JPH0620318A - 光磁気記録媒体および記録再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体および記録再生方法Info
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- JPH0620318A JPH0620318A JP19584092A JP19584092A JPH0620318A JP H0620318 A JPH0620318 A JP H0620318A JP 19584092 A JP19584092 A JP 19584092A JP 19584092 A JP19584092 A JP 19584092A JP H0620318 A JPH0620318 A JP H0620318A
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- magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板上に誘電体層を介して互いに磁気的
に結合した第１、第２、第３及び第４磁性膜をこの順に
積層し、これらの磁性膜のキュリ−温度及び保磁力を制
御した光磁気記録媒体。 【効果】 記録密度の向上をはかりながら、光変調
オ−バ−ライトを可能とすることができる。また、上記
第１、第２、第３、第４の磁性膜のキュリ−温度、保磁
力などを独立に制御できるので、再生時のレ−ザ−パワ
−とバイアス磁界、オ−バ−ライトのレ−ザ−パワ−、
バイアス磁界のマ−ジンを十分にとることができる。
に結合した第１、第２、第３及び第４磁性膜をこの順に
積層し、これらの磁性膜のキュリ−温度及び保磁力を制
御した光磁気記録媒体。 【効果】 記録密度の向上をはかりながら、光変調
オ−バ−ライトを可能とすることができる。また、上記
第１、第２、第３、第４の磁性膜のキュリ−温度、保磁
力などを独立に制御できるので、再生時のレ−ザ−パワ
−とバイアス磁界、オ−バ−ライトのレ−ザ−パワ−、
バイアス磁界のマ−ジンを十分にとることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は書き換えが可能な光磁気
記録媒体のなかで、再生層の磁化状態を変化させながら
記録信号を読み取る光磁気記録媒体に関し、光変調オ−
バ−ライトを可能とするものである。
記録媒体のなかで、再生層の磁化状態を変化させながら
記録信号を読み取る光磁気記録媒体に関し、光変調オ−
バ−ライトを可能とするものである。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は書き換え可能な光記録
媒体であり、相変化型光記録媒体などと比較して繰り返
し消去／書き込み耐久性や消去比率に優れ、可搬型大容
量の記録媒体として注目されている。
媒体であり、相変化型光記録媒体などと比較して繰り返
し消去／書き込み耐久性や消去比率に優れ、可搬型大容
量の記録媒体として注目されている。
【０００３】光磁気記録媒体は、レ−ザ−光照射による
局所加熱によって記録ビットを形成し、これをカ−効果
により読み出す記録再生方法が取られる。記録ビットの
間隔はレ−ザ−光照射パワ−、記録磁界の強度などの調
整でレ−ザ−スポット径よりもかなり小さくすることが
可能であるが、読みだしは再生時のレ−ザ波長、レンズ
の開口率などによって制約を受ける。
局所加熱によって記録ビットを形成し、これをカ−効果
により読み出す記録再生方法が取られる。記録ビットの
間隔はレ−ザ−光照射パワ−、記録磁界の強度などの調
整でレ−ザ−スポット径よりもかなり小さくすることが
可能であるが、読みだしは再生時のレ−ザ波長、レンズ
の開口率などによって制約を受ける。
【０００４】このような再生時の制約から決まる記録密
度を越えて、読み出すための改善の試みが、例えば、特
開平３−９３０５８号公報に開示され、再生前に初期化
磁石で再生層の磁化の向きを揃えた後、記録保持層の記
録ビットを再生層に転写しながら再生することにより再
生分解能を向上する技術が記述されている。
度を越えて、読み出すための改善の試みが、例えば、特
開平３−９３０５８号公報に開示され、再生前に初期化
磁石で再生層の磁化の向きを揃えた後、記録保持層の記
録ビットを再生層に転写しながら再生することにより再
生分解能を向上する技術が記述されている。
【０００５】この方式は、再生光照射による温度上昇を
利用し、ビ−ムスポット内の高温領域にのみ再生時に記
録保持層の記録ビットを再生層に転写しながら再生する
ことによりビ−ムスポット内の他の領域には記録磁区が
現れないようにしたもので、再生時の符号間干渉を減少
させ、光の回折限界以下の周期の信号を再生可能とする
ものである。
利用し、ビ−ムスポット内の高温領域にのみ再生時に記
録保持層の記録ビットを再生層に転写しながら再生する
ことによりビ−ムスポット内の他の領域には記録磁区が
現れないようにしたもので、再生時の符号間干渉を減少
させ、光の回折限界以下の周期の信号を再生可能とする
ものである。
【０００６】一方、近年書き込み時にさらに高速アクセ
スをするためにオ−バ−ライト技術が注目されている
が、この方式として、書き込みの磁界を変調する方式の
磁界変調オ−バ−ライト方式と、レ−ザ−パワ−を変調
する方式の光変調オ−バ−ライト方式の２方式が提案さ
れている。１枚あたりの記録容量を大きくするために２
枚のディスクを張り合わせた両面タイプの光磁気ディス
クでは、磁気ヘッドと記録層との距離をディスクの厚み
以下にすることができないので、磁界変調方式では記録
時に十分な磁界を記録層に与えることが難しく、光変調
オ−バ−ライト方式が有効である。
スをするためにオ−バ−ライト技術が注目されている
が、この方式として、書き込みの磁界を変調する方式の
磁界変調オ−バ−ライト方式と、レ−ザ−パワ−を変調
する方式の光変調オ−バ−ライト方式の２方式が提案さ
れている。１枚あたりの記録容量を大きくするために２
枚のディスクを張り合わせた両面タイプの光磁気ディス
クでは、磁気ヘッドと記録層との距離をディスクの厚み
以下にすることができないので、磁界変調方式では記録
時に十分な磁界を記録層に与えることが難しく、光変調
オ−バ−ライト方式が有効である。
【０００７】ところで、前述の特開平３−９３０５８号
公報に開示された光磁気媒体に光変調でオ−バ−ライト
しようとすると、再生レ−ザ−パワ−と消去のレ−ザ−
パワ−がほとんど近くなるので、そのままの構造では、
オ−バ−ライトマ−ジンが非常に小さいか、あるいは不
可能である。
公報に開示された光磁気媒体に光変調でオ−バ−ライト
しようとすると、再生レ−ザ−パワ−と消去のレ−ザ−
パワ−がほとんど近くなるので、そのままの構造では、
オ−バ−ライトマ−ジンが非常に小さいか、あるいは不
可能である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は光磁気記録媒
体の記録密度の向上をはかりながら、十分なマ−ジンで
光変調オ−バ−ライトを可能とすることを目的とする。
体の記録密度の向上をはかりながら、十分なマ−ジンで
光変調オ−バ−ライトを可能とすることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１に示すよ
うに、透明基板上に誘電体層を介して互いに磁気的に結
合した第１の磁性膜、第２の磁性膜、第３の磁性膜及び
第４の磁性膜とを有し、上記第１、第２、第３及び第４
の磁性膜のキュリ−温度をそれぞれＴｃ１、Ｔｃ２、Ｔ
ｃ３、Ｔｃ４とするとき、室温＜Ｔｃ２＜Ｔｃ１、Ｔｃ
３で、Ｔｃ３＜Ｔｃ４とされ、第１の磁性膜の保磁力Ｈ
ｃ１は、第２の磁性膜のＴｃ２近傍で十分小さく、第３
の磁性膜の保磁力Ｈｃ３は、室温からＴｃ２より高い所
要の温度Ｔｒｍまでの温度範囲で所要の磁場Ｈｒよりも
十分大きく、第４の磁性膜の保磁力Ｈｃ４は、室温から
Ｔｃ３より高い所要の温度Ｔｅｍまでの温度範囲で所要
の磁場Ｈｗよりも十分大きく、室温下、Ｈｃ４＜Ｈｃ３
で適当な外部磁場Ｈｉｎｉのもとで第３の磁性膜の記録
状態によらず第４の磁性膜の磁化が一定の方向へそろ
い、第３の磁性膜は記録状態を保ち、外部磁場Ｈｉｎｉ
が除去された後も室温では同じ状態が保たれるように第
４の磁性膜に対する第３の磁性膜の交換結合による有効
磁界が制御されており、さらに、室温下、Ｈｃ１＜Ｈｃ
３で適当な外部磁場Ｈｉｎｉのもとで第３の磁性膜の記
録状態によらず第１の磁性膜の磁化が一定の方向へそろ
い、外部磁場Ｈｉｎｉが除去された後も室温では同じ状
態が保たれるように第１の磁性膜に対する第２の磁性膜
を介しての第３の磁性膜の交換結合による有効磁界が制
御されていることを特徴とする光磁気記録媒体である。
うに、透明基板上に誘電体層を介して互いに磁気的に結
合した第１の磁性膜、第２の磁性膜、第３の磁性膜及び
第４の磁性膜とを有し、上記第１、第２、第３及び第４
の磁性膜のキュリ−温度をそれぞれＴｃ１、Ｔｃ２、Ｔ
ｃ３、Ｔｃ４とするとき、室温＜Ｔｃ２＜Ｔｃ１、Ｔｃ
３で、Ｔｃ３＜Ｔｃ４とされ、第１の磁性膜の保磁力Ｈ
ｃ１は、第２の磁性膜のＴｃ２近傍で十分小さく、第３
の磁性膜の保磁力Ｈｃ３は、室温からＴｃ２より高い所
要の温度Ｔｒｍまでの温度範囲で所要の磁場Ｈｒよりも
十分大きく、第４の磁性膜の保磁力Ｈｃ４は、室温から
Ｔｃ３より高い所要の温度Ｔｅｍまでの温度範囲で所要
の磁場Ｈｗよりも十分大きく、室温下、Ｈｃ４＜Ｈｃ３
で適当な外部磁場Ｈｉｎｉのもとで第３の磁性膜の記録
状態によらず第４の磁性膜の磁化が一定の方向へそろ
い、第３の磁性膜は記録状態を保ち、外部磁場Ｈｉｎｉ
が除去された後も室温では同じ状態が保たれるように第
４の磁性膜に対する第３の磁性膜の交換結合による有効
磁界が制御されており、さらに、室温下、Ｈｃ１＜Ｈｃ
３で適当な外部磁場Ｈｉｎｉのもとで第３の磁性膜の記
録状態によらず第１の磁性膜の磁化が一定の方向へそろ
い、外部磁場Ｈｉｎｉが除去された後も室温では同じ状
態が保たれるように第１の磁性膜に対する第２の磁性膜
を介しての第３の磁性膜の交換結合による有効磁界が制
御されていることを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００１０】本発明の光磁気記録媒体の記録方法は、図
２に示すように、媒体を回転させながら記録するヘッド
から離れた位置であらかじめ適当な外部磁場Ｈｉｎｉで
第４の磁性膜の磁化を一定の方向へそろえ、その後外部
磁場ＨｗをＨｉｎｉと反対の方向にかけながら、磁性膜
の温度がＴｃ３以上でＴｃ４より低い所要の温度Ｔｅｍ
までの温度範囲になるようなパワ−（ＰＬ）と、磁性膜
の温度がＴｃ４以上の所要の温度Ｔｗになるようなパワ
−（ＰＨ）でレ−ザ−ビ−ムを変調しながら照射するこ
とにより、重ね書きをすることを特徴とする。
２に示すように、媒体を回転させながら記録するヘッド
から離れた位置であらかじめ適当な外部磁場Ｈｉｎｉで
第４の磁性膜の磁化を一定の方向へそろえ、その後外部
磁場ＨｗをＨｉｎｉと反対の方向にかけながら、磁性膜
の温度がＴｃ３以上でＴｃ４より低い所要の温度Ｔｅｍ
までの温度範囲になるようなパワ−（ＰＬ）と、磁性膜
の温度がＴｃ４以上の所要の温度Ｔｗになるようなパワ
−（ＰＨ）でレ−ザ−ビ−ムを変調しながら照射するこ
とにより、重ね書きをすることを特徴とする。
【００１１】書き込みの時、ＰＬのパワ−が照射された
領域では冷却過程で第４の磁性膜からの交換結合力によ
り、第４の磁性膜から第３の磁性膜へ消去状態が転写さ
れるので、記録層である第３の磁性膜の磁化は消去方向
へ向く。ＰＨのパワ−が照射された領域では冷却過程で
第４の磁性膜が書き込み方向へ向き、さらに冷却しなが
ら第４の磁性膜からの交換結合力により、第４の磁性膜
から第３の磁性膜へ書き込み状態が転写されるので、記
録層である第３の磁性膜の磁化は書き込み方向へ向く。
ＰＬとＰＨでレ−ザ−ビ−ムを変調しながら照射するこ
とにより、重ね書きが可能となる。
領域では冷却過程で第４の磁性膜からの交換結合力によ
り、第４の磁性膜から第３の磁性膜へ消去状態が転写さ
れるので、記録層である第３の磁性膜の磁化は消去方向
へ向く。ＰＨのパワ−が照射された領域では冷却過程で
第４の磁性膜が書き込み方向へ向き、さらに冷却しなが
ら第４の磁性膜からの交換結合力により、第４の磁性膜
から第３の磁性膜へ書き込み状態が転写されるので、記
録層である第３の磁性膜の磁化は書き込み方向へ向く。
ＰＬとＰＨでレ−ザ−ビ−ムを変調しながら照射するこ
とにより、重ね書きが可能となる。
【００１２】本発明の光磁気記録媒体の再生方法は、図
３に示すように、媒体を回転させながら記録するヘッド
から離れた位置であらかじめ請求項１の適当な外部磁場
Ｈｉｎｉで第１の磁性膜の磁化を一定の方向へそろえ、
その後Ｈｉｎｉと反対方向の外部磁場Ｈｒを印加しなが
ら、Ｔｃ２より数十度低い温度からＴｃ２より高い所要
の温度Ｔｒｍまでの温度範囲に磁性層の最大温度がなる
ようなパワ−（Ｐｒ）でレ−ザ−ビ−ムを照射すること
により、第１の磁性膜に第３の磁性膜の記録状態が転写
され再生される。レ−ザ−スポットのなかで転写された
領域以外は第１の磁性膜の磁化は一定の方向へそろって
いるので転写された領域のみの信号が検出されるので、
符号間干渉を減少させ、光の回折限界以下の周期の信号
を再生できる。ここで、第１の磁性膜で第２の磁性膜の
キュリ−温度Ｔｃ２以上の領域においては、図３に示す
ようにＨｒの方向に磁化が向き、第１の磁性膜に第３の
磁性膜の記録状態が転写された領域が拡がりすぎて符号
間干渉を起こすことを防ぐ。
３に示すように、媒体を回転させながら記録するヘッド
から離れた位置であらかじめ請求項１の適当な外部磁場
Ｈｉｎｉで第１の磁性膜の磁化を一定の方向へそろえ、
その後Ｈｉｎｉと反対方向の外部磁場Ｈｒを印加しなが
ら、Ｔｃ２より数十度低い温度からＴｃ２より高い所要
の温度Ｔｒｍまでの温度範囲に磁性層の最大温度がなる
ようなパワ−（Ｐｒ）でレ−ザ−ビ−ムを照射すること
により、第１の磁性膜に第３の磁性膜の記録状態が転写
され再生される。レ−ザ−スポットのなかで転写された
領域以外は第１の磁性膜の磁化は一定の方向へそろって
いるので転写された領域のみの信号が検出されるので、
符号間干渉を減少させ、光の回折限界以下の周期の信号
を再生できる。ここで、第１の磁性膜で第２の磁性膜の
キュリ−温度Ｔｃ２以上の領域においては、図３に示す
ようにＨｒの方向に磁化が向き、第１の磁性膜に第３の
磁性膜の記録状態が転写された領域が拡がりすぎて符号
間干渉を起こすことを防ぐ。
【００１３】本発明の光磁気記録媒体では、上記第１、
第２、第３、第４の磁性膜のキュリ−温度、保磁力など
を独立に制御できるので、読みだしパワ−とオ−バ−ラ
イトのパワ−のマ−ジンを十分にとることができる。
第２、第３、第４の磁性膜のキュリ−温度、保磁力など
を独立に制御できるので、読みだしパワ−とオ−バ−ラ
イトのパワ−のマ−ジンを十分にとることができる。
【００１４】本発明の光磁気記録媒体の構造は、上述の
透明基板上に誘電体層を介して互いに磁気的に結合した
第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、第３の磁性膜と、第
４の磁性膜で構成されれば特に限定されず、さらにその
上に保護膜や反射膜を積層していても良い。透明基板
は、使用するレ−ザ−の波長領域において十分透明であ
り、機械特性などの媒体基板としての特性が満たされれ
ば、ガラス、ポリカ−ボネ−ト、アモルファスポリオレ
フィンなど特に限定されない。
透明基板上に誘電体層を介して互いに磁気的に結合した
第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、第３の磁性膜と、第
４の磁性膜で構成されれば特に限定されず、さらにその
上に保護膜や反射膜を積層していても良い。透明基板
は、使用するレ−ザ−の波長領域において十分透明であ
り、機械特性などの媒体基板としての特性が満たされれ
ば、ガラス、ポリカ−ボネ−ト、アモルファスポリオレ
フィンなど特に限定されない。
【００１５】本発明の光磁気記録媒体において、第２の
磁性膜と第３の磁性膜の間と、第３の磁性膜と第４の磁
性膜の間に、中間層として、非磁性層や面内磁化膜、軟
磁性垂直磁化膜などを挿入することにより、第３の磁性
膜に対する第２の磁性膜の交換結合による有効磁界およ
び、第４の磁性膜に対する第３の磁性膜の交換結合によ
る有効磁界を制御することが容易になり、外部磁場Ｈｉ
ｎｉが大きすぎない適当な値となり、外部磁場Ｈｉｎｉ
が除去された後も室温で第１の磁性膜、第２の磁性膜と
第４の磁性膜の磁化をＨｉｎｉの方向へ保つことが容易
になる。
磁性膜と第３の磁性膜の間と、第３の磁性膜と第４の磁
性膜の間に、中間層として、非磁性層や面内磁化膜、軟
磁性垂直磁化膜などを挿入することにより、第３の磁性
膜に対する第２の磁性膜の交換結合による有効磁界およ
び、第４の磁性膜に対する第３の磁性膜の交換結合によ
る有効磁界を制御することが容易になり、外部磁場Ｈｉ
ｎｉが大きすぎない適当な値となり、外部磁場Ｈｉｎｉ
が除去された後も室温で第１の磁性膜、第２の磁性膜と
第４の磁性膜の磁化をＨｉｎｉの方向へ保つことが容易
になる。
【００１６】本発明の光磁気記録媒体の磁性膜の膜厚は
第１の磁性膜はレ−ザ−光の大部分が第１の磁性膜で吸
収される膜厚で、２５０オングストローム以上５００オ
ングストローム以下が好ましく、第２の磁性膜はＴｃ２
以上で第１の磁性膜と第３の磁性膜の交換結合力を断ち
切れる膜厚で、５０オングストローム以上２００オング
ストローム以下が好ましく、第３の磁性膜は、記録が保
持されるのに十分な膜厚で、２５０オングストローム以
上８００オングストローム以下が好ましく、第４の磁性
膜は、３００オングストローム以上９００オングストロ
ーム以下が好ましい。中間層を第２の磁性膜と第３の磁
性膜の間や、第３の磁性膜と第４の磁性膜の間に挿入す
る場合、ＧｄＦｅＣｏなどの軟磁性垂直磁化膜について
は５０オングストローム以上２００オングストローム以
下が好ましい。
第１の磁性膜はレ−ザ−光の大部分が第１の磁性膜で吸
収される膜厚で、２５０オングストローム以上５００オ
ングストローム以下が好ましく、第２の磁性膜はＴｃ２
以上で第１の磁性膜と第３の磁性膜の交換結合力を断ち
切れる膜厚で、５０オングストローム以上２００オング
ストローム以下が好ましく、第３の磁性膜は、記録が保
持されるのに十分な膜厚で、２５０オングストローム以
上８００オングストローム以下が好ましく、第４の磁性
膜は、３００オングストローム以上９００オングストロ
ーム以下が好ましい。中間層を第２の磁性膜と第３の磁
性膜の間や、第３の磁性膜と第４の磁性膜の間に挿入す
る場合、ＧｄＦｅＣｏなどの軟磁性垂直磁化膜について
は５０オングストローム以上２００オングストローム以
下が好ましい。
【００１７】
【実施例】図４に本発明に用いられる光磁気媒体の一例
を示す。ポリカ−ボネ−ト基板１上に、ＳｉＮｘからな
る誘電体層２（膜厚：８００オングストローム）、Ｇｄ
ＦｅＣｏからなる第１の磁性膜３（膜厚：３００オング
ストローム、Ｈｃ１：〜１００Ｏｅ、Ｔｃ１：〜３００
℃）、ＤｙＦｅＣｏからなる第２の磁性膜４（膜厚：１
００オングストローム、Ｈｃ２：〜５ｋＯｅ、Ｔｃ２：
〜９０℃）、ＧｄＦｅからなる中間層５（膜厚：１３０
オングストローム、Ｈｃ：〜１００Ｏｅ、Ｔｃ：〜２０
０℃）、ＴｂＦｅＣｏからなる第３の磁性膜６（膜厚：
５００オングストローム、Ｈｃ３：〜１５ｋＯｅ、Ｔｃ
３：〜１９０℃）、ＧｄＦｅＣｏからなる中間層７（膜
厚：１５０オングストローム、Ｈｃ：〜１００Ｏｅ、Ｔ
ｃ：〜２７０℃）、ＧｄＴｂＦｅＣｏからなる第４の磁
性膜８（膜厚：３００オングストローム、Ｈｃ４：〜
１．５ｋＯｅ、Ｔｃ４：〜２７０℃、補償温度：〜２２
０℃）、さらに保護層としてＳｉＮｘ層９（膜厚：８０
０オングストローム）を形成した。
を示す。ポリカ−ボネ−ト基板１上に、ＳｉＮｘからな
る誘電体層２（膜厚：８００オングストローム）、Ｇｄ
ＦｅＣｏからなる第１の磁性膜３（膜厚：３００オング
ストローム、Ｈｃ１：〜１００Ｏｅ、Ｔｃ１：〜３００
℃）、ＤｙＦｅＣｏからなる第２の磁性膜４（膜厚：１
００オングストローム、Ｈｃ２：〜５ｋＯｅ、Ｔｃ２：
〜９０℃）、ＧｄＦｅからなる中間層５（膜厚：１３０
オングストローム、Ｈｃ：〜１００Ｏｅ、Ｔｃ：〜２０
０℃）、ＴｂＦｅＣｏからなる第３の磁性膜６（膜厚：
５００オングストローム、Ｈｃ３：〜１５ｋＯｅ、Ｔｃ
３：〜１９０℃）、ＧｄＦｅＣｏからなる中間層７（膜
厚：１５０オングストローム、Ｈｃ：〜１００Ｏｅ、Ｔ
ｃ：〜２７０℃）、ＧｄＴｂＦｅＣｏからなる第４の磁
性膜８（膜厚：３００オングストローム、Ｈｃ４：〜
１．５ｋＯｅ、Ｔｃ４：〜２７０℃、補償温度：〜２２
０℃）、さらに保護層としてＳｉＮｘ層９（膜厚：８０
０オングストローム）を形成した。
【００１８】次に、この光磁気媒体を記録再生装置にセ
ットして、５ｋＯｅの初期化磁界発生部を、線速度５．
５ｍ／ｓｅｃで通過させながら７８０ｎｍの波長のレ−
ザ−ビ−ムを３３％のデュ−ティ−で３．７ＭＨｚで変
調させながら５ｍＷと１０ｍＷの２値のレ−ザ−パワ−
で記録を行なった。記録時のバイアス磁界は１５０Ｏｅ
で初期化磁界（Ｈｉｎｉ）と反対方向にかけた。その
後、１ｍＷのレ−ザ−ビ−ムを照射して再生を行なった
ところ、２値の信号の再生ができ、そのときのＣ／Ｎの
値は４８ｄＢであった。再生時にはバイアス磁界はかけ
なかった。
ットして、５ｋＯｅの初期化磁界発生部を、線速度５．
５ｍ／ｓｅｃで通過させながら７８０ｎｍの波長のレ−
ザ−ビ−ムを３３％のデュ−ティ−で３．７ＭＨｚで変
調させながら５ｍＷと１０ｍＷの２値のレ−ザ−パワ−
で記録を行なった。記録時のバイアス磁界は１５０Ｏｅ
で初期化磁界（Ｈｉｎｉ）と反対方向にかけた。その
後、１ｍＷのレ−ザ−ビ−ムを照射して再生を行なった
ところ、２値の信号の再生ができ、そのときのＣ／Ｎの
値は４８ｄＢであった。再生時にはバイアス磁界はかけ
なかった。
【００１９】この３．７ＭＨｚの信号が記録されたトラ
ック上に、同じ線速度でレ−ザ−ビ−ムを３３％のデュ
−ティ−で２ＭＨｚで変調させながら５ｍＷと１０ｍＷ
の２値のレ−ザ−パワ−で記録を行なった。その後、１
ｍＷのレ−ザ−ビ−ムを照射して再生を行なったとこ
ろ、３．７ＭＨｚの信号のＣ／Ｎは５ｄＢ以下となり、
２ＭＨｚの信号で５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、良好
な重ね書きが行なわれた。
ック上に、同じ線速度でレ−ザ−ビ−ムを３３％のデュ
−ティ−で２ＭＨｚで変調させながら５ｍＷと１０ｍＷ
の２値のレ−ザ−パワ−で記録を行なった。その後、１
ｍＷのレ−ザ−ビ−ムを照射して再生を行なったとこ
ろ、３．７ＭＨｚの信号のＣ／Ｎは５ｄＢ以下となり、
２ＭＨｚの信号で５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、良好
な重ね書きが行なわれた。
【００２０】さらに、同じトラック上に同じ線速度でレ
−ザ−ビ−ムを３３％のデュ−ティ−で５．５ＭＨｚで
変調させながら５ｍＷと１０ｍＷの２値のレ−ザ−パワ
−で記録を行なった。１ｍＷのレ−ザ−ビ−ムを照射し
て再生を行なったところ３５ｄＢのＣ／Ｎしか得られな
かった。つぎに初期化磁界（Ｈｉｎｉ）と同じ方向に３
００Ｏｅのバイアス磁界をかけながら、２．０ｍＷまで
レ−ザ−パワ−を上昇させたところＣ／Ｎは４５ｄＢが
えられた。２ＭＨｚの信号はいずれの再生方法でもＣ／
Ｎは５ｄＢ以下で良好な重ね書きが行なわれた。
−ザ−ビ−ムを３３％のデュ−ティ−で５．５ＭＨｚで
変調させながら５ｍＷと１０ｍＷの２値のレ−ザ−パワ
−で記録を行なった。１ｍＷのレ−ザ−ビ−ムを照射し
て再生を行なったところ３５ｄＢのＣ／Ｎしか得られな
かった。つぎに初期化磁界（Ｈｉｎｉ）と同じ方向に３
００Ｏｅのバイアス磁界をかけながら、２．０ｍＷまで
レ−ザ−パワ−を上昇させたところＣ／Ｎは４５ｄＢが
えられた。２ＭＨｚの信号はいずれの再生方法でもＣ／
Ｎは５ｄＢ以下で良好な重ね書きが行なわれた。
【００２１】以上で本発明の光磁気媒体で従来再生が不
可能だった高記録密度領域での再生と光変調オ−バ−ラ
イトが同時に可能となることが確認された。
可能だった高記録密度領域での再生と光変調オ−バ−ラ
イトが同時に可能となることが確認された。
【００２２】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体では、記録密度
の向上をはかりながら、光変調オ−バ−ライトを可能と
することができる。また、上記第１、第２、第３、第４
の磁性膜のキュリ−温度、保磁力などを独立に制御でき
るので、再生時のレ−ザ−パワ−とバイアス磁界、オ−
バ−ライトのレ−ザ−パワ−、バイアス磁界のマ−ジン
を十分にとることができる。
の向上をはかりながら、光変調オ−バ−ライトを可能と
することができる。また、上記第１、第２、第３、第４
の磁性膜のキュリ−温度、保磁力などを独立に制御でき
るので、再生時のレ−ザ−パワ−とバイアス磁界、オ−
バ−ライトのレ−ザ−パワ−、バイアス磁界のマ−ジン
を十分にとることができる。
【図１】 本発明の光磁気記録媒体の構造の一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】 本発明の光磁気記録媒体の記録方法を示す図
である。
である。
【図３】 本発明の光磁気記録媒体の再生方法を示す図
である。
である。
【図４】 本発明の光磁気記録媒体の構造の一例を示す
断面図である。
断面図である。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に誘電体層を介して互いに磁気的
に結合した第１の磁性膜、第２の磁性膜、第３の磁性膜
及び第４の磁性膜を有する光磁気記録媒体であって、第
１〜第４の磁性膜のキュリ−温度をそれぞれＴｃ１、Ｔ
ｃ２、Ｔｃ３及びＴｃ４とするとき、室温＜Ｔｃ２＜Ｔ
ｃ１、Ｔｃ３で、Ｔｃ３＜Ｔｃ４とされ、 第１の磁性
膜の保磁力Ｈｃ１は、第２の磁性膜のＴｃ２近傍で十分
小さく、 第３の磁性膜の保磁力Ｈｃ３は、室温からＴｃ２より高
い温度Ｔｒｍまでの温度範囲で所要の磁場Ｈｒよりも十
分大きく、 第４の磁性膜の保磁力Ｈｃ４は、室温からＴｃ３より高
い温度Ｔｅｍまでの温度範囲で所要の磁場Ｈｗよりも十
分大きく、 室温下、Ｈｃ４＜Ｈｃ３で適当な外部磁場Ｈｉｎｉのも
とで、第３の磁性膜の記録状態によらず第４の磁性膜の
磁化が一定の方向へそろい、また、第３の磁性膜は記録
状態を保ち、外部磁場Ｈｉｎｉが除去された後も室温で
は同じ状態が保たれるように第４の磁性膜に対する第３
の磁性膜の交換結合による有効磁界が制御されており、 さらに、室温下、Ｈｃ１＜Ｈｃ３で適当な外部磁場Ｈｉ
ｎｉのもとで第３の磁性膜の記録状態によらず、第１の
磁性膜の磁化が一定の方向へそろい、外部磁場Ｈｉｎｉ
が除去された後も室温では同じ状態が保たれるように第
１の磁性膜に対する第２の磁性膜を介しての第３の磁性
膜の交換結合による有効磁界が制御されていることを特
徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】請求項１の光磁気記録媒体を用いて、媒体
を回転させながら記録するヘッドから離れた位置であら
かじめ請求項１の適当な外部磁場Ｈｉｎｉで第４の磁性
膜の磁化を一定の方向へそろえ、その後外部磁場Ｈｗを
Ｈｉｎｉと反対の方向にかけながら、磁性膜の温度がＴ
ｃ３以上でＴｃ４より低い所要の温度Ｔｅｍまでの温度
範囲になるようなパワ−（ＰＬ）と、磁性膜の温度がＴ
ｃ４以上の所要の温度Ｔｗになるようなパワ−（ＰＨ）
でレ−ザ−ビ−ムを変調しながら照射することにより、
重ね書きをすることを特徴とする光磁気記録媒体の記録
方法。 - 【請求項３】請求項１の光磁気記録媒体を用いて、媒体
を回転させながら記録するヘッドから離れた位置であら
かじめ請求項１の適当な外部磁場Ｈｉｎｉで第１の磁性
膜の磁化を一定の方向へそろえ、その後Ｈｉｎｉと反対
方向の外部磁場Ｈｒを印加しながら、Ｔｃ２よりわずか
に低いＴrLからＴｃ２より高い所要の温度Ｔｒｍまでの
温度範囲に磁性層の最大温度がなるようなパワ−（Ｐ
ｒ）でレ−ザ−ビ−ムを照射することにより、第１の磁
性膜に第３の磁性膜の記録状態が転写され、さらに縮小
しながら再生することを特徴とする光磁気記録媒体の再
生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19584092A JPH0620318A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 光磁気記録媒体および記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19584092A JPH0620318A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 光磁気記録媒体および記録再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620318A true JPH0620318A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16347884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19584092A Pending JPH0620318A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 光磁気記録媒体および記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620318A (ja) |
-
1992
- 1992-07-01 JP JP19584092A patent/JPH0620318A/ja active Pending
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