JPH06201474A - バイチャネル放射検出装置 - Google Patents

バイチャネル放射検出装置

Info

Publication number
JPH06201474A
JPH06201474A JP3323082A JP32308291A JPH06201474A JP H06201474 A JPH06201474 A JP H06201474A JP 3323082 A JP3323082 A JP 3323082A JP 32308291 A JP32308291 A JP 32308291A JP H06201474 A JPH06201474 A JP H06201474A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
detector
radiation
filter
detector means
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3323082A
Other languages
English (en)
Inventor
Arnon Gat
アーノン・ギャット
Michael French
マイクル・フレンチ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AG PROCESSING TECHNOL Inc
Original Assignee
AG PROCESSING TECHNOL Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AG PROCESSING TECHNOL Inc filed Critical AG PROCESSING TECHNOL Inc
Publication of JPH06201474A publication Critical patent/JPH06201474A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/60—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using determination of colour temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • G01J5/08—Optical arrangements
    • G01J5/0803—Arrangements for time-dependent attenuation of radiation signals
    • G01J5/0805—Means for chopping radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】精度の高い遠隔温度測定が可能なバイチャネル
放射検出システムを提供する。 【構成】光学的に上昇温度環境内の対象の温度を決定す
るための放射応答システムの精度が、放射の２又はそれ
以上の異なる波長で対象からの放射を検出し、そこから
対象の放射に関する情報を引き出し、対象の温度をその
情報から求められた指示値に補正する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、バイチャネル放射検出
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】光学的方法を用いて、対象
に接触せずに、炉のような非常に高温の環境内の遠隔対
象の上昇温度を正確に測定することは、加熱対象自体か
らの周囲放射を伴う環境からの周囲放射の反射により、
困難である。光学式高温測定により、対象から発せられ
る放射を分析することにより、対象の温度を離れた場所
から測定することが可能である。このように、光学式高
温測定は、対象の温度が増加すると、対象が放射する放
射の波長が変移し、強さが増加して、赤いグローの放射
を発する同一の対象よりも高温のオレンジグローの放射
を発射するという原理に基づいて行われる。このような
温度測定法については、例えば、テニー（Tenney）によ
る「レッド・ホット…及びホッター（Red Hot ... AND
HOTTER）」、メカニカル・エンジニアリング（Mechanic
al Engineering）、1986年10月発行、第36頁〜第41頁に
記載されている。
【０００３】シリコンウェハ上に回路を製造するための
工程において、処理路内のウェハの温度の遠隔位置から
の正確な測定を必要とする場合がある。このような工程
では、ウェハの放射率が、様々な厚みの酸化珪素や窒化
珪素などの様々な材料から成るウェハの表面被覆により
変化する可能性があり、ウェハの光学式温度測定は、従
って、ウェハの温度の正確な光学式測定を行うために、
ウェハの放射率を補正して行う必要がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、処理室
内の周囲放射が存在する中で可変の放射率を有する半導
体ウェハのような遠隔の加熱対象の温度を測定するため
の装置は、光学式高温測定技法を用いる。さらに、特定
するに、本発明は、局所熱源からの優先的な周囲放射を
含む周囲環境内の異なる表面被覆を含む半導体ウェハの
温度が、正確に決定される。本発明の好適な実施例によ
れば、複数の高温計又はチャネルが、２以上の波長帯に
ある処理室の加熱環境内のウェハからの放射を、検出す
る。ウェハの真の温度は、ウェハの単一領域からの様間
な波長で発せられ検出された放射から、ウェハの放射率
及び補正温度を同時に決定するべくウェハから受容され
た２つの波長帯内で検出された放射に関する同期検出技
法を用いて、決定される。
【０００５】
【実施例】図１〜図３には、本発明の好適な実施例に基
づく回路図が示されている。処理路内の被測定半導体ウ
ェハからの赤外線波長を含む放射９は、フィルタホイー
ル１１を通過して、ペルチエ接合ダイオード１５により
熱的に安定的に取り付けられたセレン化鉛検出器１３に
送られる。フィルタホイール１１は、異なる波長特性を
有する少なくとも２つの光学フィルタ１７、１９を含
み、さらに、発光ダイオード（ＬＥＤ）光源２３と光検
出器２５の間に設けられた開口２１を含んでいる。検出
器１３の熱的判定性は、ペルチエ接合ダイオード１５に
増幅器２９により供給される冷却電流を制御するべく熱
的に接続されたサーミスタ２７により、強化される。フ
ィルタホイール１１は、モータ３１により、制御回路３
３により設定された角速度で回転される。結果として生
じるホトダイオード２５からの信号パルスにより、光源
２３と検出器２５の間の開口２１が回転されて、約１０
０Ｈｚの循環率で、後述のように、位相ロックループ３
５に関して信号が同期化される。このフィルタホイール
は、金などの高い反射率で低い放射率の被覆材料でコー
ティングされており、フィルタの間の暗基準条件での検
出器２５の依存性を減じると共に、放射フラックスの入
力によるフィルタホイールの加熱を減じる。動作時に、
ウェハが上昇温度の処理路内にある間に測定される半導
体ウェハからの放射９が、フィルタ１７又は１９のよう
な２以上のフィルタにより周期的に濾波される。これら
のフィルタは、チャネル１及び２のそれぞれについて、
約４．７７ミクロン〜３．４ミクロンの中心周波数の狭
い帯域（約０．２ミクロンFWHM）に選択される。チャネ
ル１（４．７７ミクロンを中心周波数とする）は、従来
の高温技法に基づいてウェハの温度を測定するために用
いられ、このような温度情報が用いられて、選択的に上
昇される温度でウェハの温度を安定化するために、急速
熱処理システム内で、従来の方法により、ウェハの温度
を制御する。チャネル２（３．４ミクロンを中心周波数
とする）は、ウェハごとに異なる放射率に関する情報を
提供する。特に、図１〜図３を参照するに、セレン化鉛
検出器１３はフィルタ２０を介して８０ボルトバイアス
電源に接続されている。フィルタ２０は、負荷抵抗器２
２を介して検出器１３をバイアスする８０ボルトライン
上で受信されるピーク過渡電圧を減衰する。検出器１３
を横切る電圧の変化は増幅器２４の入力にＡＣ接続され
て、増幅器の出力はフィルタ２８を介して別の増幅器２
６の入力に送られる。このフィルタ２８の周波数応答
は、増幅器２４から発生された信号のスペクトル応答に
適合し、約１０％だけ入力過渡応答を減じる効果を有し
ている。
【０００６】別の増幅器２６の出力は、図４の(c)に示
すように、２つのサンプルホールド増幅器３７、３９の
入力に容量的に接続されている。電界効果トランジスタ
４１は、検出器１３がブロックされるチョッパ周期の時
間の間、カップリングコンデンサ３４を選択的に接地に
遮断するように接続され、それによりピーク信号に関す
る接地基準が得られる。トランジスタ４１は、光学式検
出器２５の出力をサンプルする比較器４３により可能化
される。フィルタホイール１１の回転につれて、開口２
１が光源２３からの光で検出器２５の光学式トランジス
タを飽和させ、比較器４３に関する信号を発生させる。
フィルタ４５は容量検出器２５の出力に接続されてお
り、この検出器から発生される端部過渡応答を曖昧にさ
せる雑音を回避する。
【０００７】サンプルホールド増幅器３７及び３９は、
検出器１３と整合された位置にフィルタ１７、１９が回
転するにつれて、図２の(a)及び(c)に示されるように、
検出器１３からの信号入力を３．４ミクロン及び４．７
ミクロンのピークで可能化する。タイミング回路４７は
チョッパホイールの周期を２５６の等しい間隔に分割す
る。増幅器３７及び３９によるサンプリングポイントし
てどのような時間間隔を使用することも可能であり、そ
れにより信号の大きさがラッチされる。選択される実際
の時間間隔は、位相ロック動作中に電圧制御発信器４９
を用いる位相ロックループ３５のために、約１間隔ごと
に変化する。サンプルホールド増幅器３７、３９の応答
時間は、フィルタ１７及び１９を介して通過する光の応
答を可能にする間隔よりも非常に速いものである。増幅
器３７及び３９の出力がアクティブフィルタ５１及び５
３に送られて、アクティブフィルタはチャネル１及びチ
ャネル２の出力５５、５７をそれぞれ、例えば、本願と
同日に出願された「バイチャネル放射検出法」という名
称の米国特許出願に記述されているな方法で、処理され
るウェハの温度を制御するためのＣＰＵ５６に送られ
る。もちろん、３つ以上のフィルタをフィルタホイール
１１に含ませた場合には、前述の信号処理チャネルと同
様な別の信号処理チャネルが含まれ、ＣＰＵ５６に対し
て各チャネルから別の出力が送られる。
【０００８】フィルタホイール１１の周期を２５６の等
しい部分に分割して、周期の実際の時間変化に対応する
ために、位相ロックループ３５が用いられてフィルタホ
イール１１の周期より２５６倍速いクロックを発生す
る。従来の位相ロックループＩＣチップを用いて、８ビ
ットカウンタ５９を駆動する約２５Ｈｚのクロックを発
生し、そこから、カウンタ５９のキャリー出力が、位相
ロックループ３５に対する入力の１つとして機能するト
グルを駆動するべく機能する。位相ロックループへの別
の入力が、光を間歇的にフィルタホイール１１の開口２
１から検出器２５に送るためのパルスに応答する比較器
４３により駆動されるトグルから引き出される。こうし
て、２５．６キロＨｚクロック６０がフィルタホイール
１１及び検出器２５からの約１００Ｈｚのパルスに位相
ロックされて、カウンタ６１が開口２１を光が通過する
毎にリセットされる。こうして、カウンタ６１は、周期
カウンタ６１の現在値を試験する２つのディジタル比較
器６３、６５に対してカウントを送る周期的間隔カウン
タとして機能する。カウントが８位置スイッチ６７、６
９により確立される８ビット値に整合すると、ディジタ
ル比較器６３、６５の出力がサンプルホールド増幅器３
７、３９を可能化して、増幅器２６からの現在のアナロ
グ信号の大きさをサンプルして記憶する。サンプルが行
われ、ホールドが行われる周期の瞬間は、８位置スイッ
チ６７、６９により確立される２値により制御される。
サンプルホールド増幅器３７、３９を確立するために選
択される間隔は、検出器１３からの信号入力のピーク時
に平坦部分が捕捉されるように設定される。位相ロック
ループ３５がサンプルホールド増幅器３７、３９に加え
れるサンプリングパルスのタイミングにいくつかのジッ
タを導入するために、サンプリング間隔は、最小のサン
プリング誤差を得るために、最小の増幅勾配を示すか、
あるいはサンプルされるピークの間の実質的な間隔時間
応答を示すように選択される。
【０００９】本発明によれば、サーミスタ２７が、セレ
ン化鉛検出器１３を実質的に一定の温度に保持するペル
チエ接合クーラ１５の冷却面に配置される。（安定電圧
基準７３からバイアスされた）サーミスタ２７を実装す
る標準ブリッジ回路網７１が、ペルチエ接合クーラ１５
の電流を制御する電力トランジスタ７５を駆動する積分
器として接続される演算増幅器２９を制御する。非常に
高いループ利得により、セレン化鉛検出器１３の温度
の、通常の動作時に１００分の１度（華氏）以下での厳
密な規制が保障される。しかしながら、検出器１３の絶
対温度は制御されないことに留意すべきである。検出器
の相対的温度変化のみが、ウェハの処理実行中に安定に
保たれる。
【００１０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、処理室内
の周囲放射が存在する中で可変の放射率を有する半導体
ウェハのような遠隔の加熱対象の温度を正確に測定する
ことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく温度及び放射率決定回路の概略
図である。
【図２】本発明に基づく温度及び放射率決定回路の概略
図である。
【図３】本発明に基づく温度及び放射率決定回路の概略
図である。
【図４】本発明の動作による経時的な信号増幅の様子を
示すグラフである。
【符号の説明】
９ 放射 １１ フィルタホイール １３ セレン化鉛検出器 １５ ペルチエ接合ダイオード １７ 光学フィルタ １９ 光学フィルタ ２１ 開口 ２３ ＬＥＤ ２５ 光検出器 ２６ 増幅器 ２７ サーミスタ ２８ フィルタ ３１ モータ ３４ コンデンサ ３５ 位相ロックループ ３６ バイアス電源 ３７ サンプルホールド増幅器 ３９ サンプルホールド増幅器

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】処理室内の対象から単一の開口を介して受
    容された放射を検出するための装置であって：処理室内
    の対象から開口を介して放射を受容するべく配置され、
    受容された放射を指示する出力を発生するための検出器
    装置と；開口と放射の検出器の間に配置されて、選択さ
    れた帯域内で受容された放射を示す検出器手段の出力を
    発生するためのフィルタ装置と；検出器手段を支持する
    べく配置された取り付け装置と；検出器装置からの出力
    を受信するべく接続されて、検出器装置により受信され
    た選択された帯域の放射において放射の周期的時間間隔
    の間に発生された各出力の部分を選択的に格納し処理す
    るための回路手段と；から成ることを特徴とする装置。
  2. 【請求項２】前記フィルタ装置が、開口と検出器装置の
    間で周期的に位置決めされるような、異なる放射透過特
    性を有する複数の光学フィルタを含むことを特徴とす
    る、請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】前記光学フィルタが、検出器装置により開
    口から受容された放射の経路方向に実質的に平衡な軸周
    りを回転するように配置されたフィルタホイールに取り
    付けられていることを特徴とする、請求項２に記載の装
    置。
  4. 【請求項４】さらに、前記フィルタホイールに接続され
    て、検出器装置により受容された放射の経路の周りに光
    学フィルタを周期的に回転させるためのモータを含むこ
    とを特徴とする、請求項３に記載の装置。
  5. 【請求項５】前記フィルタホイールには、高い反射率を
    示す光学フィルタの間の領域において検出器手段に向か
    う側に表面コーティングが施されていることを特徴とす
    る、請求項４に記載の装置。
  6. 【請求項６】前記表面コーティングは金であることを特
    徴とする、請求項５に記載の装置。
  7. 【請求項７】検出器手段から離れる方向に向かうフィル
    タホイールの側が、高い反射率を示す光学フィルタの間
    の領域において、表面コーティングを含むことを特徴と
    する、請求項５に記載の装置。
  8. 【請求項８】前記取り付け手段が、 供給される信号に応答して取り付け手段上に支持された
    検出器手段の温度を制御するためのペルチエクーラと；
    検出器手段に熱的に接続されて、ペルチエクーラに信号
    を送り、検出器手段の温度を実質的に一定に保持するた
    めのセンサ手段と；を含むことを特徴とする、請求項１
    に記載の装置。
  9. 【請求項９】前記回路が、検出器手段からの出力を受信
    するように接続され、選択された帯域で検出器手段に放
    射が送られる間の時間間隔内の選択された時間の検出器
    手段の出力の大きさをそれぞれが示す複数の出力を発生
    するための、複数のサンプリング回路を含むことを特徴
    とする、請求項１に記載の装置。
  10. 【請求項１０】さらに、フィルタ手段の周期的動作に応
    答して決定される選択された計数周期の間各サンプリン
    グ回路を動作するためのカウンタ手段を含むことを特徴
    とする、請求項９に記載の装置。
JP3323082A 1990-12-07 1991-12-06 バイチャネル放射検出装置 Pending JPH06201474A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US624205 1990-12-07
US07/624,205 US5165796A (en) 1990-12-07 1990-12-07 Bichannel radiation detection apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06201474A true JPH06201474A (ja) 1994-07-19

Family

ID=24501095

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3323082A Pending JPH06201474A (ja) 1990-12-07 1991-12-06 バイチャネル放射検出装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5165796A (ja)
JP (1) JPH06201474A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001153727A (ja) * 1999-07-06 2001-06-08 Applied Materials Inc 熱処理基板

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5326172A (en) * 1992-12-14 1994-07-05 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Multiwavelength pyrometer for gray and non-gray surfaces in the presence of interfering radiation
US5501637A (en) * 1993-08-10 1996-03-26 Texas Instruments Incorporated Temperature sensor and method
US5738440A (en) * 1994-12-23 1998-04-14 International Business Machines Corp. Combined emissivity and radiance measurement for the determination of the temperature of a radiant object
US5822222A (en) * 1995-04-05 1998-10-13 New Jersey Institute Of Technology Multi-wavelength imaging pyrometer
US5721430A (en) * 1995-04-13 1998-02-24 Engelhard Sensor Technologies Inc. Passive and active infrared analysis gas sensors and applicable multichannel detector assembles
US5650624A (en) * 1995-04-13 1997-07-22 Engelhard Sensor Technologies, Inc. Passive infrared analysis gas sensor
US5830277A (en) * 1995-05-26 1998-11-03 Mattson Technology, Inc. Thermal processing system with supplemental resistive heater and shielded optical pyrometry
WO1997004292A1 (en) * 1995-07-21 1997-02-06 University Of Utah Research Foundation Multicolor optical pyrometer
US5704712A (en) * 1996-01-18 1998-01-06 Quantum Logic Corporation Method for remotely measuring temperatures which utilizes a two wavelength radiometer and a computer
US5690430A (en) * 1996-03-15 1997-11-25 Bethlehem Steel Corporation Apparatus and method for measuring temperature and/or emissivity of steel strip during a coating process
US5860741A (en) * 1996-03-25 1999-01-19 Oriental System Technology, Inc. Absolute radiation thermometer
US5874711A (en) * 1997-04-17 1999-02-23 Ag Associates Apparatus and method for determining the temperature of a radiating surface
US6027244A (en) * 1997-07-24 2000-02-22 Steag Rtp Systems, Inc. Apparatus for determining the temperature of a semi-transparent radiating body
EP0921558A3 (de) * 1997-12-08 2002-04-24 STEAG RTP Systems GmbH Optische Strahlungsmess-Vorrichtung
US6056434A (en) * 1998-03-12 2000-05-02 Steag Rtp Systems, Inc. Apparatus and method for determining the temperature of objects in thermal processing chambers
IL134908A (en) 1999-03-08 2003-12-10 C I Systems Ltd Active pyrometry with emissivity extrapolation and compensation
JP4339523B2 (ja) * 1999-03-30 2009-10-07 東京エレクトロン株式会社 温度測定システム
US6293696B1 (en) 1999-05-03 2001-09-25 Steag Rtp Systems, Inc. System and process for calibrating pyrometers in thermal processing chambers
US6246031B1 (en) 1999-11-30 2001-06-12 Wafermasters, Inc. Mini batch furnace
US6303906B1 (en) 1999-11-30 2001-10-16 Wafermasters, Inc. Resistively heated single wafer furnace
US6345150B1 (en) 1999-11-30 2002-02-05 Wafermasters, Inc. Single wafer annealing oven
US6395648B1 (en) * 2000-02-25 2002-05-28 Wafermasters, Inc. Wafer processing system
US6727194B2 (en) * 2002-08-02 2004-04-27 Wafermasters, Inc. Wafer batch processing system and method
US7075629B2 (en) * 2003-05-12 2006-07-11 Honeywell International Inc. High temperature pyrometer
US7325971B2 (en) * 2005-05-25 2008-02-05 Fons Lloyd C Method and apparatus for locating hydrocarbon deposits
US7553070B2 (en) * 2006-11-06 2009-06-30 The Boeing Company Infrared NDI for detecting shallow irregularities
EP2554959A1 (en) 2011-08-02 2013-02-06 Tata Steel IJmuiden B.V. Method and device for measuring the temperature of hot molten metal
CN105737989A (zh) * 2016-02-01 2016-07-06 北京理工大学 一种可见光辅助的多波段红外实时成像分析系统
CN116034255B (zh) * 2020-08-13 2026-02-03 Ci系统(以色列)股份有限公司 温度测量装置和多个辐射源之间的同步

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58139037A (ja) * 1982-02-12 1983-08-18 Seiichi Okuhara ２色温度計
JPS60249020A (ja) * 1984-05-23 1985-12-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 赤外放射計測装置
JPS6190024A (ja) * 1984-10-11 1986-05-08 Mitsubishi Electric Corp 放射温度計
JPH01235820A (ja) * 1988-03-15 1989-09-20 Chino Corp 光学的測定装置
JPH0269626A (ja) * 1988-09-06 1990-03-08 Seiichi Okuhara 輻射高温計
JPH02170020A (ja) * 1988-12-23 1990-06-29 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 赤外線検出装置

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA707105A (en) * 1965-04-06 Jacobs Gerhard Color pyrometer
US3261257A (en) * 1961-10-10 1966-07-19 Pfister Marcel Charles Radiation pyrometer for measuring the color temperature
US3448283A (en) * 1965-04-28 1969-06-03 Leeds & Northrup Co Radiation pyrometer system substantially independent of ambient temperature changes
US3537314A (en) * 1966-04-09 1970-11-03 Dary Yakovlevich Svet Method and apparatus for measuring true or actual temperature of bodies by radiant energy
GB1212685A (en) * 1967-03-13 1970-11-18 Atomic Energy Authority Uk Improvements in radiation pyrometers
US3539807A (en) * 1968-04-04 1970-11-10 Texas Instruments Inc Temperature - emissivity separation and temperature independent radiometric analyzer
GB1308463A (en) * 1969-03-06 1973-02-21 Coackley R Reynolds M L Radiometer apparatus
US3611805A (en) * 1969-07-28 1971-10-12 Chino Works Ltd Radiation thermometer
GB1254998A (en) * 1969-09-20 1971-11-24 Siemens Ag Colour pyrometers
US3759102A (en) * 1971-03-25 1973-09-18 Steel Corp Apparatus for determining correct pyrometer readings with steam interference present
FR2137523B1 (ja) * 1971-05-07 1976-08-06 Commissariat Energie Atomique
IT958961B (it) * 1972-05-24 1973-10-30 Istituto Elettrotecnico Nazion Pirometro ottico a lettura numerica
US3735136A (en) * 1972-06-22 1973-05-22 North American Rockwell Dual color radiometer method selectively discriminating against a radiant energy emissivity characteristic of a preselected atmospheric state
DE2339732A1 (de) * 1973-08-06 1975-02-13 Ultrakust Geraetebau Verfahren zum messen der oberflaechentemperatur eines koerpers und vorrichtungen zum durchfuehren dieses verfahrens
US3922550A (en) * 1973-12-28 1975-11-25 Raytheon Co Radiometric system
GB1595423A (en) * 1977-05-13 1981-08-12 Rolls Royce Control systems for apparatus
US4222663A (en) * 1977-08-01 1980-09-16 United Technologies Corporation Optical pyrometer and technique for temperature measurement
US4144758A (en) * 1977-09-12 1979-03-20 Jones & Laughlin Steel Corporation Radiation measurement of a product temperature in a furnace
SU763698A1 (ru) * 1977-12-19 1980-09-15 Отдел Физики Неразрушающего Контроля Ан Белорусской Сср Способ измерени температуры
JPS55144513A (en) * 1979-04-28 1980-11-11 Jeol Ltd Measuring method of emissivity
GB2045425B (en) * 1979-07-09 1983-03-23 Negretti & Zambra Aviat Ltd Detection of spurious high temperature sources in the field of view of a pyrometer
US4435092A (en) * 1980-07-25 1984-03-06 Nippon Steel Corporation Surface temperature measuring apparatus for object within furnace
JPS57160029A (en) * 1981-03-27 1982-10-02 Kawasaki Steel Corp Surface temperature measuring method of body within furance
JPS5852531A (ja) * 1981-09-24 1983-03-28 Seiichi Okuhara 色温度計
US4432657A (en) * 1982-03-26 1984-02-21 Bethlehem Steel Corporation Pyrometer method for measuring slab temperature in a reheat furnace
US4579461A (en) * 1983-02-14 1986-04-01 United States Steel Corporation Dual sensor radiation pyrometer
US4611930A (en) * 1983-12-16 1986-09-16 Exxon Research And Engineering Co. Pyrometer measurements in the presence of intense ambient radiation
JPS60131430A (ja) * 1983-12-19 1985-07-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 半導体基板の温度測定装置
US4561786A (en) * 1984-03-15 1985-12-31 Williamson Corporation Temperature measuring apparatus
JPS60253939A (ja) * 1984-05-31 1985-12-14 Fujitsu Ltd 基板温度の測定方法
US4659234A (en) * 1984-06-18 1987-04-21 Aluminum Company Of America Emissivity error correcting method for radiation thermometer
JPS61130834A (ja) * 1984-11-30 1986-06-18 Koyo Rindobaagu Kk 光加熱装置における温度測定方法
US4764025A (en) * 1985-08-08 1988-08-16 Rosemount Inc. Turbine blade temperature detecting pyrometer
JPS6250627A (ja) * 1985-08-29 1987-03-05 Fujitsu Ltd 基板の表面温度の制御方法
US4722612A (en) * 1985-09-04 1988-02-02 Wahl Instruments, Inc. Infrared thermometers for minimizing errors associated with ambient temperature transients
US4729668A (en) * 1986-04-22 1988-03-08 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method and apparatus for optical temperature measurements
US4708493A (en) * 1986-05-19 1987-11-24 Quantum Logic Corporation Apparatus for remote measurement of temperatures
US4817020A (en) * 1987-06-22 1989-03-28 General Electric Company Cooling rate determination apparatus for laser material processing
US4854727A (en) * 1987-10-26 1989-08-08 Ag Processing Technologies, Inc. Emissivity calibration apparatus and method
US4881823A (en) * 1988-03-29 1989-11-21 Purdue Research Foundation Radiation thermometry

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58139037A (ja) * 1982-02-12 1983-08-18 Seiichi Okuhara ２色温度計
JPS60249020A (ja) * 1984-05-23 1985-12-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 赤外放射計測装置
JPS6190024A (ja) * 1984-10-11 1986-05-08 Mitsubishi Electric Corp 放射温度計
JPH01235820A (ja) * 1988-03-15 1989-09-20 Chino Corp 光学的測定装置
JPH0269626A (ja) * 1988-09-06 1990-03-08 Seiichi Okuhara 輻射高温計
JPH02170020A (ja) * 1988-12-23 1990-06-29 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 赤外線検出装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001153727A (ja) * 1999-07-06 2001-06-08 Applied Materials Inc 熱処理基板
JP4689010B2 (ja) * 1999-07-06 2011-05-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 熱処理基板

Also Published As

Publication number Publication date
US5165796A (en) 1992-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5165796A (en) Bichannel radiation detection apparatus
EP0756159B1 (en) A method and apparatus for infrared pyrometer calibration in a thermal processing system
US5762419A (en) Method and apparatus for infrared pyrometer calibration in a thermal processing system
US5166080A (en) Techniques for measuring the thickness of a film formed on a substrate
EP0916078B1 (en) Pyrometer calibration using multiple light sources
US4919542A (en) Emissivity correction apparatus and method
JP5436428B2 (ja) 較正基板および較正方法
US5308161A (en) Pyrometer apparatus for use in rapid thermal processing of semiconductor wafers
US5305417A (en) Apparatus and method for determining wafer temperature using pyrometry
JPH05264356A (ja) 正確な温度測定の方法および装置
US6062729A (en) Rapid IR transmission thermometry for wafer temperature sensing
JPH1062238A (ja) 光学スペクトロメータ
GB2238868A (en) Silicon wafer temperature measurement by optical transmission monitoring.
JPH09503049A (ja) 高温熱電素子の較正
US20070056940A1 (en) Emissivity-independent silicon surface temperature measurement
JP3099470B2 (ja) 遠心分離機用非接触式温度計測システム
Stuart et al. Temperature diagnostics for a dual-arc FRTP tool
JPS63198837A (ja) 半導体基板の温度測定方法および装置
RU1904U1 (ru) Оптический пирометр
JPH07140008A (ja) 放射温度計
JPH11258054A (ja) ウエハ温度測定方法とその装置
JPH05346351A (ja) 放射測温装置および放射測温法
RU2196306C2 (ru) Оптический пирометр
Frish et al. MULTI-COLOR PYROMETER FOR
JPH04184126A (ja) 低温用放射計