JPH0620053B2

JPH0620053B2 - 半導体基板加熱方法及び装置

Info

Publication number: JPH0620053B2
Application number: JP62257446A
Authority: JP
Inventors: マイケル・エイ・マクネイリ
Original assignee: ADOBANTEEJI PURODAKUSHON TEKUNOROJII CORP
Current assignee: ADOBANTEEJI PURODAKUSHON TEKUNOROJII CORP
Priority date: 1986-10-15
Filing date: 1987-10-14
Publication date: 1994-03-16
Anticipated expiration: 2009-03-16
Also published as: EP0267451A1; JPS63108712A; US4778559A

Description

【発明の詳細な説明】この発明は、半導体基板を一様に加熱する熱伝達モジュ
ールを含む改良された熱源および方法に関し、かつ半導
体薄膜処理装置ならびに熱伝達モジュールを含む方法に
関する。さらに詳しく述べれば、１つの特定な応用にお
ける本発明の分野はエピタキシャル・シリコン膜の蒸着
を含み、この蒸着は集積回路（IC）の製造に用いられる
シリコン・ウエーハのような半導体基板の伝導加熱に用
いられるモジュール表面の全面積にわたり極めて低い温
度勾配を持つ熱伝達モジュールを利用するものである。

いろいろな半導体組立法において、半導体基板すなわち
ウエーハが加熱される。通常、ウエーハの全質量および
全表面にわたって均一にウエーハを加熱することが大切
である。エピタキシャル・シリコン膜の化学蒸着のよう
なある種の方法では、均一でない加熱が不均一な蒸着を
生むことがある。

化学蒸着法では、コールドウオール（冷壁）形反応室の
中で蒸着反応を実行して、反応室壁を通して放射加熱エ
ネルギーを伝送するとともに反応室壁上の膜が蒸着する
のを回避することが強く要望されている。コールドウオ
ール方式がさらに望ましいのは、これを用いることでエ
ピタキシャル・シリコン膜および二酸化シリコン膜のよ
うな純度の高い膜の蒸着を可能にするからである。ホッ
トウオール（熱壁）方式では、加熱された反応室壁から
不純物が発生したり、壁を通って侵入することがある。
かかる不純物はコーティングの純度を阻害して悪影響を
及ぼし、かつ微粒子汚染を生じさせるので、かかる不純
物拡散または侵入および微粒子沈殿を無くするため、冷
壁反応室が使用されている。

反応室内に置かれた基板の加熱を可能にすると同時に反
応室壁を加熱しない化学蒸着工程は以前に開発された。
最初、エピタキシャル・シリコンのような工程は反応室
内に置かれた導電加熱台（サセプター）の無線周波（R
F）誘導加熱を使用したが、反応室の壁は石英のように
非導電すなわち絶縁材料で作られた。

しかし、かかるRF加熱法は一般に冷壁反応室内に上述の
問題点を発生させる一方、いくつかの固有の重大な不利
を有し、多くの状況下でRF加熱も望ましくないものにし
た。例えば、RF発生器は製造および保守が極めて高価に
つくとともに、サイズが極めて大きくなり、それによっ
てクリーンルーム内の高価な床空間の大きな面積を占
め、かつエピタキシャル反応器の近くに置かれなければ
ならない。その上、RFコイルに必要な高電圧は操作者に
重大な危険をもたらし、エネルギー効率も悪くし、さら
に隣接電子機器にしばしば悪影響を与えた。次に、RF加
熱の固有の不利を克服する短い波長の赤外線（IR）放射
エネルギーが開発された。IR加熱法は、最小の吸熱で石
英を通過し得る約１ミクロンのIRを発生させる高強度、
高温のランプを使用し、かくて化学蒸着（CVD）反応器
のコールドウオール型の基準条件を維持した。ランプは
固体電源および制御器から電力を受け、それによってRF
の使用が回避された。RF加熱と同様、コーティングすべ
き基板を支持しかつ加熱台を持つ間接RF結合と同様に転
送されるIRエネルギーを吸収するために反応室の内側に
加熱台を設ける必要があった。しかし、経験が示すとこ
ろによれば、IR加熱法はRF法にとって代わるが、それ自
身固有の欠点を数多く有している。これらの欠点は、高
価な製造および保守、エネルギー効率の不良、および基
板支持とエネルギー吸収のための加熱台の必要性など、
RF法と共通して見られる。RF法独自の追加の欠点は、温
度の不均一性、加熱台および基板を回転させる必要性、
基板表面のむら、ランプの頻繁な故障率、低いシステム
信頼度、並びにプロセス各工程自動化の困難性などであ
る。IRエネルギーを用いて大型基板を処理する自動プロ
セスにおける加熱の不均一性の問題は、直径3.4および
5インチの在来形ウエーハに比べて直径 6および 8イン
チの大形ウエーハを利用する新しいウエーハ製造プロセ
スにおいてより大きな問題となる。

本発明は、加熱に用いられる装置表面の全面積にわたり
極めて小さい温度勾配を持つ改良された加熱装置および
方法に関するものである。本発明は温度が均一であると
いう特徴を持ち、この特徴は、いろいろな薄膜、すなわ
ちエピタキシャル・シリコン、二酸化シリコン層などを
持つICウエーハのような基板の薄膜化学蒸着用反応器に
用いるのに特に好適であり、ICの基本電子構造を形成す
る。これらのIC応用では、熱を供給する装置が加熱する
為に用いられる表面の全体にわたって温度を極めて均一
に保つことが最も重要であり、その結果装置の表面と直
接接触する基板は伝導および放射によって均一に加熱さ
れ、それによってICを含む基板の表面に均一な薄膜が蒸
着される。

従来の方法に比べて、本発明の熱源の外壁に基板支持デ
バイスが接続されており、この熱源が反応室の内側に配
置されるため、加熱台の使用が不要となる一方、コール
ドウオール形の基準条件が維持される。本発明による室
壁はIRを通したり熱を吸収しないものとする必要はな
く、また非導電である必要もない。実際に、好適な実施
例では、加熱装置の室壁と容器はいずれも固体炭化シリ
コン又は鋼もしくはチタンのような金属であってセラミ
ック及び石英に対し不活性で、普通に入手できるエッチ
ング材料とともに望ましくない蒸着物を除去できる金属
により構成することができる。

従来技術と比べた本発明の利点は顕著である。

前述の利点に加えて、装置の製造および一般保守の費用
はRFならびにIRを用いる場合に比べて格段安い。さら
に、本発明の装置および方法はエネルギー効率が高く、
信頼性が高く、システム的故障が少ない。また、この発
明は基板表面に極めて均一な蒸着層を作り、それによっ
てかなりのIC歩留り損が除かれる。さらに、本発明の方
法および装置は基板処理動作の自動化を可能にする。

本発明はCVD反応器について開示されているが、言うま
でもなく本発明は加熱する必要のあるどんな半導体の処
理方法および装置にも適用できる。すなわち、本発明は
いろいろな形の既知の膜と共に基板上に薄膜を蒸着する
CVD方式に関して特に利用されるが、その利用はそれだ
けに制限されない。同様に、本発明は特殊な形のCVD反
応器に関してここに開示されているが、言うまでもなく
他の形式および構造の反応器に関する本発明の利用も意
図されている。

以下、付図に関して本発明の実施例を詳しく説明する。

最も均一に温度を伝えるように設計された改良形加熱装
置および最も均一薄膜を形成する蒸着法の好適な実施例
がここに説明される。この実施例は、コーティングすべ
き基板を支持する加熱装置が中に置かれている気相化学
反応室を使用することを前提としている。反応室および
改良形加熱装置は共に機能するので、以下、「反応シス
テム」と呼ぶ。

反応システム内で行われる化学エピタキシャル蒸着法の
手順は一般に、他の既知の蒸着法の手順で従来使用され
たものと同じである。エピタキシャル膜成長の詳細な作
用は化学蒸着技術でよく知られかつ理解されているの
で、これらは本開示から省略する。

図面の特に第１図〜第４図から、反応システム（11）お
よび加熱装置（15）が全体として略図の形で示されてい
る。反応システムには、反応材料の入口（13）および出
口（14）を備えている反応室（12）が含まれている。適
当なガス弁、電力源、および他の付属機構は省略されて
いる。簡単のために、本発明を説明するのに必要な加熱
装置（15）の部分のみが図面に含まれている。言うまで
もなく、示されたすべての部分は従来の機能を果たすよ
うに反応室内に支持されている。

加熱装置（15）は離隔する前後壁（17）および（18）を
持つハウジングすなわち加熱容器（16）を含み、その容
器の下方端は半円形でありかつその側部および下方端は
壁（19）によって結合されている。壁（17），（18）お
よび（19）の上方端を囲み、これらの壁の上端に固定さ
れているフランジ（22）にぴったりシーリングして固定
される取外し可能な上部閉止部材（21）は、容器（16）
の内部への接近を可能にする。

装置の壁は、固体炭化シリコンのような高導電特性を有
する材料から作られることが望ましい。かかる導電性表
面は、壁（17）および（18）の外部表面に、またその上
に置かれるウエーハまたは半導体基板Ｓに熱を最大限に
伝えることが望ましい。容器（16）は低融点、高沸点の
金属の熱伝達媒体（23）でほぼ満たされている。半導体
基板またはウエーハを処理するために、媒体（23）は35
0℃以下の融点および1000℃以上の沸点を有する。好適
な材料は本質的にはインジウムであるが、ビスマスおよ
びインジウムとビスマスとの共融混合物ならびにスズの
ような低融点、高沸点材料でもよい。

少なくとも１個の絶縁された抵抗発熱体（24A-24E）が
容器（16）にある媒体（23）の中に直接置かれている。
発熱体（24）は媒体（23）を融解してその媒体（23）を
蒸発させずに十分高い温度まで加熱する高温を発生し、
それによって容器の壁（17）および（18）の外部表面と
直接接触して置かれた半導体ウエーハまたは基板がその
処理に必要な高い温度まで加熱されるようにする。

第１図〜第４図に示された実施例では、発熱体は上部閉
止部材（21）のソケット（25）の中に等間隔に置かれる
一連の直線ロッド素子（24A〜24E）を含むので、上部閉
止部材（21）が容器（16）の上部を閉じる位置にあると
き、該素子は容器（16）の中に下がりかつ媒体（23）内
を通って容器の底付近までのびている。前壁（17）およ
び後壁（18）の下方端は半円形であるので、一連の素子
の内の中央ロッド素子（24B〜24D）は素子（24A）およ
び（24E）よりも長い。電力源から前記素子までの接続
は図示されていないが、かかる接続は在来通りである。
さらに熱伝達媒体の温度を監視する熱電対（図示されて
いない）が含まれているので、液体温度は容器の外壁に
対して置かれたウエーハまたは基板を所望の温度まで加
熱するように制御することができる。

容器の前壁（17）および後壁（18）の下方縁が半円形で
ある第１図〜第４図の好適な実施例では、熱伝達媒体
（23）から容器の壁（17）および（18）を経て加熱位置
（17A）ならびに（18A）まで伝導される熱によって基板
Ｓを均一に伝導加熱するように、容器（16）の外壁表面
と直接接触してウエーハまたは基板Ｓを置く円形ウエー
ハまたは基板加熱位置（17A）および（18A）がそれぞれ
具備されている。液体は容器の壁まで熱を均一に伝え
る。媒体の中に等間隔に一連の発熱体を置くことによっ
て、加熱位置（17A）および（18A）における温度の均一
性を高める。

加熱位置（17A）および（18A）での基板Ｓの支持を助け
るために、支持装置である１対の留めくぎ（26）が加熱
位置（17A）および（18A）の下方半円形の周囲に沿って
具備される。基板Ｓの縁は１対の留めくぎ（26）の上に
載る。さらに、容器（16）の下方端は第４図に示される
通り上方端より少し厚いので、壁（17）および（18）な
らびに基板Ｓは上方が少し内方に傾斜している。

加熱位置（17A）および（18A）から基板Ｓを取外すのを
助けるために、ポート（27）が加熱位置内の容器壁にあ
り、壁通路（28）を経てガス源に通じているが、ガス源
の典型的なものは基板Ｓを取外すポート（27）からガス
を噴出するプロセス・ガス（図示されていない）であ
る。

反応システム（11）における基板Ｓの化学蒸着処理で
は、１対の基板が留めくぎ（26）の上に置かれて、ポー
ト（27）からガスを引き入れることによって加熱位置
（17）および（18）に引き入れられる。

熱伝達媒体（23）は抵抗発熱体によって蒸発を生じさせ
ない温度まで加熱されるので、熱は対流により容器（1
6）の内壁に均一に伝達される。次に、容器の壁（17）
および（18）の伝導特性によって、熱は壁を介し基板Ｓ
の表面に均一に分布される。反応ガスは入口（13）およ
び出口（14）を経てそれぞれ反応室（12）に吸引されか
つ排出される。順次、処理すべき表面を持つ基板の加熱
され、露出された表面は、反応室に系統的に導入される
ガスと反応して、所望の薄膜で均一なコーティングを生
成する。反応ガスの流れが停止されると、反応室はパー
ジングされ、開かれ、ポート（27）からガスを吹き出し
て基板Ｓを取外せるようになる。

純インジウムはその固有の特性により、熱伝達媒体とし
て好適である。ビスマス、またはインジウムとビスマス
あるいはインジウムとスズの共融混合物も使用可能であ
る。インジウムは水と同様、融点を少し上回る温度の融
解状態でさえ、極めて、低い粘度を有する。低粘度が重
要であるのは、伝導および対流の熱伝達特性が熱伝達の
均一性に反比例するからである。したがって、媒体の粘
度が低いほど、熱伝達媒体の流れすなわち熱伝達に対す
る抵抗が減り、熱伝達の効率が向上する。

さらに、インジウムおよびビスマスはいずれも反応プロ
セスに必要の融点 350℃未満であって沸点1000℃を越え
るという不可欠な温度範囲を有する。インジウムおよび
ビスマスの融点値はそれぞれ 156℃ならびに 271℃であ
り、またそれらの沸点値はそれぞれ2087℃ならびに1420
℃である。50重量％のインジウムとビスマスとの共融混
合物の融点は約89℃であり、沸点は1500℃を越える。イ
ンジウムは、ビスマスまたは多くの他の金属のような毒
性を示さない。

熱伝達媒体として金属を選択する際に考慮されかつ最大
のシステムおよび製品効率を保証するのにふさわしい他
の材料特性には、反応に用いられる材料および容器材料
に対して反応しない金属であること、かかる材料を扱う
者に対して無毒で危険のない金属であること、容器の壁
を浸透せずに、容器壁の材料を溶かさない金属であるこ
と、および1200℃を越える温度で低い蒸気圧を持つ熱伝
導性の金属であることなどが含まれる。さらに、金属が
こぼれてるなどして汚染された場合のほか、インジウム
およびビスマスは容易に酸化されず、したがって無限に
使用可能である。

本出願の好適な実施例は薄膜化学蒸着法に関して説明さ
れたが、物理蒸着、プラズマ強化化学蒸着および熱酸化
のような他の半導体蒸気組立法にも等しく適用できる。

本発明は基板の加熱位置および区域を通常均一な温度に
する。第5A図は加熱装置（15）の表面上の指定された位
置で測定された種々の温度を示す。第5B図は加熱器（1
6）上に置かれた直径４インチ（約10.26 cm）のシリコ
ン・ウエーハの露出面で測定された種々の温度を示す。

第5A図において、加熱装置（15）の概略がこれも表面上
に示される６インチ（約15.24 cm）のウエーハの概略と
共に示されている。溶接後熱処理された 304ステンレス
鋼製の幅10インチ（約25.4cm）、高さ11インチ（約27.9
4 cm）、厚さ 1−3/4インチ（約 4.45 cm）の容器（1
6）を用いて試験が行われたが、容器（16）の１つのウ
エーハ側の壁の厚さは1/4 インチ（約 0.64 cm）であり
かつ他の側の壁の厚さは1/2インチ（約 1.27 cm）であ
った。容器は第３図に示される一般形状の直径1/2イン
チ（約 1.27 cm）の５本のロッドを有し、その内訳は長
さ８インチ（約20.32 cm）のロッド２本と、長さ10イン
チ（約25.4cm）のロッド２本と、長さ12インチ（約30.4
8 cm）のロッド１本であり、容器（16）の中の深さ約９
インチ（約22.86 cm）にある純インジウムの熱伝達媒体
の中に置かれた。容器は、金めっきされたステンレス鋼
の熱遮蔽物の内側に融置された。５本の各ロッドに15KW
が加えられかつ特定の試験では、加熱媒体に５KW未満が
加えられた。ロッドは、イリノイ州のファスト・ヒート
・オブ・エルムハースト（Fast Heat of Elmhust）によ
って販売された高温カートリッジ・ヒータ、モデルCM 1
/2インチ（約 1.27 cm）絶縁ステンレス鋼ロッドであっ
た。

容器（16）の前壁の５個所の指定された各位置で異なる
２組の温度測定が行われた。長方形で囲まれている第１
の温度測定は、ヒータ・ロッドに加えられるエネルギー
および 798℃となるように熱電対TCで定められた容器内
側のインジウムの温度によって行われた。この温度でか
つ示された構造での測定は、容器（16）の面のウエーハ
加熱位置で± 0.38％を越えない変化を示す。

円で囲まれている第２組の温度の値はヒータの電力がタ
ーン・オフされてから取られ、熱電対を介したインジウ
ムの温度の値は 336℃まで降下して加熱位置で± 0.9％
を越えない温度変化を示す。

第5B図は第5A図に示す上述の装置を用いて測定された温
度の値を示すが、ただし熱遮蔽物は使用されずかつ温度
測定は加熱装置（15）の前面に置かれた直径４インチ
（約10.16 cm）のウエーハの表面で直接行われた。この
試験に使用された５個のカートリッジ・ヒータはすべ
て、ペンシルベニア州ピッツバーグ市のクロマロクス・
インダストリアル・ヒーティング・プロダクツ（Chroma
lox Industrial Heating Products）製のタイプCIR直径
3/8インチ（約 0.95 cm）のヒータであった。２本の８
インチ（約20.32 cm）ロッド・タイプ2080、２本の10イ
ンチ（約25.4cm）ロッド・タイプ2101、および１本の12
インチ（約30.48 cm）ロッド・タイプ2121であった。８
インチの各ロッドには 0.7KWが加えられ、他の３本の各
ロッドには１KWが加えられた。長方形の中に示される値
は、ヒータ・ロッドにエネルギーを加えかつ熱電対TCに
より決定される 459℃でインジウムの温度を安定させて
取られたものである。温度変化は± 0.12％未満であっ
た。円で囲まれた温度値の組は、インジウムが加熱され
るにつれてとられ、 350℃になるまで読まれた。ウエー
ハ全体の温度変化は 0.11％未満であった。

明らかに、第１図〜第４図の好適な実施例に示された通
り、本発明でいろいろな変形を作ることができる。例え
ば、発熱体（24）は熱伝達媒体（23）の中を上方にのび
る構成としてもよく、また熱伝達媒体内に直接発熱体を
設置することが好適であるが、素子は媒体のスリーブ内
に設置することもできる。かかる構造は第６図および第
７図に示されており、ここで容器は第１図〜第４図の容
器実施例に比べて上下が逆になっていて、容器閉止部材
（21′）の位置は装置の底になる。発熱体（24′）は、
閉止部材（21′）に固着されている中空の円筒形スリー
ブ（24″）の中を上方にのび、従って熱伝達媒体（2
3′）の中に位置する。発熱体（24′）はスリーブ（2
4″）と伝導接触することができる。

第8A図、第8B図および第8C図は第１図〜第４図の好適実
施例で示された直線ロッド構造に代わる選択的な発熱体
構造を示す概略正面図である。第8A図において、室（16
a）は完全円形であり、その中にある発熱体（24a）は螺
旋形状に配列されている。

第8B図では、室（16b）は半円形であり、ある部分が直
線である部分が曲った発熱体（24b）を含む。第8C図に
示される構造では、容器（16c）は同じ半円形であり、
ヒータ・ロッドは室内にループ（24c）として配列され
ている。

第９図は、反応室（11a）が支持台（10）の上に置かれ
るベルジャー（12a）と、ベルジャー内に置かれるヒー
タ装置（15）とから成る、もう１つの実施例を示す。

熱伝達媒体の中に実際に侵された発熱体による抵抗加熱
が本発明の好適実施例であるが、放射エネルギー、RF加
熱、赤外線加熱、マイクロ波加熱などのような熱伝達媒
体を加熱する他の方法も利用することができる。

本発明の加熱方法および装置は、半導体基板またはウエ
ーハの製造プロセスにおけるあらゆる製造工程の自動化
に容易に適応可能である。自動化より適した構成が10図
に示されており、この図において、加熱装置（35）は一
対の反応室（32）の間に配置される前壁及び後壁（37，
38）を持つ容器（36）を持ち、この反応器の一つの一部
が図示されている。反応室（32）には、中が中空となっ
たベルのような形をした外方壁（51）があるが、その大
きい方の開口端は、加熱装置（35）の三辺を囲みこれと
接続しているが、（52）で示す第４辺は、ウエーハＳを
反応室（32）内に移動させ加熱装置の前後壁（37，38）
の１つに配置できるように開いている。外方壁（51）の
内側には、同様な形をしているもう一つの内方壁（53）
があり、反応材の排気の為、これらの壁の間に空間がで
きるよう、外方壁より小さなサイズで構成される。内方
壁（53）は、中空円筒ステム（54）を有し、このステム
は、反応室の対向するより大きい開口に位置するウエー
ハに向ける方向に反応材ガスを導入口として働く。ウエ
ーハＳの面に均一にゆきわたるように反応剤ガスを拡散
・分布する分散板（55）が、反応室（53）のより大きな
部分に占めているが図に示されている。中空の円筒スリ
ーブ（56）はウエーハＳの位置から遠く離れた外方壁
（51）の端にシールされて接続され、また曲げジョイン
ト（57）によって内方壁（53）のステム（54）の上にあ
るフランジ（58）に接続されている。横方向の出口（5
9）がスリーブ（56）からのび、この出口は壁（51）と
（53）との間の空間に順次つながるスリーブ（56）とス
テム（54）との間の環状領域に連通する。処理ガスはス
テム（54）を通って壁（53）の内部に、さらに分散板
（55）を通ってウエーハＳの面に直接当たるように導か
れる。ガスは壁（51）と（53）との間の空間を通りウエ
ーハＳの面に隣接する領域から排出されて排気口である
出口（59）に出る。曲げジョイント（57）は反応室（3
2）の口側にある外方壁（51）の少なくとも一部を移動
できるようにし、ウエーハを反応室に挿入させかつ加熱
装置（35）の壁の上に置き、次に適当な処理工程後に反
応室から除去させる領域の開閉を可能にする。ウエーハ
は在来のキャリヤまたはカセットに入れて反応システム
に出し入れすることができ、また実際に反応室で処理す
る直前に洗浄するため同様な構造の処理室を通って移動
するようにすることもできる。熱伝達媒体（33）を加熱
するヒータは第10図の実施例には示されていない。

ここに使用された用語および表現は説明のための用語と
して使用され、制限的なものではなく、またかかる用語
および表現の使用において、図示されかつ説明された特
徴あるいはその部分の同義語を排除する意図はなく、本
発明の特許請求の範囲内でいろいろな変形が可能である
ことが認められる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の加熱装置の上のウエーハを示す一部切
り開かれた反応システムの正面略図、第２図は第１図に
示された加熱装置の一部切り開かれた斜視図、第３図は
第２図に示された装置の正面断面図、第４図は矢印の方
向に線３−３に沿ってとられた第３図に示された構成の
断面図、第5A図および第5B図は第１図〜第４図に示され
た加熱装置のウエーハ加熱表面に得られる温度の一様性
を示す略図、第６図は本発明の別の実施例を示す一部切
り開かれた端面図、第７図は同上の前面図、第8A図、第
8B図および第8C図は発熱体のいろいろな構造を示す概略
正面図、第９図は反応室内の加熱装置の別の配列を示す
概略正面図、第10図は本発明のなおもう１つの別な実施
例の正面図である。主な符号の説明：Ｓ……基板、11……反応システム 12……反応室、15……加熱装置 16……容器、17，18，19……壁 23……熱伝達媒体、24……発熱体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板を加熱する装置であって、熱伝導材料から成る加熱容器と、基板加熱位置で前記容器の外表面によりかかる少なくと
も１個の基板を支持する支持装置と、前記容器および基板加熱位置に熱を均一に伝達するよう
に前記基板加熱位置の少なくとも最上部のレベルまで前
記容器の壁と接触した状態で前記容器に収容され、350
℃以下の融点と1000℃以上の沸点とを有する溶融金属か
らなる熱伝達媒体と、該熱伝達媒体を加熱する加熱装置と、を含むことを特徴とする半導体基板加熱装置。
【請求項２】前記熱伝達媒体は本質的にインジウムを含
む、ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体基板加熱装置。
【請求項３】前記熱伝達媒体は本質的にビスマスを含
む、ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体基板加熱装置。
【請求項４】前記熱伝達媒体は本質的にインジウムとビ
スマスとの共融混合物を含む、ことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体基板加熱装置。
【請求項５】前記容器表面は固体炭化シリコンである、
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体基
板加熱装置。
【請求項６】前記支持装置は、ほぼ垂直な方向に少なく
とも１個の基板を支持する働きをし、さらに、前記基板
加熱位置における前記容器の外面に位置する少なくとも
１個のガスポートであって、ガス源と前記ガスポートか
らプロセスガスを吐き出して前記加熱位置から基板を動
かす装置とに連通するガスポートを有する、ことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体基板加熱装
置。
【請求項７】半導体基板の表面に均一に熱を伝達する方
法であって、 350℃以下の融点と1000℃以上の沸点とを有し、熱をよ
く伝える金属を該金属が容器内で溶融する温度まで加熱
し、この場合、該溶融金属が前記容器内に全面的に保持
されている加熱段階と、少なくとも１個の半導体基板を前記容器の外表面の基板
接触位置によりかからせて支持する支持段階と、熱を前記溶融金属を通って前記容器の壁を介して伝導及
び壁へ対流させることにより、該容器の壁に接触して置
かれた半導体基板の表面までその熱を伝達する段階とか
らなり、この場合、前記溶融金属が前記半導体基板の接
触位置を越える位置まで容器に満たされている、均一に
熱を伝達する方法。
【請求項８】前記金属は本質的にビスマスから成る、こ
とを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の均一に熱を
伝達する方法。
【請求項９】前記金属は本質的にインジウムから成る、
ことを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の均一に熱
を伝達する方法。
【請求項１０】前記金属は本質的にインジウムとビスマ
スとの共融混合物から成る、ことを特徴とする特許請求
の範囲第７項記載の方法。
【請求項１１】反応材料を前記半導体基板に向けて導入
することを含む、ことを特徴とする特許請求の範囲第７
項記載の方法。