JPH06204285A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH06204285A JPH06204285A JP4348663A JP34866392A JPH06204285A JP H06204285 A JPH06204285 A JP H06204285A JP 4348663 A JP4348663 A JP 4348663A JP 34866392 A JP34866392 A JP 34866392A JP H06204285 A JPH06204285 A JP H06204285A
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】多ピン、低熱抵抗、薄型の半導体装置を、安価
かつ簡単な工程で提供する。 【構成】キャリアテ−プ１２の一面側には、金属リ−ド
１１が取り付けられている。金属リ−ド１１の一端は、
半導体チップ１３に接続されている。金属リ−ドの他端
は、補強板１５の一面側に取り付けられたリ−ドフレ−
ム１６のインナ−リ−ドに接続されている。また、半導
体チップ１３は、補強板１５の一面側に搭載されてい
る。インナ−リ−ドの先端は、補強板１５の開口部１８
に位置している。
かつ簡単な工程で提供する。 【構成】キャリアテ−プ１２の一面側には、金属リ−ド
１１が取り付けられている。金属リ−ド１１の一端は、
半導体チップ１３に接続されている。金属リ−ドの他端
は、補強板１５の一面側に取り付けられたリ−ドフレ−
ム１６のインナ−リ−ドに接続されている。また、半導
体チップ１３は、補強板１５の一面側に搭載されてい
る。インナ−リ−ドの先端は、補強板１５の開口部１８
に位置している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に、多ピン、低熱抵
抗、薄型の半導体装置及びその製造方法に関する。
抗、薄型の半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１１〜図１３は、従来の多ピンの半導
体装置を示している。図１１は、ＴＡＢ構造の半導体装
置をリ−ドフレ−ムに接合したものである。図１１にお
いて、１１はキャリアテ−プ、１２はアイランド、１３
は半導体チップ、１４はリ−ドフレ−ム、１５はモ−ル
ド樹脂である。この半導体装置は、アイランド１２の面
積が小さいために、半導体チップ１３において発生する
熱を効率よく発散させることができない欠点を有する。
体装置を示している。図１１は、ＴＡＢ構造の半導体装
置をリ−ドフレ−ムに接合したものである。図１１にお
いて、１１はキャリアテ−プ、１２はアイランド、１３
は半導体チップ、１４はリ−ドフレ−ム、１５はモ−ル
ド樹脂である。この半導体装置は、アイランド１２の面
積が小さいために、半導体チップ１３において発生する
熱を効率よく発散させることができない欠点を有する。
【０００３】図１２は、ＱＦＰのヒ−トスプレッダ構造
の半導体装置である。図１２において、１３は半導体チ
ップ、１４はリ−ドフレ−ム、１５はモ−ルド樹脂、１
６はヒ−トスプレッダ、１７はワイヤ、１８は接着剤で
ある。
の半導体装置である。図１２において、１３は半導体チ
ップ、１４はリ−ドフレ−ム、１５はモ−ルド樹脂、１
６はヒ−トスプレッダ、１７はワイヤ、１８は接着剤で
ある。
【０００４】図１２の半導体装置は、図１１の半導体装
置に比べ、低熱抵抗を達成したものであるが、以下の欠
点を有している。第一に、特に多ピンの半導体装置の場
合、チップサイズが半導体チツプ上のアルミ電極のピッ
チによって決定されてしまう点である。これは、半導体
チップ１３とリ−ドフレ−ム１４が、互いにワイヤ１７
によって接続されているためである。その結果、本来、
ＩＣとして機能する部分以外の部分の面積が増大し、必
要以上にチップサイズが大きくなり、コストの上昇を招
く。
置に比べ、低熱抵抗を達成したものであるが、以下の欠
点を有している。第一に、特に多ピンの半導体装置の場
合、チップサイズが半導体チツプ上のアルミ電極のピッ
チによって決定されてしまう点である。これは、半導体
チップ１３とリ−ドフレ−ム１４が、互いにワイヤ１７
によって接続されているためである。その結果、本来、
ＩＣとして機能する部分以外の部分の面積が増大し、必
要以上にチップサイズが大きくなり、コストの上昇を招
く。
【０００５】第二に、当該半導体装置をリフロ−により
プリント基板等に実装する際、モ−ルド樹脂（外囲器）
にクラックが発生する欠点がある。これは、モ−ルド樹
脂１５とヒ−トスプレッダ１６の密着性が悪いため、当
該モ−ルド樹脂とヒ−トスプレッダの間に水分が入り込
み、その水分が実装時の熱により水蒸気になるためであ
る。
プリント基板等に実装する際、モ−ルド樹脂（外囲器）
にクラックが発生する欠点がある。これは、モ−ルド樹
脂１５とヒ−トスプレッダ１６の密着性が悪いため、当
該モ−ルド樹脂とヒ−トスプレッダの間に水分が入り込
み、その水分が実装時の熱により水蒸気になるためであ
る。
【０００６】第三に、ヒ−トスプレッダ１６がモ−ルド
樹脂によって取り囲まれているため、十分な放熱性を得
ることができない欠点がある。また、ヒ−トスプレッダ
１６の面積を小さくし、上記第二の欠点を最小限に抑え
ようとすると、逆に、放熱性が悪化する欠点がある。
樹脂によって取り囲まれているため、十分な放熱性を得
ることができない欠点がある。また、ヒ−トスプレッダ
１６の面積を小さくし、上記第二の欠点を最小限に抑え
ようとすると、逆に、放熱性が悪化する欠点がある。
【０００７】第四に、リ−ドフレ−ムに設けられたダム
バ−を最終製品になるまでにカットする工程が必要とな
る欠点がある。このダムバ−は、トランスファモ−ルド
で樹脂層が形成されるため、その際の樹脂の漏れを防ぐ
ために設けられている。
バ−を最終製品になるまでにカットする工程が必要とな
る欠点がある。このダムバ−は、トランスファモ−ルド
で樹脂層が形成されるため、その際の樹脂の漏れを防ぐ
ために設けられている。
【０００８】図１３は、ＭＱｕａｄ構造の半導体装置で
ある。図１３において、２１は金属プレ−ト、２２はア
イランド、２３は半導体チップ、２４はリ−ドフレ−
ム、２５はエポキシ系接着剤、２６は金属キャップであ
る。
ある。図１３において、２１は金属プレ−ト、２２はア
イランド、２３は半導体チップ、２４はリ−ドフレ−
ム、２５はエポキシ系接着剤、２６は金属キャップであ
る。
【０００９】図１３の半導体装置は、温度サイクル時、
金属プレ−ト２１と半導体チップ２３の熱膨脹の差によ
り熱疲労が大きく、当該半導体チップ２３にクラックを
発生させる欠点がある。これは、金属プレ−ト２１に熱
膨脹による歪みを緩和するスリット等が形成されないた
めである。また、金属プレ−ト２１とアイランド２２
は、互いにエポキシ系接着剤２５により接続されている
ため、半導体チップ２３において発生する熱を効率よく
発散させることができない欠点がある。
金属プレ−ト２１と半導体チップ２３の熱膨脹の差によ
り熱疲労が大きく、当該半導体チップ２３にクラックを
発生させる欠点がある。これは、金属プレ−ト２１に熱
膨脹による歪みを緩和するスリット等が形成されないた
めである。また、金属プレ−ト２１とアイランド２２
は、互いにエポキシ系接着剤２５により接続されている
ため、半導体チップ２３において発生する熱を効率よく
発散させることができない欠点がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の半
導体装置は、半導体チツプにおいて発生する熱を効率よ
く発散させることができず、実装時には外囲器にクラッ
クが生じ、半導体装置の製造工程が複雑でコストが高く
なる等といった欠点がある。
導体装置は、半導体チツプにおいて発生する熱を効率よ
く発散させることができず、実装時には外囲器にクラッ
クが生じ、半導体装置の製造工程が複雑でコストが高く
なる等といった欠点がある。
【００１１】本発明は、上記欠点を解決すべくなされた
もので、その目的は、半導体チツプにおいて発生する熱
を効率よく発散させることができ、また実装時のリフロ
−により外囲器にクラックが発生するのを防止でき、さ
らに製造工程を簡略化して安価かつ構造を簡単にし得る
半導体装置を提供することである。
もので、その目的は、半導体チツプにおいて発生する熱
を効率よく発散させることができ、また実装時のリフロ
−により外囲器にクラックが発生するのを防止でき、さ
らに製造工程を簡略化して安価かつ構造を簡単にし得る
半導体装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の半導体装置は、キャリアテ−プと、前記キ
ャリアテ−プの一面側に取り付けられる第１のリ−ド
と、前記第１のリ−ドの一端に接続される半導体チップ
と、前記半導体チップが一面側に搭載される補強板と、
前記補強板の一面側に取り付けられ、一端に前記第１の
リ−ドの他端が接続される第２のリ−ドとを備える。
め、本発明の半導体装置は、キャリアテ−プと、前記キ
ャリアテ−プの一面側に取り付けられる第１のリ−ド
と、前記第１のリ−ドの一端に接続される半導体チップ
と、前記半導体チップが一面側に搭載される補強板と、
前記補強板の一面側に取り付けられ、一端に前記第１の
リ−ドの他端が接続される第２のリ−ドとを備える。
【００１３】本発明の半導体装置は、キャリアテ−プ
と、前記キャリアテ−プの一面側に取り付けられるリ−
ドと、前記リ−ドの一端に接続される半導体チップと、
前記半導体チップが一面側に搭載される補強板とを備え
る。
と、前記キャリアテ−プの一面側に取り付けられるリ−
ドと、前記リ−ドの一端に接続される半導体チップと、
前記半導体チップが一面側に搭載される補強板とを備え
る。
【００１４】前記半導体チップは、第１の樹脂層により
覆われている。前記第１のリ−ドは、前記補強板側に折
り曲げられ、前記第２のリ−ドは、前記半導体チップ側
に折り曲げられている。
覆われている。前記第１のリ−ドは、前記補強板側に折
り曲げられ、前記第２のリ−ドは、前記半導体チップ側
に折り曲げられている。
【００１５】前記キャリアテ−プの一面側と前記補強板
の一面側が向かい合っており、前記リ−ドは前記補強板
とは反対側に折り曲げられている。前記補強板は、前記
第２のリ−ドの一端に開口部を有している。
の一面側が向かい合っており、前記リ−ドは前記補強板
とは反対側に折り曲げられている。前記補強板は、前記
第２のリ−ドの一端に開口部を有している。
【００１６】前記補強板の他面側には、当該半導体装置
の配置を認識するための認識マ−クが設けられている。
前記補強板は、熱伝導度の大きい金属から構成されてい
る。
の配置を認識するための認識マ−クが設けられている。
前記補強板は、熱伝導度の大きい金属から構成されてい
る。
【００１７】前記補強板の他面側には、放熱フィンが取
り付けられている。前記補強板の一面側には、当該補強
板と同じ大きさの保護枠が取り付けられている。
り付けられている。前記補強板の一面側には、当該補強
板と同じ大きさの保護枠が取り付けられている。
【００１８】前記保護枠の高さは、前記補強板の他方側
の面から前記保護枠の上面までの高さが、前記補強板の
他方側の面から前記半導体チップを覆う樹脂層の上面ま
での高さに比べ、同じか、若しくは大きくなるように設
定されている。
の面から前記保護枠の上面までの高さが、前記補強板の
他方側の面から前記半導体チップを覆う樹脂層の上面ま
での高さに比べ、同じか、若しくは大きくなるように設
定されている。
【００１９】前記キャリアテ−プの他面側と前記補強板
の一面側が向かい合っており、少なくとも前記第１のリ
−ド、及び、前記第１のリ−ドと前記第２のリ−ドの接
続部が第２の樹脂層により覆われている。
の一面側が向かい合っており、少なくとも前記第１のリ
−ド、及び、前記第１のリ−ドと前記第２のリ−ドの接
続部が第２の樹脂層により覆われている。
【００２０】前記キャリアテ−プの一面側と前記補強板
の一面側が向かい合っており、少なくとも前記第１のリ
−ドと前記第２のリ−ドの接続部が第２の樹脂層により
覆われている。前記補強板の他面側には、当該補強板と
一体をなす複数の突起部が形成されている。
の一面側が向かい合っており、少なくとも前記第１のリ
−ドと前記第２のリ−ドの接続部が第２の樹脂層により
覆われている。前記補強板の他面側には、当該補強板と
一体をなす複数の突起部が形成されている。
【００２１】本発明の半導体装置の製造方法は、まず、
キャリアテ−プの一面側に形成される第１のリ−ドの一
端と半導体チップとを接続する。次に、開口部を有する
補強板の一面側に第２のリ−ドの一端が当該開口部に位
置するように当該第２のリ−ドを取り付ける。この後、
前記開口部を介して前記第１のリ−ドと前記第２のリ−
ドの接続部に熱を逃がすための凸ステ−ジを当てなが
ら、熱圧着により前記第１のリ−ドの他端と前記第２の
リ−ドの一端を接続する、という一連の工程からなる。
キャリアテ−プの一面側に形成される第１のリ−ドの一
端と半導体チップとを接続する。次に、開口部を有する
補強板の一面側に第２のリ−ドの一端が当該開口部に位
置するように当該第２のリ−ドを取り付ける。この後、
前記開口部を介して前記第１のリ−ドと前記第２のリ−
ドの接続部に熱を逃がすための凸ステ−ジを当てなが
ら、熱圧着により前記第１のリ−ドの他端と前記第２の
リ−ドの一端を接続する、という一連の工程からなる。
【００２２】本発明の半導体装置の製造方法は、まず、
キャリアテ−プの一面側に形成される第１のリ−ドの一
端と半導体チップとを接続する。次に、熱圧着により前
記第１のリ−ドの他端と第２のリ−ドの一端を接続す
る。この後、補強板の一面側に前記半導体チップ及び前
記第２のリ−ドを取り付ける、という一連の工程からな
る。
キャリアテ−プの一面側に形成される第１のリ−ドの一
端と半導体チップとを接続する。次に、熱圧着により前
記第１のリ−ドの他端と第２のリ−ドの一端を接続す
る。この後、補強板の一面側に前記半導体チップ及び前
記第２のリ−ドを取り付ける、という一連の工程からな
る。
【００２３】
【作用】上記構成によれば、補強板にＴＡＢ構造のデバ
イスが搭載されている。また、当該補強板にはリ−ドフ
レ−ムが取り付けられている。これにより、多ピン半導
体装置の低熱抵抗化、薄型化を達成でき、かつ、強度も
確保することができる。前記半導体チップは、第１の樹
脂層により覆われている。前記第１のリ−ドは、前記補
強板側に折り曲げられ、前記第２のリ−ドは、前記半導
体チップ側に折り曲げられている。さらに、前記キャリ
アテ−プの一面側と前記補強板の一面側が向かい合って
おり、前記リ−ドは前記補強板とは反対側に折り曲げら
れている。前記補強板は、前記第２のリ−ドの一端に開
口部を有している。これにより、高信頼性の半導体装置
を提供することができる。
イスが搭載されている。また、当該補強板にはリ−ドフ
レ−ムが取り付けられている。これにより、多ピン半導
体装置の低熱抵抗化、薄型化を達成でき、かつ、強度も
確保することができる。前記半導体チップは、第１の樹
脂層により覆われている。前記第１のリ−ドは、前記補
強板側に折り曲げられ、前記第２のリ−ドは、前記半導
体チップ側に折り曲げられている。さらに、前記キャリ
アテ−プの一面側と前記補強板の一面側が向かい合って
おり、前記リ−ドは前記補強板とは反対側に折り曲げら
れている。前記補強板は、前記第２のリ−ドの一端に開
口部を有している。これにより、高信頼性の半導体装置
を提供することができる。
【００２４】前記補強板の他面側には、当該半導体装置
の配置を認識するための認識マ−クが設けられているた
め、ボンディング時の位置合わせが容易になる。前記補
強板は、熱伝導度の大きい金属から構成され、前記補強
板の他面側には、放熱フィンが取り付けられているた
め、放熱性に優れた半導体装置とすることができる。
の配置を認識するための認識マ−クが設けられているた
め、ボンディング時の位置合わせが容易になる。前記補
強板は、熱伝導度の大きい金属から構成され、前記補強
板の他面側には、放熱フィンが取り付けられているた
め、放熱性に優れた半導体装置とすることができる。
【００２５】前記補強板の一面側には、当該補強板と同
じ大きさの保護枠が取り付けられている。前記保護枠の
高さは、前記補強板の他方側の面から前記保護枠の上面
までの高さが、前記補強板の他方側の面から前記半導体
チップを覆う樹脂層の上面までの高さに比べ、同じか、
若しくは大きくなるように設定されている。
じ大きさの保護枠が取り付けられている。前記保護枠の
高さは、前記補強板の他方側の面から前記保護枠の上面
までの高さが、前記補強板の他方側の面から前記半導体
チップを覆う樹脂層の上面までの高さに比べ、同じか、
若しくは大きくなるように設定されている。
【００２６】前記キャリアテ−プの他面側と前記補強板
の一面側が向かい合っており、少なくとも前記第１のリ
−ド、及び、前記第１のリ−ドと前記第２のリ−ドの接
続部が第２の樹脂層により覆われている。前記キャリア
テ−プの一面側と前記補強板の一面側が向かい合ってお
り、少なくとも前記第１のリ−ドと前記第２のリ−ドの
接続部が第２の樹脂層により覆われている。これによ
り、信頼性を向上させることができる。
の一面側が向かい合っており、少なくとも前記第１のリ
−ド、及び、前記第１のリ−ドと前記第２のリ−ドの接
続部が第２の樹脂層により覆われている。前記キャリア
テ−プの一面側と前記補強板の一面側が向かい合ってお
り、少なくとも前記第１のリ−ドと前記第２のリ−ドの
接続部が第２の樹脂層により覆われている。これによ
り、信頼性を向上させることができる。
【００２７】前記補強板の他面側には、当該補強板と一
体をなす複数の突起部が形成されている。これにより、
半導体装置の低熱抵抗化、薄型化をさらに向上させるこ
とができる。
体をなす複数の突起部が形成されている。これにより、
半導体装置の低熱抵抗化、薄型化をさらに向上させるこ
とができる。
【００２８】また、熱圧着により、ＴＡＢ構造のデバイ
スのリ−ドを補強板のリ−ドに接続するのみで本発明に
係わる半導体装置を提供でき、工程の簡略化により製造
コストの低減を図ることができる。また、この際、凸ス
テ−ジを当てながら接続することにより、高信頼性、高
歩留りの半導体装置を提供することができる。
スのリ−ドを補強板のリ−ドに接続するのみで本発明に
係わる半導体装置を提供でき、工程の簡略化により製造
コストの低減を図ることができる。また、この際、凸ス
テ−ジを当てながら接続することにより、高信頼性、高
歩留りの半導体装置を提供することができる。
【００２９】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の一実施
例について詳細に説明する。図１及び図２は、本発明の
一実施例に係わる半導体装置を示している。図１は、本
発明に係わる半導体装置の斜視図であり、図２は、図１
のＩ−Ｉ´線に沿う断面図である。
例について詳細に説明する。図１及び図２は、本発明の
一実施例に係わる半導体装置を示している。図１は、本
発明に係わる半導体装置の斜視図であり、図２は、図１
のＩ−Ｉ´線に沿う断面図である。
【００３０】本発明の半導体装置は、大きく半導体チッ
プ部Ａと補強部Ｂとに分けられる。半導体チップ部Ａ
は、例えばＴＡＢ構造を有するデバイスから構成されて
いる。具体的には、金属リ−ド１１は、キャリアテ−プ
１２の一面側に形成され、半導体チップ１３は、当該金
属リ−ド１２に接続されると共にキャリアテ−プ１２の
他面側に配置されている。また、金属リ−ド１１は、キ
ャリアテ−プ１２の他面側に折り曲げられ、半導体チッ
プ１３の近傍は、液状封止樹脂（ポッティング樹脂）１
４により覆われている。
プ部Ａと補強部Ｂとに分けられる。半導体チップ部Ａ
は、例えばＴＡＢ構造を有するデバイスから構成されて
いる。具体的には、金属リ−ド１１は、キャリアテ−プ
１２の一面側に形成され、半導体チップ１３は、当該金
属リ−ド１２に接続されると共にキャリアテ−プ１２の
他面側に配置されている。また、金属リ−ド１１は、キ
ャリアテ−プ１２の他面側に折り曲げられ、半導体チッ
プ１３の近傍は、液状封止樹脂（ポッティング樹脂）１
４により覆われている。
【００３１】補強部Ｂは、薄くても強度があり、かつ低
い熱抵抗を有する補強板１５と、当該補強板１５の一面
側に形成されるリ−ドフレ−ム１６から構成されてい
る。補強板１５は、例えば金属やセラミックなどから構
成することができ、当該補強板１５自体は、平面形状が
従来のパッケ−ジとほぼ同じとなっている（例えば、縦
３２ｍｍ×横３２ｍｍ×厚さ０．８ｍｍ）。また、補強
板１５の他面側には、アウタ−リ−ドボンディング（Ｏ
ＬＢ）を行う際に、当該半導体装置の認識、位置決めな
どに利用される認識マ−ク１７が形成されている。さら
に、リ−ドフレ−ム１６のアウタ−リ−ドは、補強板１
５の一面側に折り曲げられ、また、補強板１５には、開
口部１８が設けられている。
い熱抵抗を有する補強板１５と、当該補強板１５の一面
側に形成されるリ−ドフレ−ム１６から構成されてい
る。補強板１５は、例えば金属やセラミックなどから構
成することができ、当該補強板１５自体は、平面形状が
従来のパッケ−ジとほぼ同じとなっている（例えば、縦
３２ｍｍ×横３２ｍｍ×厚さ０．８ｍｍ）。また、補強
板１５の他面側には、アウタ−リ−ドボンディング（Ｏ
ＬＢ）を行う際に、当該半導体装置の認識、位置決めな
どに利用される認識マ−ク１７が形成されている。さら
に、リ−ドフレ−ム１６のアウタ−リ−ドは、補強板１
５の一面側に折り曲げられ、また、補強板１５には、開
口部１８が設けられている。
【００３２】この開口部１８は、補強板１５の他面側か
らリ−ドフレ−ム１６のインナ−リ−ドの先端部Ｃに凸
ステ−ジを当てられるように、当該インナ−リ−ドの先
端部Ｃに沿ってスリット状に形成されている。そして、
この開口部１８は、半導体チップ部Ａの金属リ−ド１１
と補強部Ｂのリ−ドフレ−ム１６の接続時、即ちミドル
リ−ドボンディング（ＭＬＢ）時において発生する熱を
効率よく放出し、補強板１５とリ−ドフレ−ム１６の間
の接着剤の炭化による半導体装置の信頼性の低下を防ぐ
ために設けられるものである。なお、開口部１６は、後
述するように、製造工程上、必要がないこともある。
らリ−ドフレ−ム１６のインナ−リ−ドの先端部Ｃに凸
ステ−ジを当てられるように、当該インナ−リ−ドの先
端部Ｃに沿ってスリット状に形成されている。そして、
この開口部１８は、半導体チップ部Ａの金属リ−ド１１
と補強部Ｂのリ−ドフレ−ム１６の接続時、即ちミドル
リ−ドボンディング（ＭＬＢ）時において発生する熱を
効率よく放出し、補強板１５とリ−ドフレ−ム１６の間
の接着剤の炭化による半導体装置の信頼性の低下を防ぐ
ために設けられるものである。なお、開口部１６は、後
述するように、製造工程上、必要がないこともある。
【００３３】半導体チップ部Ａの半導体チップ１３は、
エポキシ系の接着剤１９により、補強部Ｂの補強板１５
の一面側に接合されている。また、半導体チップ部Ａの
金属リ−ド１１は、補強部Ｂのリ−ドフレ−ム１６のイ
ンナ−リ−ドに熱圧着されている。なお、半導体チップ
部Ａと補強部Ｂが結合されたとき、金属リ−ド１１の降
り曲がる方向と、リ−ドフレ−ム１６のアウタ−リ−ド
が降り曲がる方向は、互いに相反している。
エポキシ系の接着剤１９により、補強部Ｂの補強板１５
の一面側に接合されている。また、半導体チップ部Ａの
金属リ−ド１１は、補強部Ｂのリ−ドフレ−ム１６のイ
ンナ−リ−ドに熱圧着されている。なお、半導体チップ
部Ａと補強部Ｂが結合されたとき、金属リ−ド１１の降
り曲がる方向と、リ−ドフレ−ム１６のアウタ−リ−ド
が降り曲がる方向は、互いに相反している。
【００３４】上記構成によれば、多ピン、低熱抵抗、薄
型の半導体装置を提供できる。まず、多ピンについて
は、ＴＡＢ技術の利用により、例えば３０４ピンの半導
体装置を提供できる。次に、低熱抵抗については、半導
体チップ１３が、直接、熱伝導のよい補強板１５上に搭
載されている。このため、半導体チップ１３に発生する
熱の主な放出経路が、キャリアテ−プ上の金属リ−ド１
１を介する経路と、補強板１５を介する経路の二つとな
り、半導体装置の放熱性が大幅に向上する。例えば、補
強板１５に銅板を使用すると、２２℃／Ｗを達成するこ
とができる。これは、図１１の従来の半導体装置が４２
℃／Ｗ、図１２の従来の半導体装置が２９℃／Ｗである
点から鑑みれば、大幅な技術革新である。
型の半導体装置を提供できる。まず、多ピンについて
は、ＴＡＢ技術の利用により、例えば３０４ピンの半導
体装置を提供できる。次に、低熱抵抗については、半導
体チップ１３が、直接、熱伝導のよい補強板１５上に搭
載されている。このため、半導体チップ１３に発生する
熱の主な放出経路が、キャリアテ−プ上の金属リ−ド１
１を介する経路と、補強板１５を介する経路の二つとな
り、半導体装置の放熱性が大幅に向上する。例えば、補
強板１５に銅板を使用すると、２２℃／Ｗを達成するこ
とができる。これは、図１１の従来の半導体装置が４２
℃／Ｗ、図１２の従来の半導体装置が２９℃／Ｗである
点から鑑みれば、大幅な技術革新である。
【００３５】次に、薄型については、従来の半導体装置
（図１１〜図１３）が、幅３２ｍｍ、厚さ３．６ｍｍで
あるのに対し、本発明に係わる半導体装置（図１及び図
２）が、幅３２ｍｍ、厚さ１．４５ｍｍとなっており、
半導体装置の薄型に貢献できる。しかも、補強板１５に
は、リ−ドフレ−ム１６が搭載されているため、アウタ
−リ−ドの曲がり難い半導体装置を提供できる。
（図１１〜図１３）が、幅３２ｍｍ、厚さ３．６ｍｍで
あるのに対し、本発明に係わる半導体装置（図１及び図
２）が、幅３２ｍｍ、厚さ１．４５ｍｍとなっており、
半導体装置の薄型に貢献できる。しかも、補強板１５に
は、リ−ドフレ−ム１６が搭載されているため、アウタ
−リ−ドの曲がり難い半導体装置を提供できる。
【００３６】即ち、ＴＡＢ構造のデバイス（半導体チッ
プ部Ａ）を、そのままプリント基板等に実装する場合に
は、金属リ−ド１１が直接プリント基板に接続される。
しかし、金属リ−ド１１は、厚さが３０μｍ程度である
ため、僅かな力で折れ曲がってしまう欠点がある。この
ため、実装後、シリコン樹脂等により、金属リ−ド１１
を保護する必要がある。本発明によれば、頑丈なアウタ
−リ−ドを提供できるため、シリコン樹脂等により当該
アウタ−リ−ドを保護する必要もない。
プ部Ａ）を、そのままプリント基板等に実装する場合に
は、金属リ−ド１１が直接プリント基板に接続される。
しかし、金属リ−ド１１は、厚さが３０μｍ程度である
ため、僅かな力で折れ曲がってしまう欠点がある。この
ため、実装後、シリコン樹脂等により、金属リ−ド１１
を保護する必要がある。本発明によれば、頑丈なアウタ
−リ−ドを提供できるため、シリコン樹脂等により当該
アウタ−リ−ドを保護する必要もない。
【００３７】さらに、本発明によれば、以下の効果を得
ることができる。即ち、半導体チップ部Ａを過度に保護
する必要がない点である。従来の半導体装置（図１１参
照）では、キャリアテ−プが剥き出しとなっているた
め、トランスファモ−ルド等により、キャリアテ−プ上
の細い金属リ−ドを保護しなければならない。しかし、
本発明の半導体装置では、半導体チップ部Ａは補強部Ｂ
の下、つまり補強部Ｂとプリント基板の間に配置される
ため、過度の保護が必要なく、また、ゴミ等も付着し難
い構造となっている。但し、用途等に応じて、キャリア
テ−プ上を樹脂により保護してもよい（これについて
は、さらに他の実施例で詳述する。）。
ることができる。即ち、半導体チップ部Ａを過度に保護
する必要がない点である。従来の半導体装置（図１１参
照）では、キャリアテ−プが剥き出しとなっているた
め、トランスファモ−ルド等により、キャリアテ−プ上
の細い金属リ−ドを保護しなければならない。しかし、
本発明の半導体装置では、半導体チップ部Ａは補強部Ｂ
の下、つまり補強部Ｂとプリント基板の間に配置される
ため、過度の保護が必要なく、また、ゴミ等も付着し難
い構造となっている。但し、用途等に応じて、キャリア
テ−プ上を樹脂により保護してもよい（これについて
は、さらに他の実施例で詳述する。）。
【００３８】また、本発明によれば、アウタ−リ−ドボ
ンディング（ＯＬＢ）時において当該半導体装置の位置
合せに利用する認識マ−クが、補強板１５の他面側に形
成されている。このため、アウタ−リ−ドボンディング
時の半導体装置の位置合せが容易に行えるという効果が
ある。即ち、従来は、トランスファ−モ−ルド時に樹脂
収縮が生じるため、モ−ルド樹脂の表面にこの認識マ−
クを設けることができないのである。
ンディング（ＯＬＢ）時において当該半導体装置の位置
合せに利用する認識マ−クが、補強板１５の他面側に形
成されている。このため、アウタ−リ−ドボンディング
時の半導体装置の位置合せが容易に行えるという効果が
ある。即ち、従来は、トランスファ−モ−ルド時に樹脂
収縮が生じるため、モ−ルド樹脂の表面にこの認識マ−
クを設けることができないのである。
【００３９】次に、図１及び図２の半導体装置の製造方
法について説明する。まず、インナ−リ−ドボンディン
グにより、半導体チップ１３がキャリアテ−プ１２上の
金属リ−ド１１にボンディングされる。半導体チップ１
３が液状封止樹脂により封止され、金属リ−ド１１が折
り曲げられ、半導体チップ部Ａが形成される。一方、エ
ポキシ系接着剤により、リ−ドフレ−ム１６が補強板１
５に接合される。なお、この後、補強板１５上のリ−ド
フレ−ム１６に、予めメッキ処理を施しておくこともで
きる。
法について説明する。まず、インナ−リ−ドボンディン
グにより、半導体チップ１３がキャリアテ−プ１２上の
金属リ−ド１１にボンディングされる。半導体チップ１
３が液状封止樹脂により封止され、金属リ−ド１１が折
り曲げられ、半導体チップ部Ａが形成される。一方、エ
ポキシ系接着剤により、リ−ドフレ−ム１６が補強板１
５に接合される。なお、この後、補強板１５上のリ−ド
フレ−ム１６に、予めメッキ処理を施しておくこともで
きる。
【００４０】次に、熱圧着により、半導体チップ部Ａの
金属リ−ド１１と補強部Ｂのリ−ドフレ−ム１６のイン
ナ−リ−ドが互いに接続（ミドルリ−ドボンディング；
ＭＬＢ）される。また、エポキシ系の樹脂により、半導
体チップ１３と補強板１５が互いに接続される。なお、
補強板１５の他面側からスリット状の開口部１８を通じ
て凸ステ−ジを接触させながらミドルリ−ドボンディン
グを行えば、熱圧着に伴う熱は、当該ステ−ジを通じて
放出されるため、従来のような接着剤の炭化という問題
を解決できる。
金属リ−ド１１と補強部Ｂのリ−ドフレ−ム１６のイン
ナ−リ−ドが互いに接続（ミドルリ−ドボンディング；
ＭＬＢ）される。また、エポキシ系の樹脂により、半導
体チップ１３と補強板１５が互いに接続される。なお、
補強板１５の他面側からスリット状の開口部１８を通じ
て凸ステ−ジを接触させながらミドルリ−ドボンディン
グを行えば、熱圧着に伴う熱は、当該ステ−ジを通じて
放出されるため、従来のような接着剤の炭化という問題
を解決できる。
【００４１】なお、上記製造工程によらず、例えば当該
ミドルリ−ドボンディングが行われた後に、半導体チッ
プ１３とリ−ドフレ−ム１６を同時に補強板１５に取り
付けることもできる。かかる場合には、スリット状の開
口部１８は不要である。この後、リ−ドフレ−ム１６の
アウタ−リ−ドが折り曲げられ、本発明に係わる半導体
装置が完成する。
ミドルリ−ドボンディングが行われた後に、半導体チッ
プ１３とリ−ドフレ−ム１６を同時に補強板１５に取り
付けることもできる。かかる場合には、スリット状の開
口部１８は不要である。この後、リ−ドフレ−ム１６の
アウタ−リ−ドが折り曲げられ、本発明に係わる半導体
装置が完成する。
【００４２】上記半導体装置の製造方法によれば、以下
の効果を得ることができる。まず、従来の半導体装置の
ように、トランスファ−モ−ルドを行う必要がないた
め、リ−ドフレ−ム１６のダムカットやバリ取りの工程
が不要となる。つまり、リ−ドフレ−ム１６にはダムバ
−を設ける必要がない。また、ミドルリ−ドボンディン
グの前に、半田メッキをリ−ドフレ−ム１６に施してお
くことができ、半導体装置の完成後に新たな外装メッキ
は不要となるため、製造工程が簡略化される。これに伴
い、本発明に係わる半導体装置の製造コストも低減され
る。
の効果を得ることができる。まず、従来の半導体装置の
ように、トランスファ−モ−ルドを行う必要がないた
め、リ−ドフレ−ム１６のダムカットやバリ取りの工程
が不要となる。つまり、リ−ドフレ−ム１６にはダムバ
−を設ける必要がない。また、ミドルリ−ドボンディン
グの前に、半田メッキをリ−ドフレ−ム１６に施してお
くことができ、半導体装置の完成後に新たな外装メッキ
は不要となるため、製造工程が簡略化される。これに伴
い、本発明に係わる半導体装置の製造コストも低減され
る。
【００４３】また、補強板１５にリ−ドフレ−ム１６を
接合した後、ミドルリ−ドボンディングを行う場合に
は、当該ミドルリ−ドボンディング時、補強板１５の他
面側からスリット状の開口部１８を通じて凸ステ−ジを
リ−ドフレ−ム１６のアウタ−リ−ドに接触させること
ができる。これに伴い、ミドルリ−ドボンディングによ
り接着剤を炭化させることがなく、高信頼性の半導体装
置を提供できることになる。
接合した後、ミドルリ−ドボンディングを行う場合に
は、当該ミドルリ−ドボンディング時、補強板１５の他
面側からスリット状の開口部１８を通じて凸ステ−ジを
リ−ドフレ−ム１６のアウタ−リ−ドに接触させること
ができる。これに伴い、ミドルリ−ドボンディングによ
り接着剤を炭化させることがなく、高信頼性の半導体装
置を提供できることになる。
【００４４】図３は、図１及び図２の半導体装置の変形
例を示すものである。この半導体装置は、図１及び図２
の半導体装置において、さらに放熱性を向上させるため
に、放熱フィン２０を補強板１５の他面側に取り付けた
ものである。
例を示すものである。この半導体装置は、図１及び図２
の半導体装置において、さらに放熱性を向上させるため
に、放熱フィン２０を補強板１５の他面側に取り付けた
ものである。
【００４５】本実施例の半導体装置によれば、半導体チ
ップ１３の発熱量に応じて、放熱フィン２０の大きさを
変えることができるため、少量多品種の半導体装置の提
供を可能とする。例えば、１０Ｗの発熱量がある半導体
チップ１３が搭載されている場合、放熱フィン２０の大
きさは、９ｍｍ程度のものが効果的である。かかる場
合、補強板１５を銅板により構成すると、１３℃／Ｗを
達成できる。
ップ１３の発熱量に応じて、放熱フィン２０の大きさを
変えることができるため、少量多品種の半導体装置の提
供を可能とする。例えば、１０Ｗの発熱量がある半導体
チップ１３が搭載されている場合、放熱フィン２０の大
きさは、９ｍｍ程度のものが効果的である。かかる場
合、補強板１５を銅板により構成すると、１３℃／Ｗを
達成できる。
【００４６】図４及び図５は、図１及び図２の半導体装
置の変形例を示すものである。この半導体装置は、図１
及び図２の半導体装置において、補強板１５の一面側
に、半導体チップ部（キャリアテ−プ部、ミドルリ−ド
ボンディング部を含む）Ａを保護する保護枠２１を取り
付けたものである。
置の変形例を示すものである。この半導体装置は、図１
及び図２の半導体装置において、補強板１５の一面側
に、半導体チップ部（キャリアテ−プ部、ミドルリ−ド
ボンディング部を含む）Ａを保護する保護枠２１を取り
付けたものである。
【００４７】この保護枠２１は、ミドルリ−ドボンディ
ング部（金属リ−ド１１とリ−ドフレ−ム１６の接合
部）よりも外側（半導体チップ１３の反対側）に壁を形
成するように、四角形状の枠を構成している。この壁の
高さ（保護枠２１の厚さ）は、補強板１５の他面から当
該枠の上面（補強板１５とは反対側の面）までの高さ
が、補強板１５の他面から半導体チップ部Ａの樹脂１４
の上面までの高さと同じか、又はそれ以上となるように
設定される。例えば、保護枠２１の厚さは、チップ１３
下面から樹脂１４の上面までの厚さからリ−ドフレ−ム
の厚さを引いた程度に設定する。また、保護枠２１の大
きさは、例えば補強板１５の大きさと同じ（縦３２ｍｍ
×横３２ｍｍ）に形成される。本実施例の半導体装置に
よれば、保護枠２１により、半導体チップ部Ａを保護し
ているため、高歩留りを達成することができる。
ング部（金属リ−ド１１とリ−ドフレ−ム１６の接合
部）よりも外側（半導体チップ１３の反対側）に壁を形
成するように、四角形状の枠を構成している。この壁の
高さ（保護枠２１の厚さ）は、補強板１５の他面から当
該枠の上面（補強板１５とは反対側の面）までの高さ
が、補強板１５の他面から半導体チップ部Ａの樹脂１４
の上面までの高さと同じか、又はそれ以上となるように
設定される。例えば、保護枠２１の厚さは、チップ１３
下面から樹脂１４の上面までの厚さからリ−ドフレ−ム
の厚さを引いた程度に設定する。また、保護枠２１の大
きさは、例えば補強板１５の大きさと同じ（縦３２ｍｍ
×横３２ｍｍ）に形成される。本実施例の半導体装置に
よれば、保護枠２１により、半導体チップ部Ａを保護し
ているため、高歩留りを達成することができる。
【００４８】図６は、図１及び図２の半導体装置の変形
例を示すものである。この半導体装置は、図１及び図２
の半導体装置において、半導体チップ部（ミドルリ−ド
ボンディング部を含む）Ａを樹脂層２２で覆い、当該半
導体チップ部Ａを保護するものである。
例を示すものである。この半導体装置は、図１及び図２
の半導体装置において、半導体チップ部（ミドルリ−ド
ボンディング部を含む）Ａを樹脂層２２で覆い、当該半
導体チップ部Ａを保護するものである。
【００４９】この樹脂層２２は、例えばポリイミドのよ
うな耐湿性の優れた材料により構成される。なお、図６
（ｂ）のように、金属リ−ド１１がキャリアテ−プ１２
の他面側（補強板側）に形成される場合には、キャリア
テ−プ部の保護としては、特に樹脂層２２は必要がな
い。従って、同図に示されるように、ミドルリ−ドボン
ディング部及びその近傍にのみ樹脂層２２を形成すれば
足りる。本実施例によれば、樹脂層２２により、半導体
チップ部Ａを保護しているため、高信頼性の半導体装置
を提供することができる。
うな耐湿性の優れた材料により構成される。なお、図６
（ｂ）のように、金属リ−ド１１がキャリアテ−プ１２
の他面側（補強板側）に形成される場合には、キャリア
テ−プ部の保護としては、特に樹脂層２２は必要がな
い。従って、同図に示されるように、ミドルリ−ドボン
ディング部及びその近傍にのみ樹脂層２２を形成すれば
足りる。本実施例によれば、樹脂層２２により、半導体
チップ部Ａを保護しているため、高信頼性の半導体装置
を提供することができる。
【００５０】図７及び図８は、本発明の他の実施例に係
わる半導体装置を示すものである。この半導体装置は、
補強板１５に放熱フィンの機能を持たせたものである。
つまり、例えば図３の半導体装置において、補強板１５
と放熱フィン２０を合体させ、一つの部材により構成し
たと考えても良い。本実施例によれば、高い放熱性が得
られる（補強板１５が銅板の場合、１７℃／Ｗ）と共
に、薄型の半導体装置（厚さ約３．６ｍｍ）を提供でき
る。
わる半導体装置を示すものである。この半導体装置は、
補強板１５に放熱フィンの機能を持たせたものである。
つまり、例えば図３の半導体装置において、補強板１５
と放熱フィン２０を合体させ、一つの部材により構成し
たと考えても良い。本実施例によれば、高い放熱性が得
られる（補強板１５が銅板の場合、１７℃／Ｗ）と共
に、薄型の半導体装置（厚さ約３．６ｍｍ）を提供でき
る。
【００５１】図９及び図１０は、本発明の他の実施例に
係わる半導体装置を示すものである。この半導体装置
は、補強部Ｂを補強板１５のみにより構成し、半導体チ
ップ部Ａにこの補強板１５を取り付けたものである。
係わる半導体装置を示すものである。この半導体装置
は、補強部Ｂを補強板１５のみにより構成し、半導体チ
ップ部Ａにこの補強板１５を取り付けたものである。
【００５２】この半導体装置では、金属リ−ド１１が直
接プリント基板等に接触することになり、機械的な応力
に対しては、図１及び図２のような半導体装置に比べる
と多少劣ることになる。しかし、半導体装置の薄型化に
ついては、図１及び図２の半導体装置よりも向上させる
ことが可能である。
接プリント基板等に接触することになり、機械的な応力
に対しては、図１及び図２のような半導体装置に比べる
と多少劣ることになる。しかし、半導体装置の薄型化に
ついては、図１及び図２の半導体装置よりも向上させる
ことが可能である。
【００５３】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の半導体
装置及びその製造方法によれば、次のような効果を奏す
る。ＴＡＢ構造のデバイスに補強板が接続され、さらに
当該補強板にはリ−ドフレ−ムが取り付けられている。
これにより、多ピン半導体装置の低熱抵抗化、薄型化を
達成でき、かつ、強度も確保することができる。また、
補強板には、放熱フィンや保護枠などを取り付けること
もでき、高信頼性、高歩留りの半導体装置を提供するこ
とができる。さらに、補強板自体に放熱フィンとしても
機能を持たせることも可能であり、かかる場合、さらに
低熱抵抗化、薄型化を向上させることができる。また、
リ−ドフレ−ムを用いずに、ＴＡＢ構造のデバイスの金
属リ−ドをアウタ−リ−ドとすることも可能である。
装置及びその製造方法によれば、次のような効果を奏す
る。ＴＡＢ構造のデバイスに補強板が接続され、さらに
当該補強板にはリ−ドフレ−ムが取り付けられている。
これにより、多ピン半導体装置の低熱抵抗化、薄型化を
達成でき、かつ、強度も確保することができる。また、
補強板には、放熱フィンや保護枠などを取り付けること
もでき、高信頼性、高歩留りの半導体装置を提供するこ
とができる。さらに、補強板自体に放熱フィンとしても
機能を持たせることも可能であり、かかる場合、さらに
低熱抵抗化、薄型化を向上させることができる。また、
リ−ドフレ−ムを用いずに、ＴＡＢ構造のデバイスの金
属リ−ドをアウタ−リ−ドとすることも可能である。
【図１】本発明の一実施例に係わる半導体装置を示す斜
視図。
視図。
【図２】図１のＩ−Ｉ´線に沿う断面図。
【図３】図１の半導体装置の変形例を示す断面図。
【図４】図１の半導体装置の変形例を示す断面図。
【図５】図４のII−II´線に沿う断面図。
【図６】図１の半導体装置の変形例を示す断面図。
【図７】本発明の他の実施例に係わる半導体装置を示す
斜視図。
斜視図。
【図８】図７のIII − III´線に沿う断面図。
【図９】本発明の他の実施例に係わる半導体装置を示す
断面図。
断面図。
【図１０】本発明の他の実施例に係わる半導体装置を示
す断面図。
す断面図。
【図１１】従来の半導体装置を示す断面図。
【図１２】従来の半導体装置を示す断面図。
【図１３】従来の半導体装置を示す断面図。
Ａ …半導体チップ部 Ｂ …補強部、 １１ …金属リ−ド、 １２ …キャリアテ−プ、 １３ …半導体チップ、 １４ …モ−ルド樹脂、 １５ …補強板 １６ …リ−ドフレ−ム、 １７ …認識マ−ク、 １８ …開口部、 １９ …エポキシ接着剤、 ２０ …放熱フィン、 ２１ …保護枠、 ２２ …樹脂層、
Claims (16)
- 【請求項１】 キャリアテ−プと、前記キャリアテ−プ
の一面側に取り付けられる第１のリ−ドと、前記第１の
リ−ドの一端に接続される半導体チップと、前記半導体
チップが一面側に搭載される補強板と、前記補強板の一
面側に取り付けられ、一端に前記第１のリ−ドの他端が
接続される第２のリ−ドとを具備することを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項２】 キャリアテ−プと、前記キャリアテ−プ
の一面側に取り付けられるリ−ドと、前記リ−ドの一端
に接続される半導体チップと、前記半導体チップが一面
側に搭載される補強板とを具備することを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項３】 前記半導体チップは、第１の樹脂層によ
り覆われていることを特徴とする請求項１又は２に記載
の半導体装置。 - 【請求項４】 前記第１のリ−ドは、前記補強板側に折
り曲げられ、前記第２のリ−ドは、前記半導体チップ側
に折り曲げられていることを特徴とする請求項１に記載
の半導体装置。 - 【請求項５】 前記キャリアテ−プの一面側と前記補強
板の一面側が向かい合っており、前記リ−ドは前記補強
板とは反対側に折り曲げられていることを特徴とする請
求項２に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 前記補強板は、前記第２のリ−ドの一端
に開口部を有していることを特徴とする請求項１に記載
の半導体装置。 - 【請求項７】 前記補強板の他面側には、当該半導体装
置の配置を認識するための認識マ−クが設けられている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。 - 【請求項８】 前記補強板は、熱伝導度の大きい金属か
ら構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記
載の半導体装置。 - 【請求項９】 前記補強板の他面側には、放熱フィンが
取り付けられていることを特徴とする請求項１又は２に
記載の半導体装置。 - 【請求項１０】 前記補強板の一面側には、当該補強板
と同じ大きさの保護枠が取り付けられていることを特徴
とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項１１】 前記保護枠の高さは、前記補強板の他
方側の面から前記保護枠の上面までの高さが、前記補強
板の他方側の面から前記半導体チップを覆う樹脂層の上
面までの高さに比べ、同じか、若しくは大きくなるよう
に設定されていることを特徴とする請求項１０に記載の
半導体装置。 - 【請求項１２】 前記キャリアテ−プの他面側と前記補
強板の一面側が向かい合っており、少なくとも前記第１
のリ−ド、及び、前記第１のリ−ドと前記第２のリ−ド
の接続部が第２の樹脂層により覆われていることを特徴
とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項１３】 前記キャリアテ−プの一面側と前記補
強板の一面側が向かい合っており、少なくとも前記第１
のリ−ドと前記第２のリ−ドの接続部が第２の樹脂層に
より覆われていることを特徴とする請求項１に記載の半
導体装置。 - 【請求項１４】 前記補強板の他面側には、当該補強板
と一体をなす複数の突起部が形成されていることを特徴
とする請求項１又は２に記載の半導体装置。 - 【請求項１５】 キャリアテ−プの一面側に形成される
第１のリ−ドの一端と半導体チップとを接続する工程
と、開口部を有する補強板の一面側に第２のリ−ドの一
端が当該開口部に位置するように当該第２のリ−ドを取
り付ける工程と、前記開口部を介して前記第１のリ−ド
と前記第２のリ−ドの接続部に熱を逃がすための凸ステ
−ジを当てながら、熱圧着により前記第１のリ−ドの他
端と前記第２のリ−ドの一端を接続する工程とを具備す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 キャリアテ−プの一面側に形成される
第１のリ−ドの一端と半導体チップとを接続する工程
と、熱圧着により前記第１のリ−ドの他端と第２のリ−
ドの一端を接続する工程と、補強板の一面側に前記半導
体チップ及び前記第２のリ−ドを取り付ける工程とを具
備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP4348663A JPH06204285A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US08/172,186 US5442232A (en) | 1992-12-28 | 1993-12-23 | Thin semiconductor package having many pins and likely to dissipate heat |
| KR1019930029252A KR0147397B1 (ko) | 1992-12-28 | 1993-12-23 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
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|---|---|---|---|
| JP4348663A JPH06204285A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
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| JPH06204285A true JPH06204285A (ja) | 1994-07-22 |
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ID=18398524
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