JPS5863081A - インバ−タ装置 - Google Patents
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- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はインバータ装置、特に電界効果トランジスタを
使用したインバータ装置に関するものである。
使用したインバータ装置に関するものである。
従来、この種のインバータ装置として第１図に示すもの
があった。第１図において、電源１ｏの正端子に＠１の
電界効果トランジスタ（以下、ＭＯ８ＰＲｉ’ｌ’と称
す）１２のドレイ７１２ａを、このＭＯ８Ｆ］１’ｒの
ソース１２ｂに第２のＭＯ８Ｐ］１ｆｉＴ３４Ｆ）ドＶ
イア１４＊を、こ（７）ＭＯ８ＦＦ！Ｔ０７−ス１＋ｂ
を上記電源ｌＯの負端子に順次接続して閉回路を形成し
、上記第１、第２のＭＯ８ＦｆｆｉＴのグー）１２６％
１４０にゲートドライブ回路１６．１８を接続したも
のである。
があった。第１図において、電源１ｏの正端子に＠１の
電界効果トランジスタ（以下、ＭＯ８ＰＲｉ’ｌ’と称
す）１２のドレイ７１２ａを、このＭＯ８Ｆ］１’ｒの
ソース１２ｂに第２のＭＯ８Ｐ］１ｆｉＴ３４Ｆ）ドＶ
イア１４＊を、こ（７）ＭＯ８ＦＦ！Ｔ０７−ス１＋ｂ
を上記電源ｌＯの負端子に順次接続して閉回路を形成し
、上記第１、第２のＭＯ８ＦｆｆｉＴのグー）１２６％
１４０にゲートドライブ回路１６．１８を接続したも
のである。
上記のようにＭＯＢＩＩＢτをスイッチング素子として
使用した場合、その等価回路は第２図に示すような回路
となる。第２図において、ドレイン１２ａとゲート１２
ｅ間には静電容量２０．グー） １２ Ｃトソ−，＜
１２ ｂｆ＄ＪｊＫａ靜を容量２２． ）”レイン１
２ＦＬとソース１２ｂ間には静電容量２４が６る。ＭＯ
ＢＦＮＴ １２ カＯＮ ＋、九九時ＯＮ抵抗２６ｉｊ
７−ス１２ｂとゲート１２Ｑ間の電圧により制御される
スイッチ２８と直列になっている。
使用した場合、その等価回路は第２図に示すような回路
となる。第２図において、ドレイン１２ａとゲート１２
ｅ間には静電容量２０．グー） １２ Ｃトソ−，＜
１２ ｂｆ＄ＪｊＫａ靜を容量２２． ）”レイン１
２ＦＬとソース１２ｂ間には静電容量２４が６る。ＭＯ
ＢＦＮＴ １２ カＯＮ ＋、九九時ＯＮ抵抗２６ｉｊ
７−ス１２ｂとゲート１２Ｑ間の電圧により制御される
スイッチ２８と直列になっている。
また、ドレイン１２＆とソース１２ｂ間に逆方向ダイオ
ード３０を有している。
ード３０を有している。
以下、第１図の回路動作について説明する。いま、第１
のＭＯＢＦＮＴ １２がゲートドライブ回路１６の出
力を受けてＯＮすると、出力端子１ｏ。
のＭＯＢＦＮＴ １２がゲートドライブ回路１６の出
力を受けてＯＮすると、出力端子１ｏ。
の電位は電源１０の電位Ｖ＋になるが、次にＭＯ８７Ｉ
ＣＴ １２がＯＦＦ ｌ、第２のＭＯＢＦＭＴ １４が
ゲートドライブ回路１８の出力を受けてＯＮした時、上
記出力端子１００の電位ｑｖ＋からＶ−に下る。
ＣＴ １２がＯＦＦ ｌ、第２のＭＯＢＦＭＴ １４が
ゲートドライブ回路１８の出力を受けてＯＮした時、上
記出力端子１００の電位ｑｖ＋からＶ−に下る。
すなわち、ＭＯ１３ＦＩＣＴ １４のドレイ７１４ａと
ノース１４１）間の電圧はＶ＋から０ボルトになり、Ｍ
Ｏ１３７ＩＴ １２１７）ドレイ７１２ａとソース１２
ｂ間の電圧は釉に急激に変化する。
ノース１４１）間の電圧はＶ＋から０ボルトになり、Ｍ
Ｏ１３７ＩＴ １２１７）ドレイ７１２ａとソース１２
ｂ間の電圧は釉に急激に変化する。
第３図は第１図回路の動作を□示すタイムチャート図に
して、ａｄＭＯ日Ｆｇ’ｒ １２のスイッチング状態
、ｂはＭＯ８ＦＩｅＴ １４のスイッチング状態、ｃ
Ｆｉ出力端子１００の電位、ｄＦｉＭＯ８ＦＥＴ １２
のドレイン電流、ｅｉ；１Ｍ０８ＦＩｃＴ １４のドレ
イン電流、ｆはＭＯ８ＦＩＣＴ １２のソース１２ｂと
ゲート１２Ｃ間の電圧、ｇＦｉＭ０８ＦＫＴ １４のソ
ース１４ｂとグー）１４８間の電圧である。
して、ａｄＭＯ日Ｆｇ’ｒ １２のスイッチング状態
、ｂはＭＯ８ＦＩｅＴ １４のスイッチング状態、ｃ
Ｆｉ出力端子１００の電位、ｄＦｉＭＯ８ＦＥＴ １２
のドレイン電流、ｅｉ；１Ｍ０８ＦＩｃＴ １４のドレ
イン電流、ｆはＭＯ８ＦＩＣＴ １２のソース１２ｂと
ゲート１２Ｃ間の電圧、ｇＦｉＭ０８ＦＫＴ １４のソ
ース１４ｂとグー）１４８間の電圧である。
上記第３図８から明らかなようにＭＯ８ＦｆｆｉＴ１４
がＯＮした時、前記第２図に示した静電容量２０〜２４
を通る電流がＭＯＢＦＮＴ １４を流れて過電、流３４
が生ずる。同様１１ＣＭＯＢＦＥＴ １−２カＯＮ し
た時も同図ｄから明らかなように過電流３２が流れる。
がＯＮした時、前記第２図に示した静電容量２０〜２４
を通る電流がＭＯＢＦＮＴ １４を流れて過電、流３４
が生ずる。同様１１ＣＭＯＢＦＥＴ １−２カＯＮ し
た時も同図ｄから明らかなように過電流３２が流れる。
この過電流３２．３４によって上記静電容量２２に同図
’ｓｇに示す電圧降下３６．３８が生じ、この電圧降下
がＭＯＢＦＮＴ １２．１４のスレッショルド電圧４０
．４２に達すると、第２図に示したスイッチ２８がＯＮ
してＭＯ８Ｆｌ！ｉＴ ｌ ２゜１４を同時にＯＮする
期間をつくシ、これ等ＭＯ８ＦＩＴ Ｋよつ：１て電源
１０を短絡することになる。
’ｓｇに示す電圧降下３６．３８が生じ、この電圧降下
がＭＯＢＦＮＴ １２．１４のスレッショルド電圧４０
．４２に達すると、第２図に示したスイッチ２８がＯＮ
してＭＯ８Ｆｌ！ｉＴ ｌ ２゜１４を同時にＯＮする
期間をつくシ、これ等ＭＯ８ＦＩＴ Ｋよつ：１て電源
１０を短絡することになる。
ＭＯ８１ＰＫ丁を利用した従来のインバータ装置は以上
のように構成されているので、スイッチング時に過電流
が流れ、また、ｏＩＰＦシているＭＯ８ＦＪｌｌｉ’ｌ
：がＯＮしたＭＯ８ＦｆｆｉＴの過電流の影響を受けて
ＯＮし電源を短絡する。このため％ＭＯ８？ｌＴおよび
電源を破壊することになり、高電圧、高速度スイッチン
グでのＭＯＩ３ＦＥＴによるインバータを構成“するこ
とが困難であった。
のように構成されているので、スイッチング時に過電流
が流れ、また、ｏＩＰＦシているＭＯ８ＦＪｌｌｉ’ｌ
：がＯＮしたＭＯ８ＦｆｆｉＴの過電流の影響を受けて
ＯＮし電源を短絡する。このため％ＭＯ８？ｌＴおよび
電源を破壊することになり、高電圧、高速度スイッチン
グでのＭＯＩ３ＦＥＴによるインバータを構成“するこ
とが困難であった。
不発萌は前述した従来の゛課題に鑑み為されたものであ
り、その目的はＭＯＢＦＭＴのドレインまたはソースに
挿入したりアクドルによってＭＯ１３ＦＩｅＴの過電流
を制限し、安定にスイッチングできるインバータ装置を
提供することにある。
り、その目的はＭＯＢＦＭＴのドレインまたはソースに
挿入したりアクドルによってＭＯ１３ＦＩｅＴの過電流
を制限し、安定にスイッチングできるインバータ装置を
提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、電界効果トラ
ンジスタを電流制御素子として使用したインバータ装置
において、上記電界効果トランジスタのドレインまたは
ソース回路に電流制限素子と過電圧吸収回路の並列体を
付加したことを特徴とする。また、電流制限素子として
フェライトコアを用い、このフェライトコアに電界効果
トランジスタのドレインまたはソース回路を貫通させた
ことを特徴とする。さらに、２個以上の電界効果トラン
ジスタを並列接続して、この電界効果トランジスタのド
レインまたはソース回路に電流バランス抵抗を設けたこ
とを特徴とする。
ンジスタを電流制御素子として使用したインバータ装置
において、上記電界効果トランジスタのドレインまたは
ソース回路に電流制限素子と過電圧吸収回路の並列体を
付加したことを特徴とする。また、電流制限素子として
フェライトコアを用い、このフェライトコアに電界効果
トランジスタのドレインまたはソース回路を貫通させた
ことを特徴とする。さらに、２個以上の電界効果トラン
ジスタを並列接続して、この電界効果トランジスタのド
レインまたはソース回路に電流バランス抵抗を設けたこ
とを特徴とする。
以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例を説明する
。第４図ＦｉｔＩＩＪ１図と同一部分には同一符号を付
した本発明の第１実施例を示す回路図にして、ＭＯ１３
１ＰＩｅＴ １２．１４のドレイｙ１２ａ。
。第４図ＦｉｔＩＩＪ１図と同一部分には同一符号を付
した本発明の第１実施例を示す回路図にして、ＭＯ１３
１ＰＩｅＴ １２．１４のドレイｙ１２ａ。
１４ａにリアクトル４４．４６を直列に設け、この各リ
アクトルと並列に過電圧吸収回路４８．５０を接続した
構成である。上記過電圧吸収回路４８．５０は夫々ダイ
オード５２と抵抗５４の直列体、同５６と同５８の直列
体よシなる。
アクトルと並列に過電圧吸収回路４８．５０を接続した
構成である。上記過電圧吸収回路４８．５０は夫々ダイ
オード５２と抵抗５４の直列体、同５６と同５８の直列
体よシなる。
第５図は上記第４図回路の動作を示すタイムチャート図
にして、ＩＬ −ｅ ｉｊ第３図のａ −、、ｅと同じ
ものを示し、ｆ、ｇｒｉ過電圧吸収回路４８．５゜の電
圧を示す。
にして、ＩＬ −ｅ ｉｊ第３図のａ −、、ｅと同じ
ものを示し、ｆ、ｇｒｉ過電圧吸収回路４８．５゜の電
圧を示す。
上記！４図ノ回路構成テｄ ＭＯ１３ＦＲｉＴ １２．
１４のドレイン電流はりアクドル４４．４６にょシ制限
され、過電流６Ｇ、６２は第５図ｄ％ｅに示すように小
さな値となる。この場合、出力端子１００に接続される
負荷が容量性でも電流制限を行なうことができる。従っ
て、ＭＯ８１？ＥＴ １２％ 】４がＯＦＦした時、過
電圧吸収回路４８．５ｏはリアクトル４４．４６に発生
した電圧を第５図ｆ、ｇのように減衰させ、リアクトル
４４．４６に流れていた電流により過電圧が生ずるのを
防止する。なお、過電圧吸収回路４８．５ｏのダイオー
ド５２．５６は高速度スイッチング用、抵抗５４．５８
は無誘導抵抗がよい。
１４のドレイン電流はりアクドル４４．４６にょシ制限
され、過電流６Ｇ、６２は第５図ｄ％ｅに示すように小
さな値となる。この場合、出力端子１００に接続される
負荷が容量性でも電流制限を行なうことができる。従っ
て、ＭＯ８１？ＥＴ １２％ 】４がＯＦＦした時、過
電圧吸収回路４８．５ｏはリアクトル４４．４６に発生
した電圧を第５図ｆ、ｇのように減衰させ、リアクトル
４４．４６に流れていた電流により過電圧が生ずるのを
防止する。なお、過電圧吸収回路４８．５ｏのダイオー
ド５２．５６は高速度スイッチング用、抵抗５４．５８
は無誘導抵抗がよい。
第６図は本発明の第２実施例を示すもので、第４図のり
アクドル４４．４６の代りにフェライト：７７６４．６
６を用いた構成である。このフェライトコアは透磁率が
１０００〜３０ｏＯ程度あり、電線を貫通させるだけで
１０００〜２０００μＨのリアクトルとして動作する。
アクドル４４．４６の代りにフェライト：７７６４．６
６を用いた構成である。このフェライトコアは透磁率が
１０００〜３０ｏＯ程度あり、電線を貫通させるだけで
１０００〜２０００μＨのリアクトルとして動作する。
また、フェライトコアは高周波を減衰させる作用があり
％ＭＯ８ＦｇＴが高周波で起す寄生発根を防ぐことがで
き、安定なスイッチング動作をするものでｓ′）る。
％ＭＯ８ＦｇＴが高周波で起す寄生発根を防ぐことがで
き、安定なスイッチング動作をするものでｓ′）る。
第７図は本発明の第３実施例を示すもので、前記第４図
の第１実施例のＭＯ８ＦＩＣ’ｌ’ １２．１４の直列
体に対し並列に同じ回路構成のＭＯ８ＦＥＴ５１３．７
０の直列体を接続した単相インバータである。
の第１実施例のＭＯ８ＦＩＣ’ｌ’ １２．１４の直列
体に対し並列に同じ回路構成のＭＯ８ＦＥＴ５１３．７
０の直列体を接続した単相インバータである。
上記ＭＯ８ＦＥＴ ６８．７０のドレイｙ ６８ ａ、
７Ｑａにけりアクトルア２．７４、ゲート６８（！、７
０Ｃにはゲートドライブ回路７６．７８が接続されてい
る。また、上記リアクトルには並列にダイオード８０と
抵抗８２の直列体、同８４と同８６の直列体からなる過
電圧吸収回路８８．９ｏが接続されている。
７Ｑａにけりアクトルア２．７４、ゲート６８（！、７
０Ｃにはゲートドライブ回路７６．７８が接続されてい
る。また、上記リアクトルには並列にダイオード８０と
抵抗８２の直列体、同８４と同８６の直列体からなる過
電圧吸収回路８８．９ｏが接続されている。
本実施例−は負荷９２のインバータ出力電圧を第１実施
例の２倍にすることができる。また、負荷９２が誘導性
負荷の場合ＭＯ８ＦＥＴ Ｋ逆電圧が加わることがある
が、ＭＯ８７ＪＣＴ自身が有する逆方向ダイオード３０
（第２図）とりアクドル４４（４６，７２，７４）およ
び過電圧吸収回路４８（ｓ ｏ、ｓ ８，９０） が６
るため、ＭＯ８ＦＥＴ１２（１４，６８，７０）を破壊
することがない。トランジスタ等で構成したインバータ
では上記の逆電圧を防ぐため、ダイオードをトランジス
タと並列に逆向きに接続しているが、ＭＯＢＦＥＴを利
用した場合は上記ダイオードを省略することができる。
例の２倍にすることができる。また、負荷９２が誘導性
負荷の場合ＭＯ８ＦＥＴ Ｋ逆電圧が加わることがある
が、ＭＯ８７ＪＣＴ自身が有する逆方向ダイオード３０
（第２図）とりアクドル４４（４６，７２，７４）およ
び過電圧吸収回路４８（ｓ ｏ、ｓ ８，９０） が６
るため、ＭＯ８ＦＥＴ１２（１４，６８，７０）を破壊
することがない。トランジスタ等で構成したインバータ
では上記の逆電圧を防ぐため、ダイオードをトランジス
タと並列に逆向きに接続しているが、ＭＯＢＦＥＴを利
用した場合は上記ダイオードを省略することができる。
第８図は本発明の第４実施例を示すもので、第３実施例
のＭＯ８１’ＫＴ １２．１４．６８．７ｏをトランジ
スタ１１０とダイオード１１２、同１１４と同】１６、
同１１８と同１２０％同１２２と同１２４の各並列体で
構成したものである。
のＭＯ８１’ＫＴ １２．１４．６８．７ｏをトランジ
スタ１１０とダイオード１１２、同１１４と同】１６、
同１１８と同１２０％同１２２と同１２４の各並列体で
構成したものである。
第９図は本発明の第５実施例を示すもので、前記第３実
施例の各ＭＯＩ９ＰＫ’ｌ’回路に同一構成のＭＯ８Ｉ
ＦＥＴ回路（符号にダッシュを付けた部分）を並列接続
した構成である。ｎｏｓＦｇ’ｒは第２図の等何回路に
示すＯＮ抵抗２６にバラツキがあり、並列接続すると電
流が均等に流れないため、電流バランス抵抗１２６〜１
３２．１２６′〜１３２′をドレイン回路のりアクドル
と直列に接続する。この電流バランス抵抗はＭＯＢＦＥ
Ｔの上記ＯＮ抵抗と同程度の値一般には０．１〜ｌΩに
選定するとよい。
施例の各ＭＯＩ９ＰＫ’ｌ’回路に同一構成のＭＯ８Ｉ
ＦＥＴ回路（符号にダッシュを付けた部分）を並列接続
した構成である。ｎｏｓＦｇ’ｒは第２図の等何回路に
示すＯＮ抵抗２６にバラツキがあり、並列接続すると電
流が均等に流れないため、電流バランス抵抗１２６〜１
３２．１２６′〜１３２′をドレイン回路のりアクドル
と直列に接続する。この電流バランス抵抗はＭＯＢＦＥ
Ｔの上記ＯＮ抵抗と同程度の値一般には０．１〜ｌΩに
選定するとよい。
第１θ図は上記第９図のりアクドルの代りにフェライト
コア１３４〜１４０．１３４′〜１４０′を用いた本発
明の第６実施例を示す回路構成図である。
コア１３４〜１４０．１３４′〜１４０′を用いた本発
明の第６実施例を示す回路構成図である。
なお、上記は単相インバータを示したが、前記第１実施
例回路を３列にすることにより、３相インバータさらに
複数個使用することにより多相インバータも容易に構成
することができる。
例回路を３列にすることにより、３相インバータさらに
複数個使用することにより多相インバータも容易に構成
することができる。
第１１図は本発明の各実施例における電源１゜の構成例
を示すもので、３相交流Ｒ，８，Ｔをサイリスタ１４２
〜１５２により位相制御して、リアクトル１５４および
コンデンサ１５６［より一定の直流電圧を得る。
を示すもので、３相交流Ｒ，８，Ｔをサイリスタ１４２
〜１５２により位相制御して、リアクトル１５４および
コンデンサ１５６［より一定の直流電圧を得る。
第１２図ＦｉＭＯ８ＦＫＴによる本発明インバータ装置
１５８を、無声放電励起レーザー発振器１６０の無声放
電用電源として使用した例である。上記インバータ装置
１５８の出力を昇圧トランス１６２により高電圧として
、表面が誘電体で覆われた電極１６４，１６６に供給す
る。無声放電励起レーザー発振器１６０内にはレーザー
媒質ガス１６８が満たされてシシ、無声放電１７０が生
ずると、対向して置かれた全反射鏡１７２と部分透過鏡
１７４間でレーザー発振が起り、レーザー光線１７６と
して出力する。上記無声放電用電源として用いるインバ
ータ装置１５８の出力周波数は５ Ｑ ＫＨｚ〜２００
ＫＨ２を使用するため、他のトランジスタまたはサイ
リスタでは実現不可能であったがＭＯ８ＦＦｉＴを利用
することにより可能となったものである。
１５８を、無声放電励起レーザー発振器１６０の無声放
電用電源として使用した例である。上記インバータ装置
１５８の出力を昇圧トランス１６２により高電圧として
、表面が誘電体で覆われた電極１６４，１６６に供給す
る。無声放電励起レーザー発振器１６０内にはレーザー
媒質ガス１６８が満たされてシシ、無声放電１７０が生
ずると、対向して置かれた全反射鏡１７２と部分透過鏡
１７４間でレーザー発振が起り、レーザー光線１７６と
して出力する。上記無声放電用電源として用いるインバ
ータ装置１５８の出力周波数は５ Ｑ ＫＨｚ〜２００
ＫＨ２を使用するため、他のトランジスタまたはサイ
リスタでは実現不可能であったがＭＯ８ＦＦｉＴを利用
することにより可能となったものである。
以上の如く、本発明ＦｉＭＯ８ＦｆｆｉＴのドレインま
たはソース回路にリアクトルと過電圧吸収回路の並列体
を付加したので、ＭＯ８ＦｆｆｉＴに過電流が流れるの
を防止することができる。この結果、０ＦＩＰすべきＭ
Ｏ８ＦＩＴがＯＮになって電源を短絡するような事態を
生じることがなく、電源およびＭＯ８ＦＩＣＴ等の破壊
を回避することができると共に高周波において寄生発振
等が無く安定にスイッチングできるインバータ装置が得
られる効果がある。
たはソース回路にリアクトルと過電圧吸収回路の並列体
を付加したので、ＭＯ８ＦｆｆｉＴに過電流が流れるの
を防止することができる。この結果、０ＦＩＰすべきＭ
Ｏ８ＦＩＴがＯＮになって電源を短絡するような事態を
生じることがなく、電源およびＭＯ８ＦＩＣＴ等の破壊
を回避することができると共に高周波において寄生発振
等が無く安定にスイッチングできるインバータ装置が得
られる効果がある。
第１図は従来のインバータ装置の回路図、第２図はＭＯ
８ＩＦ］ＣＴの等価回路図、第３図は第１図の本発明の
第１実施例を示す回路図、第５図は第４図の回路動作を
説明するタイムチャート図、第６図は本発明のｔａ２実
施例を示す回路図、第７図は本発明の第３実施例を示す
回路図、第８図は本発明の第４実施例を示す回路図、第
９図は本発明の第５実施例を示す回路図、第１０図は本
発明の第６実施例を示す回路図、第１１図は本発明の上
記各実施例に適用する電源の回路構成図、第１２図は本
発明インバータ装置を適用した無声放電励起レーザー発
振器の電源として使用した回路結線図である。 各図中同一部材には同一符号を付し、１ｏは電源、１２
％１４．６８．７０＃１Ｍ０８ＰＫＴ、１６．１８．７
６．７８Ｆｉゲ一トドライブ回路、４４．４６％ ７２
．７４はリアクトル、４８．５０．８ｇ、９０は過電圧
吸収回路、６４，６６，１３４〜１４０は７エライトコ
アである。 □ 代理人 弁理士 葛 野 信 − 第１図 第２図 第３図 ｂＯＦＦ ＯＮ ＯＦＦ ＯＮ 第５図 ９ 第１１図 第１２図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １ 事件０）表示 ｆｅ卯昭 ５６−１５９８
１０号２ 発明の名称 インバータ装置 ３、補正をする者 事件との関係 持許出１頭人 代表者片１１１仁八部 ４、代理人 ５ 補正の対象 （１） ＦＩＪｍ瞥の発明の詳細な説明の−６、補正
の内容 （１） ＩＩ細瞥中、第７頁第１４行目Ｋ「１ｏｏｏ
〜２ｏｏ。 μＨの」とあるのをｒｘ−ｕＨの」と訂正する。 以上
８ＩＦ］ＣＴの等価回路図、第３図は第１図の本発明の
第１実施例を示す回路図、第５図は第４図の回路動作を
説明するタイムチャート図、第６図は本発明のｔａ２実
施例を示す回路図、第７図は本発明の第３実施例を示す
回路図、第８図は本発明の第４実施例を示す回路図、第
９図は本発明の第５実施例を示す回路図、第１０図は本
発明の第６実施例を示す回路図、第１１図は本発明の上
記各実施例に適用する電源の回路構成図、第１２図は本
発明インバータ装置を適用した無声放電励起レーザー発
振器の電源として使用した回路結線図である。 各図中同一部材には同一符号を付し、１ｏは電源、１２
％１４．６８．７０＃１Ｍ０８ＰＫＴ、１６．１８．７
６．７８Ｆｉゲ一トドライブ回路、４４．４６％ ７２
．７４はリアクトル、４８．５０．８ｇ、９０は過電圧
吸収回路、６４，６６，１３４〜１４０は７エライトコ
アである。 □ 代理人 弁理士 葛 野 信 − 第１図 第２図 第３図 ｂＯＦＦ ＯＮ ＯＦＦ ＯＮ 第５図 ９ 第１１図 第１２図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １ 事件０）表示 ｆｅ卯昭 ５６−１５９８
１０号２ 発明の名称 インバータ装置 ３、補正をする者 事件との関係 持許出１頭人 代表者片１１１仁八部 ４、代理人 ５ 補正の対象 （１） ＦＩＪｍ瞥の発明の詳細な説明の−６、補正
の内容 （１） ＩＩ細瞥中、第７頁第１４行目Ｋ「１ｏｏｏ
〜２ｏｏ。 μＨの」とあるのをｒｘ−ｕＨの」と訂正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 電界効果トランジスタを電流制御素子として
使用したインバータ装置において、上記電界効果トラン
ジスタのドレインまたはソース回路に電流制限素子と過
電圧吸収回路の並列体を付加したことを特徴とするイン
バータ装置。 （２、特許請求の範囲（１）記載の装置において、電流
制限素子としてリケクトルを用いたことを特徴限素子と
してフェライトコアを用い、このフェライトコアに電界
効果トランジスタのドレインまたはソース回路を貫通さ
せたインバータ装置。 （４）特許請求の範囲（１）、（２）、（３）のいずれ
かの装またはソース回路に電流バランス抵抗を設けたイ
ンバータ装置つ
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56159810A JPS5863081A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | インバ−タ装置 |
| GB08228357A GB2110482B (en) | 1981-10-07 | 1982-10-05 | Inverter |
| DE19823237220 DE3237220A1 (de) | 1981-10-07 | 1982-10-07 | Inverter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56159810A JPS5863081A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | インバ−タ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5863081A true JPS5863081A (ja) | 1983-04-14 |
| JPH0121704B2 JPH0121704B2 (ja) | 1989-04-21 |
Family
ID=15701744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56159810A Granted JPS5863081A (ja) | 1981-10-07 | 1981-10-07 | インバ−タ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5863081A (ja) |
| DE (1) | DE3237220A1 (ja) |
| GB (1) | GB2110482B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3415011A1 (de) * | 1983-04-19 | 1984-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | Invertiereinrichtung |
| JPS59194675A (ja) * | 1983-04-19 | 1984-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | インバ−タ装置 |
| JPS60118062A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｐｗｍインバ−タ装置 |
| JPS6142282A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-28 | Suzuki Denki Kogyo Kk | 単相トランジスタインバ−タ |
| JPS61106093A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｐｗｍインバ−タ装置内蔵一体型空気調和機 |
| JPS61271168A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-01 | Honda Motor Co Ltd | 電動式パワ−ステアリング装置の電動機駆動回路 |
| CN105262332A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-01-20 | 广东工业大学 | 一种应用于开关电源的上电浪涌电流抑制电路 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT380757B (de) * | 1984-08-20 | 1986-07-10 | Schrack Elektronik Ag | Schaltungsanordnung zur verbesserung des wirkungsgrades von getakteten stromversorgungsgeraeten |
| WO1991016765A1 (en) * | 1990-04-17 | 1991-10-31 | Nova Corporation Of Alberta | Switch for inductive loads |
| ATE155297T1 (de) * | 1992-09-24 | 1997-07-15 | Siemens Ag | Leistungsschalter mit strombegrenzender induktivität |
Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5210518A (en) * | 1975-07-14 | 1977-01-26 | Siemens Ag | Inverter equipment |
| JPS5388124A (en) * | 1977-01-13 | 1978-08-03 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Protecting inverter with gate turn-off thyristor applied |
| JPS5439610U (ja) * | 1977-08-23 | 1979-03-15 | ||
| JPS5549517A (en) * | 1978-07-24 | 1980-04-10 | Svenska Flaektfabriken Ab | Method and device for converting thermal energy of low quality into mechanical energy |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB858116A (en) * | 1956-04-19 | 1961-01-04 | Emi Ltd | Improvements relating to transistor switching circuits |
| DE1169999B (de) * | 1962-11-30 | 1964-05-14 | Siemens Ag | Elektronischer Umschalter mit zwei in Reihe liegenden Schaltstrecken |
| US3486045A (en) * | 1967-02-01 | 1969-12-23 | Singer Co | Referencing arrangement |
| DE2318490A1 (de) * | 1973-04-12 | 1974-10-31 | Sick Optik Elektronik Erwin | Impulsuebertragungsanordnung |
| US3896396A (en) * | 1973-05-14 | 1975-07-22 | Raytheon Co | Laser power supply |
| US4061986A (en) * | 1976-01-02 | 1977-12-06 | Coherent Radiation | Soft power supply for pulsed laser |
| DE2649385C2 (de) * | 1976-10-29 | 1986-11-27 | Andreas Prof. Dr.-Ing.habil. 7000 Stuttgart Boehringer | Anordnung ohne prinzipbedingte Verluste zur Entlastung elektrischer oder elektronischer Einwegschalter von ihrer Verlustleistungsbeanspruchung beim Ausschalten |
-
1981
- 1981-10-07 JP JP56159810A patent/JPS5863081A/ja active Granted
-
1982
- 1982-10-05 GB GB08228357A patent/GB2110482B/en not_active Expired
- 1982-10-07 DE DE19823237220 patent/DE3237220A1/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS61106093A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｐｗｍインバ−タ装置内蔵一体型空気調和機 |
| JPS61271168A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-01 | Honda Motor Co Ltd | 電動式パワ−ステアリング装置の電動機駆動回路 |
| CN105262332A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-01-20 | 广东工业大学 | 一种应用于开关电源的上电浪涌电流抑制电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2110482A (en) | 1983-06-15 |
| DE3237220A1 (de) | 1983-05-26 |
| GB2110482B (en) | 1985-04-03 |
| JPH0121704B2 (ja) | 1989-04-21 |
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