JPH06204230A - バンプ形成法およびバンプ製造装置 - Google Patents
バンプ形成法およびバンプ製造装置Info
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- JPH06204230A JPH06204230A JP4349056A JP34905692A JPH06204230A JP H06204230 A JPH06204230 A JP H06204230A JP 4349056 A JP4349056 A JP 4349056A JP 34905692 A JP34905692 A JP 34905692A JP H06204230 A JPH06204230 A JP H06204230A
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- bumps
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 内部に溶剤やガスが残留しないように完全に
追い出して、緻密で電気抵抗の小さい微細な形状のバン
プを簡単に形成する方法を提供する。 【構成】 基板１の表面の電極パッド２上に金属ペース
ト成形体14を形成し、基板１の下側からの加熱により金
属ペースト成形体14を乾燥させ、そののち基板１をハロ
ゲンランプなどの光などの照射によるＲＴＡ装置を用い
て金属ペースト成形体14を焼成することによりバンプ14
ａを形成する。
追い出して、緻密で電気抵抗の小さい微細な形状のバン
プを簡単に形成する方法を提供する。 【構成】 基板１の表面の電極パッド２上に金属ペース
ト成形体14を形成し、基板１の下側からの加熱により金
属ペースト成形体14を乾燥させ、そののち基板１をハロ
ゲンランプなどの光などの照射によるＲＴＡ装置を用い
て金属ペースト成形体14を焼成することによりバンプ14
ａを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップなどの基
板の周縁部に設けられた電極パッド上に、外部リードと
の接続用に設けられた金属突起物であるバンプを形成す
るバンプ形成法およびバンプ製造装置に関する。さらに
詳しくは、スクリーン印刷を用いたバンプ形成法および
バンプ製造装置に関する。
板の周縁部に設けられた電極パッド上に、外部リードと
の接続用に設けられた金属突起物であるバンプを形成す
るバンプ形成法およびバンプ製造装置に関する。さらに
詳しくは、スクリーン印刷を用いたバンプ形成法および
バンプ製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、電子機器の小形化に伴い、集積回
路（ＩＣ）などを組み込んだ半導体装置も、樹脂でモー
ルドしてリード線を導出したものでなく、ＣＯＢ、ＣＯ
ＧまたはＴＡＢなどのように、半導体チップの電極パッ
ド上に直接、外部接続用の金属突起物であるバンプが形
成された半導体チップ（いわゆるベアチップ）が用いら
れるようになっている。この種の半導体チップは、直接
プリント基板などの配線リードに接続（いわゆるワイヤ
レスボンディング）して使用するので電子機器の小形化
に都合よく貢献している。
路（ＩＣ）などを組み込んだ半導体装置も、樹脂でモー
ルドしてリード線を導出したものでなく、ＣＯＢ、ＣＯ
ＧまたはＴＡＢなどのように、半導体チップの電極パッ
ド上に直接、外部接続用の金属突起物であるバンプが形
成された半導体チップ（いわゆるベアチップ）が用いら
れるようになっている。この種の半導体チップは、直接
プリント基板などの配線リードに接続（いわゆるワイヤ
レスボンディング）して使用するので電子機器の小形化
に都合よく貢献している。
【０００３】このような半導体チップのバンプ部を図４
に示された断面図により説明する。半導体基板１の半導
体回路の外部接続用電極端子はアルミニウム配線など
で、半導体チップの周縁部に導出され、電極パッド11が
形成される。この電極パッド11の上に金属バンプ14ｂが
形成される。しかし、多くのばあい、電極パッド11を構
成するアルミニウムとバンプ14ｂを構成するハンダなど
はなじまず接着しないので、通常複数層のバリアメタル
12を介在させて、その上にバンプ14ｂが形成され、バン
プを形成しない部分はシリコン酸化膜、シリコンチッ化
膜などからなるパッシベーション膜13で覆われている。
に示された断面図により説明する。半導体基板１の半導
体回路の外部接続用電極端子はアルミニウム配線など
で、半導体チップの周縁部に導出され、電極パッド11が
形成される。この電極パッド11の上に金属バンプ14ｂが
形成される。しかし、多くのばあい、電極パッド11を構
成するアルミニウムとバンプ14ｂを構成するハンダなど
はなじまず接着しないので、通常複数層のバリアメタル
12を介在させて、その上にバンプ14ｂが形成され、バン
プを形成しない部分はシリコン酸化膜、シリコンチッ化
膜などからなるパッシベーション膜13で覆われている。
【０００４】このようなバンプ14ｂは、従来、一般に電
解メッキ法により形成される。その他、スクリーン印
刷、転写や蒸着といった方法も研究されている。スクリ
ーン印刷の方法によってバンプを形成するばあい、印刷
された金属ペースト成形体を乾燥させ、焼成させる必要
があり、通常、オーブンなどで乾燥、焼成が行われてい
る。
解メッキ法により形成される。その他、スクリーン印
刷、転写や蒸着といった方法も研究されている。スクリ
ーン印刷の方法によってバンプを形成するばあい、印刷
された金属ペースト成形体を乾燥させ、焼成させる必要
があり、通常、オーブンなどで乾燥、焼成が行われてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、バンプをオー
ブンで乾燥させたばあい、バンプの表面から乾燥が開始
されるので、内部の溶剤やガスが放出されずにバンプ内
に残留してしまい、脆く、電気抵抗が大きくなってバン
プの機能を果さないという問題がある。
ブンで乾燥させたばあい、バンプの表面から乾燥が開始
されるので、内部の溶剤やガスが放出されずにバンプ内
に残留してしまい、脆く、電気抵抗が大きくなってバン
プの機能を果さないという問題がある。
【０００６】本発明では、かかる問題を解消し、バンプ
中に空隙を生ぜず、スクリーン印刷により簡単にバンプ
を形成できるバンプ形成法およびバンプ製造装置を提供
することを目的とする。
中に空隙を生ぜず、スクリーン印刷により簡単にバンプ
を形成できるバンプ形成法およびバンプ製造装置を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のバンプ形成法
は、基板に設けられた電極パッドに対応する孔を有する
マスクを前記基板上に配設し、該マスク上からスクリー
ン印刷により金属ペーストを印刷し、前記基板の下側か
ら加熱して、前記金属ペーストを乾燥させ、ついで前記
金属ペーストを焼成することを特徴とするものである。
は、基板に設けられた電極パッドに対応する孔を有する
マスクを前記基板上に配設し、該マスク上からスクリー
ン印刷により金属ペーストを印刷し、前記基板の下側か
ら加熱して、前記金属ペーストを乾燥させ、ついで前記
金属ペーストを焼成することを特徴とするものである。
【０００８】さらに、本発明のバンプ製造装置は、スク
リーン印刷により金属ペーストが印刷された基板を下側
から加熱処理する乾燥器と、該乾燥器によって乾燥が施
された前記基板を焼成する焼成器と、前記基板を搬送す
る搬送装置とからなり、該搬送装置で前記基板を搬送さ
せながら乾燥、焼成を連続して行うものである。
リーン印刷により金属ペーストが印刷された基板を下側
から加熱処理する乾燥器と、該乾燥器によって乾燥が施
された前記基板を焼成する焼成器と、前記基板を搬送す
る搬送装置とからなり、該搬送装置で前記基板を搬送さ
せながら乾燥、焼成を連続して行うものである。
【０００９】
【作用】本発明のバンプ形成法によれば、スクリーン印
刷によって短時間で簡単にバンプを形成でき、基板の下
側から加熱して乾燥させることによってバンプ内のガス
を完全に除去して、強度が高く、電気抵抗が小さいバン
プを形成することができる。また、本発明のバンプ製造
装置によれば、スクリーン印刷からバンプの乾燥および
焼成まで連続して処理することができ、自動化すること
もできる。
刷によって短時間で簡単にバンプを形成でき、基板の下
側から加熱して乾燥させることによってバンプ内のガス
を完全に除去して、強度が高く、電気抵抗が小さいバン
プを形成することができる。また、本発明のバンプ製造
装置によれば、スクリーン印刷からバンプの乾燥および
焼成まで連続して処理することができ、自動化すること
もできる。
【００１０】
【実施例】つぎに図面を参照しながら本発明について説
明する。図１は本発明のバンプ形成法を順をおって説明
するためのバンプ部分の断面説明図であり、１は半導体
基板や回路基板などの基板、２は電極パッド、５はメタ
ルマスク、６は孔を示し、電極パッド２は基板１の周縁
部に露出しており、孔６はメタルマスク５における電極
パッド２に対応する位置に開けられている。
明する。図１は本発明のバンプ形成法を順をおって説明
するためのバンプ部分の断面説明図であり、１は半導体
基板や回路基板などの基板、２は電極パッド、５はメタ
ルマスク、６は孔を示し、電極パッド２は基板１の周縁
部に露出しており、孔６はメタルマスク５における電極
パッド２に対応する位置に開けられている。
【００１１】ここで、メタルマスク５はステンレス、ニ
ッケルやタングステンなどの薄膜からなり、バンプを形
成すべき基板１に設けられた電極パッド２に対応して孔
６が形成されている。このメタルマスク５は通常50〜30
0 μｍの厚さで形成されている。あまり厚すぎると孔６
が垂直に形成されなくなり、薄すぎるとバンプの形成高
さが低くなり、他の膜などから突出させることができな
くなるからである。
ッケルやタングステンなどの薄膜からなり、バンプを形
成すべき基板１に設けられた電極パッド２に対応して孔
６が形成されている。このメタルマスク５は通常50〜30
0 μｍの厚さで形成されている。あまり厚すぎると孔６
が垂直に形成されなくなり、薄すぎるとバンプの形成高
さが低くなり、他の膜などから突出させることができな
くなるからである。
【００１２】図１（ａ）に示されるように、まず、基板
１を固定治具３の上に載置し、位置合わせしてから、固
定治具３の上表面に開口する吸着孔４より真空に引き、
基板１を固定治具３上にしっかりと配設する。
１を固定治具３の上に載置し、位置合わせしてから、固
定治具３の上表面に開口する吸着孔４より真空に引き、
基板１を固定治具３上にしっかりと配設する。
【００１３】つぎに、図１（ｂ）に示されるように、ス
クリーン印刷機により金属ペースト９を印刷する。金属
ペースト９としては、形成すべきバンプの目的に応じて
材料が選択されるが、たとえば銀ペースト、ハンダペー
スト、金ペースト、銅ペーストなどが用いられる。銀ペ
ーストは銀粉末とガラス粉末を溶剤ブチルカルビトール
アセテート（ＢＣＡ）に混ぜてペースト状にしたもの
で、ハンダペーストは共晶ハンダの粉末がフラックスと
混ぜられてペースト状にしたものが使用される。具体例
として、メタルマスク５の孔６が電極パッド２の上にく
るようにしっかりと位置合わせしたのち、固定具７で三
方から固定して、スキージ８で金属ペースト９を孔６に
埋め込み、金属ペースト成形体14とする。この際、メタ
ルマスク５上に金属ペースト９が残らないようにする。
乾燥、焼成をするときメタルマスク５を除去して行うば
あいは金属ペースト９がメタルマスク５上に残存してい
てもよい。
クリーン印刷機により金属ペースト９を印刷する。金属
ペースト９としては、形成すべきバンプの目的に応じて
材料が選択されるが、たとえば銀ペースト、ハンダペー
スト、金ペースト、銅ペーストなどが用いられる。銀ペ
ーストは銀粉末とガラス粉末を溶剤ブチルカルビトール
アセテート（ＢＣＡ）に混ぜてペースト状にしたもの
で、ハンダペーストは共晶ハンダの粉末がフラックスと
混ぜられてペースト状にしたものが使用される。具体例
として、メタルマスク５の孔６が電極パッド２の上にく
るようにしっかりと位置合わせしたのち、固定具７で三
方から固定して、スキージ８で金属ペースト９を孔６に
埋め込み、金属ペースト成形体14とする。この際、メタ
ルマスク５上に金属ペースト９が残らないようにする。
乾燥、焼成をするときメタルマスク５を除去して行うば
あいは金属ペースト９がメタルマスク５上に残存してい
てもよい。
【００１４】つぎに、図１（ｃ）に示すように、基板１
およびメタルマスク５をスクリーン印刷機より取り外
し、ホットプレートなどのヒーター10で下側から加熱す
る。すると、金属ペースト成形体14は基板１に面してい
る下側から乾燥を始め、金属ペースト成形体14内の溶剤
は蒸発して開放している上側から抜け下側から順次乾燥
する。そののち、メタルマスク５を取り外して図１
（ｄ）に示すように、基板１の電極パッド２上にバンプ
14ａが形成される。
およびメタルマスク５をスクリーン印刷機より取り外
し、ホットプレートなどのヒーター10で下側から加熱す
る。すると、金属ペースト成形体14は基板１に面してい
る下側から乾燥を始め、金属ペースト成形体14内の溶剤
は蒸発して開放している上側から抜け下側から順次乾燥
する。そののち、メタルマスク５を取り外して図１
（ｄ）に示すように、基板１の電極パッド２上にバンプ
14ａが形成される。
【００１５】なお、図１（ｃ）において、メタルマスク
５は金属ペースト成形体14のダレを防ぐためのものであ
るので、ある程度の粘度を有する金属ペースト成形体14
を用いるばあいにはメタルマスク５を取り外して乾燥を
行ってもよい。
５は金属ペースト成形体14のダレを防ぐためのものであ
るので、ある程度の粘度を有する金属ペースト成形体14
を用いるばあいにはメタルマスク５を取り外して乾燥を
行ってもよい。
【００１６】前述のように乾燥を行ったあと、たとえば
図２に示されるようなＲＴＡ(RapidThermal Anneal)装
置15などを用いて金属ペースト成形体14の焼成を行って
バンプ14ａを生成することが好ましい。ここにＲＴＡ装
置とは、たとえばハロゲンランプ、キセノンランプ、ア
ークランプもしくは放電灯などの光ランプ、レーザ光、
電子ビーム（ＥＢ）またはカーボンヒータなどの熱源で
ある光や熱線、ビームなどを照射することにより照射さ
れた表面から短時間（通常は10ns〜数分以内）で加熱処
理できる装置を意味する。このＲＴＡ装置によれば光や
ビームが照射される表面側から加熱され、温度が上昇す
る。また、光などが照射される材料により、透過性と吸
収性の差があるときは吸収性のよい材料が受けた光を熱
に変換してとくに温度が上昇する。
図２に示されるようなＲＴＡ(RapidThermal Anneal)装
置15などを用いて金属ペースト成形体14の焼成を行って
バンプ14ａを生成することが好ましい。ここにＲＴＡ装
置とは、たとえばハロゲンランプ、キセノンランプ、ア
ークランプもしくは放電灯などの光ランプ、レーザ光、
電子ビーム（ＥＢ）またはカーボンヒータなどの熱源で
ある光や熱線、ビームなどを照射することにより照射さ
れた表面から短時間（通常は10ns〜数分以内）で加熱処
理できる装置を意味する。このＲＴＡ装置によれば光や
ビームが照射される表面側から加熱され、温度が上昇す
る。また、光などが照射される材料により、透過性と吸
収性の差があるときは吸収性のよい材料が受けた光を熱
に変換してとくに温度が上昇する。
【００１７】この焼成は金属ペースト成形体の金属粉末
間の接触をよくして電気伝導性を向上させるためのもの
である。そのため、共晶ハンダバンプではたとえば210
〜220 ℃程度で約１〜60秒間程度加熱することにより焼
成され、完全に溶融状態（共晶ハンダの融点183 ℃）に
なり、そののち冷却されて固化することにより、ハンダ
の塊となって電気伝導を良好にしている。一方、銀バン
プではたとえば350 〜450 ℃程度で約５〜120 秒間程度
加熱することにより焼成され、この温度では銀粉末は溶
融状態には至らないが、ペーストにした溶剤は蒸発し、
粉末間の表面を連結状態にしてバンプ14ａの電気伝導を
良好にしている。
間の接触をよくして電気伝導性を向上させるためのもの
である。そのため、共晶ハンダバンプではたとえば210
〜220 ℃程度で約１〜60秒間程度加熱することにより焼
成され、完全に溶融状態（共晶ハンダの融点183 ℃）に
なり、そののち冷却されて固化することにより、ハンダ
の塊となって電気伝導を良好にしている。一方、銀バン
プではたとえば350 〜450 ℃程度で約５〜120 秒間程度
加熱することにより焼成され、この温度では銀粉末は溶
融状態には至らないが、ペーストにした溶剤は蒸発し、
粉末間の表面を連結状態にしてバンプ14ａの電気伝導を
良好にしている。
【００１８】ＲＴＡ装置15は、蓋16ａを有する密閉可能
な箱状体であるＳＵＳチャンバー16と、ＳＵＳチャンバ
ー16の内部に設けられるハロゲンランプ21と、ハロゲン
ランプ21のさらに内側に、蓋16ａに向かって開放するよ
うに設けられる筒状体である石英サセプタ17とからな
り、蓋16ａに第一供給管18、石英サセプタ17の下方に基
板裏面の温度測定用開口管19、開放端と反対側に排気管
20が設けられている。この装置で、蓋16ａを開けて石英
ウェハサセプタ22の上に基板１を載せ、基板１が石英サ
セプタ17の内部に位置するようにして、蓋16ａを閉じ
る。そののち、ハロゲンランプ21を点灯して、金属ペー
スト成形体14の温度をその金属材料に適する焼成温度に
して焼成を行うことによりバンプが形成される。
な箱状体であるＳＵＳチャンバー16と、ＳＵＳチャンバ
ー16の内部に設けられるハロゲンランプ21と、ハロゲン
ランプ21のさらに内側に、蓋16ａに向かって開放するよ
うに設けられる筒状体である石英サセプタ17とからな
り、蓋16ａに第一供給管18、石英サセプタ17の下方に基
板裏面の温度測定用開口管19、開放端と反対側に排気管
20が設けられている。この装置で、蓋16ａを開けて石英
ウェハサセプタ22の上に基板１を載せ、基板１が石英サ
セプタ17の内部に位置するようにして、蓋16ａを閉じ
る。そののち、ハロゲンランプ21を点灯して、金属ペー
スト成形体14の温度をその金属材料に適する焼成温度に
して焼成を行うことによりバンプが形成される。
【００１９】具体例として前述の金属ペースト９に銀ペ
ーストを用い、たとえば約150 ℃のホットプレート上
に、１〜３分ほど載置させて乾燥し、そののち、ＲＴＡ
装置によりたとえば約350 ℃で約１〜60秒間程度焼成し
た。
ーストを用い、たとえば約150 ℃のホットプレート上
に、１〜３分ほど載置させて乾燥し、そののち、ＲＴＡ
装置によりたとえば約350 ℃で約１〜60秒間程度焼成し
た。
【００２０】つぎに図３より、前述のバンプの形成を行
うバンプ製造装置を説明する。図３において、30はたと
えば、エンドレスベルトなどよりなる耐熱性の搬送装
置、31はスクリーン印刷機、32はヒーター10よりなる乾
燥器、33は基板１を搬送装置30から石英ウェハサセプタ
22に積載し、蓋16ａを閉めることによって焼成を行う焼
成器である。
うバンプ製造装置を説明する。図３において、30はたと
えば、エンドレスベルトなどよりなる耐熱性の搬送装
置、31はスクリーン印刷機、32はヒーター10よりなる乾
燥器、33は基板１を搬送装置30から石英ウェハサセプタ
22に積載し、蓋16ａを閉めることによって焼成を行う焼
成器である。
【００２１】スクリーン印刷機31によって金属ペースト
９が印刷され、金属ペースト成形体14が形成された基板
１は、搬送装置30によって乾燥器32に送られる。乾燥器
32ではヒータ10によって基板１を下側から加熱処理し、
バンプ14ａ内の溶剤やガスを外部に充分放出させて乾燥
させる。このとき、金属ペースト９が流出する惧れのあ
るものであれば、図１（ｃ）に示すようなメタルマスク
５を被せたまま乾燥を行い、適宜排除するようにすれば
よい。
９が印刷され、金属ペースト成形体14が形成された基板
１は、搬送装置30によって乾燥器32に送られる。乾燥器
32ではヒータ10によって基板１を下側から加熱処理し、
バンプ14ａ内の溶剤やガスを外部に充分放出させて乾燥
させる。このとき、金属ペースト９が流出する惧れのあ
るものであれば、図１（ｃ）に示すようなメタルマスク
５を被せたまま乾燥を行い、適宜排除するようにすれば
よい。
【００２２】さらに、搬送装置30で基板１を焼成器33ま
で搬送し、図示されない送り装置で基板１を図面奥方向
に位置する蓋16ａの突起状板、石英ウェハサセプタ22上
に移載し、蓋16ａを閉めて、前述のように焼成を行う。
そのあと、蓋16ａを開けて、図示されない送り装置で基
板１を図面手前方向の搬送装置上に戻し、完成品として
搬出する。
で搬送し、図示されない送り装置で基板１を図面奥方向
に位置する蓋16ａの突起状板、石英ウェハサセプタ22上
に移載し、蓋16ａを閉めて、前述のように焼成を行う。
そのあと、蓋16ａを開けて、図示されない送り装置で基
板１を図面手前方向の搬送装置上に戻し、完成品として
搬出する。
【００２３】また、金属ペースト９が流出する惧れのあ
るものであれば、図１（ｃ）に示すようなメタルマスク
５を被せたまま乾燥および焼成を行い、適宜排除するよ
うにすればよい。
るものであれば、図１（ｃ）に示すようなメタルマスク
５を被せたまま乾燥および焼成を行い、適宜排除するよ
うにすればよい。
【００２４】前記実施例では半導体チップに形成される
バンプを半導体ウェハの状態で形成したが、バンプは半
導体チップに限られず、リードレスで回路基板などに接
続されるリードレスの抵抗、コンデンサー、配線などの
他の電子部品にも形成され、本発明を適用することがで
きる。さらに、バンプは電子部品以外にも回路基板など
の接続部などにも形成されるばあいがあり、いずれのバ
ンプの形成のばあいにも本発明を適用することができ
る。
バンプを半導体ウェハの状態で形成したが、バンプは半
導体チップに限られず、リードレスで回路基板などに接
続されるリードレスの抵抗、コンデンサー、配線などの
他の電子部品にも形成され、本発明を適用することがで
きる。さらに、バンプは電子部品以外にも回路基板など
の接続部などにも形成されるばあいがあり、いずれのバ
ンプの形成のばあいにも本発明を適用することができ
る。
【００２５】
【発明の効果】本発明のバンプ形成法によれば、金属ペ
ースト成形体を基板の下側から加熱して乾燥させるの
で、金属ペーストは基板との接触部分である底部より乾
燥を始め、金属ペースト成形体内の溶剤を非接触の開放
部分から完全に外部に除去して、バンプ中に空隙として
残留させない。そのため、バンプの強度は甚大で、しか
も、電気抵抗が低くなり、良好なバンプをうることがで
きる。また、スクリーン印刷を用いることによって短時
間で簡単に大量の金属ペーストの焼結体を形成できる。
さらに、本発明のバンプ製造装置によれば、スクリーン
印刷からバンプの乾燥および焼成までを自動化により連
続して処理することができる。その結果、製造コストが
低減され、電子部品のコストダウンに寄与する。
ースト成形体を基板の下側から加熱して乾燥させるの
で、金属ペーストは基板との接触部分である底部より乾
燥を始め、金属ペースト成形体内の溶剤を非接触の開放
部分から完全に外部に除去して、バンプ中に空隙として
残留させない。そのため、バンプの強度は甚大で、しか
も、電気抵抗が低くなり、良好なバンプをうることがで
きる。また、スクリーン印刷を用いることによって短時
間で簡単に大量の金属ペーストの焼結体を形成できる。
さらに、本発明のバンプ製造装置によれば、スクリーン
印刷からバンプの乾燥および焼成までを自動化により連
続して処理することができる。その結果、製造コストが
低減され、電子部品のコストダウンに寄与する。
【図１】本発明のバンプ形成法を順をおって説明するた
めのバンプ部分の断面説明図である。
めのバンプ部分の断面説明図である。
【図２】本発明のバンプ形成法の焼成工程に使用するＲ
ＴＡ装置の一例の断面説明図である。
ＴＡ装置の一例の断面説明図である。
【図３】本発明のバンプ製造装置の構成図である。
【図４】基板に形成されるバンプ部分の断面説明図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 電極パッド ５ メタルマスク ６ 孔 ９ 金属ペースト 14 金属ペースト成形体 14ａ バンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板に設けられた電極パッドに対応する
孔を有するマスクを前記基板上に配設し、該マスク上か
らスクリーン印刷により金属ペーストを印刷し、前記基
板の下側から加熱して、前記金属ペーストを乾燥させ、
ついで前記金属ペーストを焼成することを特徴とするバ
ンプ形成法。 - 【請求項２】 スクリーン印刷により金属ペーストが印
刷された基板を下側から加熱処理する乾燥器と、該乾燥
器によって乾燥が施された前記基板を焼成する焼成器
と、前記基板を搬送する搬送装置とからなり、該搬送装
置で前記基板を搬送させながら乾燥、焼成を連続して行
うバンプ製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04349056A JP3121464B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | バンプ形成法およびバンプ製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04349056A JP3121464B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | バンプ形成法およびバンプ製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204230A true JPH06204230A (ja) | 1994-07-22 |
| JP3121464B2 JP3121464B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=18401198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04349056A Expired - Fee Related JP3121464B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | バンプ形成法およびバンプ製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3121464B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10256307A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半導体素子付き配線基板、配線基板及びその製造方法 |
| JP2007073948A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| KR100807478B1 (ko) * | 2007-03-06 | 2008-02-25 | 삼성전기주식회사 | 솔더 형성 방법 및 솔더 형성용 캡 |
| WO2020245100A1 (de) * | 2019-06-07 | 2020-12-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung eines verbindungs-bereichs auf einem substrat für eine elektrische baugruppe und substrat dazu |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP04349056A patent/JP3121464B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10256307A (ja) * | 1997-03-13 | 1998-09-25 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半導体素子付き配線基板、配線基板及びその製造方法 |
| JP2007073948A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| KR100807478B1 (ko) * | 2007-03-06 | 2008-02-25 | 삼성전기주식회사 | 솔더 형성 방법 및 솔더 형성용 캡 |
| WO2020245100A1 (de) * | 2019-06-07 | 2020-12-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung eines verbindungs-bereichs auf einem substrat für eine elektrische baugruppe und substrat dazu |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3121464B2 (ja) | 2000-12-25 |
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