ングにより除去した後、電極６と電極２６を形成する。

【００１１】次に、図８−（３）に示すように、電極６
に接続しているＮ型シリコン層４にプラスの電位を加
え、電極２６に接続しているＰ型シリコン基板にマイナ
スの電位を加えて、電極６と電極２６以外の第２のＰ型
シリコン基板５を図９の装置を用いてＮ型シリコン層４
に至るまでエッチングすると、シリコン酸化膜１と３の
上に薄い膜厚のＮ型シリコン層４が形成される。

【００１２】図９において、７は容器、８は電界液、９
は白金電極、１０はヒーター、１１は第１のシリコン基
板２と第２のＰ型シリコン基板５を貼り合わせたシリコ
ン基板、３２はポテンショスタット、３３は参照電極で
ある。

【００１３】次に、図８−（４）に示すように第２のシ
リコン基板直下の第１のシリコン基板２と電極６と電極
２６の部分の第２のＰ型シリコン基板５をダイシングに
より除去する。

【００１４】

【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、前
述した従来の貼り合わせ方法では、電極を第２のＰ型シ
リコン基板と、Ｎ型シリコン層４に形成するため、エッ
チング後にダイシングにより、これらの電極を除去する
必要があり、このダイシングの際に生じるシリコン粉に
より、Ｎ型シリコン層４が汚染され、このような基板を
用いた半導体集積素子の特性を劣化させるという欠点が
あった。

【００１５】また、電極の除去時にＮ型シリコン層の面
積が小さくなるという欠点もあった。

【００１６】［発明の目的］本発明の目的は、絶縁物上
に単結晶半導体層を有する半導体基板を貼り合わせ法で
得る製造方法において、ダイシング工程を無くし、ダイ
シング工程により生じるシリコン粉汚染を防止し、汚染
の無い高品質な半導体基板を得るとともに、従来、ダイ
シング工程による基板面積の減少も防止した半導体基板
の製造方法を実現することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、前述した課題
を解決するための手段として、一方の主面に薄いＮ型シ
リコン層を持つＰ型シリコン基板を形成する工程と、前
記基板の前記Ｎ型シリコン層の側を、絶縁膜を介して他
の基板と貼り合わせる工程と、前記Ｐ型シリコン基板の
主面に開口部を残して、少なくとも該Ｎ型シリコン層の
周縁部にＮ型半導体を形成する工程と、前記Ｎ型半導体
を１つの電極として、前記Ｐ型シリコン基板を電気化学
的にエッチング除去する工程と、を有することを特徴と
する半導体基板の製造方法を提供するものである。

【００１８】また、他の手段として、一方の主面に薄い
Ｎ型シリコン層を持つＰ型シリコン基板を形成する工程
と、該基板を絶縁膜で覆う工程と、前記基板の前記Ｎ型
シリコン層の側を、前記絶縁膜を介して他の基板と貼り
合わせる工程と、前記基板周縁部の絶縁膜を除去する工
程と、前記Ｐ型シリコン基板の主面に開口部を残して、
少なくとも該Ｎ型シリコン層の周縁部にＮ型半導体を形
成する工程と、前記Ｎ型半導体を１つの電極として、前
記Ｐ型シリコン基板を電気化学的にエッチング除去する
工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方
法も有する。

【００１９】また更に、前記Ｎ型半導体が金属であり、
該金属を前記電極としてもよい。

【００２０】また、一方の主面に薄いＮ型シリコン層を
持つＰ型シリコン基板を形成する工程と、前記基板の前
記Ｎ型シリコン層の側を絶縁膜を介して、もう一方の基
板と貼り合わせる工程と、前記基板周縁部の絶縁膜を除
去する工程と、前記Ｐ型シリコン基板の主面に開口部を
残して、該Ｎ型シリコン層の周縁部にＮ型シリコン層を
形成する工程と、該Ｐ型シリコン基板の下部周縁部にＰ
型シリコン層を形成する工程と、前記Ｎ型シリコン層と
Ｐ型シリコン層を２つの電極として、前記Ｐ型シリコン
基板を電気化学的にエッチング除去する工程と、を有す
ることを特徴とする半導体基板の製造方法を、その手段
とするものである。

【００２１】また、前記周縁部が前記Ｎ型シリコン層の
主面の一部を含むことを特徴とする半導体基板の製造方
法でもある。

【００２２】

【作用】本発明の手段によれば、Ｎ型シリコン層とＰ型
シリコン基板の周縁部に、電極領域となる、Ｎ型半導体
層や、金属層や、Ｎ型シリコン層やＰ型シリコン層を堆
積し、これらの層を電極として、Ｐ型シリコン基板を電
気化学的にエッチングすることにより、Ｐ型シリコン基
板の主面の開口部からＰ型シリコン基板がエッチングで
除去され、さらにエッチング終了時に残された電極も特
に除去する必要のない形状となる。このため、電極領域
の除去のためのダイシング工程が不要となり、シリコン
粉による基板の汚染や、ダイシングによる基板面積の減
少を無くすことができる。

【００２３】また、貼り合わせ界面のＮ型シリコン層の
主面の一部を含む周縁部の絶縁膜を除去し、Ｎ型シリコ
ン層の下部周縁部にもＮ型半導体層等の電極用の薄膜を
堆積することにより、Ｐ型シリコン基板がエッチングで
除去された後のＮ型シリコン層の表面を平坦にすること
ができる。

【００２４】

【実施例】［実施態様例Ａ］本発明の一実施形態とし
て、表面にＮ型層を有するＰ型シリコン基板ともう一方
の基板の少なくとも一方の基板の表面にシリコン酸化膜
を形成する。表面に形成する膜はシリコン酸化膜に限ら
ず絶縁膜であれば、シリコン窒化膜、ＳｉＯＮ膜でも良
い。

【００２５】次に、前記Ｐ型シリコン基板ともう一方の
基板を貼り合わせる。

【００２６】また、Ｎ型層を有するシリコン基板をシリ
コン基板に限らず石英基板やセラミック等の絶縁基板に
貼り合わせても良い。Ｎ型層を有するシリコン基板に
は、絶縁膜がなくとも良い。

【００２７】次に、貼り合わせた界面の絶縁膜をＮ型シ
リコン層の周縁までエッチングし、周縁部に電極領域と
してＮ型多結晶シリコンを形成する。Ｎ型シリコン層の
周縁部に形成する膜は、多結晶シリコンに限らずアモル
ファスシリコンやＰ型シリコンをエッチングするエッチ
ャントに耐性がある金属でも良い。

【００２８】次に、Ｐ型シリコンを選択的にエッチング
する。

【００２９】［実施例Ａ１］以下、本発明の実施例を図
面を用いて詳細に説明する。図１−（１）〜（４）は、
本発明の半導体基板の製造方法の第１の実施例の工程を
説明するための断面図である。なお、図３の構成部材と
同一構成部材については同一符合とする。

【００３０】まず、図１−（１）に示すように、基板濃
度が１Ｅ１６（ｃｍ^-3）のＰ型シリコン基板５に、Ｐを
６Ｅ１３（ｃｍ^-2）、３０ＫｅＶで注入してから１１０
０℃でアニールして、表面にＮ型シリコン層４を形成
し、更に酸化をしてシリコン酸化膜３を５０００Å形成
する。

【００３１】次に図１−（２）に示すように、Ｐ型シリ
コン基板５のＮ型シリコン層４が石英基板１３と向かい
合うように貼り合わせ、５００℃の窒素中で熱処理しＰ
型シリコン基板５と石英基板１３の貼り合わせを強固に
する。

【００３２】次に、図１−（３）に示すように、フッ酸
とフッ化アンモニウムの比率が１：８のバッファードフ
ッ酸を用いて、１５分間エッチングしシリコン酸化膜３
をＮ型シリコン層４の周縁部までエッチングした後、Ｐ
がドープされた多結晶シリコン１４を５０００Å堆積す
るとＮ型シリコン基板周縁部のシリコン酸化膜３が除去
された領域は、多結晶シリコン１４で充填される。さら
に、Ｐ型シリコン基板５上の多結晶シリコン１４を除去
する。

【００３３】次に、図１−（４）に示すように、Ｐ型シ
リコン基板５を図５の装置を用いてエッチングすると、
シリコン酸化膜３の上にＮ型シリコン層４の薄膜が形成
される。

【００３４】図５のエッチング装置において図４と同一
構成部材については、同一符合を用いる。図５におい
て、１５は石英基板１３をエッチングせず多結晶シリコ
ン１４と電極１６のコンタクトをとるために用いる電気
伝導性の電解液、１７は、電気伝導性の電解液１５とＰ
型シリコン基板５をエッチングするエッチング液８を隔
離するシール部である。

【００３５】エッチング液８の例として、ヒドラジンと
水を１：１に混合して９０℃に加熱して、厚さ５２５μ
ｍのＰ型シリコン基板５をエッチングすると、エッチン
グ速度が４μｍ／分であるので、１３０分でエッチング
される。多結晶シリコン１４と電極１６のコンタクトを
とる電界液１５は、多結晶シリコン１４がエッチングさ
れない電界液であればヒドラジンの他に硫酸等の酸でも
良い。また、電界液１５を用いずに電極１６と多結晶シ
リコン１４を直接接触させても良い。

【００３６】［実施例Ａ２］以下本発明の他の実施例を
図面を用いて説明する。図２は、本発明による基板の製
造方法を示す工程断面図である。

【００３７】図２−（１）に示すように、第１の実施例
と同様に、Ｐ型シリコン基板５にＮ型シリコン層４を形
成した後、シリコン酸化膜３を形成する。

【００３８】さらに、シリコン基板１８とＰ型シリコン
基板５のＮ型シリコン層４が向かい合うように貼り合わ
せた後、１０００℃の窒素中で熱処理し貼り合わせ強度
を向上させる。

【００３９】次に、図２−（２）に示すように、バッフ
ァードフッ酸を用いてシリコン酸化膜３をＮ型シリコン
層４の周縁までエッチングし、タングステン１９を５０
００Å堆積すると、タングステン１９は、Ｐ型シリコン
基板５とシリコン基板１８の上に堆積する。

【００４０】次に、図２−（３）に示すように、プラズ
マ・エッチングによりＰ型シリコン基板５とシリコン基
板１８の表面のタングステン１９をエッチングしたの
ち、図５に示すエッチング装置を用いて、Ｐ型シリコン
基板５をエッチングすると、シリコン基板１８上の酸化
膜３上にＮ型シリコン層４の薄膜が形成される。

【００４１】［実施態様例Ｂ］本発明の一実施形態とし
て、表面にＮ型層を有するＰ型シリコン基板を貼り合わ
せるもう一方の基板の表面にシリコン酸化膜を形成す
る。表面に形成する膜はシリコン酸化膜に限らず絶縁膜
であれば、シリコン窒化膜、ＳｉＯＮ膜でも良い。

【００４２】Ｎ型層を有するＰ型シリコン基板表面に絶
縁膜を形成しても良い。

【００４３】次に、前記Ｐ型シリコン基板のＮ型層とも
う一方の基板を貼り合わせる。また、Ｎ型層を有するシ
リコン基板をシリコン基板に限らず石英基板やセラミッ
ク等の絶縁基板に貼り合わせても良い。Ｎ型層を有する
シリコン基板には、絶縁膜がなくとも良い。

【００４４】次に、貼り合わせた界面の絶縁膜をＮ型シ
リコン層の周縁までエッチングし、周縁部にＮ型多結晶
シリコンとＰ型多結晶シリコンを形成する。Ｎ型シリコ
ン層の周縁部に形成する膜は、多結晶シリコンに限らず
アモルファスシリコンやＰ型シリコンをエッチングする
エッチャントに耐性がある金属でも良い。

【００４５】次に、Ｎ型多結晶シリコンとＰ型多結晶シ
リコンを電極にしてＰ型シリコンを選択的にエッチング
する。

【００４６】［実施例Ｂ１］以下、本発明の実施例を図
面を用いて詳細に説明する。図６−（１）〜（４）は、
本発明の半導体基板の製造方法の実施例の工程を説明す
るための断面図である。なお、図８の構成部材と同一構
成部材については同一符合とする。

【００４７】まず、図６−（１）に示すように、基板濃
度が１Ｅ１６（ｃｍ^-3）のＰ型シリコン基板５に、Ｐを
６Ｅ１３（ｃｍ^-2）、３０ＫｅＶで注入してから１１０
０℃でアニールして、表面にＮ型シリコン層４を形成
し、更に酸化をしてシリコン酸化膜３を５０００Å形成
する。

【００４８】次に、Ｐ型シリコン基板５のＮ型シリコン
層４が石英基板３４と向かい合うように貼り合わせ、５
００℃の窒素中で熱処理しＰ型シリコン基板５と石英基
板３４の貼り合わせを強固にする。

【００４９】次に、図６−（２）に示すように、フッ酸
とフッ化アンモニウムの比率が１：８のバッファードフ
ッ酸を用いて、１５分間エッチングしシリコン酸化膜３
をＮ型シリコン層４の周縁部までエッチングした後、多
結晶シリコン３５を５０００Å堆積するとシリコン基板
周縁部のシリコン酸化膜３が除去された領域は、多結晶
シリコン３５で充填される。

【００５０】次に、図６−（３）に示すように、ＲＩＥ
にてＰ型シリコン基板５上の多結晶シリコン３５を除去
し、さらにイオン注入にてＰイオン３６とＢイオン３７
を斜めから注入した後、ＣＶＤ法にて酸化膜３８を３０
００Å堆積する。さらに、アニールすると、Ｐがドープ
されたＮ型多結晶シリコン３９とＢがドープされたＰ型
多結晶シリコン２０及びＰ型拡散層２１が形成される。

【００５１】次に、図６−（４）に示す様に、電極２２
と２３を形成し、Ｐ型シリコン基板５を図９の装置を用
いてＰ型シリコン基板５をエッチングすると、シリコン
酸化膜３の上にＮ型シリコン層４の薄膜が形成される。

【００５２】エッチング液８の例として、ヒドラジンと
水を１：１に混合して９０℃に加熱して、厚さ５２５μ
ｍのＰ型シリコン基板５をエッチングすると、エッチン
グ速度が４μｍ／分であるので、１３０分でエッチング
される。

【００５３】［実施例Ｂ２］以下本発明の他の実施例を
図面を用いて説明する。図７は、本発明による基板の製
造方法を示す工程断面図である。

【００５４】図７−（１）に示すように、実施例Ｂ１と
同様に、Ｐ型シリコン基板５にＮ型シリコン層４を形成
した後、シリコン酸化膜３を形成する。

【００５５】さらに、Ｎ型シリコン基板２４上にシリコ
ン窒化膜２５を１５００Å形成した後、部分的に開口す
る。

【００５６】次に、図７−（２）に示すように、Ｐ型シ
リコン基板５のＮ型シリコン層４が向かい合うように貼
り合わせた後、１０００℃の窒素中で熱処理し貼り合わ
せ強度を向上させる。さらに、バッファードフッ酸を用
いてシリコン酸化膜３をＮ型シリコン層４の周縁までエ
ッチングした後、多結晶シリコン３５を５０００Å堆積
する。

【００５７】次に、図７−（３）に示すように、ＲＩＥ
を用いて、Ｐ型シリコン基板５に面した多結晶シリコン
３５をエッチングした後、イオン注入にてＢイオン３７
を斜めから注入し、さらにＣＶＤ酸化膜３８を３０００
Å堆積する。

【００５８】次にアニールをすると、Ｎ型不純物がＮ型
シリコン基板２４から多結晶シリコン３５に拡散しＮ型
多結晶シリコン層３９が形成され、イオン注入したＰ型
不純物が多結晶シリコン３５に拡散してＰ型多結晶シリ
コン層２０とＰ型拡散層２１が形成される。

【００５９】次に、電極２２と２３を形成した後、図９
の装置を用いて参照電極３３に対し、電極２２をプラ
ス、電極２３をマイナスにして、Ｐ型シリコン基板５を
エッチングすると、シリコン基板２４上のシリコン窒化
膜２５と酸化膜３上に、Ｎ型シリコン層４の薄膜が形成
される。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
薄いＮ型シリコン層の周縁部に電極領域を形成すること
により、Ｐ型シリコンを電気化学的にエッチングする際
に、電極領域の不要な部分も同時にエッチング除去さ
れ、さらにエッチング終了時に残された電極も特に除去
する必要のない形状である。このため、電極領域の除去
のためのダイシング工程が不要となり、シリコン粉によ
る基板の汚染や、ダイシングによる基板面積の減少を無
くすことができる。従って、高品質な半導体基板を無駄
なく製造でき、かつ、この基板を用いた集積回路の特性
を向上させる効果も得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す模式的工程断面図。

【図２】本発明の他の実施例を示す模式的工程断面図。

【図３】従来の半導体基板の製造方法を示す模式的工程
断面図。

【図４】従来例のエッチング装置の概略構成図。

【図５】実施例のエッチング装置の概略構成図。

【図６】本発明の一実施例を示す模式的工程断面図。

【図７】本発明の他の実施例を示す模式的工程断面図。

【図８】従来の半導体基板の製造方法を示す模式的工程
断面図。

【図９】エッチング装置の概略構成図。

【符号の説明】

１，３ シリコン酸化膜 ２ シリコン基板 ４ Ｎ型シリコン層 ５ Ｐ型シリコン基板 ６ 電極 ７ 容器 ８ エッチング液 ９ 白金電極 １０ ヒーター １１ 貼り合わせたシリコン基板 １２ 定電圧電源 １３ 石英基板 １４ 多結晶シリコン膜 １５ 電解液 １６ 電極 １７ シール部 １８ シリコン基板 １９ タングステン ２０ Ｂドープ多結晶シリコン膜 ２１ Ｐ型拡散層 ２２，２３，２６ 電極 ２４ Ｎ型シリコン基板 ２５ シリコン窒化膜 ３２ ポテンショスタット ３３ 参照電極 ３４ 石英基板 ３５ 多結晶シリコン膜 ３６ Ｐイオン ３７ Ｂイオン ３８ ＣＶＤ酸化膜 ３９ Ｐドープ多結晶シリコン膜

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方の主面に薄いＮ型シリコン層を持つ
   Ｐ型シリコン基板を形成する工程と、 前記基板の前記Ｎ型シリコン層の側を、絶縁膜を介して
   他の基板と貼り合わせる工程と、 前記Ｐ型シリコン基板の主面に開口部を残して、少なく
   とも該Ｎ型シリコン層の周縁部にＮ型半導体層を形成す
   る工程と、 前記Ｎ型半導体を１つの電極として、前記Ｐ型シリコン
   基板を電気化学的にエッチング除去する工程と、を有す
   ることを特徴とする半導体基板の製造方法。
2. 【請求項２】 一方の主面に薄いＮ型シリコン層を持つ
   Ｐ型シリコン基板を形成する工程と、 該基板を絶縁膜で覆う工程と、 前記基板の前記Ｎ型シリコン層の側を、前記絶縁膜を介
   して他の基板と貼り合わせる工程と、 前記基板周縁部の絶縁膜を除去する工程と、 前記Ｐ型シリコン基板の主面に開口部を残して、少なく
   とも該Ｎ型シリコン層の周縁部にＮ型半導体層を形成す
   る工程と、 前記Ｎ型半導体を１つの電極として、前記Ｐ型シリコン
   基板を電気化学的にエッチング除去する工程と、を有す
   ることを特徴とする半導体基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記Ｎ型半導体が金属であり、該金属を
   前記電極とすることを特徴とする請求項１又は２に記載
   の半導体基板の製造方法。
4. 【請求項４】 一方の主面に薄いＮ型シリコン層を持つ
   Ｐ型シリコン基板を形成する工程と、 前記基板の前記Ｎ型シリコン層の側を、絶縁膜を介して
   他の基板と貼り合わせる工程と、 前記基板周縁部の絶縁膜を除去する工程と、 前記Ｐ型シリコン基板の主面に開口部を残して、該Ｎ型
   シリコン層の周縁部にＮ型シリコン層を形成する工程
   と、該Ｐ型シリコン基板の下部周縁部にＰ型シリコン層
   を形成する工程と、 前記Ｎ型シリコン層とＰ型シリコン層を２つの電極とし
   て、前記Ｐ型シリコン基板を電気化学的にエッチング除
   去する工程と、を有することを特徴とする半導体基板の
   製造方法。
5. 【請求項５】 前記周縁部が前記Ｎ型シリコン層の主面
   の一部を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか
   １項に記載の半導体基板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記貼り合わせる工程が熱処理を含むこ
   とを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半
   導体基板の製造法。