JPH0620230A - Thin-film magnetic head and its manufacture - Google Patents

Thin-film magnetic head and its manufacture

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JPH0620230A
JPH0620230A JP4176893A JP17689392A JPH0620230A JP H0620230 A JPH0620230 A JP H0620230A JP 4176893 A JP4176893 A JP 4176893A JP 17689392 A JP17689392 A JP 17689392A JP H0620230 A JPH0620230 A JP H0620230A
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JP
Japan
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thin film
film
insulating layer
magnetic head
manufacturing
Prior art date
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JP4176893A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Kodama
諭 児玉
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁性膜の成膜時やアニール処理のときの温度
上昇に耐えられる絶縁層を形成する。 【構成】 薄膜磁気ヘッドの絶縁層にフォトレジストの
代わりに有機シリコーン樹脂を使用する。350℃の加
熱硬化後フレオンと酸素のプラズマにより絶縁層形状に
シリコーン樹脂をパターニングして使用する。その際ギ
ャップ薄膜の上にそのギャップ薄膜とはエッチング特性
の異なる保護犠牲層を成膜してから、絶縁層の形成(シ
リコーンのエッチング)を行なうとよい。
(57) [Abstract] [Purpose] To form an insulating layer that can withstand a temperature rise during magnetic film formation and annealing. [Structure] An organic silicone resin is used instead of a photoresist in an insulating layer of a thin film magnetic head. After heat-curing at 350 ° C., a silicone resin is patterned into an insulating layer by plasma of freon and oxygen before use. At this time, a protective sacrificial layer having a different etching characteristic from the gap thin film may be formed on the gap thin film, and then the insulating layer may be formed (silicon etching).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドおよびそ
の製法に関し、とくに磁気コアおよびコイル間の絶縁層
が改良され、磁気記録特性や再生効率の優れた薄膜磁気
ヘッドおよびその製法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film magnetic head and a method of manufacturing the same, and more particularly to a thin film magnetic head having an improved insulating layer between a magnetic core and a coil and having excellent magnetic recording characteristics and reproducing efficiency, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、半導体集積回路と同
様な、蒸着法、スパッタリング法などの成膜技術、写真
製版技術、エッチング技術などのリソグラフィ技術を用
いて製造されるので、高精度なヘッドが一括大量に生産
できる点に特徴がある。
2. Description of the Related Art A thin-film magnetic head is manufactured with a film forming technique such as a vapor deposition method and a sputtering method, a lithography technique such as a photoengraving technique, and an etching technique, which is similar to a semiconductor integrated circuit. Is characterized in that it can be mass-produced in batch.

【0003】図4のa〜fは、たとえば特開昭55−8
4019号公報に示された薄膜磁気ヘッドの製法を示す
断面説明図である。図4において1は基板、2は基板保
護膜、3は下部磁気コア、4は磁気ギャップ、5は第一
絶縁層、6は銅コイル、7は第二絶縁層、8は上部磁気
コア、9は絶縁保護膜である。
4A to 4F show, for example, JP-A-55-8.
It is sectional explanatory drawing which shows the manufacturing method of the thin film magnetic head shown by the 4019 publication. In FIG. 4, 1 is a substrate, 2 is a substrate protective film, 3 is a lower magnetic core, 4 is a magnetic gap, 5 is a first insulating layer, 6 is a copper coil, 7 is a second insulating layer, 8 is an upper magnetic core, and 9 is. Is an insulating protective film.

【0004】つぎに図4に示される薄膜磁気ヘッドの製
法と動作について説明する。まず基板1上に基板保護膜
2、下部磁気コア3、および磁気ギャップ4を形成する
(図3のa)。磁気ギャップ4はアルミナなどの無機絶
縁スパッタ膜である。この上に下部絶縁層5の形状にフ
ォトレジストを用いてリソグラフィ技術により形成す
る。フォトレジストは200〜250℃で加熱硬化する
(図3のb)。ついで銅コイル6を形成したのち、上部
絶縁層7を下部絶縁層5と同様の方法によりフォトレジ
ストで形成する(図3のc)。続いて上部磁気コア8が
形成される(図3のd)。銅コイル6、下部磁気コア
4、および上部磁気コア8はパターンメッキ法により形
成される。ついで絶縁保護層9を成膜し、研磨する(図
3のe)。そして、コア先端が露出するまでラッピング
処理を行なう(図3のf)。
Next, the manufacturing method and operation of the thin film magnetic head shown in FIG. 4 will be described. First, the substrate protective film 2, the lower magnetic core 3, and the magnetic gap 4 are formed on the substrate 1 (a in FIG. 3). The magnetic gap 4 is an inorganic insulating sputtered film such as alumina. A photoresist is used to form the shape of the lower insulating layer 5 on this layer by a lithographic technique. The photoresist is heat-cured at 200 to 250 ° C. (FIG. 3b). Then, after the copper coil 6 is formed, the upper insulating layer 7 is formed of photoresist by the same method as the lower insulating layer 5 (c in FIG. 3). Subsequently, the upper magnetic core 8 is formed (d in FIG. 3). The copper coil 6, the lower magnetic core 4, and the upper magnetic core 8 are formed by pattern plating. Next, the insulating protection layer 9 is formed and polished (e in FIG. 3). Then, the lapping process is performed until the core tip is exposed (f in FIG. 3).

【0005】前記の薄膜磁気ヘッドの製法によれば、従
来のバルク型磁気ヘッドの製法に比べて、磁気コアやコ
イル巻線の形成が基板毎に一括して行なえるという利点
がある。
The thin film magnetic head manufacturing method described above has an advantage over the conventional bulk type magnetic head manufacturing method in that the magnetic core and the coil winding can be collectively formed for each substrate.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような薄膜磁気ヘッドの製法では、磁気コアの形成をメ
ッキ法により行なうため使用可能な磁気コアの材料が限
定され、磁気特性のより優れた材料を使うことができな
い。すなわち、磁気コア形成に際しては、メッキ法に比
べて材料選定の範囲が広いスパッタリング法などの乾式
成膜法による成膜が有効である。
However, in the method of manufacturing a thin film magnetic head as described above, the material of the magnetic core that can be used is limited because the formation of the magnetic core is performed by the plating method, and a material having more excellent magnetic characteristics is used. Can't use. That is, in forming the magnetic core, film formation by a dry film formation method such as a sputtering method, which has a wider range of material selection than the plating method, is effective.

【0007】しかし、一方において、前記図4に示され
る方法でスパッタリング法などの乾式成膜法により磁気
コアを形成すると、上部磁気コア用磁性薄膜の形成時の
温度上昇や、磁気特性改善のために必要に応じて行なわ
れる熱処理により、フォトレジストにクラックが生じた
り、レジストから発生するガスにより磁性膜が浮いて剥
離するという問題があった。
On the other hand, on the other hand, when the magnetic core is formed by the dry film forming method such as the sputtering method by the method shown in FIG. 4, the temperature rises when forming the magnetic thin film for the upper magnetic core and the magnetic characteristics are improved. However, there is a problem that the photoresist is cracked by the heat treatment performed as necessary, and the gas generated from the resist causes the magnetic film to float and peel off.

【0008】また、フォトレジストは加熱硬化され使用
されているが、250℃以上ではフォトレジストの熱分
解が著しくなるので、たとえば磁気コア用磁性膜に対し
て必要に応じて行なわれる250℃以上の熱処理は困難
であるという問題があった。
Although the photoresist is used after being hardened by heating, the thermal decomposition of the photoresist becomes remarkable at 250 ° C. or higher. Therefore, for example, the temperature of 250 ° C. or higher may be applied to the magnetic film for the magnetic core, if necessary. There is a problem that heat treatment is difficult.

【0009】本発明はかかる問題を解決するためになさ
れたものであり、乾式成膜法を用いることが可能な有機
絶縁層を使用して、良好な形状の薄膜磁気ヘッドをうる
ことができる薄膜磁気ヘッドの製法および磁気記録特性
や再生効率の優れた薄膜磁気ヘッドを提供することを目
的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and a thin film magnetic head having a good shape can be obtained by using an organic insulating layer capable of using a dry film forming method. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a magnetic head, a thin film magnetic head having excellent magnetic recording characteristics and reproducing efficiency.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、基板上に形成された上下薄膜磁気コアと、薄膜導体
コイルと、ギャップ薄膜と、前記コイルと磁気コアとを
電気的に絶縁する絶縁層とを有する薄膜磁気ヘッドであ
って、前記絶縁層がシリコンと酸素と炭素を主成分とす
るラダー構造の有機シリコーン樹脂からなり、エッチン
グ用のマスクにフォトレジストが使用され、CF、S
およびCHFからなる群より選ばれた少なくとも
一種を含むフレオン類と酸素のプラズマにより絶縁層形
状にエッチングにより形成され、そののちマスクのフォ
トレジストがアッシングにより除去されてなることを特
徴としている。
A thin film magnetic head of the present invention electrically insulates upper and lower thin film magnetic cores formed on a substrate, a thin film conductor coil, a gap thin film, and the coil and the magnetic core. A thin film magnetic head having an insulating layer, wherein the insulating layer is made of an organic silicone resin having a ladder structure containing silicon, oxygen and carbon as main components, a photoresist is used as a mask for etching, CF 4 , S
It is characterized in that it is formed by etching into an insulating layer shape by plasma of freon containing at least one selected from the group consisting of F 6 and CHF 3 and oxygen, and then the photoresist of the mask is removed by ashing. .

【0011】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製法は前
記薄膜磁気ヘッドの製法において、前記ギャップ薄膜の
上に当該ギャップ薄膜とはエッチング特性の異なる保護
犠牲層を形成し、ギャップ薄膜のエッチングを防ぎギャ
ップ薄膜の膜厚制御を容易にしたことを特徴としてい
る。また、有機シリコーン樹脂のパターニングのまえ
に、密着性強化のためのシリコン元素を含有する無機薄
膜を形成してから絶縁層の形成を行ない、上部磁気コア
形成まえに前記密着性強化膜を取り除くことを特徴とし
ている。また、下部薄膜磁気コア、薄膜導電コイル、お
よび前記磁気コアとコイルとを電気的に絶縁する絶縁層
を形成したのち、続いてギャップ薄膜を形成してから上
部磁気コアを形成することを特徴としている。さらに、
マスクレジストを酸素のプラズマによりアッシングし、
続いてイオンビームによりアッシングを行なうことを特
徴としている。
The method of manufacturing the thin film magnetic head of the present invention is the method of manufacturing the thin film magnetic head, wherein a protective sacrificial layer having an etching characteristic different from that of the gap thin film is formed on the gap thin film to prevent the gap thin film from being etched. The feature is that the film thickness of the gap thin film is easily controlled. In addition, before patterning the organic silicone resin, an inorganic thin film containing a silicon element for enhancing adhesion is formed and then an insulating layer is formed, and the adhesion enhancing film is removed before forming the upper magnetic core. Is characterized by. In addition, a lower thin film magnetic core, a thin film conductive coil, and an insulating layer that electrically insulates the magnetic core from the coil are formed, and subsequently, a gap thin film is formed and then an upper magnetic core is formed. There is. further,
The mask resist is ashed by oxygen plasma,
The feature is that ashing is subsequently performed by an ion beam.

【0012】[0012]

【作用】本発明における薄膜磁気ヘッドの製法は、前記
のように構成されているので、上部磁気コア用磁性膜の
形成時の温度上昇や、磁気特性改善のために必要に応じ
て行なわれる熱処理により、クラックや剥離が生じるこ
となしに絶縁層が形成される。
Since the method of manufacturing the thin film magnetic head according to the present invention is configured as described above, the temperature rise during the formation of the magnetic film for the upper magnetic core and the heat treatment which is carried out as necessary for improving the magnetic characteristics. Thus, the insulating layer is formed without cracks or peeling.

【0013】また、絶縁層の耐熱温度が向上するので磁
性膜のアニール温度範囲が拡大するため、より磁気特性
の優れた磁気コア材料が使用できる。
Further, since the heat resistant temperature of the insulating layer is improved and the annealing temperature range of the magnetic film is expanded, a magnetic core material having more excellent magnetic characteristics can be used.

【0014】[0014]

【実施例】つぎに、添付図面を参照しつつ本発明の薄膜
磁気ヘッドおよびその製法を説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the thin film magnetic head of the present invention and its manufacturing method will be explained with reference to the accompanying drawings.

【0015】[実施例1]図1は本発明の薄膜磁気ヘッ
ドの製法の一実施例を示す断面説明図であり、1〜9は
前記従来の製法におけるものと同一であり、10は保護
犠牲層、10aはシリコーンの密着強化膜、11は絶縁
層用のシリコーン、12はマスク用フォトレジスト、1
3はフレオンと酸素のプラズマ、14は酸素のプラズ
マ、15はコイル上シリコーン絶縁層、16は犠牲層エ
ッチング用プラズマである。
[Embodiment 1] FIG. 1 is a sectional explanatory view showing an embodiment of a method of manufacturing a thin film magnetic head according to the present invention. 1 to 9 are the same as those in the conventional manufacturing method, and 10 is a protective sacrifice. Layer, 10a is an adhesion enhancing film of silicone, 11 is silicone for insulating layer, 12 is photoresist for mask, 1
Reference numeral 3 is plasma of freon and oxygen, 14 is plasma of oxygen, 15 is a silicone insulating layer on the coil, and 16 is plasma for etching the sacrificial layer.

【0016】まず基板1上に基板保護膜2、下部磁気コ
ア3、および磁気ギャップ膜4を形成する(図1の
a)。磁気ギャップ4としてはたとえばAl23を使用
する。ついで前記磁気ギャップ膜とはエッチング特性の
異なる保護犠牲層10をスパッタリング法などの手法に
より成膜する。保護犠牲層10はシリコーンエッチング
のときに磁気ギャップ膜を保護する役剤を果たし、フレ
オンと酸素のプラズマにより殆どエッチングされない金
属膜を用いるのが好ましい。上コア形成まえに保護犠牲
層10を除去せずにギャップ膜の一部として使用するば
あいは、非磁性の金属膜であるCuやCrなどの金属膜
を使用し、上コア形成まえに保護犠牲層10を除去する
ばあいはパーマロイなどの磁性膜でも構わない。また
は、磁気ギャップ膜としてのAl23を形成せずに、下
部磁気コア3の上に直接CuやCrなどの非磁性金属膜
を保護犠牲層および磁気ギャップ膜の両方の役割をもた
せるために形成してもよい。保護犠牲層10はウエハー
全面に成膜してもよいし、磁気ギャップ部分だけ残して
残りは除去してもよい。その上にシリコーンの密着力強
化膜10aをスパッタ法などにより成膜する(図1の
b)。密着力強化膜10aは有機シリコーン樹脂に含ま
れるシリコン元素からなるSiO2やSi34などが好
ましい。密着力強化膜10aの膜厚は下部磁気コア3の
膜厚にもよるが、通常1〜2μm程度である。
First, the substrate protective film 2, the lower magnetic core 3 and the magnetic gap film 4 are formed on the substrate 1 (a in FIG. 1). As the magnetic gap 4, Al 2 O 3 is used, for example. Next, a protective sacrificial layer 10 having an etching characteristic different from that of the magnetic gap film is formed by a method such as a sputtering method. The protective sacrificial layer 10 plays a role of protecting the magnetic gap film during silicone etching, and it is preferable to use a metal film that is hardly etched by plasma of freon and oxygen. When the protective sacrificial layer 10 is not removed before forming the upper core and is used as a part of the gap film, a metal film such as Cu or Cr which is a non-magnetic metal film is used to protect before forming the upper core. When the sacrificial layer 10 is removed, a magnetic film such as permalloy may be used. Alternatively, a non-magnetic metal film such as Cu or Cr is provided directly on the lower magnetic core 3 without forming Al 2 O 3 as a magnetic gap film to serve as both a protective sacrificial layer and a magnetic gap film. You may form. The protective sacrificial layer 10 may be formed on the entire surface of the wafer, or only the magnetic gap portion may be left and the rest may be removed. A silicon adhesion enhancing film 10a is formed thereon by a sputtering method or the like (FIG. 1b). The adhesion-strengthening film 10a is preferably SiO 2 or Si 3 N 4 composed of a silicon element contained in an organic silicone resin. Although the thickness of the adhesion enhancing film 10a depends on the thickness of the lower magnetic core 3, it is usually about 1 to 2 μm.

【0017】つぎに、有機シリコーン樹脂11をスピナ
ーにより回転塗布し、真空中で昇温時間3時間以上で3
50℃まで昇温し、保持時間1時間で加熱硬化する(図
1のc)。そしてフォトレジスト12を絶縁層形状に写
真製版技術を用いて形成する(図1のd)。ついで酸素
とフロンを含むプラズマ13にさらしてシリコーン樹脂
を第一の絶縁層の形状にエッチングする(図1のe)。
プラズマ13はたとえばCF4とO2のばあい、O2の割
合は5〜60%(容量%)とする。
Next, the organic silicone resin 11 is spin-coated by a spinner and heated in vacuum for 3 hours or more to 3 times.
The temperature is raised to 50 ° C., and heat curing is carried out with a holding time of 1 hour (c in FIG. 1). Then, the photoresist 12 is formed in the shape of the insulating layer by using the photoengraving technique (d in FIG. 1). Then, the silicone resin is exposed to the plasma 13 containing oxygen and freon to etch the shape of the first insulating layer (e in FIG. 1).
When the plasma 13 is CF 4 and O 2 , for example, the proportion of O 2 is 5 to 60% (volume%).

【0018】続いて酸素のプラズマ14によりマスク用
フォトレジストをアッシングする(図1のf)。酸素に
よるフォトレジストのエッチングレートはシリコーンの
それの10倍以上であるため、フォトレジストをアッシ
ング終了後にシリコーンをオーバーエッチングしても差
し支えない。アッシングではなく、アセトンなどのレジ
スト剥離液を使用してマスク用フォトレジストを剥離す
るとシリコーン樹脂にクラックが入るためパターニング
には不適である。
Subsequently, the mask photoresist is ashed by oxygen plasma 14 (f in FIG. 1). Since the etching rate of the photoresist by oxygen is 10 times or more that of silicone, it is possible to overetch the silicone after ashing the photoresist. If the mask photoresist is peeled off using a resist peeling solution such as acetone instead of ashing, the silicone resin will be cracked, which is not suitable for patterning.

【0019】つぎに銅コイル6を形成し、前記シリコー
ン樹脂11を絶縁層形状に形成したのと同じ要領で第二
の絶縁層15を形成する(図1のg)。このときフォト
レジストを残す。残すフォトレジストの厚さは密着力強
化膜10aの膜厚にもよるが数μmとする。エッチング
用のプラズマ16により密着力強化膜10aのうち露出
している部分およびマスク用フォトレジストの残りをエ
ッチングする(図1のh)。プラズマ16はたとえばC
4とO2のばあいO2は5〜60%(容量%)とする。
Next, the copper coil 6 is formed, and the second insulating layer 15 is formed in the same manner as the silicone resin 11 is formed into an insulating layer shape (g in FIG. 1). At this time, the photoresist is left. The thickness of the remaining photoresist depends on the film thickness of the adhesion enhancing film 10a, but is several μm. The exposed portion of the adhesion enhancing film 10a and the rest of the mask photoresist are etched by the plasma 16 for etching (h in FIG. 1). The plasma 16 is, for example, C
In the case of F 4 and O 2 , O 2 is 5 to 60% (volume%).

【0020】つぎに保護犠牲層10を取り除く。そのと
き、磁気ギャップ部分だけに存在する保護犠牲層10を
取り除くばあいはウエットエッチングで除去し、ウエハ
ー全面に存在する保護犠牲層10を取り除くばあいはイ
オンビームで除去する。ついで上部磁気コア8と絶縁保
護膜9を成膜し研磨する(図1のi)。上部磁気コア形
成時に必要に応じて磁気特性改善のための熱処理を行な
う。
Next, the protective sacrificial layer 10 is removed. At this time, when removing the protective sacrificial layer 10 existing only in the magnetic gap portion, it is removed by wet etching, and when removing the protective sacrificial layer 10 existing on the entire surface of the wafer, it is removed by an ion beam. Then, the upper magnetic core 8 and the insulating protection film 9 are formed and polished (i in FIG. 1). When forming the upper magnetic core, a heat treatment for improving magnetic characteristics is performed if necessary.

【0021】有機シリコーン樹脂は従来使用されていた
フォトレジストに比べて耐熱性が高いので、上部磁気コ
ア用磁性薄膜形成時の温度上昇や、磁気特性改善のため
必要に応じて行なわれる熱処理により、絶縁層にクラッ
クが生じたり、磁性膜が浮いて剥離することがない。ま
た、磁性薄膜の熱処理温度範囲が拡大するため、磁性膜
の磁気特性向上や磁性薄膜の材料選定範囲が広がる。加
えて有機シリコーン樹脂はフォトレジストに比べて耐湿
性が高いので長期信頼性が向上する。
Since the organosilicone resin has higher heat resistance than the conventionally used photoresist, the temperature rise during the formation of the magnetic thin film for the upper magnetic core and the heat treatment carried out as necessary to improve the magnetic characteristics, The insulating layer is not cracked or the magnetic film is not lifted and peeled off. Further, since the heat treatment temperature range of the magnetic thin film is expanded, the magnetic properties of the magnetic film are improved and the material selection range of the magnetic thin film is expanded. In addition, since the organic silicone resin has higher moisture resistance than photoresist, long-term reliability is improved.

【0022】[実施例2]図2は本発明の薄膜磁気ヘッ
ドの製法の他の実施例を示す断面説明図であり、1〜1
6は前記実施例1と同一のものを示しており、10bは
磁気コア保護兼シリコーン密着性強化用の膜である。前
記実施例1とは異なり上部磁気コアが有機シリコーン樹
脂と接触しない構成であるので、磁性膜とシリコーンと
の密着性がわるいか、または磁性膜の本来の磁気特性が
発揮されないばあい、その密着性および磁気特性を改善
することができる。
[Embodiment 2] FIG. 2 is a sectional explanatory view showing another embodiment of the method of manufacturing the thin film magnetic head of the present invention.
6 is the same as that of the first embodiment, and 10b is a film for protecting the magnetic core and enhancing silicone adhesion. Unlike the first embodiment, the upper magnetic core does not come into contact with the organic silicone resin, so if the adhesion between the magnetic film and silicone is poor, or if the original magnetic properties of the magnetic film are not exhibited, the adhesion is improved. Properties and magnetic properties can be improved.

【0023】まず、基板1上に基板保護膜2、下部磁気
コア3、および必要に応じて下部磁気コア3の保護およ
び密着力強化のための保護層10bを成膜する(図2の
a)。ついで有機シリコーン樹脂11をスピナーにより
回転塗布し(図2のb)、フォトレジスト12を絶縁層
形状に写真製版技術を用いて形成する(図2のc)。
First, a substrate protective film 2, a lower magnetic core 3 and, if necessary, a protective layer 10b for protecting the lower magnetic core 3 and enhancing the adhesion are formed on the substrate 1 (a in FIG. 2). . Then, the organic silicone resin 11 is spin-coated by a spinner (b in FIG. 2), and the photoresist 12 is formed in the shape of an insulating layer by the photolithography technique (c in FIG. 2).

【0024】つぎにフレオンと酸素を含むプラズマ13
にさらしてシリコーン樹脂を所望の形状にエッチングす
る(図2のd)。続いて酸素のプラズマ14によりマス
クレジストをアッシングする(図2のe)。つぎに銅コ
イル6および前記シリコーン樹脂11を絶縁層形状に形
成したのと同じ要領で第二の絶縁層15を形成する(図
2のf)。そののちプマズマ16により磁気コア保護兼
シリコーン密着性強化用の膜10bをエッチングする
(図2のg)。フレオンと酸素のプラズマ13および1
6は前記実施例1と同様である。
Next, plasma 13 containing freon and oxygen
To expose the silicone resin to the desired shape (FIG. 2d). Then, the mask resist is ashed by oxygen plasma 14 (e in FIG. 2). Next, the second insulating layer 15 is formed in the same manner as the copper coil 6 and the silicone resin 11 are formed in the insulating layer shape (f in FIG. 2). After that, the film 10b for protecting the magnetic core and enhancing the silicone adhesion is etched by the plasma 16 (g in FIG. 2). Freon and oxygen plasmas 13 and 1
6 is the same as in the first embodiment.

【0025】ついでギャップ膜4を形成(図2のh)し
たのち、上部磁気コア8および絶縁保護膜9を形成し研
磨する(図2のi)。上部磁気コア形成時には必要に応
じて磁気特性改善のための熱処理を行なう。
After forming the gap film 4 (h in FIG. 2), the upper magnetic core 8 and the insulating protection film 9 are formed and polished (i in FIG. 2). When forming the upper magnetic core, a heat treatment for improving magnetic characteristics is performed if necessary.

【0026】[実施例3]図3は本発明の薄膜磁気ヘッ
ドの製法のさらに他の実施例を示す断面説明図であり、
1〜16は前記実施例1と同一のものであり、17はイ
オンビームである。本実施例ではマスク用のフォトレジ
ストを酸素プラズマだけでアッシングするのではなく、
酸素プラズマによるアッシングに引き続きイオンビーム
によるアッシングを行なうことによりレジストのパター
ン表面の形状がそのまま転写されて、シリコーンパター
ン下部の形状の変化を受けずに滑らかなシリコーンパタ
ーン表面となる。
[Embodiment 3] FIG. 3 is a cross sectional view showing still another embodiment of the method of manufacturing the thin film magnetic head of the present invention.
1 to 16 are the same as those in the first embodiment, and 17 is an ion beam. In this embodiment, instead of ashing the photoresist for the mask only with oxygen plasma,
By performing ashing with oxygen plasma and then ashing with an ion beam, the shape of the resist pattern surface is transferred as it is, and a smooth silicone pattern surface is obtained without any change in the shape under the silicone pattern.

【0027】まず、基板1上に基板保護膜2、下部磁気
コア3、およびギャップ薄膜4を形成する(図3の
a)。ついで磁気ギャップ膜4、保護犠牲層、10およ
び密着性強化膜10aを実施例1と同様の方法で形成す
る(図3のb)。
First, the substrate protective film 2, the lower magnetic core 3, and the gap thin film 4 are formed on the substrate 1 (a in FIG. 3). Then, the magnetic gap film 4, the protective sacrificial layer 10 and the adhesion enhancing film 10a are formed in the same manner as in Example 1 (b in FIG. 3).

【0028】つぎに、有機シリコーンをスピンコートに
より塗布し(図3のc)、フォトレジスト12を絶縁層
形状に写真製版技術を用いて形成する(図1のd)。こ
のとき実施例1のときよりフォトレジストの膜厚は大き
い。
Next, an organic silicone is applied by spin coating (c in FIG. 3), and a photoresist 12 is formed in the shape of an insulating layer by photolithography (d in FIG. 1). At this time, the film thickness of the photoresist is larger than that in the first embodiment.

【0029】ついで酸素とフロンを含むプラズマ13に
さらしてシリコーン樹脂を所望の形状にエッチングする
(図1のe)。続いて酸素のプラズマ14によりマスク
レジストをアッシングする(図1のf)。フォトレジス
トの膜厚が実施例1よりも大きいためフォトレジストが
シリコーンパターン上に少し残り、この残りをイオンビ
ーム17により取り除く(図3のg)。銅コイル6およ
び前記シリコーン樹脂11を絶縁層形状に形成したのと
同じ要領で上部絶縁層15を形成する(図3のh)。酸
素プラズマ14によりレジストすべてをアッシングする
よりもイオンビーム17を用いた方がレジストのパター
ン表面の形状がそのまま転写されて、シリコーンパター
ン下部の形状の変化を受けずに滑らかなシリコーンパタ
ーン表面となる。このことはとくに上部絶縁層15を形
成するときの磁性膜の磁気特性の向上に有効である。保
護犠牲層10、密着性強化膜10aの除去については前
記実施例1と同様の方法による(図3のi)。上部磁気
コア8および絶縁保護膜9を形成し研磨する(図3の
j)。上部磁気コア形成時には必要に応じて磁気特性改
善のための熱処理を行なう。
Then, the silicone resin is etched into a desired shape by exposing it to the plasma 13 containing oxygen and freon (e in FIG. 1). Then, the mask resist is ashed by oxygen plasma 14 (f in FIG. 1). Since the film thickness of the photoresist is larger than that of the first embodiment, the photoresist remains slightly on the silicone pattern, and this residue is removed by the ion beam 17 (g in FIG. 3). The upper insulating layer 15 is formed in the same manner as the copper coil 6 and the silicone resin 11 are formed into an insulating layer shape (h in FIG. 3). The shape of the resist pattern surface is transferred as it is by using the ion beam 17 rather than by ashing the entire resist by the oxygen plasma 14, and a smooth silicone pattern surface is obtained without being affected by the change in the shape under the silicone pattern. This is particularly effective for improving the magnetic characteristics of the magnetic film when forming the upper insulating layer 15. The protective sacrificial layer 10 and the adhesion enhancing film 10a are removed by the same method as in Example 1 (i in FIG. 3). The upper magnetic core 8 and the insulating protective film 9 are formed and polished (j in FIG. 3). When forming the upper magnetic core, a heat treatment for improving magnetic characteristics is performed if necessary.

【0030】前記実施例1〜3において密着性強化膜を
形成するばあい、その膜厚が下部磁気コアと導体コイル
とを電気的に絶縁するのに充分な厚さであれば、第一層
目のシリコーン絶縁層は不要であり、密着性強化膜のす
ぐ上に導体コイルを形成しても良い。
When the adhesion enhancing film is formed in Examples 1 to 3 as long as the film thickness is sufficient to electrically insulate the lower magnetic core and the conductor coil, the first layer The eye silicone insulating layer is not necessary, and the conductor coil may be formed immediately above the adhesion enhancing film.

【0031】また、導体コイルは一層に留まらず二層以
上であってもよい。
Further, the conductor coil is not limited to one layer and may be two or more layers.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の薄膜磁気ヘッドの製法によれば、磁気コアとコイルの
層間絶縁層を容易に形成でき、かつ乾式成膜法を用いる
ことにより磁気記録特性や再生効率の良い薄膜磁気ヘッ
ドをうることができ、実用上極めて効果的である。
As is clear from the above description, according to the method of manufacturing the thin film magnetic head of the present invention, the interlayer insulating layer between the magnetic core and the coil can be easily formed, and the magnetic film can be formed by the dry film forming method. It is possible to obtain a thin film magnetic head having excellent recording characteristics and reproducing efficiency, which is extremely effective in practical use.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の一実施例の断
面説明図である。
FIG. 1 is an explanatory cross-sectional view of an example of a method of manufacturing a thin film magnetic head of the present invention.

【図2】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の他の実施例の
断面説明図である。
FIG. 2 is a sectional explanatory view of another embodiment of the method of manufacturing the thin film magnetic head of the invention.

【図3】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法のさらに他の実
施例断面説明図である。
FIG. 3 is a cross-sectional explanatory view of still another embodiment of the method of manufacturing the thin film magnetic head of the present invention.

【図4】従来の薄膜磁気ヘッドの製法の断面説明図であ
る。
FIG. 4 is a cross-sectional explanatory view of a conventional method of manufacturing a thin film magnetic head.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 基板保護膜 3 下部磁気コア 4 磁気ギャップ 5 フォトレジストによる第一絶縁層 6 第一コイル 7 フォトレジストによる第二絶縁層 8 上部磁気コア 9 絶縁保護膜 10 保護犠牲層 10a シリコーンの密着強化膜 10b 磁気コア保護兼シリコーン密着性強化用の膜 11 シリコーン樹脂 12 マスク用レジスト 13 フレオンと酸素のプラズマ 14 酸素のプラズマ 15 シリコーンによる上部絶縁層 16 密着性強化膜エッチング用プラズマ 17 イオンビーム 1 Substrate 2 Substrate Protective Film 3 Lower Magnetic Core 4 Magnetic Gap 5 First Insulating Layer by Photoresist 6 First Coil 7 Second Insulating Layer by Photoresist 8 Upper Magnetic Core 9 Insulating Protective Film 10 Protective Sacrificial Layer 10a Adhesion Strengthening of Silicone Film 10b Film for protection of magnetic core and silicone adhesion enhancement 11 Silicone resin 12 Mask resist 13 Freon and oxygen plasma 14 Oxygen plasma 15 Upper insulating layer by silicone 16 Adhesion enhancement film etching plasma 17 Ion beam

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に形成された上下薄膜磁気コア
と、薄膜導体コイルと、ギャップ薄膜と、前記コイルと
磁気コアとを電気的に絶縁する絶縁層とを有する薄膜磁
気ヘッドであって、前記絶縁層がシリコンと酸素と炭素
を主成分とするラダー構造の有機シリコーン樹脂からな
り、エッチング用のマスクにフォトレジストが使用さ
れ、CF4、SF6およびCHF3からなる群より選ばれ
た少なくとも一種を含むフレオン類と酸素のプラズマに
より絶縁層形状にエッチングにより形成され、そののち
マスクのフォトレジストがアッシングにより除去されて
なることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
1. A thin-film magnetic head having upper and lower thin-film magnetic cores formed on a substrate, a thin-film conductor coil, a gap thin film, and an insulating layer electrically insulating the coil and the magnetic core, The insulating layer is made of an organic silicone resin having a ladder structure containing silicon, oxygen and carbon as main components, a photoresist is used as an etching mask, and at least one selected from the group consisting of CF 4 , SF 6 and CHF 3. A thin film magnetic head characterized by being formed by etching into an insulating layer shape by plasma of one kind of freons and oxygen, and then removing the photoresist of the mask by ashing.
【請求項2】 請求項1記載の薄膜磁気ヘッドの製法で
あって、前記ギャップ薄膜の上に当該ギャップ薄膜とは
エッチング特性の異なる保護犠牲層を形成し、ギャップ
薄膜のエッチングを防ぎギャップ薄膜の膜厚制御を容易
にしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製法。
2. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 1, wherein a protective sacrificial layer having etching characteristics different from those of the gap thin film is formed on the gap thin film to prevent etching of the gap thin film. A method of manufacturing a thin film magnetic head, characterized in that the film thickness is easily controlled.
【請求項3】 請求項1記載の薄膜磁気ヘッドの製法で
あって、有機シリコーン樹脂のパターニングのまえに、
密着性強化のためのシリコン元素を含有する無機薄膜を
形成してから絶縁層の形成を行ない、上部磁気コア形成
まえに前記密着性強化膜を取り除くことを特徴とする薄
膜磁気ヘッドの製法。
3. A method of manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 1, wherein before patterning the organic silicone resin,
A method of manufacturing a thin film magnetic head, comprising forming an inorganic thin film containing a silicon element for enhancing adhesion, forming an insulating layer, and removing the adhesion enhancing film before forming an upper magnetic core.
【請求項4】 請求項1記載の薄膜磁気ヘッドの製法で
あって、下部薄膜磁気コア、薄膜導電コイル、および前
記磁気コアとコイルとを電気的に絶縁する絶縁層を形成
したのち、続いてギャップ薄膜を形成してから上部磁気
コアを形成することを特徴とする薄膜磁気コアの製法。
4. The method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 1, wherein a lower thin film magnetic core, a thin film conductive coil, and an insulating layer for electrically insulating the magnetic core and the coil are formed, and subsequently, A method of manufacturing a thin film magnetic core, which comprises forming a gap thin film and then forming an upper magnetic core.
【請求項5】 請求項1記載の薄膜磁気ヘッドの製法で
あって、マスクレジストを酸素のプラズマによりアッシ
ングし、続いてイオンビームによりアッシングを行なう
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製法。
5. The method of manufacturing a thin-film magnetic head according to claim 1, wherein the mask resist is ashed by oxygen plasma, and then ashing is performed by an ion beam.
JP4176893A 1992-07-03 1992-07-03 Thin-film magnetic head and its manufacture Pending JPH0620230A (en)

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US08/400,478 US5470491A (en) 1992-07-03 1995-03-08 Process for producing a thin-film magnetic head having an insulation formed of a ladder-type silicone resin

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030034383A (en) * 2001-10-23 2003-05-09 주식회사 한소닉테크 Magnetic thin film head fabrication method
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JP2022520294A (en) * 2020-01-17 2022-03-30 深▲セン▼市▲ハク▼科新材料股▲フン▼有限公司 Copper plate embedded soft magnetic powder core inductor, its manufacturing method and applications

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