JPH0620230A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製法Info
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- JPH0620230A JPH0620230A JP4176893A JP17689392A JPH0620230A JP H0620230 A JPH0620230 A JP H0620230A JP 4176893 A JP4176893 A JP 4176893A JP 17689392 A JP17689392 A JP 17689392A JP H0620230 A JPH0620230 A JP H0620230A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁性膜の成膜時やアニール処理のときの温度
上昇に耐えられる絶縁層を形成する。 【構成】 薄膜磁気ヘッドの絶縁層にフォトレジストの
代わりに有機シリコーン樹脂を使用する。３５０℃の加
熱硬化後フレオンと酸素のプラズマにより絶縁層形状に
シリコーン樹脂をパターニングして使用する。その際ギ
ャップ薄膜の上にそのギャップ薄膜とはエッチング特性
の異なる保護犠牲層を成膜してから、絶縁層の形成（シ
リコーンのエッチング）を行なうとよい。
上昇に耐えられる絶縁層を形成する。 【構成】 薄膜磁気ヘッドの絶縁層にフォトレジストの
代わりに有機シリコーン樹脂を使用する。３５０℃の加
熱硬化後フレオンと酸素のプラズマにより絶縁層形状に
シリコーン樹脂をパターニングして使用する。その際ギ
ャップ薄膜の上にそのギャップ薄膜とはエッチング特性
の異なる保護犠牲層を成膜してから、絶縁層の形成（シ
リコーンのエッチング）を行なうとよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドおよびそ
の製法に関し、とくに磁気コアおよびコイル間の絶縁層
が改良され、磁気記録特性や再生効率の優れた薄膜磁気
ヘッドおよびその製法に関する。
の製法に関し、とくに磁気コアおよびコイル間の絶縁層
が改良され、磁気記録特性や再生効率の優れた薄膜磁気
ヘッドおよびその製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、半導体集積回路と同
様な、蒸着法、スパッタリング法などの成膜技術、写真
製版技術、エッチング技術などのリソグラフィ技術を用
いて製造されるので、高精度なヘッドが一括大量に生産
できる点に特徴がある。
様な、蒸着法、スパッタリング法などの成膜技術、写真
製版技術、エッチング技術などのリソグラフィ技術を用
いて製造されるので、高精度なヘッドが一括大量に生産
できる点に特徴がある。
【０００３】図４のａ〜ｆは、たとえば特開昭５５−８
４０１９号公報に示された薄膜磁気ヘッドの製法を示す
断面説明図である。図４において１は基板、２は基板保
護膜、３は下部磁気コア、４は磁気ギャップ、５は第一
絶縁層、６は銅コイル、７は第二絶縁層、８は上部磁気
コア、９は絶縁保護膜である。
４０１９号公報に示された薄膜磁気ヘッドの製法を示す
断面説明図である。図４において１は基板、２は基板保
護膜、３は下部磁気コア、４は磁気ギャップ、５は第一
絶縁層、６は銅コイル、７は第二絶縁層、８は上部磁気
コア、９は絶縁保護膜である。
【０００４】つぎに図４に示される薄膜磁気ヘッドの製
法と動作について説明する。まず基板１上に基板保護膜
２、下部磁気コア３、および磁気ギャップ４を形成する
（図３のａ）。磁気ギャップ４はアルミナなどの無機絶
縁スパッタ膜である。この上に下部絶縁層５の形状にフ
ォトレジストを用いてリソグラフィ技術により形成す
る。フォトレジストは２００〜２５０℃で加熱硬化する
（図３のｂ）。ついで銅コイル６を形成したのち、上部
絶縁層７を下部絶縁層５と同様の方法によりフォトレジ
ストで形成する（図３のｃ）。続いて上部磁気コア８が
形成される（図３のｄ）。銅コイル６、下部磁気コア
４、および上部磁気コア８はパターンメッキ法により形
成される。ついで絶縁保護層９を成膜し、研磨する（図
３のｅ）。そして、コア先端が露出するまでラッピング
処理を行なう（図３のｆ）。
法と動作について説明する。まず基板１上に基板保護膜
２、下部磁気コア３、および磁気ギャップ４を形成する
（図３のａ）。磁気ギャップ４はアルミナなどの無機絶
縁スパッタ膜である。この上に下部絶縁層５の形状にフ
ォトレジストを用いてリソグラフィ技術により形成す
る。フォトレジストは２００〜２５０℃で加熱硬化する
（図３のｂ）。ついで銅コイル６を形成したのち、上部
絶縁層７を下部絶縁層５と同様の方法によりフォトレジ
ストで形成する（図３のｃ）。続いて上部磁気コア８が
形成される（図３のｄ）。銅コイル６、下部磁気コア
４、および上部磁気コア８はパターンメッキ法により形
成される。ついで絶縁保護層９を成膜し、研磨する（図
３のｅ）。そして、コア先端が露出するまでラッピング
処理を行なう（図３のｆ）。
【０００５】前記の薄膜磁気ヘッドの製法によれば、従
来のバルク型磁気ヘッドの製法に比べて、磁気コアやコ
イル巻線の形成が基板毎に一括して行なえるという利点
がある。
来のバルク型磁気ヘッドの製法に比べて、磁気コアやコ
イル巻線の形成が基板毎に一括して行なえるという利点
がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
ような薄膜磁気ヘッドの製法では、磁気コアの形成をメ
ッキ法により行なうため使用可能な磁気コアの材料が限
定され、磁気特性のより優れた材料を使うことができな
い。すなわち、磁気コア形成に際しては、メッキ法に比
べて材料選定の範囲が広いスパッタリング法などの乾式
成膜法による成膜が有効である。
ような薄膜磁気ヘッドの製法では、磁気コアの形成をメ
ッキ法により行なうため使用可能な磁気コアの材料が限
定され、磁気特性のより優れた材料を使うことができな
い。すなわち、磁気コア形成に際しては、メッキ法に比
べて材料選定の範囲が広いスパッタリング法などの乾式
成膜法による成膜が有効である。
【０００７】しかし、一方において、前記図４に示され
る方法でスパッタリング法などの乾式成膜法により磁気
コアを形成すると、上部磁気コア用磁性薄膜の形成時の
温度上昇や、磁気特性改善のために必要に応じて行なわ
れる熱処理により、フォトレジストにクラックが生じた
り、レジストから発生するガスにより磁性膜が浮いて剥
離するという問題があった。
る方法でスパッタリング法などの乾式成膜法により磁気
コアを形成すると、上部磁気コア用磁性薄膜の形成時の
温度上昇や、磁気特性改善のために必要に応じて行なわ
れる熱処理により、フォトレジストにクラックが生じた
り、レジストから発生するガスにより磁性膜が浮いて剥
離するという問題があった。
【０００８】また、フォトレジストは加熱硬化され使用
されているが、２５０℃以上ではフォトレジストの熱分
解が著しくなるので、たとえば磁気コア用磁性膜に対し
て必要に応じて行なわれる２５０℃以上の熱処理は困難
であるという問題があった。
されているが、２５０℃以上ではフォトレジストの熱分
解が著しくなるので、たとえば磁気コア用磁性膜に対し
て必要に応じて行なわれる２５０℃以上の熱処理は困難
であるという問題があった。
【０００９】本発明はかかる問題を解決するためになさ
れたものであり、乾式成膜法を用いることが可能な有機
絶縁層を使用して、良好な形状の薄膜磁気ヘッドをうる
ことができる薄膜磁気ヘッドの製法および磁気記録特性
や再生効率の優れた薄膜磁気ヘッドを提供することを目
的とする。
れたものであり、乾式成膜法を用いることが可能な有機
絶縁層を使用して、良好な形状の薄膜磁気ヘッドをうる
ことができる薄膜磁気ヘッドの製法および磁気記録特性
や再生効率の優れた薄膜磁気ヘッドを提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、基板上に形成された上下薄膜磁気コアと、薄膜導体
コイルと、ギャップ薄膜と、前記コイルと磁気コアとを
電気的に絶縁する絶縁層とを有する薄膜磁気ヘッドであ
って、前記絶縁層がシリコンと酸素と炭素を主成分とす
るラダー構造の有機シリコーン樹脂からなり、エッチン
グ用のマスクにフォトレジストが使用され、ＣＦ４、Ｓ
Ｆ６およびＣＨＦ３からなる群より選ばれた少なくとも
一種を含むフレオン類と酸素のプラズマにより絶縁層形
状にエッチングにより形成され、そののちマスクのフォ
トレジストがアッシングにより除去されてなることを特
徴としている。
は、基板上に形成された上下薄膜磁気コアと、薄膜導体
コイルと、ギャップ薄膜と、前記コイルと磁気コアとを
電気的に絶縁する絶縁層とを有する薄膜磁気ヘッドであ
って、前記絶縁層がシリコンと酸素と炭素を主成分とす
るラダー構造の有機シリコーン樹脂からなり、エッチン
グ用のマスクにフォトレジストが使用され、ＣＦ４、Ｓ
Ｆ６およびＣＨＦ３からなる群より選ばれた少なくとも
一種を含むフレオン類と酸素のプラズマにより絶縁層形
状にエッチングにより形成され、そののちマスクのフォ
トレジストがアッシングにより除去されてなることを特
徴としている。
【００１１】また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製法は前
記薄膜磁気ヘッドの製法において、前記ギャップ薄膜の
上に当該ギャップ薄膜とはエッチング特性の異なる保護
犠牲層を形成し、ギャップ薄膜のエッチングを防ぎギャ
ップ薄膜の膜厚制御を容易にしたことを特徴としてい
る。また、有機シリコーン樹脂のパターニングのまえ
に、密着性強化のためのシリコン元素を含有する無機薄
膜を形成してから絶縁層の形成を行ない、上部磁気コア
形成まえに前記密着性強化膜を取り除くことを特徴とし
ている。また、下部薄膜磁気コア、薄膜導電コイル、お
よび前記磁気コアとコイルとを電気的に絶縁する絶縁層
を形成したのち、続いてギャップ薄膜を形成してから上
部磁気コアを形成することを特徴としている。さらに、
マスクレジストを酸素のプラズマによりアッシングし、
続いてイオンビームによりアッシングを行なうことを特
徴としている。
記薄膜磁気ヘッドの製法において、前記ギャップ薄膜の
上に当該ギャップ薄膜とはエッチング特性の異なる保護
犠牲層を形成し、ギャップ薄膜のエッチングを防ぎギャ
ップ薄膜の膜厚制御を容易にしたことを特徴としてい
る。また、有機シリコーン樹脂のパターニングのまえ
に、密着性強化のためのシリコン元素を含有する無機薄
膜を形成してから絶縁層の形成を行ない、上部磁気コア
形成まえに前記密着性強化膜を取り除くことを特徴とし
ている。また、下部薄膜磁気コア、薄膜導電コイル、お
よび前記磁気コアとコイルとを電気的に絶縁する絶縁層
を形成したのち、続いてギャップ薄膜を形成してから上
部磁気コアを形成することを特徴としている。さらに、
マスクレジストを酸素のプラズマによりアッシングし、
続いてイオンビームによりアッシングを行なうことを特
徴としている。
【００１２】
【作用】本発明における薄膜磁気ヘッドの製法は、前記
のように構成されているので、上部磁気コア用磁性膜の
形成時の温度上昇や、磁気特性改善のために必要に応じ
て行なわれる熱処理により、クラックや剥離が生じるこ
となしに絶縁層が形成される。
のように構成されているので、上部磁気コア用磁性膜の
形成時の温度上昇や、磁気特性改善のために必要に応じ
て行なわれる熱処理により、クラックや剥離が生じるこ
となしに絶縁層が形成される。
【００１３】また、絶縁層の耐熱温度が向上するので磁
性膜のアニール温度範囲が拡大するため、より磁気特性
の優れた磁気コア材料が使用できる。
性膜のアニール温度範囲が拡大するため、より磁気特性
の優れた磁気コア材料が使用できる。
【００１４】
【実施例】つぎに、添付図面を参照しつつ本発明の薄膜
磁気ヘッドおよびその製法を説明する。
磁気ヘッドおよびその製法を説明する。
【００１５】［実施例１］図１は本発明の薄膜磁気ヘッ
ドの製法の一実施例を示す断面説明図であり、１〜９は
前記従来の製法におけるものと同一であり、１０は保護
犠牲層、１０ａはシリコーンの密着強化膜、１１は絶縁
層用のシリコーン、１２はマスク用フォトレジスト、１
３はフレオンと酸素のプラズマ、１４は酸素のプラズ
マ、１５はコイル上シリコーン絶縁層、１６は犠牲層エ
ッチング用プラズマである。
ドの製法の一実施例を示す断面説明図であり、１〜９は
前記従来の製法におけるものと同一であり、１０は保護
犠牲層、１０ａはシリコーンの密着強化膜、１１は絶縁
層用のシリコーン、１２はマスク用フォトレジスト、１
３はフレオンと酸素のプラズマ、１４は酸素のプラズ
マ、１５はコイル上シリコーン絶縁層、１６は犠牲層エ
ッチング用プラズマである。
【００１６】まず基板１上に基板保護膜２、下部磁気コ
ア３、および磁気ギャップ膜４を形成する（図１の
ａ）。磁気ギャップ４としてはたとえばＡｌ2Ｏ3を使用
する。ついで前記磁気ギャップ膜とはエッチング特性の
異なる保護犠牲層１０をスパッタリング法などの手法に
より成膜する。保護犠牲層１０はシリコーンエッチング
のときに磁気ギャップ膜を保護する役剤を果たし、フレ
オンと酸素のプラズマにより殆どエッチングされない金
属膜を用いるのが好ましい。上コア形成まえに保護犠牲
層１０を除去せずにギャップ膜の一部として使用するば
あいは、非磁性の金属膜であるＣｕやＣｒなどの金属膜
を使用し、上コア形成まえに保護犠牲層１０を除去する
ばあいはパーマロイなどの磁性膜でも構わない。また
は、磁気ギャップ膜としてのＡｌ2Ｏ3を形成せずに、下
部磁気コア３の上に直接ＣｕやＣｒなどの非磁性金属膜
を保護犠牲層および磁気ギャップ膜の両方の役割をもた
せるために形成してもよい。保護犠牲層１０はウエハー
全面に成膜してもよいし、磁気ギャップ部分だけ残して
残りは除去してもよい。その上にシリコーンの密着力強
化膜１０ａをスパッタ法などにより成膜する（図１の
ｂ）。密着力強化膜１０ａは有機シリコーン樹脂に含ま
れるシリコン元素からなるＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4などが好
ましい。密着力強化膜１０ａの膜厚は下部磁気コア３の
膜厚にもよるが、通常１〜２μｍ程度である。
ア３、および磁気ギャップ膜４を形成する（図１の
ａ）。磁気ギャップ４としてはたとえばＡｌ2Ｏ3を使用
する。ついで前記磁気ギャップ膜とはエッチング特性の
異なる保護犠牲層１０をスパッタリング法などの手法に
より成膜する。保護犠牲層１０はシリコーンエッチング
のときに磁気ギャップ膜を保護する役剤を果たし、フレ
オンと酸素のプラズマにより殆どエッチングされない金
属膜を用いるのが好ましい。上コア形成まえに保護犠牲
層１０を除去せずにギャップ膜の一部として使用するば
あいは、非磁性の金属膜であるＣｕやＣｒなどの金属膜
を使用し、上コア形成まえに保護犠牲層１０を除去する
ばあいはパーマロイなどの磁性膜でも構わない。また
は、磁気ギャップ膜としてのＡｌ2Ｏ3を形成せずに、下
部磁気コア３の上に直接ＣｕやＣｒなどの非磁性金属膜
を保護犠牲層および磁気ギャップ膜の両方の役割をもた
せるために形成してもよい。保護犠牲層１０はウエハー
全面に成膜してもよいし、磁気ギャップ部分だけ残して
残りは除去してもよい。その上にシリコーンの密着力強
化膜１０ａをスパッタ法などにより成膜する（図１の
ｂ）。密着力強化膜１０ａは有機シリコーン樹脂に含ま
れるシリコン元素からなるＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4などが好
ましい。密着力強化膜１０ａの膜厚は下部磁気コア３の
膜厚にもよるが、通常１〜２μｍ程度である。
【００１７】つぎに、有機シリコーン樹脂１１をスピナ
ーにより回転塗布し、真空中で昇温時間３時間以上で３
５０℃まで昇温し、保持時間１時間で加熱硬化する（図
１のｃ）。そしてフォトレジスト１２を絶縁層形状に写
真製版技術を用いて形成する（図１のｄ）。ついで酸素
とフロンを含むプラズマ１３にさらしてシリコーン樹脂
を第一の絶縁層の形状にエッチングする（図１のｅ）。
プラズマ１３はたとえばＣＦ4とＯ2のばあい、Ｏ2の割
合は５〜６０％（容量％）とする。
ーにより回転塗布し、真空中で昇温時間３時間以上で３
５０℃まで昇温し、保持時間１時間で加熱硬化する（図
１のｃ）。そしてフォトレジスト１２を絶縁層形状に写
真製版技術を用いて形成する（図１のｄ）。ついで酸素
とフロンを含むプラズマ１３にさらしてシリコーン樹脂
を第一の絶縁層の形状にエッチングする（図１のｅ）。
プラズマ１３はたとえばＣＦ4とＯ2のばあい、Ｏ2の割
合は５〜６０％（容量％）とする。
【００１８】続いて酸素のプラズマ１４によりマスク用
フォトレジストをアッシングする（図１のｆ）。酸素に
よるフォトレジストのエッチングレートはシリコーンの
それの１０倍以上であるため、フォトレジストをアッシ
ング終了後にシリコーンをオーバーエッチングしても差
し支えない。アッシングではなく、アセトンなどのレジ
スト剥離液を使用してマスク用フォトレジストを剥離す
るとシリコーン樹脂にクラックが入るためパターニング
には不適である。
フォトレジストをアッシングする（図１のｆ）。酸素に
よるフォトレジストのエッチングレートはシリコーンの
それの１０倍以上であるため、フォトレジストをアッシ
ング終了後にシリコーンをオーバーエッチングしても差
し支えない。アッシングではなく、アセトンなどのレジ
スト剥離液を使用してマスク用フォトレジストを剥離す
るとシリコーン樹脂にクラックが入るためパターニング
には不適である。
【００１９】つぎに銅コイル６を形成し、前記シリコー
ン樹脂１１を絶縁層形状に形成したのと同じ要領で第二
の絶縁層１５を形成する（図１のｇ）。このときフォト
レジストを残す。残すフォトレジストの厚さは密着力強
化膜１０ａの膜厚にもよるが数μｍとする。エッチング
用のプラズマ１６により密着力強化膜１０ａのうち露出
している部分およびマスク用フォトレジストの残りをエ
ッチングする（図１のｈ）。プラズマ１６はたとえばＣ
Ｆ4とＯ2のばあいＯ2は５〜６０％（容量％）とする。
ン樹脂１１を絶縁層形状に形成したのと同じ要領で第二
の絶縁層１５を形成する（図１のｇ）。このときフォト
レジストを残す。残すフォトレジストの厚さは密着力強
化膜１０ａの膜厚にもよるが数μｍとする。エッチング
用のプラズマ１６により密着力強化膜１０ａのうち露出
している部分およびマスク用フォトレジストの残りをエ
ッチングする（図１のｈ）。プラズマ１６はたとえばＣ
Ｆ4とＯ2のばあいＯ2は５〜６０％（容量％）とする。
【００２０】つぎに保護犠牲層１０を取り除く。そのと
き、磁気ギャップ部分だけに存在する保護犠牲層１０を
取り除くばあいはウエットエッチングで除去し、ウエハ
ー全面に存在する保護犠牲層１０を取り除くばあいはイ
オンビームで除去する。ついで上部磁気コア８と絶縁保
護膜９を成膜し研磨する（図１のｉ）。上部磁気コア形
成時に必要に応じて磁気特性改善のための熱処理を行な
う。
き、磁気ギャップ部分だけに存在する保護犠牲層１０を
取り除くばあいはウエットエッチングで除去し、ウエハ
ー全面に存在する保護犠牲層１０を取り除くばあいはイ
オンビームで除去する。ついで上部磁気コア８と絶縁保
護膜９を成膜し研磨する（図１のｉ）。上部磁気コア形
成時に必要に応じて磁気特性改善のための熱処理を行な
う。
【００２１】有機シリコーン樹脂は従来使用されていた
フォトレジストに比べて耐熱性が高いので、上部磁気コ
ア用磁性薄膜形成時の温度上昇や、磁気特性改善のため
必要に応じて行なわれる熱処理により、絶縁層にクラッ
クが生じたり、磁性膜が浮いて剥離することがない。ま
た、磁性薄膜の熱処理温度範囲が拡大するため、磁性膜
の磁気特性向上や磁性薄膜の材料選定範囲が広がる。加
えて有機シリコーン樹脂はフォトレジストに比べて耐湿
性が高いので長期信頼性が向上する。
フォトレジストに比べて耐熱性が高いので、上部磁気コ
ア用磁性薄膜形成時の温度上昇や、磁気特性改善のため
必要に応じて行なわれる熱処理により、絶縁層にクラッ
クが生じたり、磁性膜が浮いて剥離することがない。ま
た、磁性薄膜の熱処理温度範囲が拡大するため、磁性膜
の磁気特性向上や磁性薄膜の材料選定範囲が広がる。加
えて有機シリコーン樹脂はフォトレジストに比べて耐湿
性が高いので長期信頼性が向上する。
【００２２】［実施例２］図２は本発明の薄膜磁気ヘッ
ドの製法の他の実施例を示す断面説明図であり、１〜１
６は前記実施例１と同一のものを示しており、１０ｂは
磁気コア保護兼シリコーン密着性強化用の膜である。前
記実施例１とは異なり上部磁気コアが有機シリコーン樹
脂と接触しない構成であるので、磁性膜とシリコーンと
の密着性がわるいか、または磁性膜の本来の磁気特性が
発揮されないばあい、その密着性および磁気特性を改善
することができる。
ドの製法の他の実施例を示す断面説明図であり、１〜１
６は前記実施例１と同一のものを示しており、１０ｂは
磁気コア保護兼シリコーン密着性強化用の膜である。前
記実施例１とは異なり上部磁気コアが有機シリコーン樹
脂と接触しない構成であるので、磁性膜とシリコーンと
の密着性がわるいか、または磁性膜の本来の磁気特性が
発揮されないばあい、その密着性および磁気特性を改善
することができる。
【００２３】まず、基板１上に基板保護膜２、下部磁気
コア３、および必要に応じて下部磁気コア３の保護およ
び密着力強化のための保護層１０ｂを成膜する（図２の
ａ）。ついで有機シリコーン樹脂１１をスピナーにより
回転塗布し（図２のｂ）、フォトレジスト１２を絶縁層
形状に写真製版技術を用いて形成する（図２のｃ）。
コア３、および必要に応じて下部磁気コア３の保護およ
び密着力強化のための保護層１０ｂを成膜する（図２の
ａ）。ついで有機シリコーン樹脂１１をスピナーにより
回転塗布し（図２のｂ）、フォトレジスト１２を絶縁層
形状に写真製版技術を用いて形成する（図２のｃ）。
【００２４】つぎにフレオンと酸素を含むプラズマ１３
にさらしてシリコーン樹脂を所望の形状にエッチングす
る（図２のｄ）。続いて酸素のプラズマ１４によりマス
クレジストをアッシングする（図２のｅ）。つぎに銅コ
イル６および前記シリコーン樹脂１１を絶縁層形状に形
成したのと同じ要領で第二の絶縁層１５を形成する（図
２のｆ）。そののちプマズマ１６により磁気コア保護兼
シリコーン密着性強化用の膜１０ｂをエッチングする
（図２のｇ）。フレオンと酸素のプラズマ１３および１
６は前記実施例１と同様である。
にさらしてシリコーン樹脂を所望の形状にエッチングす
る（図２のｄ）。続いて酸素のプラズマ１４によりマス
クレジストをアッシングする（図２のｅ）。つぎに銅コ
イル６および前記シリコーン樹脂１１を絶縁層形状に形
成したのと同じ要領で第二の絶縁層１５を形成する（図
２のｆ）。そののちプマズマ１６により磁気コア保護兼
シリコーン密着性強化用の膜１０ｂをエッチングする
（図２のｇ）。フレオンと酸素のプラズマ１３および１
６は前記実施例１と同様である。
【００２５】ついでギャップ膜４を形成（図２のｈ）し
たのち、上部磁気コア８および絶縁保護膜９を形成し研
磨する（図２のｉ）。上部磁気コア形成時には必要に応
じて磁気特性改善のための熱処理を行なう。
たのち、上部磁気コア８および絶縁保護膜９を形成し研
磨する（図２のｉ）。上部磁気コア形成時には必要に応
じて磁気特性改善のための熱処理を行なう。
【００２６】［実施例３］図３は本発明の薄膜磁気ヘッ
ドの製法のさらに他の実施例を示す断面説明図であり、
１〜１６は前記実施例１と同一のものであり、１７はイ
オンビームである。本実施例ではマスク用のフォトレジ
ストを酸素プラズマだけでアッシングするのではなく、
酸素プラズマによるアッシングに引き続きイオンビーム
によるアッシングを行なうことによりレジストのパター
ン表面の形状がそのまま転写されて、シリコーンパター
ン下部の形状の変化を受けずに滑らかなシリコーンパタ
ーン表面となる。
ドの製法のさらに他の実施例を示す断面説明図であり、
１〜１６は前記実施例１と同一のものであり、１７はイ
オンビームである。本実施例ではマスク用のフォトレジ
ストを酸素プラズマだけでアッシングするのではなく、
酸素プラズマによるアッシングに引き続きイオンビーム
によるアッシングを行なうことによりレジストのパター
ン表面の形状がそのまま転写されて、シリコーンパター
ン下部の形状の変化を受けずに滑らかなシリコーンパタ
ーン表面となる。
【００２７】まず、基板１上に基板保護膜２、下部磁気
コア３、およびギャップ薄膜４を形成する（図３の
ａ）。ついで磁気ギャップ膜４、保護犠牲層、１０およ
び密着性強化膜１０ａを実施例１と同様の方法で形成す
る（図３のｂ）。
コア３、およびギャップ薄膜４を形成する（図３の
ａ）。ついで磁気ギャップ膜４、保護犠牲層、１０およ
び密着性強化膜１０ａを実施例１と同様の方法で形成す
る（図３のｂ）。
【００２８】つぎに、有機シリコーンをスピンコートに
より塗布し（図３のｃ）、フォトレジスト１２を絶縁層
形状に写真製版技術を用いて形成する（図１のｄ）。こ
のとき実施例１のときよりフォトレジストの膜厚は大き
い。
より塗布し（図３のｃ）、フォトレジスト１２を絶縁層
形状に写真製版技術を用いて形成する（図１のｄ）。こ
のとき実施例１のときよりフォトレジストの膜厚は大き
い。
【００２９】ついで酸素とフロンを含むプラズマ１３に
さらしてシリコーン樹脂を所望の形状にエッチングする
（図１のｅ）。続いて酸素のプラズマ１４によりマスク
レジストをアッシングする（図１のｆ）。フォトレジス
トの膜厚が実施例１よりも大きいためフォトレジストが
シリコーンパターン上に少し残り、この残りをイオンビ
ーム１７により取り除く（図３のｇ）。銅コイル６およ
び前記シリコーン樹脂１１を絶縁層形状に形成したのと
同じ要領で上部絶縁層１５を形成する（図３のｈ）。酸
素プラズマ１４によりレジストすべてをアッシングする
よりもイオンビーム１７を用いた方がレジストのパター
ン表面の形状がそのまま転写されて、シリコーンパター
ン下部の形状の変化を受けずに滑らかなシリコーンパタ
ーン表面となる。このことはとくに上部絶縁層１５を形
成するときの磁性膜の磁気特性の向上に有効である。保
護犠牲層１０、密着性強化膜１０ａの除去については前
記実施例１と同様の方法による（図３のｉ）。上部磁気
コア８および絶縁保護膜９を形成し研磨する（図３の
ｊ）。上部磁気コア形成時には必要に応じて磁気特性改
善のための熱処理を行なう。
さらしてシリコーン樹脂を所望の形状にエッチングする
（図１のｅ）。続いて酸素のプラズマ１４によりマスク
レジストをアッシングする（図１のｆ）。フォトレジス
トの膜厚が実施例１よりも大きいためフォトレジストが
シリコーンパターン上に少し残り、この残りをイオンビ
ーム１７により取り除く（図３のｇ）。銅コイル６およ
び前記シリコーン樹脂１１を絶縁層形状に形成したのと
同じ要領で上部絶縁層１５を形成する（図３のｈ）。酸
素プラズマ１４によりレジストすべてをアッシングする
よりもイオンビーム１７を用いた方がレジストのパター
ン表面の形状がそのまま転写されて、シリコーンパター
ン下部の形状の変化を受けずに滑らかなシリコーンパタ
ーン表面となる。このことはとくに上部絶縁層１５を形
成するときの磁性膜の磁気特性の向上に有効である。保
護犠牲層１０、密着性強化膜１０ａの除去については前
記実施例１と同様の方法による（図３のｉ）。上部磁気
コア８および絶縁保護膜９を形成し研磨する（図３の
ｊ）。上部磁気コア形成時には必要に応じて磁気特性改
善のための熱処理を行なう。
【００３０】前記実施例１〜３において密着性強化膜を
形成するばあい、その膜厚が下部磁気コアと導体コイル
とを電気的に絶縁するのに充分な厚さであれば、第一層
目のシリコーン絶縁層は不要であり、密着性強化膜のす
ぐ上に導体コイルを形成しても良い。
形成するばあい、その膜厚が下部磁気コアと導体コイル
とを電気的に絶縁するのに充分な厚さであれば、第一層
目のシリコーン絶縁層は不要であり、密着性強化膜のす
ぐ上に導体コイルを形成しても良い。
【００３１】また、導体コイルは一層に留まらず二層以
上であってもよい。
上であってもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の薄膜磁気ヘッドの製法によれば、磁気コアとコイルの
層間絶縁層を容易に形成でき、かつ乾式成膜法を用いる
ことにより磁気記録特性や再生効率の良い薄膜磁気ヘッ
ドをうることができ、実用上極めて効果的である。
の薄膜磁気ヘッドの製法によれば、磁気コアとコイルの
層間絶縁層を容易に形成でき、かつ乾式成膜法を用いる
ことにより磁気記録特性や再生効率の良い薄膜磁気ヘッ
ドをうることができ、実用上極めて効果的である。
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の一実施例の断
面説明図である。
面説明図である。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法の他の実施例の
断面説明図である。
断面説明図である。
【図３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製法のさらに他の実
施例断面説明図である。
施例断面説明図である。
【図４】従来の薄膜磁気ヘッドの製法の断面説明図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 基板保護膜 ３ 下部磁気コア ４ 磁気ギャップ ５ フォトレジストによる第一絶縁層 ６ 第一コイル ７ フォトレジストによる第二絶縁層 ８ 上部磁気コア ９ 絶縁保護膜 １０ 保護犠牲層 １０ａ シリコーンの密着強化膜 １０ｂ 磁気コア保護兼シリコーン密着性強化用の膜 １１ シリコーン樹脂 １２ マスク用レジスト １３ フレオンと酸素のプラズマ １４ 酸素のプラズマ １５ シリコーンによる上部絶縁層 １６ 密着性強化膜エッチング用プラズマ １７ イオンビーム
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に形成された上下薄膜磁気コア
と、薄膜導体コイルと、ギャップ薄膜と、前記コイルと
磁気コアとを電気的に絶縁する絶縁層とを有する薄膜磁
気ヘッドであって、前記絶縁層がシリコンと酸素と炭素
を主成分とするラダー構造の有機シリコーン樹脂からな
り、エッチング用のマスクにフォトレジストが使用さ
れ、ＣＦ4、ＳＦ6およびＣＨＦ3からなる群より選ばれ
た少なくとも一種を含むフレオン類と酸素のプラズマに
より絶縁層形状にエッチングにより形成され、そののち
マスクのフォトレジストがアッシングにより除去されて
なることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製法で
あって、前記ギャップ薄膜の上に当該ギャップ薄膜とは
エッチング特性の異なる保護犠牲層を形成し、ギャップ
薄膜のエッチングを防ぎギャップ薄膜の膜厚制御を容易
にしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製法。 - 【請求項３】 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製法で
あって、有機シリコーン樹脂のパターニングのまえに、
密着性強化のためのシリコン元素を含有する無機薄膜を
形成してから絶縁層の形成を行ない、上部磁気コア形成
まえに前記密着性強化膜を取り除くことを特徴とする薄
膜磁気ヘッドの製法。 - 【請求項４】 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製法で
あって、下部薄膜磁気コア、薄膜導電コイル、および前
記磁気コアとコイルとを電気的に絶縁する絶縁層を形成
したのち、続いてギャップ薄膜を形成してから上部磁気
コアを形成することを特徴とする薄膜磁気コアの製法。 - 【請求項５】 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの製法で
あって、マスクレジストを酸素のプラズマによりアッシ
ングし、続いてイオンビームによりアッシングを行なう
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4176893A JPH0620230A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 |
| US08/400,478 US5470491A (en) | 1992-07-03 | 1995-03-08 | Process for producing a thin-film magnetic head having an insulation formed of a ladder-type silicone resin |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4176893A JPH0620230A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620230A true JPH0620230A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16021598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4176893A Pending JPH0620230A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620230A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030034383A (ko) * | 2001-10-23 | 2003-05-09 | 주식회사 한소닉테크 | 박막 자기 헤드의 제조방법 |
| US7470374B2 (en) * | 2003-07-31 | 2008-12-30 | Tdk Corporation | Manufacturing method and manufacturing apparatus of magnetic recording medium |
| US7488429B2 (en) * | 2004-06-28 | 2009-02-10 | Tdk Corporation | Method of dry etching, method of manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording medium |
| JP2022520294A (ja) * | 2020-01-17 | 2022-03-30 | 深▲セン▼市▲ハク▼科新材料股▲フン▼有限公司 | 銅板埋め込み式軟磁性粉末コアインダクタ、その製造方法及び用途 |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP4176893A patent/JPH0620230A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030034383A (ko) * | 2001-10-23 | 2003-05-09 | 주식회사 한소닉테크 | 박막 자기 헤드의 제조방법 |
| US7470374B2 (en) * | 2003-07-31 | 2008-12-30 | Tdk Corporation | Manufacturing method and manufacturing apparatus of magnetic recording medium |
| US7488429B2 (en) * | 2004-06-28 | 2009-02-10 | Tdk Corporation | Method of dry etching, method of manufacturing magnetic recording medium, and magnetic recording medium |
| JP2022520294A (ja) * | 2020-01-17 | 2022-03-30 | 深▲セン▼市▲ハク▼科新材料股▲フン▼有限公司 | 銅板埋め込み式軟磁性粉末コアインダクタ、その製造方法及び用途 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |