JPH0620011B2 - 超電導磁界発生装置 - Google Patents
超電導磁界発生装置Info
- Publication number
- JPH0620011B2 JPH0620011B2 JP58245868A JP24586883A JPH0620011B2 JP H0620011 B2 JPH0620011 B2 JP H0620011B2 JP 58245868 A JP58245868 A JP 58245868A JP 24586883 A JP24586883 A JP 24586883A JP H0620011 B2 JPH0620011 B2 JP H0620011B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- magnetic field
- solenoid coil
- field generator
- superconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F6/00—Superconducting magnets; Superconducting coils
- H01F6/02—Quenching; Protection arrangements during quenching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は超電導磁界発生装置に係り、特に超電導ソレノ
イドコイル、この超電導ソレノイドコイルと直列に接続
された補正用超電導コイル、これら両者のコイルを収納
している液体ヘリウム容器および超電導体等を有してい
る超電導磁界発生装置に関するものである。
イドコイル、この超電導ソレノイドコイルと直列に接続
された補正用超電導コイル、これら両者のコイルを収納
している液体ヘリウム容器および超電導体等を有してい
る超電導磁界発生装置に関するものである。
第１図は核磁気共鳴診断装置に用いられている超電導磁
界発生装置の従来例が示されている。同図に示されてい
るように超電導磁界発生装置は超電導ソレノイドコイル
１、補正用超電導コイル２ａ，２ｂ、これらおよび寒剤
である液体ヘリウム３を収納している液体ヘリウム容器
４、この液体ヘリウム容器４を真空断熱槽５を介して包
囲している液体窒素容器６、この液体窒素容器６を真空
断熱槽７を介して包囲している外壁８等より構成されて
いる。そして超電導ソレノイドコイル１は核磁気共鳴に
必要な磁界を発生させ、補正用超電導コイル２ａ，２ｂ
はこの磁界を中心空間９で高均一度にしており、この中
心空間である高均一度空間９の高均一度磁界を利用して
核磁気共鳴診断が行なわれている。
界発生装置の従来例が示されている。同図に示されてい
るように超電導磁界発生装置は超電導ソレノイドコイル
１、補正用超電導コイル２ａ，２ｂ、これらおよび寒剤
である液体ヘリウム３を収納している液体ヘリウム容器
４、この液体ヘリウム容器４を真空断熱槽５を介して包
囲している液体窒素容器６、この液体窒素容器６を真空
断熱槽７を介して包囲している外壁８等より構成されて
いる。そして超電導ソレノイドコイル１は核磁気共鳴に
必要な磁界を発生させ、補正用超電導コイル２ａ，２ｂ
はこの磁界を中心空間９で高均一度にしており、この中
心空間である高均一度空間９の高均一度磁界を利用して
核磁気共鳴診断が行なわれている。
このように構成された超電導磁界発生装置で外部で磁界
妨害が生じた場合には直接高均一度空間９に影響を与
え、磁界の均一度が低下して診断に支障をきたしてい
た。
妨害が生じた場合には直接高均一度空間９に影響を与
え、磁界の均一度が低下して診断に支障をきたしてい
た。
第２図にはこれに代る超電導磁界発生装置の従来例が示
されている。これは超電導ソレノイドコイル１および補
正用超電導コイル２ａ，２ｂの外周側に、超電導ソレノ
イドコイル１と同芯でかつ中心が一致している肉厚の薄
い中空円筒状の超電導体１０を設け、この超電導体１０
で外乱磁界の影響を除去するようにしたものである。こ
の貫通する穴を有した超電導体１０はその穴を通る磁束
を一定に保つ性質があるので、この性質を利用して外乱
磁界の影響を軽減する。すなわち超電導体１０には開口
部を通る磁束を一定にする作用があるが、これは外乱磁
界が生じた際にはこの外乱磁界と反対向きで、同じ大き
さの磁界を発生させるような電流、すなわち反磁性電流
が超電導体１０に流れ、外乱磁界を打ち消し、磁束を一
定に保持する。しかしこの超電導磁界発生装置では反磁
性電流が超電導ソレノイドコイル１に蔽つている超電導
体１０全体にわたつて流れ、高均一度空間９の磁界の淫
れを大きくしてしまう欠点を有していた。
されている。これは超電導ソレノイドコイル１および補
正用超電導コイル２ａ，２ｂの外周側に、超電導ソレノ
イドコイル１と同芯でかつ中心が一致している肉厚の薄
い中空円筒状の超電導体１０を設け、この超電導体１０
で外乱磁界の影響を除去するようにしたものである。こ
の貫通する穴を有した超電導体１０はその穴を通る磁束
を一定に保つ性質があるので、この性質を利用して外乱
磁界の影響を軽減する。すなわち超電導体１０には開口
部を通る磁束を一定にする作用があるが、これは外乱磁
界が生じた際にはこの外乱磁界と反対向きで、同じ大き
さの磁界を発生させるような電流、すなわち反磁性電流
が超電導体１０に流れ、外乱磁界を打ち消し、磁束を一
定に保持する。しかしこの超電導磁界発生装置では反磁
性電流が超電導ソレノイドコイル１に蔽つている超電導
体１０全体にわたつて流れ、高均一度空間９の磁界の淫
れを大きくしてしまう欠点を有していた。
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、外乱磁界
の影響を軽減し、かつ高均一磁界の保持を可能とした超
電導磁界発生装置を提供することを目的とするものであ
る。
の影響を軽減し、かつ高均一磁界の保持を可能とした超
電導磁界発生装置を提供することを目的とするものであ
る。
すなわち本発明は超電導ソレノイドコイルと、この超電
導ソレノイドコイルと直列に接続された補正用超電導コ
イルと、これら両者のコイルを収納している液体ヘリウ
ム容器とを備え、前記超電導ソレノイドコイルの周囲に
外乱磁界の影響を除去する超電導体が設けられている超
電導磁界発生装置において、前記超電導体の断面積を前
記超電導ソレノイドコイルの断面積に比べ小さく形成す
ると共に、この超電導体を前記超電導ソレノイドコイル
と同軸で超電導ソレノイドコイルの少なくとも軸方向両
側に設け、かつこの夫々の超電導体に超電導状態から常
電導状態に転移する永久電流スイッチを具備させたこと
を特徴とするものであり、これによって反磁性電流は超
電導ソレノイドコイルの断面積より小さな断面積の超電
導体を流れるようになる。
導ソレノイドコイルと直列に接続された補正用超電導コ
イルと、これら両者のコイルを収納している液体ヘリウ
ム容器とを備え、前記超電導ソレノイドコイルの周囲に
外乱磁界の影響を除去する超電導体が設けられている超
電導磁界発生装置において、前記超電導体の断面積を前
記超電導ソレノイドコイルの断面積に比べ小さく形成す
ると共に、この超電導体を前記超電導ソレノイドコイル
と同軸で超電導ソレノイドコイルの少なくとも軸方向両
側に設け、かつこの夫々の超電導体に超電導状態から常
電導状態に転移する永久電流スイッチを具備させたこと
を特徴とするものであり、これによって反磁性電流は超
電導ソレノイドコイルの断面積より小さな断面積の超電
導体を流れるようになる。
以下、図示した実施例に基づいて本発明を説明する。第
３図から第５図には本発明の一実施例が示されている。
なお従来と同じ部品には同じ符号を付したので説明を省
略する。本実施例では超電導体１０ａ，１０ｂの断面積
（断面１１）を超電導レノイドコイル１の断面積に比べ
小さく形成すると共に、この超電導体１０ａ，１０ｂを
超電導ソレノイドコイル１と同軸で超電導ソレノイドコ
イル１の軸方向両側に設け、かつこの夫々の超電導体１
０ａ、１０ｂに超電導状態から常電導状態に転移する永
久電流スイッチ１２ａ、１２ｂを具備させた。このよう
にすることにより反磁性電流は断面の小さな超電導体１
０ａ，１０ｂを流れるようになつて、高均一磁界９（高
均一度空間）に影響を及ぼさないようになり、外乱磁界
の影響を軽減し、かつ高均一度磁界９の保持を可能とし
た超電導磁界発生装置を得ることができる。
３図から第５図には本発明の一実施例が示されている。
なお従来と同じ部品には同じ符号を付したので説明を省
略する。本実施例では超電導体１０ａ，１０ｂの断面積
（断面１１）を超電導レノイドコイル１の断面積に比べ
小さく形成すると共に、この超電導体１０ａ，１０ｂを
超電導ソレノイドコイル１と同軸で超電導ソレノイドコ
イル１の軸方向両側に設け、かつこの夫々の超電導体１
０ａ、１０ｂに超電導状態から常電導状態に転移する永
久電流スイッチ１２ａ、１２ｂを具備させた。このよう
にすることにより反磁性電流は断面の小さな超電導体１
０ａ，１０ｂを流れるようになつて、高均一磁界９（高
均一度空間）に影響を及ぼさないようになり、外乱磁界
の影響を軽減し、かつ高均一度磁界９の保持を可能とし
た超電導磁界発生装置を得ることができる。
すなわち超電導ソレノイドコイル１の軸端に閉回路を形
成する超電導体１０ａ，１０ｂを、超電導ソレノイドコ
イル１と共軸で、かつ中心対称に一対設けた。そしてこ
の超電導体１０ａ，１０ｂにはこれを超電導状態から常
電導状態に転移させる永久電流スイツチ１２ａ，１２ｂ
を設けると共に、その断面１１を従来に比べて小さくし
た。断面１１を小さくするには一重巻線または多重巻線
を使用し一重巻線で形成した断面１１ａ，多重巻線で形
成した断面１１ｂのいずれであつてもよい。このように
することにより外乱磁界が発生した場合に超電導体１０
ａ，１０ｂには反磁性電流が流れて外乱磁界を打ち消す
と共に、その断面を小さくしたので従来のように超電導
ソレノイドコイル１全体を蔽つて流れず、流れる部分が
小さくなつて、高均一度空間９に影響を及ぼさないよう
になる。
成する超電導体１０ａ，１０ｂを、超電導ソレノイドコ
イル１と共軸で、かつ中心対称に一対設けた。そしてこ
の超電導体１０ａ，１０ｂにはこれを超電導状態から常
電導状態に転移させる永久電流スイツチ１２ａ，１２ｂ
を設けると共に、その断面１１を従来に比べて小さくし
た。断面１１を小さくするには一重巻線または多重巻線
を使用し一重巻線で形成した断面１１ａ，多重巻線で形
成した断面１１ｂのいずれであつてもよい。このように
することにより外乱磁界が発生した場合に超電導体１０
ａ，１０ｂには反磁性電流が流れて外乱磁界を打ち消す
と共に、その断面を小さくしたので従来のように超電導
ソレノイドコイル１全体を蔽つて流れず、流れる部分が
小さくなつて、高均一度空間９に影響を及ぼさないよう
になる。
すなわち超電導ソレノイドコイル１および補正用超電導
コイル２ａ，２ｂを超電導コイル用電源１３で励起する
際に、ヒータ用電源１４でヒータ線１５，１５ａ，１５
ｂを加熱し、永久電流スイツチ１２，１２ａ，１２ｂを
超電導状態から常電導状態に転移させる。そして超電導
ソレノイドコイル１および補正用超電導コイル２ａ，２
ｂを励磁し、これらのコイル１，２ａ，２ｂの合成磁界
が所定の値に達した時にヒータ線１５，１５ａ，１５ｂ
に流れる電流を切り、永久電流スイツチ１２，１２ａ，
１２ｂを常電導状態から超電導状態に転移させる。この
ようにすると超電導ソレノイドコイル１と補正用超電導
コイル２ａ，２ｂとからなる閉回路および超電導体１０
ａ，１０ｂの閉回路は永久電流状態になり、高均一度磁
界９を安定に保持する。そして外乱磁界が生じた際は上
述のように超電導体１０ａ，１０ｂに反磁性電流が流れ
て外乱磁界を打ち消すが、この反磁性電流は超電導体１
０ａ，１０ｂの断面１１の小さな閉回路を流れるので、
高均一度磁界９への影響が軽減でき、高均一磁界９が安
定に保持できる。
コイル２ａ，２ｂを超電導コイル用電源１３で励起する
際に、ヒータ用電源１４でヒータ線１５，１５ａ，１５
ｂを加熱し、永久電流スイツチ１２，１２ａ，１２ｂを
超電導状態から常電導状態に転移させる。そして超電導
ソレノイドコイル１および補正用超電導コイル２ａ，２
ｂを励磁し、これらのコイル１，２ａ，２ｂの合成磁界
が所定の値に達した時にヒータ線１５，１５ａ，１５ｂ
に流れる電流を切り、永久電流スイツチ１２，１２ａ，
１２ｂを常電導状態から超電導状態に転移させる。この
ようにすると超電導ソレノイドコイル１と補正用超電導
コイル２ａ，２ｂとからなる閉回路および超電導体１０
ａ，１０ｂの閉回路は永久電流状態になり、高均一度磁
界９を安定に保持する。そして外乱磁界が生じた際は上
述のように超電導体１０ａ，１０ｂに反磁性電流が流れ
て外乱磁界を打ち消すが、この反磁性電流は超電導体１
０ａ，１０ｂの断面１１の小さな閉回路を流れるので、
高均一度磁界９への影響が軽減でき、高均一磁界９が安
定に保持できる。
第６図には本発明の他の実施例が示されている。本実施
例では超電導ソレノイドコイル１の軸端に断面が小さく
閉回路を形成する超電導体１０ｃ，１０ｄおよび１０
ｅ，１０ｆを超電導ソレノイドコイルと共軸で、かつ中
心対称に二対設けた。そして超電導ソレノイドコイル１
の外周上に超電導ソレノイドコイル１と同芯で、中心対
称な超電導体１０ｇ，１０ｈを設けた。この超電導体１
０ｇ，１０ｈも断面の小さな閉回路に形成したことは云
うまでもない。このよに超電導体１０ｃ，１０ｄ，１０
ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈを多段に設けたので、前述
の場合よりも外乱磁界の影響を多段にわたつて防止する
ことができ、高均一度磁界９を安定に保持することがで
きる。
例では超電導ソレノイドコイル１の軸端に断面が小さく
閉回路を形成する超電導体１０ｃ，１０ｄおよび１０
ｅ，１０ｆを超電導ソレノイドコイルと共軸で、かつ中
心対称に二対設けた。そして超電導ソレノイドコイル１
の外周上に超電導ソレノイドコイル１と同芯で、中心対
称な超電導体１０ｇ，１０ｈを設けた。この超電導体１
０ｇ，１０ｈも断面の小さな閉回路に形成したことは云
うまでもない。このよに超電導体１０ｃ，１０ｄ，１０
ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈを多段に設けたので、前述
の場合よりも外乱磁界の影響を多段にわたつて防止する
ことができ、高均一度磁界９を安定に保持することがで
きる。
第７図には本発明に更に他の実施例が示されている。本
実施例では超電導体１０ｃ，１０ｄを超電導ソレノイド
コイル１の軸方向の液体ヘリウム容器４の内壁に、超電
導体１０ｇ，１０ｈを超電導ソレノイドコイル１の径方
向の液体ヘリウム容器４の内壁に夫々固定した。このよ
うにすることにより、超電導体１０ｃ，１０ｄ，１０
ｇ，１０ｈの位置設定および固定を前述の場合よりも精
度よく、かつ容易にすることができる。
実施例では超電導体１０ｃ，１０ｄを超電導ソレノイド
コイル１の軸方向の液体ヘリウム容器４の内壁に、超電
導体１０ｇ，１０ｈを超電導ソレノイドコイル１の径方
向の液体ヘリウム容器４の内壁に夫々固定した。このよ
うにすることにより、超電導体１０ｃ，１０ｄ，１０
ｇ，１０ｈの位置設定および固定を前述の場合よりも精
度よく、かつ容易にすることができる。
第８図には本発明の更に他の実施例が示されている。本
実施例では超電導体１０ｃ，１０ｄを超電導ソレノイド
コイル１の軸方向の液体エリウム容器４の外壁に、超電
導体１０ｇ，１０ｈを超電導ソレノイドコイル１の径方
向の液体ヘリウム容器４の外壁に夫々固定した。この場
合にも超電導体１０ｃ，１０ｄ，１０ｇ，１０ｈの位置
設定が精度よく、固定を容易にすることができるように
なつて、前述の場合と同様な作用効果を奏することがで
きる。
実施例では超電導体１０ｃ，１０ｄを超電導ソレノイド
コイル１の軸方向の液体エリウム容器４の外壁に、超電
導体１０ｇ，１０ｈを超電導ソレノイドコイル１の径方
向の液体ヘリウム容器４の外壁に夫々固定した。この場
合にも超電導体１０ｃ，１０ｄ，１０ｇ，１０ｈの位置
設定が精度よく、固定を容易にすることができるように
なつて、前述の場合と同様な作用効果を奏することがで
きる。
第９図には本発明の更に他の実施例が示されている。本
実施例では超電導体１０ｉ，１０ｊをくら形で形成し
た。この場合にも前述の場合と同様な作用効果を奏する
ことができる。
実施例では超電導体１０ｉ，１０ｊをくら形で形成し
た。この場合にも前述の場合と同様な作用効果を奏する
ことができる。
なお本実施例ではリング状の超電導体１０ａ〜１０ｈお
よびくら形の超電導体１０ｉ，１０ｊをわけて使用する
ようにしたがこれに限るものではなく、これら両者を併
用するようにしてもよい。
よびくら形の超電導体１０ｉ，１０ｊをわけて使用する
ようにしたがこれに限るものではなく、これら両者を併
用するようにしてもよい。
上述のように本発明は超電導体に流れる反磁性電流が外
乱磁界は打ち消すが、高均一度磁界には影響を及ぼさな
いようになつて、外乱磁界の影響を軽減し、かつ高均一
度磁界の保持を可能とした超電導磁界発生装置を得るこ
とができる。
乱磁界は打ち消すが、高均一度磁界には影響を及ぼさな
いようになつて、外乱磁界の影響を軽減し、かつ高均一
度磁界の保持を可能とした超電導磁界発生装置を得るこ
とができる。
第１図は従来の超電導磁界発生装置の縦断側面図、第２
図は従来の超電導磁界発生装置の他の例の超電算磁界発
生装置要部の縦断面図、第３図は本発明の超電導磁界発
生装置の一実施例の超電導磁界発生装置要部の縦断側面
図、第４図は同じく一実施例の超電導体の一部縦断正面
図、第５図は第３図の等価回路図、第６図は本発明の超
電導磁界発生装置の他の実施例の超電導磁界発生装置要
部の縦断側面図、第７図は本発明の超電導磁界発生装置
の更に他の実施例の超電導磁界発生装置要部の縦断側面
図、第８図は本発明の超電導磁界発生装置の更に他の実
施例の超電導磁界発生装置要部の縦断側面図、第９図は
本発明の超電導磁界発生装置の更に他の実施例の超電導
磁界発生装置要部の正面および側面図である。 １……超電導ソレノイドコイル、２ａ，２ｂ……補正用
超電導コイル、４……液体ヘリウム容器、９……高均一
度磁界（空間）、１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１
０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ，１０ｉ，１０ｊ……超
電導体、１１……断面、１２，１２ａ，１２ｂ……永久
電流スイツチ、１３……超電導コイル用電源、１４……
ヒータ用電源、１５，１５ａ，１５ｂ……ヒータ線。
図は従来の超電導磁界発生装置の他の例の超電算磁界発
生装置要部の縦断面図、第３図は本発明の超電導磁界発
生装置の一実施例の超電導磁界発生装置要部の縦断側面
図、第４図は同じく一実施例の超電導体の一部縦断正面
図、第５図は第３図の等価回路図、第６図は本発明の超
電導磁界発生装置の他の実施例の超電導磁界発生装置要
部の縦断側面図、第７図は本発明の超電導磁界発生装置
の更に他の実施例の超電導磁界発生装置要部の縦断側面
図、第８図は本発明の超電導磁界発生装置の更に他の実
施例の超電導磁界発生装置要部の縦断側面図、第９図は
本発明の超電導磁界発生装置の更に他の実施例の超電導
磁界発生装置要部の正面および側面図である。 １……超電導ソレノイドコイル、２ａ，２ｂ……補正用
超電導コイル、４……液体ヘリウム容器、９……高均一
度磁界（空間）、１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１
０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ，１０ｉ，１０ｊ……超
電導体、１１……断面、１２，１２ａ，１２ｂ……永久
電流スイツチ、１３……超電導コイル用電源、１４……
ヒータ用電源、１５，１５ａ，１５ｂ……ヒータ線。
Claims (3)
- 【請求項１】超電導ソレノイドコイルと、この超電導ソ
レノイドコイルと直列に接続された補正用超電導コイル
と、これら両者のコイルを収納している液体ヘリウム容
器とを備え、前記超電導ソレノイドコイルの周囲に外乱
磁界の影響を除去する超電導体が設けられている超電導
磁界発生装置において、前記超電導体の断面積を前記超
電導ソレノイドコイルの断面積に比べ小さく形成すると
共に、この超電導体を前記超電導ソレノイドコイルと同
軸で超電導ソレノイドコイルの少なくとも軸方向両側に
設け、かつこの夫々の超電導体に超電導状態から常電導
状態に転移する永久電流スイッチを具備させたことを特
徴とする超電導磁界発生装置。 - 【請求項２】前記超電導体が、前記液体ヘリウム容器の
内壁面もしくは外壁面に配置されたものである特許請求
の範囲第１項記載の超電導磁界発生装置。 - 【請求項３】前記超電導体の内径を、前記超電導ソレノ
イドコイルの内径より大きくしたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の超電導磁界発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245868A JPH0620011B2 (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 超電導磁界発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58245868A JPH0620011B2 (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 超電導磁界発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60142506A JPS60142506A (ja) | 1985-07-27 |
| JPH0620011B2 true JPH0620011B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=17140009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58245868A Expired - Lifetime JPH0620011B2 (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | 超電導磁界発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620011B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3829207A1 (de) * | 1988-08-29 | 1990-03-08 | Licentia Gmbh | Strombegrenzende drosselspule |
| GB9016184D0 (en) * | 1990-07-24 | 1990-09-05 | Oxford Magnet Tech | Magnet assembly |
| JP3731231B2 (ja) | 1995-11-30 | 2006-01-05 | 株式会社日立メディコ | 超電導磁石装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6058562B2 (ja) * | 1977-02-09 | 1985-12-20 | 古河電気工業株式会社 | 超電導マグネツトの磁界分布調整方法 |
| JPS58186915A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 超電導マグネツト |
-
1983
- 1983-12-29 JP JP58245868A patent/JPH0620011B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60142506A (ja) | 1985-07-27 |
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