JPH0831988A - テープキャリアパッケージの封止構造 - Google Patents
テープキャリアパッケージの封止構造Info
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- JPH0831988A JPH0831988A JP6167620A JP16762094A JPH0831988A JP H0831988 A JPH0831988 A JP H0831988A JP 6167620 A JP6167620 A JP 6167620A JP 16762094 A JP16762094 A JP 16762094A JP H0831988 A JPH0831988 A JP H0831988A
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- H10W72/877—Bump connectors and die-attach connectors
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- Wire Bonding (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 安価でかつ信頼性の高いテープキャリアパッ
ケージの封止構造を提供する。 【構成】 有機絶縁フィルム2には導体3とLSIチッ
プ1とを電気的に接続するためにインナリード4が形成
されており、このインナリード4はLSIチップ1のチ
ップ周辺に設けられたパッドに接合される。有機絶縁フ
ィルム2において、これらインナリード4とLSIチッ
プ1のパッドとの接合部分に対して封止用樹脂6を流し
込んで封止するときに有機絶縁フィルム2の裏面側に突
出した封止用樹脂6はセラミックキャップ5で覆われて
いる。
ケージの封止構造を提供する。 【構成】 有機絶縁フィルム2には導体3とLSIチッ
プ1とを電気的に接続するためにインナリード4が形成
されており、このインナリード4はLSIチップ1のチ
ップ周辺に設けられたパッドに接合される。有機絶縁フ
ィルム2において、これらインナリード4とLSIチッ
プ1のパッドとの接合部分に対して封止用樹脂6を流し
込んで封止するときに有機絶縁フィルム2の裏面側に突
出した封止用樹脂6はセラミックキャップ5で覆われて
いる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はテープキャリアパッケー
ジの封止構造に関し、特に樹脂封止して用いられるテー
プキャリアパッケージの封止構造に関する。
ジの封止構造に関し、特に樹脂封止して用いられるテー
プキャリアパッケージの封止構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、テープキャリアパッケージにおい
ては、電気的絶縁性を有する有機フィルム表面上にイン
ナリードを所定パターンで形成し、このインナリードを
有機フィルム上の回路パターンに電気的に接続するとと
もに、有機フィルム上に実装基板に対して電気的に接続
するためのアウタリードやパッド等が形成されている。
ては、電気的絶縁性を有する有機フィルム表面上にイン
ナリードを所定パターンで形成し、このインナリードを
有機フィルム上の回路パターンに電気的に接続するとと
もに、有機フィルム上に実装基板に対して電気的に接続
するためのアウタリードやパッド等が形成されている。
【0003】上記のテープキャリアパッケージではLS
Iチップを搭載する場合、LSIチップとインナリード
とを精度よく位置合わせし、LSIチップをインナリー
ド上にボンディングしている。
Iチップを搭載する場合、LSIチップとインナリード
とを精度よく位置合わせし、LSIチップをインナリー
ド上にボンディングしている。
【0004】このボンディングを行った後に、トランス
ファモールドやポッティングによってLSIチップ及び
インナリードが樹脂封止されている。トランスファモー
ルドで樹脂封止する方法では予め用意したモールド金型
を用い、さらに圧力をかけて樹脂を注入している。
ファモールドやポッティングによってLSIチップ及び
インナリードが樹脂封止されている。トランスファモー
ルドで樹脂封止する方法では予め用意したモールド金型
を用い、さらに圧力をかけて樹脂を注入している。
【0005】また、ポッティングによる樹脂封止の方法
では液状樹脂をノズルから流し出し、LSIチップとイ
ンナリードとにコーティングすることで樹脂封止を行っ
ている。
では液状樹脂をノズルから流し出し、LSIチップとイ
ンナリードとにコーティングすることで樹脂封止を行っ
ている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のテープ
キャリアパッケージでは、トランスファモールドによっ
てLSIチップ及びインナリードを樹脂封止する場合、
モールド金型を必要とするとともに、圧力をかけて樹脂
を注入しなければならない。
キャリアパッケージでは、トランスファモールドによっ
てLSIチップ及びインナリードを樹脂封止する場合、
モールド金型を必要とするとともに、圧力をかけて樹脂
を注入しなければならない。
【0007】そのため、このトランスファモールドによ
る方法では設備的に高価なものとなり、しかも樹脂注入
時の圧力や樹脂の流動によってインナリードのボンディ
ング部分やLSIチップ上のアルミ配線部分に機械的ス
トレスがかかり、接続不良やアルミ配線ずれ等の不良が
発生する恐れがある。
る方法では設備的に高価なものとなり、しかも樹脂注入
時の圧力や樹脂の流動によってインナリードのボンディ
ング部分やLSIチップ上のアルミ配線部分に機械的ス
トレスがかかり、接続不良やアルミ配線ずれ等の不良が
発生する恐れがある。
【0008】一方、ポッティングによる樹脂封止の場合
には、設備的に安価としかつ機械的ストレスを低減する
ことができるが、LSIチップのチップ面(LSIチッ
プのインナリードとのボンディング部分)から有機フィ
ルムの裏面にかけて形成される封止樹脂の厚みを均一に
コントロールするのが非常に困難である。
には、設備的に安価としかつ機械的ストレスを低減する
ことができるが、LSIチップのチップ面(LSIチッ
プのインナリードとのボンディング部分)から有機フィ
ルムの裏面にかけて形成される封止樹脂の厚みを均一に
コントロールするのが非常に困難である。
【0009】そのため、テープキャリアパッケージを実
装基板上に実装する際にテープキャリアパッケージと実
装基板との間のギャップを均一に保つことができなくな
り、テープキャリアパッケージの実装基板への実装にお
ける信頼性が損なわれてしまう。
装基板上に実装する際にテープキャリアパッケージと実
装基板との間のギャップを均一に保つことができなくな
り、テープキャリアパッケージの実装基板への実装にお
ける信頼性が損なわれてしまう。
【0010】また、トランスファモールドによる樹脂封
止及びポッティングによる樹脂封止のいずれの場合で
も、有機樹脂で封止しているため、防湿性に劣るという
問題がある。
止及びポッティングによる樹脂封止のいずれの場合で
も、有機樹脂で封止しているため、防湿性に劣るという
問題がある。
【0011】すなわち、有機樹脂に湿気が吸入される
と、LSIチップ内の配線で電気的マイグレーションが
発生したり、あるいは内部に吸入された水分が半田付け
等による発熱やLSIチップでの発熱によって膨脹し、
封止された有機樹脂が剥離したりするので、信頼性を著
しく損なってしまう。
と、LSIチップ内の配線で電気的マイグレーションが
発生したり、あるいは内部に吸入された水分が半田付け
等による発熱やLSIチップでの発熱によって膨脹し、
封止された有機樹脂が剥離したりするので、信頼性を著
しく損なってしまう。
【0012】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解
消し、安価でかつ信頼性の高いテープキャリアパッケー
ジの封止構造を提供することにある。
消し、安価でかつ信頼性の高いテープキャリアパッケー
ジの封止構造を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明によるテープキャ
リアパッケージの封止構造は、有機絶縁フィルムの表面
に形成された導体パターンに電気的に接続されたインナ
リード上に大規模集積回路チップを搭載するテープキャ
リアパッケージの封止構造であって、前記大規模集積回
路チップ及びインナリードをその搭載部分で封止する樹
脂部材と、前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記
樹脂部材を被覆するキャップ部材とを備えている。
リアパッケージの封止構造は、有機絶縁フィルムの表面
に形成された導体パターンに電気的に接続されたインナ
リード上に大規模集積回路チップを搭載するテープキャ
リアパッケージの封止構造であって、前記大規模集積回
路チップ及びインナリードをその搭載部分で封止する樹
脂部材と、前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記
樹脂部材を被覆するキャップ部材とを備えている。
【0014】本発明による他のテープキャリアパッケー
ジの封止構造は、上記の構成のほかに、前記大規模集積
回路チップの搭載面に対向する面に取付けられた放熱板
と前記有機絶縁フィルムの表面との間隙を遮蔽する枠板
を備えている。
ジの封止構造は、上記の構成のほかに、前記大規模集積
回路チップの搭載面に対向する面に取付けられた放熱板
と前記有機絶縁フィルムの表面との間隙を遮蔽する枠板
を備えている。
【0015】本発明による別のテープキャリアパッケー
ジの封止構造は、上記の構成において、前記キャップ部
材と前記枠板と前記放熱板とによって囲まれた空間内に
前記樹脂部材を充填している。
ジの封止構造は、上記の構成において、前記キャップ部
材と前記枠板と前記放熱板とによって囲まれた空間内に
前記樹脂部材を充填している。
【0016】
【作用】LSIチップとインナリードとの接合部分を覆
う封止用樹脂と外気との接触をセラミックキャップ及び
セラミック枠板、または金属製キャップ及び金属製枠板
によって遮蔽する。
う封止用樹脂と外気との接触をセラミックキャップ及び
セラミック枠板、または金属製キャップ及び金属製枠板
によって遮蔽する。
【0017】これによって、封止用樹脂が湿気を吸入し
たときにLSIチップ内の配線で電気的マイグレーショ
ンが発生したり、あるいは封止用樹脂が剥離したりする
のを防止することができるので、封止用樹脂のみでは不
十分な防湿性の飛躍的な向上が図れる。
たときにLSIチップ内の配線で電気的マイグレーショ
ンが発生したり、あるいは封止用樹脂が剥離したりする
のを防止することができるので、封止用樹脂のみでは不
十分な防湿性の飛躍的な向上が図れる。
【0018】また、LSIチップと有機絶縁フィルムと
の間隙をセラミック枠板または金属製枠板で塞ぐことに
よって、LSIチップとインナリードとの接合部分を覆
う封止用樹脂が全て覆われるので、いっそうの防湿性向
上が図れる。
の間隙をセラミック枠板または金属製枠板で塞ぐことに
よって、LSIチップとインナリードとの接合部分を覆
う封止用樹脂が全て覆われるので、いっそうの防湿性向
上が図れる。
【0019】さらに、テープキャリアパッケージの実装
を考えた場合、封止用樹脂のコーティング厚みが不均一
であると、実装基板への実装時にその信頼性が悪化する
が、本発明の封止構造を採ることでLSIチップのチッ
プ面とセラミックキャップまたは金属製キャップとの距
離が一定に保たれる。よって、テープキャリアパッケー
ジと実装基板とのギャップが均一に保たれ、その信頼性
の向上が図れる。
を考えた場合、封止用樹脂のコーティング厚みが不均一
であると、実装基板への実装時にその信頼性が悪化する
が、本発明の封止構造を採ることでLSIチップのチッ
プ面とセラミックキャップまたは金属製キャップとの距
離が一定に保たれる。よって、テープキャリアパッケー
ジと実装基板とのギャップが均一に保たれ、その信頼性
の向上が図れる。
【0020】さらにまた、金属製キャップの場合に、金
属製キャップに絶縁膜を被覆し、金属製キャップを実装
基板に面接合することで、テープキャリアパッケージが
固定され、実装における信頼性の向上が図れる。
属製キャップに絶縁膜を被覆し、金属製キャップを実装
基板に面接合することで、テープキャリアパッケージが
固定され、実装における信頼性の向上が図れる。
【0021】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【0022】図1は本発明の一実施例の断面図である。
図において、LSIチップ1は17.5mm×17.5
mmの矩形形状であり、約800個のI/O端子がチッ
プ周辺に80μmピッチで形成されている。
図において、LSIチップ1は17.5mm×17.5
mmの矩形形状であり、約800個のI/O端子がチッ
プ周辺に80μmピッチで形成されている。
【0023】有機絶縁フィルム2の表面には導体3(例
えば、銅導体)で回路配線パターンが形成されている。
この導体3の厚みは約10〜25μmであり、その表面
には金メッキが施されている。
えば、銅導体)で回路配線パターンが形成されている。
この導体3の厚みは約10〜25μmであり、その表面
には金メッキが施されている。
【0024】また、有機絶縁フィルム2には実装基板
(図示せず)への電気的接続のためにスルーホール(図
示せず)が形成されるか、あるいはその外側にアウタリ
ードが形成されている。スルーホールの場合には、有機
絶縁フィルム2の表面の回路配線パターンがスルーホー
ルを介して有機絶縁フィルム2の裏面につながるように
なっている。
(図示せず)への電気的接続のためにスルーホール(図
示せず)が形成されるか、あるいはその外側にアウタリ
ードが形成されている。スルーホールの場合には、有機
絶縁フィルム2の表面の回路配線パターンがスルーホー
ルを介して有機絶縁フィルム2の裏面につながるように
なっている。
【0025】さらに、有機絶縁フィルム2には導体3と
LSIチップ1とを電気的に接続するためにインナリー
ド4が形成されており、このインナリード4がLSIチ
ップ1のチップ周辺に設けられたパッドに接合されてい
る。
LSIチップ1とを電気的に接続するためにインナリー
ド4が形成されており、このインナリード4がLSIチ
ップ1のチップ周辺に設けられたパッドに接合されてい
る。
【0026】有機絶縁フィルム2において、これらイン
ナリード4とLSIチップ1のパッドとの接合部分は貫
通孔となっており、インナリード4とLSIチップ1の
パッドとの接合部分に対して封止用樹脂6を流し込む
と、封止用樹脂6は有機絶縁フィルム2の裏面側にも突
出する。
ナリード4とLSIチップ1のパッドとの接合部分は貫
通孔となっており、インナリード4とLSIチップ1の
パッドとの接合部分に対して封止用樹脂6を流し込む
と、封止用樹脂6は有機絶縁フィルム2の裏面側にも突
出する。
【0027】本発明の一実施例では有機絶縁フィルム2
の裏面に突出した封止用樹脂6をセラミックキャップ5
で覆っている。セラミックキャップ5は封止用樹脂6に
この封仕用樹脂6の接着力で固着されている。
の裏面に突出した封止用樹脂6をセラミックキャップ5
で覆っている。セラミックキャップ5は封止用樹脂6に
この封仕用樹脂6の接着力で固着されている。
【0028】ここで、セラミックキャップ5としては多
孔性のもの(防湿性のないもの)を除くセラミック材を
用いる。すなわち、セラミックキャップ5としては防湿
性を有するものを用いる。
孔性のもの(防湿性のないもの)を除くセラミック材を
用いる。すなわち、セラミックキャップ5としては防湿
性を有するものを用いる。
【0029】セラミックキャップ5で封止用樹脂6を覆
う方法としては、セラミックキャップ5をインナリード
4とLSIチップ1のパッドとの接合部分に設けられた
貫通孔の位置で有機絶縁フィルム2の裏面に設置し、そ
の状態でインナリード4とLSIチップ1のパッドとの
接合部分を覆うように封止用樹脂6を流し込む方法や、
有機絶縁フィルム2の裏面に突出した封止用樹脂6にセ
ラミックキャップ5を押し付ける方法がある。
う方法としては、セラミックキャップ5をインナリード
4とLSIチップ1のパッドとの接合部分に設けられた
貫通孔の位置で有機絶縁フィルム2の裏面に設置し、そ
の状態でインナリード4とLSIチップ1のパッドとの
接合部分を覆うように封止用樹脂6を流し込む方法や、
有機絶縁フィルム2の裏面に突出した封止用樹脂6にセ
ラミックキャップ5を押し付ける方法がある。
【0030】封止用樹脂6としてはエポキシ系樹脂を用
い、LSIチップ1上の回路面及びインナリード4との
接合部分を完全に覆った構造となるように流し込まれ
る。
い、LSIチップ1上の回路面及びインナリード4との
接合部分を完全に覆った構造となるように流し込まれ
る。
【0031】封止構造を上記のような構造とすること
で、封止用樹脂6の封止の際の機械的ストレスを低減さ
せるとともに、防湿性に優れかつ信頼性の高い封止構造
が得られる。
で、封止用樹脂6の封止の際の機械的ストレスを低減さ
せるとともに、防湿性に優れかつ信頼性の高い封止構造
が得られる。
【0032】また、有機絶縁フィルム2の裏面に突出し
た封止用樹脂6をセラミックキャップ5で覆ってしまう
ので、LSIチップ1のチップ面からセラミックキャッ
プ5までの間隔が十分にコントロール可能となる。よっ
て、テープキャリアパッケージと実装基板との間のギャ
ップを均一に保つことが可能となる。
た封止用樹脂6をセラミックキャップ5で覆ってしまう
ので、LSIチップ1のチップ面からセラミックキャッ
プ5までの間隔が十分にコントロール可能となる。よっ
て、テープキャリアパッケージと実装基板との間のギャ
ップを均一に保つことが可能となる。
【0033】本発明の一実施例では厚さ50μmのポリ
イミドフィルムが有機絶縁フィルム2として用いられて
いる。このポリイミドフィルムは耐熱性があり、寸法安
定性が良好で、しかも導体3との密着性が十分である。
イミドフィルムが有機絶縁フィルム2として用いられて
いる。このポリイミドフィルムは耐熱性があり、寸法安
定性が良好で、しかも導体3との密着性が十分である。
【0034】これに対し、フッ素系フィルムやエポキシ
系フィルム等では耐熱性や寸法安定性、あるいは導体3
との密着性が必ずしも十分とはいえないが、本発明の一
実施例による封止構造をこれらのフィルムにも広く適用
することは可能である。
系フィルム等では耐熱性や寸法安定性、あるいは導体3
との密着性が必ずしも十分とはいえないが、本発明の一
実施例による封止構造をこれらのフィルムにも広く適用
することは可能である。
【0035】図2は本発明の他の実施例の断面図であ
る。図において、本発明の他の実施例による封止構造で
はセラミックキャップ5の代わりに金属製キャップ7を
用いた以外は図1に示す本発明の一実施例と同様の構成
となっており、同一構成要素には同一符号を付してあ
る。
る。図において、本発明の他の実施例による封止構造で
はセラミックキャップ5の代わりに金属製キャップ7を
用いた以外は図1に示す本発明の一実施例と同様の構成
となっており、同一構成要素には同一符号を付してあ
る。
【0036】金属製キャップ7で封止用樹脂6を覆う方
法としては、上記の方法と同様にして行われる。この金
属製キャップ7の外周は絶縁膜8で被覆されており、金
属製キャップ7を実装基板に面接合してテープキャリア
パッケージを実装基板上に固定することができる。これ
によって、テープキャリアパッケージの実装基板への実
装における信頼性を向上させることができる。
法としては、上記の方法と同様にして行われる。この金
属製キャップ7の外周は絶縁膜8で被覆されており、金
属製キャップ7を実装基板に面接合してテープキャリア
パッケージを実装基板上に固定することができる。これ
によって、テープキャリアパッケージの実装基板への実
装における信頼性を向上させることができる。
【0037】尚、金属製キャップ7を実装基板に面接合
しない場合には金属製キャップ7を絶縁膜8で被覆する
必要はない。よって、封仕用樹脂6を絶縁膜8で被覆さ
れていない金属製キャップ7で覆うだけでも本発明の目
的は達成される。
しない場合には金属製キャップ7を絶縁膜8で被覆する
必要はない。よって、封仕用樹脂6を絶縁膜8で被覆さ
れていない金属製キャップ7で覆うだけでも本発明の目
的は達成される。
【0038】図3は本発明の別の実施例の断面図であ
る。図において、LSIチップ1はチップ周辺に設けた
パッドでインナリード4に接続され、有機絶縁フィルム
2上に形成された導体3と電気的に接続されている。
る。図において、LSIチップ1はチップ周辺に設けた
パッドでインナリード4に接続され、有機絶縁フィルム
2上に形成された導体3と電気的に接続されている。
【0039】また、LSIチップ1上には放熱板9が接
着層10によって固着されている。放熱板9の材質とし
てはCu−Wを用いている。このCu−Wの熱伝導率は
約180W/mKと高く、熱膨張係数は約6.5×10
-6/℃である。
着層10によって固着されている。放熱板9の材質とし
てはCu−Wを用いている。このCu−Wの熱伝導率は
約180W/mKと高く、熱膨張係数は約6.5×10
-6/℃である。
【0040】放熱板9の材質としてはCu−W以外にも
Cu−Mo系やCu−コバール系、Cu−W−Ni系、
Cu系の金属材料やAlNのセラミック材料等の熱伝導
率の高いものを用いることもできる。
Cu−Mo系やCu−コバール系、Cu−W−Ni系、
Cu系の金属材料やAlNのセラミック材料等の熱伝導
率の高いものを用いることもできる。
【0041】接着層10はLSIチップ1にAgエポキ
シ接着剤を均一に塗布して形成されている。この接着層
10の材質についても熱抵抗の低い材料が有利であり、
Agエポキシ接着剤以外にもAu−Si系のろう材等を
接着層10に用いることもできる。この場合、LSIチ
ップ1にはTi−Auメタライズを、放熱板9にはNi
メッキを施して熱処理を行う。
シ接着剤を均一に塗布して形成されている。この接着層
10の材質についても熱抵抗の低い材料が有利であり、
Agエポキシ接着剤以外にもAu−Si系のろう材等を
接着層10に用いることもできる。この場合、LSIチ
ップ1にはTi−Auメタライズを、放熱板9にはNi
メッキを施して熱処理を行う。
【0042】LSIチップ1に放熱板9を取付けた状態
で、LSIチップ1周囲の有機絶縁フィルム2と放熱板
9との間に矩形リング状のセラミック枠板11をセット
し、有機絶縁フィルム2の裏面側から封止用樹脂6をL
SIチップ1とインナリード4との接合部分を完全に覆
うように流し込む。
で、LSIチップ1周囲の有機絶縁フィルム2と放熱板
9との間に矩形リング状のセラミック枠板11をセット
し、有機絶縁フィルム2の裏面側から封止用樹脂6をL
SIチップ1とインナリード4との接合部分を完全に覆
うように流し込む。
【0043】この封止用樹脂6の流し込みによって有機
絶縁フィルム2の裏面側から突出した封止用樹脂6をセ
ラミックキャップ5で覆うように、セラミックキャップ
5を取付ける。セラミックキャップ5は封止用樹脂6に
この封止用樹脂6の接着力で固着される。
絶縁フィルム2の裏面側から突出した封止用樹脂6をセ
ラミックキャップ5で覆うように、セラミックキャップ
5を取付ける。セラミックキャップ5は封止用樹脂6に
この封止用樹脂6の接着力で固着される。
【0044】これによって、LSIチップ1とインナリ
ード4との接合部分を覆う封止用樹脂6と外気との接触
はセラミックキャップ5及びセラミック枠板11によっ
て完全に遮蔽されるので、防湿性に優れた封止構造が得
られ、極めて高い信頼性を保障することができる。
ード4との接合部分を覆う封止用樹脂6と外気との接触
はセラミックキャップ5及びセラミック枠板11によっ
て完全に遮蔽されるので、防湿性に優れた封止構造が得
られ、極めて高い信頼性を保障することができる。
【0045】尚、セラミックキャップ5及びセラミック
枠板11としては多孔性のもの(防湿性のないもの)を
除くセラミック材を用いる。すなわち、セラミックキャ
ップ5及びセラミック枠板11としては防湿性を有する
ものを用いる。
枠板11としては多孔性のもの(防湿性のないもの)を
除くセラミック材を用いる。すなわち、セラミックキャ
ップ5及びセラミック枠板11としては防湿性を有する
ものを用いる。
【0046】図4は本発明のさらに別の実施例の断面図
である。図において、本発明のさらに別の実施例による
封止構造ではセラミックキャップ5及びセラミック枠板
11の代わりに金属製キャップ7及び金属製枠板12を
用いた以外は図3に示す本発明の別の実施例と同様の構
成となっており、同一構成要素には同一符号を付してあ
る。
である。図において、本発明のさらに別の実施例による
封止構造ではセラミックキャップ5及びセラミック枠板
11の代わりに金属製キャップ7及び金属製枠板12を
用いた以外は図3に示す本発明の別の実施例と同様の構
成となっており、同一構成要素には同一符号を付してあ
る。
【0047】金属製キャップ7及び金属製枠板12で封
止用樹脂6を覆う方法としては、上記の方法と同様にし
て行われる。また、金属製キャップ7及び金属製枠板1
2各々の外周は絶縁膜8,13で被覆されており、金属
製キャップ7を実装基板に面接合してテープキャリアパ
ッケージを実装基板上に固定することができる。これに
よって、テープキャリアパッケージの実装基板への実装
における信頼性を向上させることができる。
止用樹脂6を覆う方法としては、上記の方法と同様にし
て行われる。また、金属製キャップ7及び金属製枠板1
2各々の外周は絶縁膜8,13で被覆されており、金属
製キャップ7を実装基板に面接合してテープキャリアパ
ッケージを実装基板上に固定することができる。これに
よって、テープキャリアパッケージの実装基板への実装
における信頼性を向上させることができる。
【0048】尚、金属製キャップ7を実装基板に面接合
しない場合や金属製枠板12の絶縁が不要な場合には、
金属製キャップ7及び金属製枠板12を各々絶縁膜8,
13で被覆する必要はない。
しない場合や金属製枠板12の絶縁が不要な場合には、
金属製キャップ7及び金属製枠板12を各々絶縁膜8,
13で被覆する必要はない。
【0049】このように、LSIチップ1とインナリー
ド4との接合部分を覆う封止用樹脂6と外気との接触を
セラミックキャップ5及びセラミック枠板11、または
金属製キャップ7及び金属製枠板12によって遮蔽する
ことによって、封止用樹脂6のみでは不十分な防湿性を
飛躍的に向上させることができる。
ド4との接合部分を覆う封止用樹脂6と外気との接触を
セラミックキャップ5及びセラミック枠板11、または
金属製キャップ7及び金属製枠板12によって遮蔽する
ことによって、封止用樹脂6のみでは不十分な防湿性を
飛躍的に向上させることができる。
【0050】すなわち、封止用樹脂6が湿気を吸入する
と、LSIチップ1内の配線で電気的マイグレーション
が発生したり、あるいは封止用樹脂6が剥離したりする
が、セラミックキャップ5または金属製キャップ7によ
って封止用樹脂6を覆うことでこれらが発生するのを防
止することができる。
と、LSIチップ1内の配線で電気的マイグレーション
が発生したり、あるいは封止用樹脂6が剥離したりする
が、セラミックキャップ5または金属製キャップ7によ
って封止用樹脂6を覆うことでこれらが発生するのを防
止することができる。
【0051】また、LSIチップ1と有機絶縁フィルム
2との間隙をセラミック枠板11または金属製枠板12
で塞ぐことによって、LSIチップ1とインナリード4
との接合部分を覆う封止用樹脂6を全て覆うことがで
き、いっそうの防湿性向上を図ることができる。
2との間隙をセラミック枠板11または金属製枠板12
で塞ぐことによって、LSIチップ1とインナリード4
との接合部分を覆う封止用樹脂6を全て覆うことがで
き、いっそうの防湿性向上を図ることができる。
【0052】さらに、テープキャリアパッケージの実装
を考えた場合、封止用樹脂6のコーティング厚みが不均
一であると、実装基板への実装時にその信頼性が悪化す
るが、本発明の封止構造を採ることでLSIチップ1の
チップ面とセラミックキャップ5または金属製キャップ
7との距離を一定に保つことができる。よって、テープ
キャリアパッケージと実装基板とのギャップを均一に保
つことができ、その信頼性を向上させることができる。
を考えた場合、封止用樹脂6のコーティング厚みが不均
一であると、実装基板への実装時にその信頼性が悪化す
るが、本発明の封止構造を採ることでLSIチップ1の
チップ面とセラミックキャップ5または金属製キャップ
7との距離を一定に保つことができる。よって、テープ
キャリアパッケージと実装基板とのギャップを均一に保
つことができ、その信頼性を向上させることができる。
【0053】さらにまた、金属製キャップ7の場合に、
金属製キャップ7に絶縁膜8を被覆し、金属製キャップ
7を実装基板に面接合することで、テープキャリアパッ
ケージを固定することができ、実装における信頼性を向
上させることができる。
金属製キャップ7に絶縁膜8を被覆し、金属製キャップ
7を実装基板に面接合することで、テープキャリアパッ
ケージを固定することができ、実装における信頼性を向
上させることができる。
【0054】尚、請求項の記載に関連して本発明はさら
に次の態様をとりうる。
に次の態様をとりうる。
【0055】(1)有機絶縁フィルムの表面に形成され
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆するセラミック製キャップ部材とを有することを特
徴とする封止構造。
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆するセラミック製キャップ部材とを有することを特
徴とする封止構造。
【0056】(2)有機絶縁フィルムの表面に形成され
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆するセラミック製キャップ部材と、前記大規模集積
回路チップの搭載面に対向する面に取付けられた放熱板
と前記有機絶縁フィルムの表面との間隙を遮蔽するセラ
ミック製枠板とを有することを特徴とする封止構造。
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆するセラミック製キャップ部材と、前記大規模集積
回路チップの搭載面に対向する面に取付けられた放熱板
と前記有機絶縁フィルムの表面との間隙を遮蔽するセラ
ミック製枠板とを有することを特徴とする封止構造。
【0057】(3)有機絶縁フィルムの表面に形成され
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆するセラミック製キャップ部材と、前記大規模集積
回路チップの搭載面に対向する面に取付けられた放熱板
と前記有機絶縁フィルムの表面との間隙を遮蔽するセラ
ミック製枠板とを有し、前記セラミック製キャップ部材
と前記セラミック製枠板と前記放熱板とによって囲まれ
た空間内に前記樹脂部材を充填したことを特徴とする封
止構造。
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆するセラミック製キャップ部材と、前記大規模集積
回路チップの搭載面に対向する面に取付けられた放熱板
と前記有機絶縁フィルムの表面との間隙を遮蔽するセラ
ミック製枠板とを有し、前記セラミック製キャップ部材
と前記セラミック製枠板と前記放熱板とによって囲まれ
た空間内に前記樹脂部材を充填したことを特徴とする封
止構造。
【0058】(4)有機絶縁フィルムの表面に形成され
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆する金属製キャップ部材とを有することを特徴とす
る封止構造。
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆する金属製キャップ部材とを有することを特徴とす
る封止構造。
【0059】(5)有機絶縁フィルムの表面に形成され
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆する金属製キャップ部材と、前記大規模集積回路チ
ップの搭載面に対向する面に取付けられた放熱板と前記
有機絶縁フィルムの表面との間隙を遮蔽する金属製枠板
とを有することを特徴とする封止構造。
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆する金属製キャップ部材と、前記大規模集積回路チ
ップの搭載面に対向する面に取付けられた放熱板と前記
有機絶縁フィルムの表面との間隙を遮蔽する金属製枠板
とを有することを特徴とする封止構造。
【0060】(6)有機絶縁フィルムの表面に形成され
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆する金属製キャップ部材と、前記大規模集積回路チ
ップの搭載面に対向する面に取付けられた放熱板と前記
有機絶縁フィルムの表面との間隙を遮蔽する金属製枠板
とを有し、前記金属製キャップ部材と前記金属製枠板と
前記放熱板とによって囲まれた空間内に前記樹脂部材を
充填したことを特徴とする封止構造。
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆する金属製キャップ部材と、前記大規模集積回路チ
ップの搭載面に対向する面に取付けられた放熱板と前記
有機絶縁フィルムの表面との間隙を遮蔽する金属製枠板
とを有し、前記金属製キャップ部材と前記金属製枠板と
前記放熱板とによって囲まれた空間内に前記樹脂部材を
充填したことを特徴とする封止構造。
【0061】(7)有機絶縁フィルムの表面に形成され
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆する金属製キャップ部材と、前記金属製キャップ部
材の外周を被覆する絶縁膜とを有することを特徴とする
封止構造。
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆する金属製キャップ部材と、前記金属製キャップ部
材の外周を被覆する絶縁膜とを有することを特徴とする
封止構造。
【0062】(8)有機絶縁フィルムの表面に形成され
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆する金属製キャップ部材と、前記金属製キャップ部
材の外周を被覆する第1の絶縁膜と、前記大規模集積回
路チップの搭載面に対向する面に取付けられた放熱板と
前記有機絶縁フィルムの表面との間隙を遮蔽する金属製
枠板と、前記金属製枠板の外周を被覆する第2の絶縁膜
とを有することを特徴とする封止構造。
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆する金属製キャップ部材と、前記金属製キャップ部
材の外周を被覆する第1の絶縁膜と、前記大規模集積回
路チップの搭載面に対向する面に取付けられた放熱板と
前記有機絶縁フィルムの表面との間隙を遮蔽する金属製
枠板と、前記金属製枠板の外周を被覆する第2の絶縁膜
とを有することを特徴とする封止構造。
【0063】(9)有機絶縁フィルムの表面に形成され
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆する金属製キャップ部材と、前記金属製キャップ部
材の外周を被覆する第1の絶縁膜と、前記大規模集積回
路チップの搭載面に対向する面に取付けられた放熱板と
前記有機絶縁フィルムの表面との間隙を遮蔽する金属製
枠板と、前記金属製枠板の外周を被覆する第2の絶縁膜
とを有し、前記金属製キャップ部材と前記金属製枠板と
前記放熱板とによって囲まれた空間内に前記樹脂部材を
充填したことを特徴とする封止構造。
た導体パターンに電気的に接続されたインナリード上に
大規模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケ
ージの封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及
びインナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、
前記有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を
被覆する金属製キャップ部材と、前記金属製キャップ部
材の外周を被覆する第1の絶縁膜と、前記大規模集積回
路チップの搭載面に対向する面に取付けられた放熱板と
前記有機絶縁フィルムの表面との間隙を遮蔽する金属製
枠板と、前記金属製枠板の外周を被覆する第2の絶縁膜
とを有し、前記金属製キャップ部材と前記金属製枠板と
前記放熱板とによって囲まれた空間内に前記樹脂部材を
充填したことを特徴とする封止構造。
【0064】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、有
機絶縁フィルムの表面に形成された導体パターンに電気
的に接続されたインナリードと大規模集積回路チップと
の接合部分を樹脂部材で封止し、有機絶縁フィルムの裏
面に突出した樹脂部材をキャップ部材で被覆することに
よって、安価でかつ信頼性の高いテープキャリアパッケ
ージの封止構造を提供することができるという効果があ
る。
機絶縁フィルムの表面に形成された導体パターンに電気
的に接続されたインナリードと大規模集積回路チップと
の接合部分を樹脂部材で封止し、有機絶縁フィルムの裏
面に突出した樹脂部材をキャップ部材で被覆することに
よって、安価でかつ信頼性の高いテープキャリアパッケ
ージの封止構造を提供することができるという効果があ
る。
【図1】本発明の一実施例の断面図である。
【図2】本発明の他の実施例の断面図である。
【図3】本発明の別の実施例の断面図である。
【図4】本発明のさらに別の実施例の断面図である。
【符号の説明】 1 LSIチップ 2 有機絶縁フィルム 3 導体 4 インナリード 5 セラミックキャップ 6 封止用樹脂 7 金属製キャップ 8,13 絶縁膜 9 放熱板 11 セラミック枠板 12 金属製枠板
Claims (3)
- 【請求項1】 有機絶縁フィルムの表面に形成された導
体パターンに電気的に接続されたインナリード上に大規
模集積回路チップを搭載するテープキャリアパッケージ
の封止構造であって、前記大規模集積回路チップ及びイ
ンナリードをその搭載部分で封止する樹脂部材と、前記
有機絶縁フィルムの裏面に突出した前記樹脂部材を被覆
するキャップ部材とを有することを特徴とする封止構
造。 - 【請求項2】 前記大規模集積回路チップの搭載面に対
向する面に取付けられた放熱板と前記有機絶縁フィルム
の表面との間隙を遮蔽する枠板を含むことを特徴とする
請求項1記載の封止構造。 - 【請求項3】 前記キャップ部材と前記枠板と前記放熱
板とによって囲まれた空間内に前記樹脂部材を充填した
ことを特徴とする請求項2記載の封止構造。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6167620A JPH0831988A (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | テープキャリアパッケージの封止構造 |
| US08/498,797 US5814882A (en) | 1994-07-20 | 1995-07-06 | Seal structure for tape carrier package |
| FR9508753A FR2725833B1 (fr) | 1994-07-20 | 1995-07-19 | Structure d'etancheite pour un emballage porteur de bande et son procede de fabrication |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6167620A JPH0831988A (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | テープキャリアパッケージの封止構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831988A true JPH0831988A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15853169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6167620A Pending JPH0831988A (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | テープキャリアパッケージの封止構造 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5814882A (ja) |
| JP (1) | JPH0831988A (ja) |
| FR (1) | FR2725833B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990001459A (ko) * | 1997-06-16 | 1999-01-15 | 윤종용 | 칩 스케일 패키지 |
| US8896735B2 (en) | 2011-09-02 | 2014-11-25 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and camera system |
| US8908073B2 (en) | 2011-09-02 | 2014-12-09 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and camera system |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6448665B1 (en) * | 1997-10-15 | 2002-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package and manufacturing method thereof |
| US6495083B2 (en) | 1997-10-29 | 2002-12-17 | Hestia Technologies, Inc. | Method of underfilling an integrated circuit chip |
| US6324069B1 (en) | 1997-10-29 | 2001-11-27 | Hestia Technologies, Inc. | Chip package with molded underfill |
| US6038136A (en) * | 1997-10-29 | 2000-03-14 | Hestia Technologies, Inc. | Chip package with molded underfill |
| US6566596B1 (en) | 1997-12-29 | 2003-05-20 | Intel Corporation | Magnetic and electric shielding of on-board devices |
| US6350951B1 (en) * | 1997-12-29 | 2002-02-26 | Intel Corporation | Electric shielding of on-board devices |
| US6224711B1 (en) * | 1998-08-25 | 2001-05-01 | International Business Machines Corporation | Assembly process for flip chip package having a low stress chip and resulting structure |
| JP3876088B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2007-01-31 | ローム株式会社 | 半導体チップおよびマルチチップ型半導体装置 |
| US6525405B1 (en) * | 2000-03-30 | 2003-02-25 | Alphatec Holding Company Limited | Leadless semiconductor product packaging apparatus having a window lid and method for packaging |
| US6949824B1 (en) * | 2000-04-12 | 2005-09-27 | Micron Technology, Inc. | Internal package heat dissipator |
| US7034383B2 (en) * | 2002-01-17 | 2006-04-25 | Infineon Technologies Ag | Electronic component and panel and method for producing the same |
| DE10360723A1 (de) * | 2003-12-23 | 2005-07-21 | Daimlerchrysler Ag | Verfahren zur Erkennung einer Fahrwerkanomalie bei einem Kraftfahrzeug |
| US7256482B2 (en) * | 2004-08-12 | 2007-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit chip packaging assembly |
| US9099391B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-08-04 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor package with top-side insulation layer |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5886750A (ja) * | 1981-11-19 | 1983-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH01215050A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH0322464A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-30 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH04360562A (ja) * | 1991-06-07 | 1992-12-14 | Nec Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3235650A1 (de) * | 1982-09-27 | 1984-03-29 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Informationskarte und verfahren zu ihrer herstellung |
| JPS59195850A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-07 | Toshiba Corp | 半導体デバイス |
| JPS6089945A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 封止半導体装置 |
| JPS61166137A (ja) * | 1985-01-18 | 1986-07-26 | Nec Corp | 混成集積回路のチツプコ−テイング方法 |
| JPS61203644A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-09 | Suriibondo:Kk | 電子部品の製造方法 |
| US4839713A (en) * | 1987-02-20 | 1989-06-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Package structure for semiconductor device |
| JPH02155256A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2895504B2 (ja) * | 1989-04-19 | 1999-05-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPH0373559A (ja) * | 1989-08-15 | 1991-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH0411758A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2687707B2 (ja) * | 1990-09-29 | 1997-12-08 | 富士電機株式会社 | 受光半導体装置およびその組立方法 |
| JPH04207059A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH04267545A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-24 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| US5173764A (en) * | 1991-04-08 | 1992-12-22 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a particular lid means and encapsulant to reduce die stress |
| JP2923096B2 (ja) * | 1991-09-10 | 1999-07-26 | 株式会社日立製作所 | テープキャリアパッケージおよび高周波加熱はんだ接合装置 |
| JP2982450B2 (ja) * | 1991-11-26 | 1999-11-22 | 日本電気株式会社 | フィルムキャリア半導体装置及びその製造方法 |
| JPH06204285A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH06275677A (ja) * | 1993-03-23 | 1994-09-30 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 |
| US5679978A (en) * | 1993-12-06 | 1997-10-21 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having resin gate hole through substrate for resin encapsulation |
-
1994
- 1994-07-20 JP JP6167620A patent/JPH0831988A/ja active Pending
-
1995
- 1995-07-06 US US08/498,797 patent/US5814882A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-07-19 FR FR9508753A patent/FR2725833B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5886750A (ja) * | 1981-11-19 | 1983-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH01215050A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JPH0322464A (ja) * | 1989-06-19 | 1991-01-30 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH04360562A (ja) * | 1991-06-07 | 1992-12-14 | Nec Corp | 半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990001459A (ko) * | 1997-06-16 | 1999-01-15 | 윤종용 | 칩 스케일 패키지 |
| US8896735B2 (en) | 2011-09-02 | 2014-11-25 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and camera system |
| US8908073B2 (en) | 2011-09-02 | 2014-12-09 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and camera system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2725833B1 (fr) | 1998-04-17 |
| FR2725833A1 (fr) | 1996-04-19 |
| US5814882A (en) | 1998-09-29 |
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