JPH0620153B2 - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子Info
- Publication number
- JPH0620153B2 JPH0620153B2 JP62330618A JP33061887A JPH0620153B2 JP H0620153 B2 JPH0620153 B2 JP H0620153B2 JP 62330618 A JP62330618 A JP 62330618A JP 33061887 A JP33061887 A JP 33061887A JP H0620153 B2 JPH0620153 B2 JP H0620153B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous semiconductor
- semiconductor layer
- photovoltaic
- transparent electrode
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光起電力素子に関する。さらに詳しくは高温に
なったばあいにも出力低下がおこらない光起電力素子に
関する。
なったばあいにも出力低下がおこらない光起電力素子に
関する。
［従来の技術］ 従来より、絶縁表面を有する透明基板上に透明電極、非
晶質半導体層、裏面電極を順次積層させた光起電力素子
はよく知られている。
晶質半導体層、裏面電極を順次積層させた光起電力素子
はよく知られている。
このような、光起電力素子は、用途に望ましい起電力を
えるために透明基板上に複数個の光起電力素子が互いに
電気的に直列接続された光起電力装置の形で用いられる
ことが多く、その際には、透明基板上に、複数の透明電
極、非晶質半導体層および裏面電極が形成されパターン
化が施される。そのパターン化にはたとえばエッチン
グ、レーザスクライビング、リフトオフ法などの方法の
うちでそれぞれに応じた方法が用いられる。
えるために透明基板上に複数個の光起電力素子が互いに
電気的に直列接続された光起電力装置の形で用いられる
ことが多く、その際には、透明基板上に、複数の透明電
極、非晶質半導体層および裏面電極が形成されパターン
化が施される。そのパターン化にはたとえばエッチン
グ、レーザスクライビング、リフトオフ法などの方法の
うちでそれぞれに応じた方法が用いられる。
［発明が解決しようとする問題点］ しかし、このような光起電力装置は、透明電極として用
いられた金属酸化物の酸素原子および非晶質半導体層の
パターン化により端面に生成される酸化物の酸素原子が
使用中に裏面電極を構成する金属中に拡散し、接続界面
において裏面電極が酸化されるという問題を生じる。裏
面電極が酸化されると、光起電力素子と裏面電極との接
続界面で抵抗が大きくなるため、外部にとり出される光
起電力素子の出力が低下する。とりわけ光起電力素子が
高照度下で用いられて高温になるばあいに、接続界面で
の裏面電極の酸化が促進されるため、光起電力素子の出
力低下がいちじるしくなる。
いられた金属酸化物の酸素原子および非晶質半導体層の
パターン化により端面に生成される酸化物の酸素原子が
使用中に裏面電極を構成する金属中に拡散し、接続界面
において裏面電極が酸化されるという問題を生じる。裏
面電極が酸化されると、光起電力素子と裏面電極との接
続界面で抵抗が大きくなるため、外部にとり出される光
起電力素子の出力が低下する。とりわけ光起電力素子が
高照度下で用いられて高温になるばあいに、接続界面で
の裏面電極の酸化が促進されるため、光起電力素子の出
力低下がいちじるしくなる。
本発明は上記のような問題点を改善するため、裏面電極
が酸化されにくく、出力低下がおこさない光起電力素子
を提供することを目的とする。
が酸化されにくく、出力低下がおこさない光起電力素子
を提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は絶縁表面を有する透明基板上に酸素を含む透光
性導電膜からなる透明電極と、光照射により光起電力を
発生する非晶質半導体層と、該非晶質半導体層上に形成
される金属からなる裏面電極とを有する光起電力素子を
複数個互いに電気的に直列接続されるように配設された
光起電力装置に用いられる光起電力素子であって、裏面
電極の少なくとも透明電極および非晶質半導体層に接す
る部分に用いられる金属の酸化物標準生成エネルギーが
前記透明電極の主成分を構成する元素および前記非晶質
半導体の主成分を構成する元素のいずれの酸化物標準生
成エネルギーより大きいことを特徴とする光起電力素子
に関する。
性導電膜からなる透明電極と、光照射により光起電力を
発生する非晶質半導体層と、該非晶質半導体層上に形成
される金属からなる裏面電極とを有する光起電力素子を
複数個互いに電気的に直列接続されるように配設された
光起電力装置に用いられる光起電力素子であって、裏面
電極の少なくとも透明電極および非晶質半導体層に接す
る部分に用いられる金属の酸化物標準生成エネルギーが
前記透明電極の主成分を構成する元素および前記非晶質
半導体の主成分を構成する元素のいずれの酸化物標準生
成エネルギーより大きいことを特徴とする光起電力素子
に関する。
本明細書において酸化物標準生成エネルギーが大きいこ
とは、「金属データハンドブック」日本金属学会編、丸
善株式会社発行、昭和49年７月20日、81頁に記載されて
いるように、酸化物の標準生成自由エネルギーΔＧｆ゜
〔cal／ｇ・mol O2〕値が大きいことを言う。
とは、「金属データハンドブック」日本金属学会編、丸
善株式会社発行、昭和49年７月20日、81頁に記載されて
いるように、酸化物の標準生成自由エネルギーΔＧｆ゜
〔cal／ｇ・mol O2〕値が大きいことを言う。
前記金属データハンドブック78〜79頁に記載されている
物性のエンタルピー値〔−ΔＨ゜２７８（kcal／mo
l）〕を用いて金属、非金属材料の反応式を記せば、25
℃で、 である。これらを用いて金属、非金属間の反応式を示せ
ば、 となる。反応が右に進まないものは、エネルギー項が正
の値を示すものである。
物性のエンタルピー値〔−ΔＨ゜２７８（kcal／mo
l）〕を用いて金属、非金属材料の反応式を記せば、25
℃で、 である。これらを用いて金属、非金属間の反応式を示せ
ば、 となる。反応が右に進まないものは、エネルギー項が正
の値を示すものである。
したがって、酸化物標準生成自由エネルギーが大きいと
いう表現は、本明細書においては前記反応式のエネルギ
ー項の値がプラスであることを示している。
いう表現は、本明細書においては前記反応式のエネルギ
ー項の値がプラスであることを示している。
以上、説明のため、反応式は25℃におけるものを用いた
が、望ましくは−40℃から100℃の範囲で満足されなけ
ればならない。
が、望ましくは−40℃から100℃の範囲で満足されなけ
ればならない。
［実施例〕 つぎに図面にもとづき本発明の光起電力素子につき説明
する。第１図は４個の光起電力素子を電気的に直列接続
させたばあいの本発明の一実施例の概略断面図である。
する。第１図は４個の光起電力素子を電気的に直列接続
させたばあいの本発明の一実施例の概略断面図である。
第１図において、(1)は絶縁表面を有する透明基板であ
り、(2)はパターン化された、酸素を含む透光性導電膜
からなる透明電極である。(3)は光起電力を発生する非
晶質半導体層であり、レーザスクライビング法によりパ
ターン化されている。(4)は多層構造からなるパターン
化された裏面電極である。
り、(2)はパターン化された、酸素を含む透光性導電膜
からなる透明電極である。(3)は光起電力を発生する非
晶質半導体層であり、レーザスクライビング法によりパ
ターン化されている。(4)は多層構造からなるパターン
化された裏面電極である。
本発明に用いる透明基板(1)としては、ソーダライムガ
ラス、ソーダライムガラスにSiO2をコーティングしたガ
ラスなどが用いられるが絶縁表面を有するものであれば
よく、とくにこれらに限定されるものではない。
ラス、ソーダライムガラスにSiO2をコーティングしたガ
ラスなどが用いられるが絶縁表面を有するものであれば
よく、とくにこれらに限定されるものではない。
本発明に用いる透明電極(2)としては、たとえばITO、Sn
O2、In2O3、CdSnOなどの金属酸化物が代表例としてあげ
られるが、これらにとくに限定されるものではない。
O2、In2O3、CdSnOなどの金属酸化物が代表例としてあげ
られるが、これらにとくに限定されるものではない。
本発明に用いる非晶質半導体層(3)を構成する非晶質半
導体としては、非晶質半導体または結晶質を含む非晶質
半導体であればとくに限定はない。このような半導体の
具体例としては、a-Si:H、a-Si:F:H、a-SiGe:H、a-SiS
n:H、a-SiN:H、a-SiGe:F:H、a-Si:N:F:H、a-SiC:H、a-S
iC:F:Hなどがあげられる。
導体としては、非晶質半導体または結晶質を含む非晶質
半導体であればとくに限定はない。このような半導体の
具体例としては、a-Si:H、a-Si:F:H、a-SiGe:H、a-SiS
n:H、a-SiN:H、a-SiGe:F:H、a-Si:N:F:H、a-SiC:H、a-S
iC:F:Hなどがあげられる。
前記非晶質半導体層(3)は前記非晶質半導体をたとえばP
IN接合にすることによって光起電力を発生するように構
成される。接合には前記PIN の接合ほかPN接合、ショッ
トキー接合、ヘテロ接合などのさまざまな接合が用いら
れる。
IN接合にすることによって光起電力を発生するように構
成される。接合には前記PIN の接合ほかPN接合、ショッ
トキー接合、ヘテロ接合などのさまざまな接合が用いら
れる。
前記透明電極(2)および前記非晶質半導体層(3)は第１図
に示されるようにそれぞれパターン化されている。前記
パターン化は、複数個の光起電力素子が互いに電気的に
直列接続された形になるように行なわれ、それによって
外部に取出される起電力を大きくするためのものであ
る。このパターン化の方法としてはレーザスクライビン
グ法、エッチング法、マスク法、リフトオフ法などを用
いることができるが、比較的微細パターン化ができ、連
続工程中に組み入れることができるという点でレーザス
クライビング法が好ましい。レーザスクライビング法に
用いるレーザ装置の具体例としてはNd:YAGレーザなどが
あげられる。
に示されるようにそれぞれパターン化されている。前記
パターン化は、複数個の光起電力素子が互いに電気的に
直列接続された形になるように行なわれ、それによって
外部に取出される起電力を大きくするためのものであ
る。このパターン化の方法としてはレーザスクライビン
グ法、エッチング法、マスク法、リフトオフ法などを用
いることができるが、比較的微細パターン化ができ、連
続工程中に組み入れることができるという点でレーザス
クライビング法が好ましい。レーザスクライビング法に
用いるレーザ装置の具体例としてはNd:YAGレーザなどが
あげられる。
レーザスクライビング後の非晶質半導体層(3)について
のEPMA法（electron probe micro analysis法）の波長
分散による分析によるば、スクライビングの中心線の両
端には第２図に示される斜線部分に数μｍ程度の大きさ
の酸化物が形成されており、これは非晶質半導体を構成
する主成分の元素の酸化物（例えばSiO2）である。
のEPMA法（electron probe micro analysis法）の波長
分散による分析によるば、スクライビングの中心線の両
端には第２図に示される斜線部分に数μｍ程度の大きさ
の酸化物が形成されており、これは非晶質半導体を構成
する主成分の元素の酸化物（例えばSiO2）である。
本発明に用いる裏面電極(4)を構成する金属としては、
その金属の酸化物標準生成エネルギーが透明電極(2)の
主成分を構成する元素および非晶質半導体層(3)の主成
分を構成する元素のいずれの酸化物標準生成エネルギー
より大きい金属が選ばれる。
その金属の酸化物標準生成エネルギーが透明電極(2)の
主成分を構成する元素および非晶質半導体層(3)の主成
分を構成する元素のいずれの酸化物標準生成エネルギー
より大きい金属が選ばれる。
なお本明細書において酸化物標準生成エネルギーとある
温度における酸素と金属の親和力を意味する概念であ
る。また主成分を構成する元素とは透明電極(2)または
非晶質半導体層(3)中に原子比でもっとも多く含まれて
いる金属および非金属元素を意味する概念である。
温度における酸素と金属の親和力を意味する概念であ
る。また主成分を構成する元素とは透明電極(2)または
非晶質半導体層(3)中に原子比でもっとも多く含まれて
いる金属および非金属元素を意味する概念である。
したがって裏面電極(4)に用いられる金属は透明電極(2)
の主成分を構成するIn、Snなどの元素および非晶質半導
体層(3)の主成分を構成するSiなどの元素のいずれの元
素が作る酸化物組成の酸化物標準生成エネルギーより大
きい酸化物標準生成エネルギーを有する金属が選ばれ
る。
の主成分を構成するIn、Snなどの元素および非晶質半導
体層(3)の主成分を構成するSiなどの元素のいずれの元
素が作る酸化物組成の酸化物標準生成エネルギーより大
きい酸化物標準生成エネルギーを有する金属が選ばれ
る。
たとえば透明電極(2)の主成分を構成するSnやInの酸化
物標準生成エネルギーより大きい酸化物標準生成エネル
ギーをもつ金属としてはNi、Co、Fe、Cuなどの金属があ
げられ、また非晶質半導体層(3)の主成分を構成するSi
の酸化物標準生成エネルギーより大きい酸化物標準生成
エネルギーをもつ金属としては、Cr、Ni、Fe、V 、Co、
W などの金属があげられる。
物標準生成エネルギーより大きい酸化物標準生成エネル
ギーをもつ金属としてはNi、Co、Fe、Cuなどの金属があ
げられ、また非晶質半導体層(3)の主成分を構成するSi
の酸化物標準生成エネルギーより大きい酸化物標準生成
エネルギーをもつ金属としては、Cr、Ni、Fe、V 、Co、
W などの金属があげられる。
これらの金属のうちではIn、Sn、Siの酸化物に対してよ
り大きい酸化物標準生成エネルギーをもつという点でNi
などが好ましいが、本発明においてはもとよりこれらに
かぎられるものではない。
り大きい酸化物標準生成エネルギーをもつという点でNi
などが好ましいが、本発明においてはもとよりこれらに
かぎられるものではない。
また、裏面電極(4)を多層構造として、透明電極(2)また
は非晶質半導体層(3)に直接被着する層の金属が上記条
件をみたすように構成してもよい。
は非晶質半導体層(3)に直接被着する層の金属が上記条
件をみたすように構成してもよい。
裏面電極(4)を多層構造としたばあい、たとえば透明電
極(2)または非晶質半導体層(3)からみて２層目の導電性
および光の反射率のすぐれた金属を用いることなどによ
り、裏面電極(4)の導電性および光の反射率を向上させ
ることができる。
極(2)または非晶質半導体層(3)からみて２層目の導電性
および光の反射率のすぐれた金属を用いることなどによ
り、裏面電極(4)の導電性および光の反射率を向上させ
ることができる。
実施例１ EB蒸着法により形成された湿式エッチング法によりパタ
ーン化された厚さ1200ÅのITO 透明電極を設けた厚さ１
mmのソーダライムガラス基板上に、平行平板型プラズマ
CVD 法によりP 型、I 型、N 型の非晶質シリコン層を以
下に記載するように順次設けた。
ーン化された厚さ1200ÅのITO 透明電極を設けた厚さ１
mmのソーダライムガラス基板上に、平行平板型プラズマ
CVD 法によりP 型、I 型、N 型の非晶質シリコン層を以
下に記載するように順次設けた。
P 型非晶質シリコン層は容積約10の真空槽を10-5Torr
まで減圧したのちマスフローコントローラによりSiH4ガ
ス、B2H6 ガス、CH4 ガスが1:0.006:0.5 の容積比で混
合されたガスを毎分100ccの流量で上記真空槽内に導入
し、同槽を0.8Torrの圧力に調整しながら、放電電力0.1
W/cm2の高周波グロー放電を生じさせることにより約150
Åの膜厚に作成した。
まで減圧したのちマスフローコントローラによりSiH4ガ
ス、B2H6 ガス、CH4 ガスが1:0.006:0.5 の容積比で混
合されたガスを毎分100ccの流量で上記真空槽内に導入
し、同槽を0.8Torrの圧力に調整しながら、放電電力0.1
W/cm2の高周波グロー放電を生じさせることにより約150
Åの膜厚に作成した。
ついで、Ｉ型非晶質シリコン層はSiH4ガスを毎分 200cc
の流量で真空槽に導入し、1.0Torrのもとでグロー放電
を行なったほかはP 型非晶質シリコン層を作成した方法
と同様な方法を用いて約5000Åの膜厚に作成した。
の流量で真空槽に導入し、1.0Torrのもとでグロー放電
を行なったほかはP 型非晶質シリコン層を作成した方法
と同様な方法を用いて約5000Åの膜厚に作成した。
さらに、N 型非晶質シリコン層はSiH4ガスにPH3 ガスを
0.6 容積％混合したガスを真空槽に毎分200cずつ導入さ
せながらグロー放電させたほかはP 型非晶質シリコン層
を作成した方法と同様な方法を用いて約300 Åの膜厚に
作成した。
0.6 容積％混合したガスを真空槽に毎分200cずつ導入さ
せながらグロー放電させたほかはP 型非晶質シリコン層
を作成した方法と同様な方法を用いて約300 Åの膜厚に
作成した。
つぎにYAV レーザの基本波を用い波長1.06μｍで前記非
晶質シリコン層をパターン化した。
晶質シリコン層をパターン化した。
その後裏面電極としてＳｉおよびＩｎのいずれの酸化物
標準生成エネルギーよりも大きい酸化物標準生成エネル
ギーをもつNiをEB蒸着法により２〜20Å／secの蒸着速
度で厚さ 100Åになるように蒸着後、純度99.999％のAl
を同様の方法により厚さ1400Åで蒸着し、この裏面電極
をマスク法によりパターン化した。ここで透明電極
(2)、非晶質半導体層(3)、裏面電極(4)のパターン化は
第１図に示されるように光起電力素子が互いに電気的に
直列接されるように行なわれる。
標準生成エネルギーよりも大きい酸化物標準生成エネル
ギーをもつNiをEB蒸着法により２〜20Å／secの蒸着速
度で厚さ 100Åになるように蒸着後、純度99.999％のAl
を同様の方法により厚さ1400Åで蒸着し、この裏面電極
をマスク法によりパターン化した。ここで透明電極
(2)、非晶質半導体層(3)、裏面電極(4)のパターン化は
第１図に示されるように光起電力素子が互いに電気的に
直列接されるように行なわれる。
えられた光起電力素子の特性および 180℃で30分間加熱
したのち特性をAM-1、100mW/cm2ソーラーシュミレータ
ーを用いて測定した。その結果を第１表に示す。
したのち特性をAM-1、100mW/cm2ソーラーシュミレータ
ーを用いて測定した。その結果を第１表に示す。
参考例 裏面電極における厚さ１００ÅのＮｉに代えて厚さ１０
０ÅのＣｒを用いたほかは実施例１と同様にして光起電
力素子を作製し、えられた光起電力素子の特性および１
８０℃で３０分間加熱したのち特性を測定した。その結
果を第３図および第１表にそれぞれ示す 比較例１ 裏面電極(4)を膜厚1500ÅのAlの単層蒸着膜にしたほか
は実施例と同様にして光起電力素子を作製し、えられた
光起電力素子の特性および180℃で30分間加熱したのち
特性を測定した。その結果を第４図および第１表にそれ
ぞれ示す。
０ÅのＣｒを用いたほかは実施例１と同様にして光起電
力素子を作製し、えられた光起電力素子の特性および１
８０℃で３０分間加熱したのち特性を測定した。その結
果を第３図および第１表にそれぞれ示す 比較例１ 裏面電極(4)を膜厚1500ÅのAlの単層蒸着膜にしたほか
は実施例と同様にして光起電力素子を作製し、えられた
光起電力素子の特性および180℃で30分間加熱したのち
特性を測定した。その結果を第４図および第１表にそれ
ぞれ示す。
表中の変換効率Effは Eff＝（Voc×lsc×FF／太陽光入射エネルギー）×100
％ で与えられる。またFFはフィル−ファクター（fill-fac
tor）と呼ばれる量である。
％ で与えられる。またFFはフィル−ファクター（fill-fac
tor）と呼ばれる量である。
第１表、第３図および第４図より本発明の光起電力素子
を高温下で使用したばあいにも出力低下が起こらないこ
とがわかる。
を高温下で使用したばあいにも出力低下が起こらないこ
とがわかる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の光起電力素子において
は、裏面電極として透光性導電膜からなる透明電極の主
成分を構成する元素および非晶質半導体層の主成分を構
成する元素のいずれとの酸化物標準生成エネルギーより
も大きい酸化物標準生成エネルギーをもつ金属が用いら
れるので、光起電力素子が高照度下で用いられて高温に
なったばあいでも、透明電極として用いられている金属
酸化物の酸素原子およびスクライビングされた非晶質半
導体層の端面に生じた酸化物の酸素原子が裏面電極を構
成する金属中に拡散することが防止され、透明電極と裏
面電極との接続界面での接続抵抗を安定させるので外部
に取り出される光起電力素子の出力の低下が防止され
る。
は、裏面電極として透光性導電膜からなる透明電極の主
成分を構成する元素および非晶質半導体層の主成分を構
成する元素のいずれとの酸化物標準生成エネルギーより
も大きい酸化物標準生成エネルギーをもつ金属が用いら
れるので、光起電力素子が高照度下で用いられて高温に
なったばあいでも、透明電極として用いられている金属
酸化物の酸素原子およびスクライビングされた非晶質半
導体層の端面に生じた酸化物の酸素原子が裏面電極を構
成する金属中に拡散することが防止され、透明電極と裏
面電極との接続界面での接続抵抗を安定させるので外部
に取り出される光起電力素子の出力の低下が防止され
る。
第１図は４個の光起電力素子を電気的に直列接続したば
あいの本発明の光電力素子の一実施例の断面説明図、第
２図は第１図のレーザスクライビング部分を示す拡大説
明図、第３図は本発明の実施例にかかわる光起電力素子
のV-I 曲線を示すグラフ、第４図は従来の光起電力素子
のV-I 曲線を示すグラフである。 （図面の主要符号） (2)：透明電極 (3)：非晶質半導体層 (4)：裏面電極
あいの本発明の光電力素子の一実施例の断面説明図、第
２図は第１図のレーザスクライビング部分を示す拡大説
明図、第３図は本発明の実施例にかかわる光起電力素子
のV-I 曲線を示すグラフ、第４図は従来の光起電力素子
のV-I 曲線を示すグラフである。 （図面の主要符号） (2)：透明電極 (3)：非晶質半導体層 (4)：裏面電極
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁表面を有する透明基板上に、酸素を含
む透光性導電膜からなる透明電極と、光照射により光起
電力を発生する非晶質半導体層と、該非晶質半導体層上
に形成される金属からなる裏面電極とを有する光起電力
素子を複数個互いに電気的に直列接続されるように配設
された光起電力装置に用いられる光起電力素子であっ
て、裏面電極の少なくとも透明電極および非晶質半導体
層に接する部分に用いられる金属の酸化物標準生成エネ
ルギーが前記透明電極の主成分を構成する元素および前
記非晶質半導体の主成分を構成する元素のいずれの酸化
物標準生成エネルギーより大きいことを特徴とする光起
電力素子。 - 【請求項２】裏面電極が多層構造であって、裏面電極を
構成する金属のうち透明電極および非晶質半体層に直接
被着する層に用いられる金属の酸化物標準生成エネルギ
ーが透明電極の主成分を構成する元素および非晶質半導
体層の主成分を構成する元素のいずれの酸化物標準生成
エネルギーより大きい特許請求の範囲第１項記載の光起
電力素子。 - 【請求項３】非晶質半導体層がレーザスクライビング法
によりパターン化されたものからなる特許請求の範囲第
１項または第２項記載の光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62330618A JPH0620153B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62330618A JPH0620153B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 光起電力素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01171282A JPH01171282A (ja) | 1989-07-06 |
| JPH0620153B2 true JPH0620153B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=18234674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62330618A Expired - Lifetime JPH0620153B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620153B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08167608A (ja) * | 1994-12-15 | 1996-06-25 | Furon Tec:Kk | 配線構造および液晶素子 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5623785A (en) * | 1979-07-31 | 1981-03-06 | Sanyo Electric Co Ltd | Solar battery |
| US4292092A (en) * | 1980-06-02 | 1981-09-29 | Rca Corporation | Laser processing technique for fabricating series-connected and tandem junction series-connected solar cells into a solar battery |
| JPS59103383A (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS59103983A (ja) * | 1982-12-06 | 1984-06-15 | Diesel Kiki Co Ltd | 可変容量式ベ−ン型圧縮機 |
| JPS60182757A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集積型太陽電池 |
| JPS60240170A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | アモルフアス太陽電池 |
| JPS61225877A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-07 | Kyocera Corp | 光起電力装置 |
| JPH065777B2 (ja) * | 1985-05-13 | 1994-01-19 | 鐘淵化学工業株式会社 | 半導体装置およびその製法 |
| JPS62147784A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-07-01 | Teijin Ltd | 非晶質太陽電池及びその製造方法 |
| JPS62126849U (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-12 |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP62330618A patent/JPH0620153B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01171282A (ja) | 1989-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100237661B1 (ko) | 이면 반사층 및 그 형성방법과 이면 반사층을 이용한 광기전력 소자 및 그 제조방법 | |
| US4196438A (en) | Article and device having an amorphous silicon containing a halogen and method of fabrication | |
| KR950001956B1 (ko) | 다접합형 반도체 장치 | |
| US4142195A (en) | Schottky barrier semiconductor device and method of making same | |
| US5127964A (en) | Flexible photovoltaic device | |
| CA1113594A (en) | Schottky barrier amorphous silicon solar cell with thin doped region adjacent metal schottky barrier | |
| JPH06151916A (ja) | 多接合光電デバイスおよびその製造法 | |
| JPS59205770A (ja) | 光起電力装置およびその製造方法 | |
| JP2012060080A (ja) | 結晶太陽電池及びその製造方法 | |
| US20130089943A1 (en) | Method of manufacturing a solar cell | |
| JP2931498B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| US4956023A (en) | Integrated solar cell device | |
| JP3619681B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2006310503A (ja) | 積層型光起電力装置 | |
| US4064522A (en) | High efficiency selenium heterojunction solar cells | |
| JPH0658971B2 (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JP2680579B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH065765B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0125235B2 (ja) | ||
| JP2692964B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JPH0620153B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JP2775460B2 (ja) | 非晶質太陽電池の製造方法 | |
| CN113394309A (zh) | 一种太阳能电池及其制备方法 | |
| JP2846639B2 (ja) | 非晶質太陽電池 | |
| JPS60210825A (ja) | 太陽電池 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080316 Year of fee payment: 14 |