JPH06196986A - 電子スイッチ - Google Patents
電子スイッチInfo
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- JPH06196986A JPH06196986A JP5256525A JP25652593A JPH06196986A JP H06196986 A JPH06196986 A JP H06196986A JP 5256525 A JP5256525 A JP 5256525A JP 25652593 A JP25652593 A JP 25652593A JP H06196986 A JPH06196986 A JP H06196986A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0814—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit
- H03K17/08142—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
- H03K17/6874—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor in a symmetrical configuration
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Driving Mechanisms And Operating Circuits Of Arc-Extinguishing High-Tension Switches (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Control Of Eletrric Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 定格を大きくすることなく、大きな電流上昇
率を持つ飽和短絡にも耐えられる電子スイッチを提供す
る。 【構成】 電子スイッチの負荷電流が流れる電流路に通
常動作時には飽和短絡している小さい値のインダクタン
スを挿入し、負荷電流が著しく上昇したときその負荷電
流に応じて制御電圧２の僅かの部分だけが半導体素子１
に作用するように、インダクタンス７を制御電圧２に接
続する。
率を持つ飽和短絡にも耐えられる電子スイッチを提供す
る。 【構成】 電子スイッチの負荷電流が流れる電流路に通
常動作時には飽和短絡している小さい値のインダクタン
スを挿入し、負荷電流が著しく上昇したときその負荷電
流に応じて制御電圧２の僅かの部分だけが半導体素子１
に作用するように、インダクタンス７を制御電圧２に接
続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、制御電極にある定ま
った制御電圧が、そして電流の流れ方向の下流側にある
動作電極に動作電圧が加わっているときその内部抵抗が
小さい値を持ち、動作電極に加わる電圧が上昇するに連
れ飛躍的にその内部抵抗が上昇する半導体素子により動
作する電子スイッチ、特に線路保護遮断器に関する。
った制御電圧が、そして電流の流れ方向の下流側にある
動作電極に動作電圧が加わっているときその内部抵抗が
小さい値を持ち、動作電極に加わる電圧が上昇するに連
れ飛躍的にその内部抵抗が上昇する半導体素子により動
作する電子スイッチ、特に線路保護遮断器に関する。
【０００２】
【従来の技術】この発明の基礎となるこの種の電子スイ
ッチは、ヨーロッパ特許出願（ＥＰ91120 690.2）明細
書に記載されている。この電子スイッチは線路保護遮断
器として構成され、簡単な手段と半導体素子とを備え、
特にこの半導体素子は定格を大きくとる必要がないので
コストを押し上げることがないという利点を有してい
る。このために半導体素子に電気的に並列にリレーとし
て動作する構成部品の釈放部が接続され、この釈放部が
線路中の遮断接点を開放するように結合されている。こ
の構成においては電流回路に飽和短絡が発生すると非常
に大きな電流上昇率di/dt が生ずることがある。この場
合短絡電流を制御する制御回路の応動時間は数10乃至10
0 nsの範囲にあるので、短絡電流は制御が始まる前に望
ましくない高い値をとってしまうことがある。このよう
な短絡を伴う電流回路が非常に好ましくなく構成されて
いるときには、その回路中に存在する半導体スイッチと
して形成された電子スイッチもしくは線路保護遮断器
は、それに対応して充分な定格に設定されていないと破
壊されることがある。
ッチは、ヨーロッパ特許出願（ＥＰ91120 690.2）明細
書に記載されている。この電子スイッチは線路保護遮断
器として構成され、簡単な手段と半導体素子とを備え、
特にこの半導体素子は定格を大きくとる必要がないので
コストを押し上げることがないという利点を有してい
る。このために半導体素子に電気的に並列にリレーとし
て動作する構成部品の釈放部が接続され、この釈放部が
線路中の遮断接点を開放するように結合されている。こ
の構成においては電流回路に飽和短絡が発生すると非常
に大きな電流上昇率di/dt が生ずることがある。この場
合短絡電流を制御する制御回路の応動時間は数10乃至10
0 nsの範囲にあるので、短絡電流は制御が始まる前に望
ましくない高い値をとってしまうことがある。このよう
な短絡を伴う電流回路が非常に好ましくなく構成されて
いるときには、その回路中に存在する半導体スイッチと
して形成された電子スイッチもしくは線路保護遮断器
は、それに対応して充分な定格に設定されていないと破
壊されることがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】それゆえ、この発明の
課題は簡単でかつコスト的にも好ましい方法で、電子ス
イッチ、特に線路保護遮断器を、その定格を大きくする
ことなく大きな電流上昇率を伴う飽和短絡にも耐えられ
るように形成することにある。
課題は簡単でかつコスト的にも好ましい方法で、電子ス
イッチ、特に線路保護遮断器を、その定格を大きくする
ことなく大きな電流上昇率を伴う飽和短絡にも耐えられ
るように形成することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、この発明においては、制御電極にある定まった制御
電圧が加わり、電流の流れ方向の下流側にある動作電極
に動作電圧が加わっているときその内部抵抗が小さい値
を持ち、動作電極に加わる電圧が上昇するに連れ飛躍的
にその内部抵抗が上昇する半導体素子により動作する電
子スイッチ、特に線路保護遮断器において、負荷電流が
流れる電流路に、通常動作時には飽和短絡している小さ
な値のインダクタンスが接続され、かつこのインダクタ
ンスが、負荷電流が著しく、特に短絡に起因して上昇し
たとき、その負荷電流に応じて制御電圧の僅かの部分し
か半導体素子に作用しないように、制御電圧を接続する
ための第二の制御電極に接続されている。
め、この発明においては、制御電極にある定まった制御
電圧が加わり、電流の流れ方向の下流側にある動作電極
に動作電圧が加わっているときその内部抵抗が小さい値
を持ち、動作電極に加わる電圧が上昇するに連れ飛躍的
にその内部抵抗が上昇する半導体素子により動作する電
子スイッチ、特に線路保護遮断器において、負荷電流が
流れる電流路に、通常動作時には飽和短絡している小さ
な値のインダクタンスが接続され、かつこのインダクタ
ンスが、負荷電流が著しく、特に短絡に起因して上昇し
たとき、その負荷電流に応じて制御電圧の僅かの部分し
か半導体素子に作用しないように、制御電圧を接続する
ための第二の制御電極に接続されている。
【０００５】定格電流が10乃至16 Aに設定されているス
イッチに対しては、インダクタンスの値を10乃至100 nH
とするのが特に有利である。この発明の特に簡単でかつ
コスト的に有利な構成は、半導体素子を極性を異にして
直列接続された二つの電界効果トランジスタ( 以下ＦＥ
Ｔという）で構成し、そのゲートに共通な制御電圧を加
えるようにする。更にまた、インダクタンスを少なくと
も二つの部分インダクタンスの直列接続として構成し、
ＦＥＴの各ソース電極に一つの部分インダクタンスを接
続し、その部分インダクタンスの共通接続点を制御電圧
の負側の端子とするのが有効である。部分インダクタン
スにはそれぞれ一つのダイオードを並列接続し、そのカ
ソードをそれぞれ二つのＦＥＴのソース電極に接続する
とき、ゲート・ソース区間の保護が簡単に保障される。
これにより逆方向の電流が加わったときに生ずる制御電
圧の増大が阻止される。というのは、電流上昇によっ
て、逆電流を流す側のＦＥＴの制御逆電圧が生じても、
これは一つのダイオードによって橋絡され、無効となる
からである。更に好ましい構成として部分インダクタン
スの代わりに変流器を設け、この変流器の一次回路のイ
ンダクタンスを部分インダクタンスの値に設定し、二次
回路を制御装置に接続することもできる。なおまた、一
つのインダクタンスを二つのＦＥＴのソース電極の間に
接続し、各ＦＥＴに対してそれぞれ別の制御電圧を用意
する場合には、インダクタンスはただ一つでもよい。さ
らにまた、制御電圧の負側端子を電流方向に関連して切
り換え得るようにする手段を設ける場合には、ただ一つ
のインダクタンスとただ一つの制御電圧だけでも済ませ
ることができる。この為には、二つの平行アームにダイ
オードを、対角線に一つのオーム抵抗を備えたブリッジ
回路を設け、このブリッジ回路をインダクタンスに並列
接続し、そのオーム抵抗を制御電圧の負側端子に接続す
るのが有効である。さらにまた、この発明の簡単で同時
に合目的的な構成としてインダクタンスを電流もしくは
電圧変成器の一次回路インダクタンスとして構成するこ
ともできる。
イッチに対しては、インダクタンスの値を10乃至100 nH
とするのが特に有利である。この発明の特に簡単でかつ
コスト的に有利な構成は、半導体素子を極性を異にして
直列接続された二つの電界効果トランジスタ( 以下ＦＥ
Ｔという）で構成し、そのゲートに共通な制御電圧を加
えるようにする。更にまた、インダクタンスを少なくと
も二つの部分インダクタンスの直列接続として構成し、
ＦＥＴの各ソース電極に一つの部分インダクタンスを接
続し、その部分インダクタンスの共通接続点を制御電圧
の負側の端子とするのが有効である。部分インダクタン
スにはそれぞれ一つのダイオードを並列接続し、そのカ
ソードをそれぞれ二つのＦＥＴのソース電極に接続する
とき、ゲート・ソース区間の保護が簡単に保障される。
これにより逆方向の電流が加わったときに生ずる制御電
圧の増大が阻止される。というのは、電流上昇によっ
て、逆電流を流す側のＦＥＴの制御逆電圧が生じても、
これは一つのダイオードによって橋絡され、無効となる
からである。更に好ましい構成として部分インダクタン
スの代わりに変流器を設け、この変流器の一次回路のイ
ンダクタンスを部分インダクタンスの値に設定し、二次
回路を制御装置に接続することもできる。なおまた、一
つのインダクタンスを二つのＦＥＴのソース電極の間に
接続し、各ＦＥＴに対してそれぞれ別の制御電圧を用意
する場合には、インダクタンスはただ一つでもよい。さ
らにまた、制御電圧の負側端子を電流方向に関連して切
り換え得るようにする手段を設ける場合には、ただ一つ
のインダクタンスとただ一つの制御電圧だけでも済ませ
ることができる。この為には、二つの平行アームにダイ
オードを、対角線に一つのオーム抵抗を備えたブリッジ
回路を設け、このブリッジ回路をインダクタンスに並列
接続し、そのオーム抵抗を制御電圧の負側端子に接続す
るのが有効である。さらにまた、この発明の簡単で同時
に合目的的な構成としてインダクタンスを電流もしくは
電圧変成器の一次回路インダクタンスとして構成するこ
ともできる。
【０００６】
【作用】この電子スイッチにおいては負荷電流が流れる
スイッチの電流路に通常運転時には飽和短絡となる値の
小さなインダクタンスが挿入されている。短絡に起因し
て高い電流上昇率di/dt が生じても、インダクタンスに
おいて大きな電圧降下が生じ、この電圧降下は時間的に
遅れなく半導体スイッチの制御電圧を低減し、その結果
制御の始まる前に障害となる尖頭電流を截断する。この
インダクタンスはその値が小さく、通常の50或いは60 H
z の電流に対しては飽和短絡しているので、スイッチの
通常運転には何らの影響も与えない。
スイッチの電流路に通常運転時には飽和短絡となる値の
小さなインダクタンスが挿入されている。短絡に起因し
て高い電流上昇率di/dt が生じても、インダクタンスに
おいて大きな電圧降下が生じ、この電圧降下は時間的に
遅れなく半導体スイッチの制御電圧を低減し、その結果
制御の始まる前に障害となる尖頭電流を截断する。この
インダクタンスはその値が小さく、通常の50或いは60 H
z の電流に対しては飽和短絡しているので、スイッチの
通常運転には何らの影響も与えない。
【０００７】
【実施例】以下に実施例に基づいてこの発明を詳しく説
明する。図１はインダクタンスを直列接続した電子スイ
ッチを、図２は極性を逆にして直列接続されてバイポー
ラスイッチに構成された二つのＭＯＳ−ＦＥＴと、イン
ダクタンスによる電流制限要素とを備えた電子スイッチ
を、図３は図２による電子スイッチで、部分インダクタ
ンスの保護要素を備えたものを、図４は図３による電子
スイッチで、部分インダクタンスを変流器で置き換えた
ものを、図５は一つのインダクタンスと、二つの制御電
圧を備えた電子スイッチを、図６はただ一つのインダク
タンスと制御電圧を備えた電子スイッチを、図７は変流
器を備え図６と同様な回路を構成した電子スイッチを示
す。
明する。図１はインダクタンスを直列接続した電子スイ
ッチを、図２は極性を逆にして直列接続されてバイポー
ラスイッチに構成された二つのＭＯＳ−ＦＥＴと、イン
ダクタンスによる電流制限要素とを備えた電子スイッチ
を、図３は図２による電子スイッチで、部分インダクタ
ンスの保護要素を備えたものを、図４は図３による電子
スイッチで、部分インダクタンスを変流器で置き換えた
ものを、図５は一つのインダクタンスと、二つの制御電
圧を備えた電子スイッチを、図６はただ一つのインダク
タンスと制御電圧を備えた電子スイッチを、図７は変流
器を備え図６と同様な回路を構成した電子スイッチを示
す。
【０００８】図１には半導体素子１として一つのＦＥＴ
６を備えた電子スイッチを示し、このＦＥＴには制御電
極３を介して制御電圧２が加えられている。ＦＥＴ６の
内部抵抗はある定まった制御電圧２及び電流の流れ方向
にある動作電極５に動作電圧４が加わったとき低い値を
とる。負荷回路及び制御回路に共通な半導体素子１、特
にＭＯＳ−ＦＥＴ６として構成されている半導体素子の
電極に直列に値の小さなインダクタンス７が接続されて
いる。短絡もしくはその他の望ましくない過電流パルス
に起因して電流上昇が起こると、インダクタンスには誘
導原理に従った電圧降下ｕ＝Ｌ＊di/dt が生ずる。これ
により時間的に遅れなく半導体素子１の制御電圧が減少
し、かくして電流制御の始まる迄に障害となる尖頭電流
が截断される。
６を備えた電子スイッチを示し、このＦＥＴには制御電
極３を介して制御電圧２が加えられている。ＦＥＴ６の
内部抵抗はある定まった制御電圧２及び電流の流れ方向
にある動作電極５に動作電圧４が加わったとき低い値を
とる。負荷回路及び制御回路に共通な半導体素子１、特
にＭＯＳ−ＦＥＴ６として構成されている半導体素子の
電極に直列に値の小さなインダクタンス７が接続されて
いる。短絡もしくはその他の望ましくない過電流パルス
に起因して電流上昇が起こると、インダクタンスには誘
導原理に従った電圧降下ｕ＝Ｌ＊di/dt が生ずる。これ
により時間的に遅れなく半導体素子１の制御電圧が減少
し、かくして電流制御の始まる迄に障害となる尖頭電流
が截断される。
【０００９】図２は、極性を逆にして直列接続されてバ
イポーラスイッチに構成された二つのＭＯＳ−ＦＥＴ６
を備えた半導体スイッチを示す。この回路では電流制限
インダクタンスは互いに直列接続された二つの部分イン
ダクタンス８よりなり、それぞれ二つのＦＥＴ６のソー
ス電極１０に接続されている。二つの部分インダクタン
ス８の共通接続点は制御電圧２の負側の端子を形成して
いる。二つのＦＥＴ６のゲート・ソース区間の保護のた
め、図３に示すように、それぞれ各一つのダイオード１
１が各部分インダクタンス８を介して接続される。ダイ
オート１１の接続回路の極性は、この場合、そのカソー
ドがそれぞれＦＥＴ６のソース電極１０側になるように
定められており、これにより逆方向電流の際に生ずる制
御電圧の増大を阻止している。ダイオートは、電流上昇
によって生ずる、逆電流を流す側のＦＥＴ６の制御逆電
圧がダイオード１１によって橋絡され、そして無効とな
るように接続されている。図４による電子スイッチが図
３による電子スイッチと異なる点は、図４の回路におい
ては部分インダクタンス８の代わりに変流器１２が使用
されていることである。この場合、インダクタンスは変
流器１２の一次回路によって形成される。二次回路は、
ここでは、必要な制御電圧を供給する制御装置１３に接
続されている。
イポーラスイッチに構成された二つのＭＯＳ−ＦＥＴ６
を備えた半導体スイッチを示す。この回路では電流制限
インダクタンスは互いに直列接続された二つの部分イン
ダクタンス８よりなり、それぞれ二つのＦＥＴ６のソー
ス電極１０に接続されている。二つの部分インダクタン
ス８の共通接続点は制御電圧２の負側の端子を形成して
いる。二つのＦＥＴ６のゲート・ソース区間の保護のた
め、図３に示すように、それぞれ各一つのダイオード１
１が各部分インダクタンス８を介して接続される。ダイ
オート１１の接続回路の極性は、この場合、そのカソー
ドがそれぞれＦＥＴ６のソース電極１０側になるように
定められており、これにより逆方向電流の際に生ずる制
御電圧の増大を阻止している。ダイオートは、電流上昇
によって生ずる、逆電流を流す側のＦＥＴ６の制御逆電
圧がダイオード１１によって橋絡され、そして無効とな
るように接続されている。図４による電子スイッチが図
３による電子スイッチと異なる点は、図４の回路におい
ては部分インダクタンス８の代わりに変流器１２が使用
されていることである。この場合、インダクタンスは変
流器１２の一次回路によって形成される。二次回路は、
ここでは、必要な制御電圧を供給する制御装置１３に接
続されている。
【００１０】二つのＭＯＳ−ＦＥＴ６によりバイポーラ
スイッチ形の電子スイッチを構成する場合、図５に示す
ように、ただ一つのインダクタンス７でも可能である。
この場合インダクタンス７は二つのＦＥＴ６のソース電
極１０間に接続される。勿論この構成においては二つの
別個の制御電圧２が必要である。図６はこの構成の変形
例を示し、この場合インダクタンス７の他にただ一つの
制御電圧２が存在する。インダクタンス７に並列に四つ
のダイオード１４からなるブリッジ回路が接続され、こ
れらのダイオードのうち各アームの二つは逆直列に、互
いに平行するアームにある二つのダイオードは互いに逆
並列に接続されている。このブリッジ回路の二つの平行
アームの対角線にはオーム抵抗１５が接続され、この抵
抗の一端は制御電圧２の負側端子に導かれている。図７
はこのような電子スイッチで、インダクタンス７の代わ
りに変流器１２を備えたものの例を示す。
スイッチ形の電子スイッチを構成する場合、図５に示す
ように、ただ一つのインダクタンス７でも可能である。
この場合インダクタンス７は二つのＦＥＴ６のソース電
極１０間に接続される。勿論この構成においては二つの
別個の制御電圧２が必要である。図６はこの構成の変形
例を示し、この場合インダクタンス７の他にただ一つの
制御電圧２が存在する。インダクタンス７に並列に四つ
のダイオード１４からなるブリッジ回路が接続され、こ
れらのダイオードのうち各アームの二つは逆直列に、互
いに平行するアームにある二つのダイオードは互いに逆
並列に接続されている。このブリッジ回路の二つの平行
アームの対角線にはオーム抵抗１５が接続され、この抵
抗の一端は制御電圧２の負側端子に導かれている。図７
はこのような電子スイッチで、インダクタンス７の代わ
りに変流器１２を備えたものの例を示す。
【００１１】
【効果】この発明によれば、インダクタンスを接続する
ことにより電子スイッチもしくは線路保護遮断器におけ
る短絡電流制限の応動時間が短縮される。
ことにより電子スイッチもしくは線路保護遮断器におけ
る短絡電流制限の応動時間が短縮される。
【図１】インダクタンスを直列接続した電子スイッチの
回路図。
回路図。
【図２】極性を逆にして直列接続されてバイポーラスイ
ッチに構成された二つのＭＯＳ−ＦＥＴと、インダクタ
ンスによる電流制限要素とを備えた電子スイッチの回路
図。
ッチに構成された二つのＭＯＳ−ＦＥＴと、インダクタ
ンスによる電流制限要素とを備えた電子スイッチの回路
図。
【図３】部分インダクタンスの保護要素を備えた図２に
よる電子スイッチの回路図。
よる電子スイッチの回路図。
【図４】部分インダクタンスを変流器で置き換えた図３
による電子スイッチの回路図。
による電子スイッチの回路図。
【図５】一つのインダクタンスと、二つの制御電圧を備
えた電子スイッチの回路図。
えた電子スイッチの回路図。
【図６】ただ一つのインダクタンスと制御電圧を備えた
電子スイッチの回路図。
電子スイッチの回路図。
【図７】変流器で図６と同様な回路を構成した電子スイ
ッチの回路図。
ッチの回路図。
１ 半導体素子 ２ 制御電圧 ３ 制御電極 ４ 作動電圧 ５ 作動電極 ６ ＭＯＳ−ＦＥＴ ７ インダクタンス ８ 部分インダクタンス ９ ゲート １０ ソース電極 １１ ダイオード １２ 変流器 １３ 制御装置 １４ ダイオード １５ 抵抗
Claims (11)
- 【請求項１】制御電極（３）にある定まった制御電圧
（２）が加わり、電流の流れ方向にある動作電極（５）
に動作電圧（４）が加わっているときその内部抵抗が小
さい値を持ち、動作電極（５）に加わる電圧が上昇する
に連れ飛躍的にその内部抵抗が上昇する半導体素子
（１）により動作する電子スイッチにおいて、負荷電流
が流れる電流路に、通常動作時には飽和短絡している小
さな値のインダクタンス（７）が接続され、かつこのイ
ンダクタンスが、負荷電流が著しく、特に短絡に起因し
て上昇したとき、その負荷電流に応じて制御電圧（２）
の僅かの部分しか半導体素子（１）に作用しないよう
に、制御電圧（２）を接続するための第二の制御電極に
接続されていることを特徴とする電子スイッチ。 - 【請求項２】インダクタンス（７）が10乃至100 nHの値
を持っていることを特徴とする請求項１記載の電子スイ
ッチ。 - 【請求項３】半導体素子（１）がＦＥＴ（６）であるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の電子スイッチ。 - 【請求項４】半導体素子（１）がその極性を逆にして直
列接続された二つのＦＥＴ（６）からなり、そのゲート
（９）が共通の制御電圧（２）に接続されていることを
特徴とする請求項１又は２記載の電子スイッチ。 - 【請求項５】インダクタンス（７）が少なくとも二つの
部分インダクタンス（８）からなる直列回路として構成
され、ＦＥＴ（６）の各ソース電極（１０）にそれぞれ
一つの部分インダクタンス（８）が接続され、これら部
分インダクタンス（８）の共通接続点が制御電圧（２）
の負側端子を形成していることを特徴とする請求項４記
載の電子スイッチ。 - 【請求項６】部分インダクタンス（８）にはそれぞれ一
つのダイオード（１１）が並列に接続され、そのカソー
ド側はそれぞれ二つのＦＥＴ（６）のソース電極（１
０）に接続されていることを特徴とする請求項５記載の
電子スイッチ。 - 【請求項７】部分インダクタンス（８）の代わりに変流
器（１２）が接続され、その一次回路のインダクタンス
が部分インダクタンス（８）の大きさに設定され、その
二次回路が制御装置（１３）に接続されていることを特
徴とする請求項６記載の電子スイッチ。 - 【請求項８】インダクタンス（７）が二つのＦＥＴ
（６）のソース電極（１０）の間に接続され、各ＦＥＴ
（６）に対してそれぞれ別個の制御電圧（２）が設けら
れていることを特徴とする請求項３記載の電子スイッ
チ。 - 【請求項９】制御電圧（２）の負側端子を電流方向に関
連して切り換える手段（１４、１５）が設けられている
ことを特徴とする請求項３記載の電子スイッチ。 - 【請求項１０】二つの平行アームにダイオード（１４）
を、対角線にオーム抵抗（１５）を備えたブリッジ回路
がインダクタンス（７）に並列に接続され、このオーム
抵抗（１５）に制御電圧（２）の負側端子が接続されて
いることを特徴とする請求項９記載の電子スイッチ。 - 【請求項１１】インダクタンス（７）が電流もしくは電
圧変成器（１２）の一次回路インダクタンスとして構成
されていることを特徴とする請求項８、９又は１０記載
の電子スイッチ。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| EP92116358A EP0590167B1 (de) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | Leistungsschalter mit strombegrenzender Induktivität |
| AT92116358.0 | 1992-09-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196986A true JPH06196986A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=8210047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5256525A Pending JPH06196986A (ja) | 1992-09-24 | 1993-09-20 | 電子スイッチ |
Country Status (5)
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|---|---|
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| JP (1) | JPH06196986A (ja) |
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| AU (1) | AU669927B2 (ja) |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003115752A (ja) * | 2001-10-05 | 2003-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | レベルシフト回路 |
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- 1992-09-24 AT AT92116358T patent/ATE155297T1/de not_active IP Right Cessation
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1993
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- 1993-09-23 AU AU47579/93A patent/AU669927B2/en not_active Ceased
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003115752A (ja) * | 2001-10-05 | 2003-04-18 | Mitsubishi Electric Corp | レベルシフト回路 |
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| EP0590167B1 (de) | 1997-07-09 |
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| DE59208693D1 (de) | 1997-08-14 |
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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