JPH06200296A - 硫酸組成物 - Google Patents
硫酸組成物Info
- Publication number
- JPH06200296A JPH06200296A JP5000807A JP80793A JPH06200296A JP H06200296 A JPH06200296 A JP H06200296A JP 5000807 A JP5000807 A JP 5000807A JP 80793 A JP80793 A JP 80793A JP H06200296 A JPH06200296 A JP H06200296A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sulfuric acid
- group
- surface tension
- carbon atoms
- silicone oil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Emulsifying, Dispersing, Foam-Producing Or Wetting Agents (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 界面活性剤を含有し、表面張力が４０ｄｙｎ
／ｃｍ以下に調節された硫酸又は硫酸−過酸化水素混合
物中に、シリコンーンオイル及び／又はフッ素で変性
されたシリコーンオイルと、下記一般式（Ｑ） 【化１】 （式中、Ｒ1 及びＲ4 は独立に炭素数３以上のフルオロ
アルキル基を、Ｒ2 及びＲ3 は独立に水素原子または炭
素数１〜４の低級アルキル基を、ＡはＳＯ2 基またはＣ
Ｏ基を、ｍは０〜１２の整数を、ｎは１〜１０の整数を
それぞれ表す。）で示される化合物とを含有してなる硫
酸組成物。 【効果】 本発明によれば、低表面張力にて消泡性に優
れ、且つ高酸化性雰囲気下、高温下でも安定な硫酸組成
物を提供でき、高集積回路の工業生産上利するところ大
である。
／ｃｍ以下に調節された硫酸又は硫酸−過酸化水素混合
物中に、シリコンーンオイル及び／又はフッ素で変性
されたシリコーンオイルと、下記一般式（Ｑ） 【化１】 （式中、Ｒ1 及びＲ4 は独立に炭素数３以上のフルオロ
アルキル基を、Ｒ2 及びＲ3 は独立に水素原子または炭
素数１〜４の低級アルキル基を、ＡはＳＯ2 基またはＣ
Ｏ基を、ｍは０〜１２の整数を、ｎは１〜１０の整数を
それぞれ表す。）で示される化合物とを含有してなる硫
酸組成物。 【効果】 本発明によれば、低表面張力にて消泡性に優
れ、且つ高酸化性雰囲気下、高温下でも安定な硫酸組成
物を提供でき、高集積回路の工業生産上利するところ大
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は硫酸組成物に関する。詳
しくは、本発明は特定のフッ素系界面活性剤を含有して
なり、特に半導体製造工程にて洗浄剤として利用される
のに適した低表面張力硫酸組成物に関するものである。
しくは、本発明は特定のフッ素系界面活性剤を含有して
なり、特に半導体製造工程にて洗浄剤として利用される
のに適した低表面張力硫酸組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路に代表される微細加工技術は近
年益々その加工精度を向上させており、ダイナミックラ
ンダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）を例にとれば、現
在では、サブミクロンの加工技術が大量生産レベルの技
術として確立されている。微細加工技術においては、ウ
エハ上に存在するパーティクルが加工精度に重要な影響
を与え、フォトリソグラフィー等の各工程では硫酸など
の洗浄剤を用い、ウエハ上のパーティクルを除去して使
用するのが通例である。上述の如く集積回路の集積度が
向上するのに伴い、パターンの微細化、凹凸の複雑化と
も相まって洗浄工程に要求されるパーティクルの除去も
より厳しい要求がなされてきている。
年益々その加工精度を向上させており、ダイナミックラ
ンダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）を例にとれば、現
在では、サブミクロンの加工技術が大量生産レベルの技
術として確立されている。微細加工技術においては、ウ
エハ上に存在するパーティクルが加工精度に重要な影響
を与え、フォトリソグラフィー等の各工程では硫酸など
の洗浄剤を用い、ウエハ上のパーティクルを除去して使
用するのが通例である。上述の如く集積回路の集積度が
向上するのに伴い、パターンの微細化、凹凸の複雑化と
も相まって洗浄工程に要求されるパーティクルの除去も
より厳しい要求がなされてきている。
【０００３】一方、硫酸は半導体製造工程において、シ
リコン基板の洗浄、レジスト膜の除去等に単独で、また
は過酸化水素との混合物として使用されている。しかし
ながら、従来の高純度硫酸を使用すると、表面張力が大
きく濡れ性が悪いために、洗浄剤が微細なパターン内に
浸透し難く、洗浄が不十分になるなどの不都合があっ
た。一般的に半導体製造工程で使用される硫酸あるいは
硫酸−過酸化水素混合物の表面張力は６０ｄｙｎ／ｃｍ
以上であるが、これらに特定の界面活性剤を添加するこ
とにより表面張力を低下させ濡れ性を向上させる方法が
提案されている（特開平２−２４０２８５号公報）。
リコン基板の洗浄、レジスト膜の除去等に単独で、また
は過酸化水素との混合物として使用されている。しかし
ながら、従来の高純度硫酸を使用すると、表面張力が大
きく濡れ性が悪いために、洗浄剤が微細なパターン内に
浸透し難く、洗浄が不十分になるなどの不都合があっ
た。一般的に半導体製造工程で使用される硫酸あるいは
硫酸−過酸化水素混合物の表面張力は６０ｄｙｎ／ｃｍ
以上であるが、これらに特定の界面活性剤を添加するこ
とにより表面張力を低下させ濡れ性を向上させる方法が
提案されている（特開平２−２４０２８５号公報）。
【０００４】上述の如く、硫酸は半導体製造工程では過
酸化水素と混合してシリコンウエハの洗浄に用いること
が多いが、この系での表面張力および濡れ性が特に問題
になる。また、ウエハの洗浄は、通常１００〜１３０℃
の温度で実施されるので、高温下での安定性がより重要
となる。しかしながら、先に提案された界面活性剤は、
表面張力を一時的に低下させることはできても、高温下
では界面活性剤としての機能が失われて、徐々に表面張
力が上昇し、濡れ性が低下してしまう。また、高温下で
も安定に低表面張力を維持できるような界面活性剤を使
用した場合には、過酸化水素の分解により発生したガス
によって激しい発泡が生じ、取り扱いが非常に困難とな
る等、未だ十分に満足のいくものは得られていない。
酸化水素と混合してシリコンウエハの洗浄に用いること
が多いが、この系での表面張力および濡れ性が特に問題
になる。また、ウエハの洗浄は、通常１００〜１３０℃
の温度で実施されるので、高温下での安定性がより重要
となる。しかしながら、先に提案された界面活性剤は、
表面張力を一時的に低下させることはできても、高温下
では界面活性剤としての機能が失われて、徐々に表面張
力が上昇し、濡れ性が低下してしまう。また、高温下で
も安定に低表面張力を維持できるような界面活性剤を使
用した場合には、過酸化水素の分解により発生したガス
によって激しい発泡が生じ、取り扱いが非常に困難とな
る等、未だ十分に満足のいくものは得られていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
の背景に鑑み、既に提案されている表面張力低下剤を含
有する硫酸組成物の特性を改良し、高温下でも安定に低
表面張力を保ち、濡れ性に優れ、かつ消泡性を兼ね備え
た硫酸組成物を提供することにある。
の背景に鑑み、既に提案されている表面張力低下剤を含
有する硫酸組成物の特性を改良し、高温下でも安定に低
表面張力を保ち、濡れ性に優れ、かつ消泡性を兼ね備え
た硫酸組成物を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述のよ
うな問題点を解決するために種々検討を重ねた結果、界
面活性剤を添加することによって表面張力を調節した硫
酸あるいは硫酸−過酸化水素混合物に、更にシリコーン
オイルと特定のフッ素化合物を併用すれば上記目的を達
成することができることを見いだして本発明に到達し
た。
うな問題点を解決するために種々検討を重ねた結果、界
面活性剤を添加することによって表面張力を調節した硫
酸あるいは硫酸−過酸化水素混合物に、更にシリコーン
オイルと特定のフッ素化合物を併用すれば上記目的を達
成することができることを見いだして本発明に到達し
た。
【０００７】即ち、本発明の要旨は、界面活性剤を含有
し、表面張力が４０ｄｙｎ／ｃｍ以下に調節された硫酸
又は硫酸−過酸化水素混合物中に、シリコンーンオイ
ル及び／又はフッ素で変性されたシリコーンオイルと、
下記一般式（Ｑ）
し、表面張力が４０ｄｙｎ／ｃｍ以下に調節された硫酸
又は硫酸−過酸化水素混合物中に、シリコンーンオイ
ル及び／又はフッ素で変性されたシリコーンオイルと、
下記一般式（Ｑ）
【０００８】
【化２】
【０００９】（式中、Ｒ1 及びＲ4 は独立に炭素数３以
上のフルオロアルキル基を、Ｒ2 及びＲ3 は独立に水素
原子または炭素数１〜４の低級アルキル基を、ＡはＳＯ
2 基またはＣＯ基を、ｍは０〜１２の整数を、ｎは１〜
１０の整数をそれぞれ表す。）で示される化合物とを含
有してなることを特徴とする硫酸組成物、に存する。
上のフルオロアルキル基を、Ｒ2 及びＲ3 は独立に水素
原子または炭素数１〜４の低級アルキル基を、ＡはＳＯ
2 基またはＣＯ基を、ｍは０〜１２の整数を、ｎは１〜
１０の整数をそれぞれ表す。）で示される化合物とを含
有してなることを特徴とする硫酸組成物、に存する。
【００１０】以下、本発明を更に詳細に説明する。本発
明の硫酸組成物を構成する、界面活性剤を含有する硫酸
又は硫酸−過酸化水素混合物は、その表面張力が４０ｄ
ｙｎ／ｃｍ以下であることを前提とする。界面活性剤は
表面張力低下剤として作用するものであり、従ってこの
ような界面活性剤としては、硫酸又は硫酸と過酸化水素
との混合物の表面張力を前記値以下に調節できるもので
あれば特に限定されないが、例えば、下記一般式（Ｉ）
〜（IV）で示されるフッ素系界面活性剤が挙げられる。
明の硫酸組成物を構成する、界面活性剤を含有する硫酸
又は硫酸−過酸化水素混合物は、その表面張力が４０ｄ
ｙｎ／ｃｍ以下であることを前提とする。界面活性剤は
表面張力低下剤として作用するものであり、従ってこの
ような界面活性剤としては、硫酸又は硫酸と過酸化水素
との混合物の表面張力を前記値以下に調節できるもので
あれば特に限定されないが、例えば、下記一般式（Ｉ）
〜（IV）で示されるフッ素系界面活性剤が挙げられる。
【００１１】
【化３】
【００１２】（式中、Ｒ5 は炭素数３以上のフルオロア
ルキル基を、Ｒ6 は水素原子又は炭素数１〜４の低級ア
ルキル基を、Ｒ7 及びＲ8 はそれぞれ独立に炭素数１〜
４の低級アルキル基、又はベンゼン環を１つもつアリー
ル基もしくはアラルキル基を表し、ａは１〜１０の整数
を、ｂは１〜５の整数を表す。）で示されるフルオロア
ルキルスルホンアミド化合物、下記一般式（II）
ルキル基を、Ｒ6 は水素原子又は炭素数１〜４の低級ア
ルキル基を、Ｒ7 及びＲ8 はそれぞれ独立に炭素数１〜
４の低級アルキル基、又はベンゼン環を１つもつアリー
ル基もしくはアラルキル基を表し、ａは１〜１０の整数
を、ｂは１〜５の整数を表す。）で示されるフルオロア
ルキルスルホンアミド化合物、下記一般式（II）
【００１３】
【化４】
【００１４】（式中、Ｒ9 は炭素数３以上のフルオロア
ルキル基を、Ｒ10は水素原子又は炭素数１〜４の低級ア
ルキル基を、Ｒ11、Ｒ12及びＲ13はそれぞれ独立に炭素
数１〜４の低級アルキル基、又はベンゼン環を１つもつ
アリール基もしくはアラルキル基を表し、Ｘはハロゲン
または酸根を表し、ｃは１〜１０の整数を表す。）で示
されるフルオロアルキルスルホンアミド化合物、下記一
般式（III ）
ルキル基を、Ｒ10は水素原子又は炭素数１〜４の低級ア
ルキル基を、Ｒ11、Ｒ12及びＲ13はそれぞれ独立に炭素
数１〜４の低級アルキル基、又はベンゼン環を１つもつ
アリール基もしくはアラルキル基を表し、Ｘはハロゲン
または酸根を表し、ｃは１〜１０の整数を表す。）で示
されるフルオロアルキルスルホンアミド化合物、下記一
般式（III ）
【００１５】
【化５】
【００１６】（式中、Ｒ14は炭素数３以上のフルオロア
ルキル基を、Ｒ16は水素原子又は炭素数１〜４の低級ア
ルキル基を、ｄは１〜５の整数を、Ａは水素原子又はＳ
Ｏ3 Ｈを表す。）で示されるフルオロアルキルスルホン
アミド化合物、下記一般式（IV）
ルキル基を、Ｒ16は水素原子又は炭素数１〜４の低級ア
ルキル基を、ｄは１〜５の整数を、Ａは水素原子又はＳ
Ｏ3 Ｈを表す。）で示されるフルオロアルキルスルホン
アミド化合物、下記一般式（IV）
【００１７】
【化６】
【００１８】（式中、Ｒ16は炭素数３以上のフルオロア
ルキル基を、Ｒ17は水素原子又は炭素数１〜４の低級ア
ルキル基を表し、Ｒ18及びＲ19は水素原子又はＳＯ3 Ｈ
を表す。）で示されるフルオロアルキルスルホンアミド
化合物、等が挙げられる。
ルキル基を、Ｒ17は水素原子又は炭素数１〜４の低級ア
ルキル基を表し、Ｒ18及びＲ19は水素原子又はＳＯ3 Ｈ
を表す。）で示されるフルオロアルキルスルホンアミド
化合物、等が挙げられる。
【００１９】界面活性剤の含有量は硫酸又は硫酸−過酸
化水素混合物のいずれの場合も、通常、硫酸に対して
０．００１〜０．１重量％であり、より好ましい含有量
は硫酸に対して０．００５〜０．０５重量％である。上
記添加量より少なすぎると効果が十分でなく、また多す
ぎてもそれ以上の効果は得られない。かかる界面活性剤
を含有させることによって硫酸あるいは硫酸−過酸化水
素混合物の表面張力は４０ｄｙｎ／ｃｍ以下に調節され
る。本発明では、この表面張力が調節された混合物に、
更にシリコーンオイル及び／又はフッ素で変性されたシ
リコーンオイルと上記一般式（Ｑ）で示される化合物を
配合する。シリコーンオイルとしては通常、下記一般式
（Ｂ）で示されるものが挙げられる。
化水素混合物のいずれの場合も、通常、硫酸に対して
０．００１〜０．１重量％であり、より好ましい含有量
は硫酸に対して０．００５〜０．０５重量％である。上
記添加量より少なすぎると効果が十分でなく、また多す
ぎてもそれ以上の効果は得られない。かかる界面活性剤
を含有させることによって硫酸あるいは硫酸−過酸化水
素混合物の表面張力は４０ｄｙｎ／ｃｍ以下に調節され
る。本発明では、この表面張力が調節された混合物に、
更にシリコーンオイル及び／又はフッ素で変性されたシ
リコーンオイルと上記一般式（Ｑ）で示される化合物を
配合する。シリコーンオイルとしては通常、下記一般式
（Ｂ）で示されるものが挙げられる。
【００２０】
【化７】
【００２１】（式中、Ｒ20、Ｒ21、Ｒ22及びＲ23はそれ
ぞれ独立に水素又は炭素数１〜３０の直鎖アルキル基、
またはアリール基を示すが、アルキル基及びアリール基
は更にアミノ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、ア
リール基、エポキシ基などで置換されていてもよい。）
で表される化合物であり、またｅは式（Ｂ）で示される
化合物の粘度が１〜１００万ｃＳｔとなるような数値を
表す。又、フッ素で変性されたシリコーンオイルとして
は一般式（Ｂ）中のＲ21又はＲ22の水素原子が一部フッ
素で置換されたものが一般的であり、その置換率は通
常、約５０％以上、好ましくは約８０％以上である。な
お、シリコーンオイルとフッ素で変性されたシリコーン
オイルは混合して使用してもよい。これらシリコーンオ
イル及び／又は変性シリコーンオイルの配合量は硫酸組
成物中の硫酸に対して合計で０．００１〜０．０１重量
％であり、好ましくは０．００２〜０．００５重量％で
ある。
ぞれ独立に水素又は炭素数１〜３０の直鎖アルキル基、
またはアリール基を示すが、アルキル基及びアリール基
は更にアミノ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、ア
リール基、エポキシ基などで置換されていてもよい。）
で表される化合物であり、またｅは式（Ｂ）で示される
化合物の粘度が１〜１００万ｃＳｔとなるような数値を
表す。又、フッ素で変性されたシリコーンオイルとして
は一般式（Ｂ）中のＲ21又はＲ22の水素原子が一部フッ
素で置換されたものが一般的であり、その置換率は通
常、約５０％以上、好ましくは約８０％以上である。な
お、シリコーンオイルとフッ素で変性されたシリコーン
オイルは混合して使用してもよい。これらシリコーンオ
イル及び／又は変性シリコーンオイルの配合量は硫酸組
成物中の硫酸に対して合計で０．００１〜０．０１重量
％であり、好ましくは０．００２〜０．００５重量％で
ある。
【００２２】上記一般式（Ｑ）で表される化合物として
は、フルオロアルキル基を構造式の両端に配したもので
あり、式中、Ｒ1 及びＲ4 で表されるフルオロアルキル
基としては炭素数３以上のものであるが、特に炭素数６
〜１０のアルキル基の水素原子をフッ素原子に置換した
ものであり、フッ素の置換率としては約５０％以上、好
ましくは約８０％以上である。Ｒ2 及びＲ3 は水素原子
または炭素数１〜４の低級アルキル基が挙げられ、Ａは
ＳＯ2 基又はＣＯ基である。ｍは０〜１２、より好まし
くは０〜８、更に好ましくは０〜４の整数である。ｎは
１〜１０、好ましくは１〜５の整数であり、更に好まし
くは２〜４の整数である。一般式（Ｑ）の化合物の配合
量は硫酸に対して０．０１〜０．１重量％であり、好ま
しくは０．０２〜０．０５重量％である。なお、一般式
（Ｑ）で表わされる化合物自体は硫酸の表面張力を低下
させる機能は殆んどない。
は、フルオロアルキル基を構造式の両端に配したもので
あり、式中、Ｒ1 及びＲ4 で表されるフルオロアルキル
基としては炭素数３以上のものであるが、特に炭素数６
〜１０のアルキル基の水素原子をフッ素原子に置換した
ものであり、フッ素の置換率としては約５０％以上、好
ましくは約８０％以上である。Ｒ2 及びＲ3 は水素原子
または炭素数１〜４の低級アルキル基が挙げられ、Ａは
ＳＯ2 基又はＣＯ基である。ｍは０〜１２、より好まし
くは０〜８、更に好ましくは０〜４の整数である。ｎは
１〜１０、好ましくは１〜５の整数であり、更に好まし
くは２〜４の整数である。一般式（Ｑ）の化合物の配合
量は硫酸に対して０．０１〜０．１重量％であり、好ま
しくは０．０２〜０．０５重量％である。なお、一般式
（Ｑ）で表わされる化合物自体は硫酸の表面張力を低下
させる機能は殆んどない。
【００２３】本発明の硫酸組成物は、通常水溶液として
用いられるが、あまり薄すぎると洗浄効果がないため、
一般的には硫酸として６０重量％以上、好ましくは７０
重量％以上の濃度のものが使用される。尚、硫酸組成物
は、通常、過酸化水素水と混合されて洗浄液とされ、過
酸化水素水としては約３０％程度のものが使用される
が、過酸化水素水の混合比率は硫酸水溶液に対して５〜
３０重量％程度である。本発明で使用される界面活性
剤、（変性）シリコーンオイル及び一般式（Ｑ）で示さ
れる化合物は、このような強酸化性の雰囲気にても安定
である。また通常、洗浄は１００〜１３０℃の高温で行
なわれるが、本発明の硫酸組成物は、このような高温下
でも十分にその効果を発揮し、かつ長時間の安定性にも
優れている。尚、本発明の硫酸組成物は、特に半導体製
造工程での使用を目的とするものであるから、使用され
る硫酸、表面張力低下剤、シリコーンオイル及び一般式
（Ｑ）で示される化合物は、高純度のものが使用され
る。
用いられるが、あまり薄すぎると洗浄効果がないため、
一般的には硫酸として６０重量％以上、好ましくは７０
重量％以上の濃度のものが使用される。尚、硫酸組成物
は、通常、過酸化水素水と混合されて洗浄液とされ、過
酸化水素水としては約３０％程度のものが使用される
が、過酸化水素水の混合比率は硫酸水溶液に対して５〜
３０重量％程度である。本発明で使用される界面活性
剤、（変性）シリコーンオイル及び一般式（Ｑ）で示さ
れる化合物は、このような強酸化性の雰囲気にても安定
である。また通常、洗浄は１００〜１３０℃の高温で行
なわれるが、本発明の硫酸組成物は、このような高温下
でも十分にその効果を発揮し、かつ長時間の安定性にも
優れている。尚、本発明の硫酸組成物は、特に半導体製
造工程での使用を目的とするものであるから、使用され
る硫酸、表面張力低下剤、シリコーンオイル及び一般式
（Ｑ）で示される化合物は、高純度のものが使用され
る。
【００２４】
【実施例】次に実施例を挙げて本発明の具体的態様を更
に詳しく説明するが、本発明はその要旨を越えない限り
以下の実施例により何ら限定されるものではない。 実施例１〜９及び比較例１〜４ ８９重量％硫酸に下記表−１に記載の表面張力低下剤を
０．０１重量％加え、これに０．２容量倍の３１重量％
過酸化水素水を混合した硫酸組成物（表面張力２７．２
ｄｙｎ／ｃｍ）に、更に表−１に記載のシリコーンオイ
ルを硫酸水溶液に対して０．００２重量％及び表−１に
記載の一般式（Ｑ）の化合物を硫酸水溶液に対して０．
０２重量％を添加し、本発明の硫酸組成物を調製した
（表面張力２７．３ｄｙｎ／ｃｍ）。この組成物を１３
０℃まで昇温加熱し、この時点での液面の発泡状態を観
察した。また比較のためシリコーンオイル及び一般式
（Ｑ）の化合物をいずれも添加していない場合、各々単
独で添加した場合についても同様に液面の発泡状態を観
察した。結果を表−１に示す。
に詳しく説明するが、本発明はその要旨を越えない限り
以下の実施例により何ら限定されるものではない。 実施例１〜９及び比較例１〜４ ８９重量％硫酸に下記表−１に記載の表面張力低下剤を
０．０１重量％加え、これに０．２容量倍の３１重量％
過酸化水素水を混合した硫酸組成物（表面張力２７．２
ｄｙｎ／ｃｍ）に、更に表−１に記載のシリコーンオイ
ルを硫酸水溶液に対して０．００２重量％及び表−１に
記載の一般式（Ｑ）の化合物を硫酸水溶液に対して０．
０２重量％を添加し、本発明の硫酸組成物を調製した
（表面張力２７．３ｄｙｎ／ｃｍ）。この組成物を１３
０℃まで昇温加熱し、この時点での液面の発泡状態を観
察した。また比較のためシリコーンオイル及び一般式
（Ｑ）の化合物をいずれも添加していない場合、各々単
独で添加した場合についても同様に液面の発泡状態を観
察した。結果を表−１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】尚、表中、シリコーンオイルの無変性品
は、東レ・ダウコーニング社製ＳＨ−２００を、フッ素
変性品は、東レ・ダウコーニング社製ＦＳ−１２６５
を、それぞれ表わす。また、表面張力低下剤〔Ｉ−１〕
〜〔IV−１〕は下式で表わされるものである。
は、東レ・ダウコーニング社製ＳＨ−２００を、フッ素
変性品は、東レ・ダウコーニング社製ＦＳ−１２６５
を、それぞれ表わす。また、表面張力低下剤〔Ｉ−１〕
〜〔IV−１〕は下式で表わされるものである。
【００２７】
【化８】 また、一般式（Ｑ）の化合物は、下記表−２に記載のも
のを表わす。
のを表わす。
【００２８】
【表２】
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、低表面張力にて消泡性
に優れ、且つ高酸化性雰囲気下、高温下でも安定な硫酸
組成物を提供でき、高集積回路の工業生産上利するとこ
ろ大である。
に優れ、且つ高酸化性雰囲気下、高温下でも安定な硫酸
組成物を提供でき、高集積回路の工業生産上利するとこ
ろ大である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０１Ｂ 17/69 Ｍ Ｃ２３Ｆ 1/16 8414−4Ｋ Ｃ２３Ｇ 1/02 9351−4Ｋ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１ Ｌ 8832−4Ｍ //(Ｃ１１Ｄ 7/60 7:08 7:32）
Claims (1)
- 【請求項１】 界面活性剤を含有し、表面張力が４０ｄ
ｙｎ／ｃｍ以下に調節された硫酸又は硫酸−過酸化水素
混合物中に、シリコンーンオイル及び／又はフッ素で
変性されたシリコーンオイルと、下記一般式（Ｑ） 【化１】 （式中、Ｒ1 及びＲ4 は独立に炭素数３以上のフルオロ
アルキル基を、Ｒ2 及びＲ3 は独立に水素原子または炭
素数１〜４の低級アルキル基を、ＡはＳＯ2 基またはＣ
Ｏ基を、ｍは０〜１２の整数を、ｎは１〜１０の整数を
それぞれ表す。）で示される化合物とを含有してなる硫
酸組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5000807A JPH06200296A (ja) | 1993-01-06 | 1993-01-06 | 硫酸組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5000807A JPH06200296A (ja) | 1993-01-06 | 1993-01-06 | 硫酸組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06200296A true JPH06200296A (ja) | 1994-07-19 |
Family
ID=11483958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5000807A Pending JPH06200296A (ja) | 1993-01-06 | 1993-01-06 | 硫酸組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06200296A (ja) |
-
1993
- 1993-01-06 JP JP5000807A patent/JPH06200296A/ja active Pending
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