JPH0620173Y2 - Reference voltage circuit having starting circuit - Google Patents

Reference voltage circuit having starting circuit

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JPH0620173Y2
JPH0620173Y2 JP4798184U JP4798184U JPH0620173Y2 JP H0620173 Y2 JPH0620173 Y2 JP H0620173Y2 JP 4798184 U JP4798184 U JP 4798184U JP 4798184 U JP4798184 U JP 4798184U JP H0620173 Y2 JPH0620173 Y2 JP H0620173Y2
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JP
Japan
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transistor
voltage
collectors
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宏 石黒
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Yokogawa Electric Corp
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Description

【考案の詳細な説明】 [技術分野] 本考案は、起動回路を有する基準電圧回路に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a reference voltage circuit having a starting circuit.

[従来技術] 第1図は、従来の起動回路の一例を基準電圧回路ととも
に示した接続図である。この図において、破線で囲んだ
J−FETQ1の部分が起動回路であり、トランジスタ
Q2〜Q5及び差動増巾回路A1から成る回路が、バンド
ギャップレファレンス電圧Vrefを発生する部分であ
る。
[Prior Art] FIG. 1 is a connection diagram showing an example of a conventional starting circuit together with a reference voltage circuit. In this figure, the portion of the J-FET Q 1 surrounded by the broken line is the starting circuit, and the circuit composed of the transistors Q 2 to Q 5 and the differential amplification circuit A 1 is the portion that generates the bandgap reference voltage Vref. .

この回路において、トランジスタQ2〜Q5で構成される
回路が起動するためには、Eref端子の電圧が0.5V
程度必要である。従って、J−FETQ1は、Eref端子
に0.5V出力するに十分な電圧と電流とをレファレン
ス発生部に供給し、回路が立ち上りVref端子に所定の
基準電圧(6.4V)が出力された時にピンチオフしな
ければならない。
In this circuit, in order for the circuit composed of the transistors Q 2 to Q 5 to start, the voltage at the Eref terminal is 0.5V.
It is necessary to some extent. Therefore, the J-FET Q 1 supplies the reference generator with a voltage and a current sufficient to output 0.5 V to the Eref terminal, the circuit rises, and a predetermined reference voltage (6.4 V) is output to the Vref terminal. Sometimes you have to pinch off.

このような条件を理論的に考えると、J−FETQ1の
ピンチオフ電圧VPは、3.8V≦−VP≦7.6Vでな
ければならない。更に、各抵抗のばらつき等を考慮する
と、VPは、4.7V≦−VP≦7.2Vとなり、プロセ
スマージンが少なくなる。また、J−FETQ1のソー
スとサブストレイト間に寄生容量が発生するために、3
KHz付近にポールが発生し、発振の要因となってい
た。
Given these conditions theoretically, pinch-off voltage VP of the J-FETs Q 1 must be 3.8V ≦ -VP ≦ 7.6V. Further, considering variations in each resistance, VP becomes 4.7V ≦ −VP ≦ 7.2V, and the process margin is reduced. In addition, since a parasitic capacitance is generated between the source of J-FETQ 1 and the substrate,
A pole was generated near KHz, which was a factor of oscillation.

[考案の目的] 本考案は、このような問題点に鑑みてなされたもので、
その目的は、電流起動型とすることにより、プロセスマ
ージンを大きくし、かつ、寄生容量の回路への影響を防
止できる起動回路を実現することにある。
[Purpose of Invention] The present invention has been made in view of the above problems.
The purpose thereof is to realize a start-up circuit that can increase the process margin and prevent the parasitic capacitance from affecting the circuit by adopting the current start-up type.

[考案の構成] この目的を達成する本考案は、電源供給ラインとコモン
ライン間に、ゲートをコモンラインに接続したJ−FE
Tと定電流回路とを直列接続させ、前記J−FETのド
レイン電流をバンドギャップレファレンス電圧を発生さ
せる回路に流し、該回路を起動させるようにしたことを
特徴とするものである。
[Configuration of the Invention] The present invention that achieves this object is a J-FE in which a gate is connected to a common line between a power supply line and a common line.
It is characterized in that T and a constant current circuit are connected in series, and the drain current of the J-FET is caused to flow through a circuit for generating a bandgap reference voltage to activate the circuit.

[実施例] 以下、図面を参照し本考案の実施例を詳細に説明する。Embodiments Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第2図は、本考案に係る回路の一例を示す接続図であ
る。この回路において、第1図回路の各部分と対応する
部分は、同一符号を付して示した。破線で囲んだ部分
が、本考案で特徴としている起動回路で、ゲートがコモ
ンラインCOMに接続されたJ−FETQ1と、トラン
ジスタQ7,Q8よりなる定電流回路CIとの直列回路で
構成され、この直列回路は、電源供給ラインVSとコモ
ンラインCOMとの間に接続されている。そして、J−
FETQ1のドレイン電流IDをトランジスタQ2〜Q5
からなるレファレンス発生回路に流し込むようにしてい
る。
FIG. 2 is a connection diagram showing an example of a circuit according to the present invention. In this circuit, parts corresponding to the parts of the circuit shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. A part surrounded by a broken line is a starting circuit which is a feature of the present invention, and is composed of a series circuit of a J-FET Q 1 whose gate is connected to a common line COM and a constant current circuit CI including transistors Q 7 and Q 8. is, the series circuit is connected between the power supply line V S and the common line COM. And J-
The drain current ID of the FET Q 1 is set to the transistors Q 2 to Q 5
The reference generation circuit consists of

ここで、回路が起動可能なJ−FETQ1の条件は、飽
和電流(IDSS)によって決まる。
Here, the condition of the J-FET Q 1 that can start the circuit is determined by the saturation current (IDSS).

すなわち、Eref端子の電圧がVE(V)にて回路が起動
すると考えると、抵抗R2を流れる電流IRは(1)式
の通りとなる。
That is, assuming that the circuit starts up when the voltage at the Eref terminal is V E (V), the current IR flowing through the resistor R 2 is given by the equation (1).

IR=VE/R2…(1) また、トランジスタQ3のhFEをhFEQ3とすると、ドレ
イン電流IDは(2)式の通りとなる。
IR = V E / R 2 (1) Further, when h FE of the transistor Q 3 is h FE Q 3 , the drain current ID is given by the formula (2).

ID=IR/hFEQ3 =(VE/R2)/hFEQ3…(2) 従って、J−FETQ1の飽和電流IDSSが IDSS≧(VE/R2)/hFEQ3 の時、起動することになる。ID = IR / h FE Q 3 = (V E / R 2 ) / h FE Q 3 (2) Therefore, the saturation current IDSS of the J-FET Q 1 is IDSS ≧ (V E / R 2 ) / h FE Q 3 At that time, it will start.

第3図は、本考案の回路において、J−FETQ1のド
レイン電流IDをID≧1μAとした時の起動特性を示
した特性線図である。
FIG. 3 is a characteristic diagram showing a starting characteristic when the drain current ID of the J-FET Q 1 is ID ≧ 1 μA in the circuit of the present invention.

この実験結果から明らかなように、温度によって多少変
動はあるものの、起動電圧(電源供給ラインVaの電
圧)は、9〜10Vであった。
As is clear from the results of this experiment, the starting voltage (voltage of the power supply line V a ) was 9 to 10 V, although there was some variation depending on the temperature.

[考案の効果] 以上説明したように、本考案の起動回路は、次のような
特長がある。
[Effects of the Invention] As described above, the starting circuit of the present invention has the following features.

(a)J−FETQ1の条件として、上限がないためプ
ロセスマージンが大きくなり、歩留りを向上できる。
(A) As a condition of the J-FET Q 1 , there is no upper limit, so that the process margin becomes large and the yield can be improved.

(b)J−FETQ1において寄生容量があっても、回
路のクリティカルなラインに影響を与えないため、低周
波のポールは発生せず、発振の要因を除去できる。
(B) Even if there is a parasitic capacitance in the J-FET Q 1 , since it does not affect the critical line of the circuit, a low frequency pole does not occur, and the cause of oscillation can be eliminated.

なお、定電流回路を構成しているラテカルPNPトラン
ジスタQ7,Q8は寄生容量が小さく、低周波のポールは
発生しない。
The lateral PNP transistors Q 7 and Q 8 forming the constant current circuit have a small parasitic capacitance, and a low frequency pole does not occur.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は従来回路の一例を示す接続図、第2図は本考案
回路の一実施例を示す接続図、第3図は起動特性を示す
線図である。 Q1…J−FET、CI…定電流回路 VS…電源供給ライン、COM…コモンライン Q3,Q4,Q5…レファレンス発生部 A1…差動増巾回路
FIG. 1 is a connection diagram showing an example of a conventional circuit, FIG. 2 is a connection diagram showing an embodiment of a circuit of the present invention, and FIG. 3 is a diagram showing a starting characteristic. Q 1 ... J-FET, CI ... constant current circuit V S ... power supply line, COM ... common line Q 3, Q 4, Q 5 ... reference generator unit A 1 ... differential increase width circuit

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】ベースが共通に接続されると共に互いのコ
レクタが電源供給ラインに接続され一方のエミッタより
電圧Vaを取り出し他方のエミッタより電圧Vrefを
取り出す一対のトランジスタQ3、Vref端子とコモ
ンラインとの間に接続された抵抗の分圧点に接続され電
圧Erefを取り出す端子、そのコレクタが電源供給ラ
インに接続されエミッタがトランジスタQ3のベースに
接続されたトランジスタQ2、互いのベースが前記抵抗
の分圧点に接続されると共にエミッタがコモンラインに
接続されコレクタがトランジスタQ2のエミッタに接続
されたトランジスタQ4,Q5、入力端子がトランジス
タQ4,Q5のコレクタに接続され出力端子がトランジ
スタQ2のベースに接続された増幅器A1、及び 電源供給ラインにエミツタが接続されベースが共通に接
続されたトランジスタQ7とQ8を備え、トランジスタ
Q7のコレクタをトランジスタQ4とQ5のコレクタに
接続すると共にトランジスタQ8のコレクタをゲートが
コモンラインに接続されたJ−FETを介してコモンラ
インに接続してなる起動回路 を具備した基準電圧回路。
1. A pair of transistors Q3, Vref terminals and a common line whose bases are commonly connected and whose collectors are connected to a power supply line to take out voltage Va from one emitter and take out voltage Vref from the other emitter. A terminal connected to the voltage dividing point of the resistor connected between the two to take out the voltage Eref, a collector of which is connected to the power supply line and an emitter of which is connected to the base of the transistor Q3, and the bases of which are connected to each other. The transistors Q4 and Q5 are connected to the pressure point, the emitters are connected to the common line, and the collectors are connected to the emitters of the transistor Q2. The input terminals are connected to the collectors of the transistors Q4 and Q5 and the output terminals are connected to the base of the transistor Q2. The amplifier A1 and the power supply line And a base connected in common to the transistors Q7 and Q8. The collector of the transistor Q7 is connected to the collectors of the transistors Q4 and Q5, and the collector of the transistor Q8 is connected to the common line. A reference voltage circuit equipped with a starting circuit connected to a common line via
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