JPH06204390A - Semiconductor device - Google Patents
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- JPH06204390A JPH06204390A JP5001274A JP127493A JPH06204390A JP H06204390 A JPH06204390 A JP H06204390A JP 5001274 A JP5001274 A JP 5001274A JP 127493 A JP127493 A JP 127493A JP H06204390 A JPH06204390 A JP H06204390A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/541—Dispositions of bond wires
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- H—ELECTRICITY
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、高集積化のために同一パッケージ
内に複数の半導体チップを収納する半導体装置に関し、
製造工程や製造設備を増やすことなく、パッケージ内の
チップバランストの良好なものを提供することを目的と
する。
【構成】 一対の半導体チップ1,2を絶縁膜3,3’
を介して上下に配置し、該半導体チップ1,2の複数の
電極部5,5’と外部に導出されるリード端子4とを電
気的に接続した状態で樹脂封止する半導体装置におい
て、前記一対の半導体チップ1,2は、回路パターンの
形成されていない裏面同士を対向させるよう配置し、前
記リード端子4は、少なくとも半導体チップ1,2の対
向する両外周部より突出するように上下の半導体チップ
1,2間に介在されていると共に、一端が更に延びて樹
脂外部に導出しており、一方の半導体チップ1の電極部
5が前記リード端子4の外部導出側表面に、他方の半導
体チップ2の電極部5’が該リード端子4の他端側の裏
面に接続される構成とする。
(57) [Summary] [Object] The present invention relates to a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are housed in the same package for high integration.
It is an object of the present invention to provide a chip with good chip balance in a package without increasing the manufacturing process or manufacturing equipment. [Structure] A pair of semiconductor chips 1 and 2 are formed into insulating films 3 and 3 '
In the semiconductor device, which is disposed above and below via a semiconductor chip and is resin-sealed in a state in which the plurality of electrode portions 5, 5 ′ of the semiconductor chips 1 and 2 and the lead terminals 4 led out to the outside are electrically connected, The pair of semiconductor chips 1 and 2 are arranged so that the back surfaces on which the circuit patterns are not formed face each other, and the lead terminals 4 are arranged above and below the semiconductor chips 1 and 2 so as to project from both outer peripheral portions thereof. While being interposed between the semiconductor chips 1 and 2, one end further extends and is led out to the outside of the resin, and the electrode portion 5 of one semiconductor chip 1 is on the outer lead-out side surface of the lead terminal 4 and the other semiconductor. The electrode portion 5'of the chip 2 is connected to the back surface of the lead terminal 4 on the other end side.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、同一パッケージ内に複
数の半導体チップを収納する半導体装置に関する。半導
体装置は、年々高集積化してきているが、近年同一パッ
ケージ内に複数の半導体チップを収納することで、集積
度を向上させようとする技術が開発されている。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device which houses a plurality of semiconductor chips in the same package. Semiconductor devices have been highly integrated year by year, but in recent years, a technique has been developed to improve the degree of integration by accommodating a plurality of semiconductor chips in the same package.
【0002】[0002]
【従来の技術】図6(a)(b)は、複数の半導体チッ
プをパッケージングした従来の半導体装置を示す断面
図、及び平面図である。但し、図6(b)ではパッケー
ジは透けて内部が見えている。図6の半導体装置は、2
個の半導体チップ21,22を絶縁膜23を介して裏面
同士を対向するように配置してモールド樹脂27により
封止したものである。各半導体チップ21,22の複数
の電極部にはパッド25が設けられており、外部に導出
されるリード端子24にワイヤーボンディング或いはT
AB方式により接続されている。2. Description of the Related Art FIGS. 6A and 6B are a sectional view and a plan view showing a conventional semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are packaged. However, in FIG. 6B, the inside of the package is visible through the package. The semiconductor device of FIG.
The individual semiconductor chips 21 and 22 are arranged so that their back surfaces face each other with an insulating film 23 in between and sealed with a mold resin 27. Pads 25 are provided on a plurality of electrode portions of each of the semiconductor chips 21 and 22, and are connected to the lead terminals 24 led out to the outside by wire bonding or T bonding.
It is connected by the AB method.
【0003】同じ1本のリード端子24には、その表裏
に上下の半導体チップ21,22の回路的に同一の電極
をそれぞれ接続しなければならないため、上下でパッド
25の位置が同じになるように上下の半導体チップ2
1,22は鏡像の関係にする必要がある。即ち、図6
(b)において、リード端子にはパッドaが接続され
ているが、仮に同様な半導体チップ21を用いてリード
端子24の裏面側に接続させようとすると、パッドaは
リード端子側に位置することになる。この位置からリ
ード端子に接続することはできないため、リード端子
の裏面側に搭載した時に、図6(b)の半導体チップの
パッドaと回路的に同様なパッドがリード端子側に位
置するようにレイアウトを変えなければならない。Since the same circuit-wise electrodes of the upper and lower semiconductor chips 21 and 22 must be connected to the same lead terminal 24 on the front and back sides, the positions of the pads 25 should be the same on the upper and lower sides. Upper and lower semiconductor chips 2
It is necessary that 1 and 22 have a mirror image relationship. That is, FIG.
In (b), the pad a is connected to the lead terminal. However, if the same semiconductor chip 21 is used to connect to the back surface side of the lead terminal 24, the pad a should be located on the lead terminal side. become. Since it is not possible to connect to the lead terminal from this position, when mounted on the back surface side of the lead terminal, a pad similar in circuit to the pad a of the semiconductor chip in FIG. 6B is positioned on the lead terminal side. You have to change the layout.
【0004】以上の理由からレイアウトの異なる2種類
の半導体チップの裏面同士を対向させて鏡像の関係にな
るように構成している。このように、上下の半導体チッ
プを鏡像関係にして樹脂封止する技術は、例えば、特開
昭64-77135号公報に記載されている。また、図7に断面
図を示すが、全く同一の半導体チップ31,31’を上
下に重ねて樹脂封止するような技術も考えられている。
この場合パッド35,35’を有する面を両チップ共上
側にして配置しなければならないため、下方の半導体チ
ップ31’のパッド35’上に絶縁膜33を介して上方
の半導体チップ31を搭載している。For the above reasons, the rear surfaces of two types of semiconductor chips having different layouts are made to face each other so as to have a mirror image relationship. The technique of resin-sealing the upper and lower semiconductor chips in a mirror image relationship is described in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 64-77135. Further, a cross-sectional view is shown in FIG. 7, but a technique in which completely identical semiconductor chips 31, 31 'are vertically stacked and resin-sealed is also considered.
In this case, since the surfaces having the pads 35 and 35 'must be arranged so that both chips are on the upper side, the upper semiconductor chip 31 is mounted on the pad 35' of the lower semiconductor chip 31 'via the insulating film 33. ing.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】まず、図6の半導体装
置は、前項でも説明したように、上下の半導体チップ2
1,22を鏡像関係にするため、2種類の異なる半導体
チップを用意する必要がある。従って、ウエハプロセス
の段階から異なるマスクを用いる等、製造工程において
設備及び工数の増大を招くことになる。First, in the semiconductor device of FIG. 6, the upper and lower semiconductor chips 2 as described in the previous section.
It is necessary to prepare two different types of semiconductor chips in order to make 1 and 22 mirror images. Therefore, equipment and man-hours are increased in the manufacturing process, such as using different masks from the wafer process stage.
【0006】また、図7の半導体装置の場合は、1種類
の同一の半導体チップを用いるため、前者のような課題
はない。しかしながら、下方の半導体チップの回路パタ
ーン形成面上に半導体チップを搭載しており、パッドや
回路パターンを損傷させる可能性が大きいため、その保
護等の処理が面倒である。更にモールド樹脂内での半導
体チップのバランスが悪く、基板への実装時における加
熱により、モールド樹脂とチップ及びリード端子との界
面に侵入した水分の影響で、樹脂モールドにクラックが
発生する可能性が高くなる。Further, in the case of the semiconductor device of FIG. 7, since one kind of the same semiconductor chip is used, there is no problem like the former. However, since the semiconductor chip is mounted on the circuit pattern forming surface of the lower semiconductor chip, and there is a high possibility of damaging the pads and the circuit pattern, the processing such as protection thereof is troublesome. In addition, the semiconductor chips in the mold resin are poorly balanced, and heating during mounting on the board may cause cracks in the resin mold due to the effect of moisture that has entered the interface between the mold resin and the chips and lead terminals. Get higher
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、一対の半導体チップ1,2を絶縁膜3,3’を介
して上下に配置し、該半導体チップ1,2の複数の電極
部5,5’と外部に導出されるリード端子4とを電気的
に接続した状態で樹脂封止する半導体装置において、前
記一対の半導体チップ1,2は、回路パターンの形成さ
れていない裏面同士を対向させるよう配置し、前記リー
ド端子4は、少なくとも半導体チップ1,2との接触面
に絶縁膜3,3’が被覆され、両端部がそれぞれ半導体
チップ1,2の対向する外周部より突出するように前記
上下の半導体チップ1,2間に介在されていると共に、
一端が更に延びて樹脂外部に導出しており、一方の半導
体チップ1の電極部5が前記リード端子4の外部導出側
表面に、他方の半導体チップ2の電極部5’が該リード
端子4の他端側の裏面に接続されていることを特徴とす
る。According to the present invention for solving the above-mentioned problems, a pair of semiconductor chips 1 and 2 are vertically arranged with insulating films 3 and 3'in between, and a plurality of electrodes of the semiconductor chips 1 and 2 are arranged. In a semiconductor device in which the parts 5, 5'and the lead terminals 4 led out to the outside are electrically sealed with a resin, the pair of semiconductor chips 1, 2 have back surfaces on which no circuit pattern is formed. Are arranged so as to face each other, and at least the contact surfaces of the lead terminals 4 with the semiconductor chips 1 and 2 are covered with the insulating films 3 and 3 ', and both end portions of the lead terminals 4 project from the facing outer peripheral portions of the semiconductor chips 1 and 2, respectively. So as to be interposed between the upper and lower semiconductor chips 1 and 2,
One end further extends and is led out to the outside of the resin, the electrode portion 5 of one semiconductor chip 1 is on the outer lead side surface of the lead terminal 4, and the electrode portion 5 ′ of the other semiconductor chip 2 is the lead terminal 4. It is characterized in that it is connected to the back surface on the other end side.
【0008】[0008]
【作用】上記の如き本発明によると、全く同じ半導体チ
ップの裏面同士を対向させて配置するにもかかわらず、
上下の回路的に同様な電極を一本の同じリード端子に接
続することが可能となる。従って、製造工程や製造設備
を増やすことなく、半導体チップの樹脂モールド内での
バランスの良好な半導体装置を実現することができる。According to the present invention as described above, even though the back surfaces of the same semiconductor chip are arranged so as to face each other,
It is possible to connect the upper and lower circuit-like electrodes to a single lead terminal. Therefore, it is possible to realize a well-balanced semiconductor device in a resin mold of a semiconductor chip without increasing the number of manufacturing steps and manufacturing equipment.
【0009】[0009]
【実施例】以下に、本発明の実施例を説明する。図1
は、本発明の一実施例の半導体装置の平面図であり、図
1(a)は表面図、図1(b)は図1(a)を半導体チ
ップの長手方向の辺を軸にして反転させた裏面図であ
る。また図2は、図1(a)の一点鎖線A−A’を矢印
方向に見た断面図である。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. Figure 1
1A is a plan view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, FIG. 1A is a front view, and FIG. 1B is an inverted view of FIG. 1A with a side in a longitudinal direction of a semiconductor chip as an axis. FIG. Further, FIG. 2 is a cross-sectional view of the dashed-dotted line AA ′ of FIG.
【0010】但し、図1では樹脂モールドは点線で示し
ており、透けて内部が見えている状態となっている。本
実施例の半導体装置は、図1(a)(b)に示すよう
に、交互に配置される2種類のリード端子4の表裏面に
ポリイミド等からなる絶縁テープ3,3’を介して半導
体チップ1,2がそれぞれ搭載されている。そして半導
体チップ1,2の複数の電極部にはパッド5,5’が形
成され、各パッド5,5’は、導線6を介してリード端
子4に電気的に接続されている。However, in FIG. 1, the resin mold is shown by a dotted line, and the inside is seen through. As shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), the semiconductor device of the present embodiment is a semiconductor device in which insulating tapes 3 and 3'made of polyimide or the like are provided on the front and back surfaces of two types of lead terminals 4 which are alternately arranged. Chips 1 and 2 are mounted respectively. Pads 5 and 5 ′ are formed on the plurality of electrode portions of the semiconductor chips 1 and 2, and the pads 5 and 5 ′ are electrically connected to the lead terminal 4 via the conductive wire 6.
【0011】この全体構成は、図2の断面図でより明確
となる。リード端子4の表裏面にはそれぞれ絶縁テープ
3,3’が被着されており、この絶縁テープ3,3’上
に半導体チップ1,2の裏面同士が対向するように搭載
されている。そして表裏の半導体チップ1,2の電極部
には、それぞれパッド5,5’が設けられ導線6により
リード端子4に電気的に接続されている。このような状
態でエポキシ系等のモールド樹脂7内に封止されてい
る。The overall structure will be more apparent in the sectional view of FIG. Insulating tapes 3 and 3'are attached to the front and back surfaces of the lead terminals 4, respectively, and the semiconductor chips 1 and 2 are mounted on the insulating tapes 3 and 3 'so that the back surfaces of the semiconductor chips 1 and 2 face each other. Pads 5 and 5 ′ are provided on the electrode portions of the semiconductor chips 1 and 2 on the front and back sides, respectively, and are electrically connected to the lead terminals 4 by conducting wires 6. In such a state, it is sealed in the epoxy resin or the like molding resin 7.
【0012】ここでリード端子4の構造、及びこのリー
ド端子4と表裏の半導体チップ1,2との関係について
説明する。図1、図2に示すように、表裏の半導体チッ
プ1,2間に介在するリード端子4は、その一端がモー
ルド樹脂7の外部に導出していると共に、他端が半導体
チップ1の反対側にあり、その外縁及び絶縁テープ3か
らは突出する位置でモールド樹脂7内に収納されてい
る。即ち、一本のリード端子4の両端部が半導体チップ
の両側に存在して、その一方が外部に導出している。The structure of the lead terminal 4 and the relationship between the lead terminal 4 and the front and back semiconductor chips 1 and 2 will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, one end of the lead terminal 4 interposed between the front and back semiconductor chips 1 and 2 is led out to the outside of the molding resin 7, and the other end is on the opposite side of the semiconductor chip 1. And is housed in the molding resin 7 at a position protruding from the outer edge and the insulating tape 3. That is, both ends of one lead terminal 4 are present on both sides of the semiconductor chip, and one of them is led to the outside.
【0013】そしてモールド樹脂内に対して導出方向の
異なる2種類のリード端子が交互に配置されている。図
1(a)(b)において、表裏異なる方向から見た時の
同一のリード端子が容易に判断できるように一部の端子
に番号を付ける。また、表裏の半導体チップ1,2のパ
ッドについても、その一部に符号を付ける。Two types of lead terminals having different lead-out directions are alternately arranged in the mold resin. In FIGS. 1A and 1B, some terminals are numbered so that the same lead terminal can be easily determined when viewed from different directions. Also, with respect to the pads of the semiconductor chips 1 and 2 on the front and back sides, reference numerals are attached to some of them.
【0014】表側の半導体チップ1を示す図1(a)に
おいて、リード端子はモールド樹脂7の左側より外
部に導出しており、リード端子はモールド樹脂7の
右側より外部に導出している。また、反転した裏側の半
導体チップ2が示される図1(b)では、リード端子
とリード端子の導出方向が逆転している。これに
対して、表裏の半導体チップ1,2は同一のもので、裏
面同士を対向させているため、図1(a)(b)共に、
パッドa,c及びパッドb,dで示すように同一パッド
が同一位置に存在する。In FIG. 1A showing the semiconductor chip 1 on the front side, the lead terminals are led out from the left side of the molding resin 7, and the lead terminals are led out from the right side of the molding resin 7. Further, in FIG. 1B in which the semiconductor chip 2 on the reverse side which is reversed is shown, the lead terminals and the lead-out directions of the lead terminals are reversed. On the other hand, the semiconductor chips 1 and 2 on the front and back are the same, and the backs are opposed to each other.
The same pad exists at the same position as shown by pads a and c and pads b and d.
【0015】このような関係にあることから、リード端
子4とパッド5,5’の接続を次のように行っている。
即ち、図1(a)に示す表側では、半導体チップ1のパ
ッドa,cはリード端子の導出側(左側)に接続さ
れ、パッドb,dはリード端子の導出側(右側)に
接続されている。また、図1(b)に示す裏側では、半
導体チップ2ののパッドa,cはリード端子の導出
しない他端側(左側)に接続され、パッドb,dはリー
ド端子の導出しない他端側(右側)に接続されてい
る。Due to this relationship, the lead terminal 4 and the pads 5, 5'are connected as follows.
That is, on the front side shown in FIG. 1A, the pads a and c of the semiconductor chip 1 are connected to the lead-out side (left side) of the lead terminal, and the pads b and d are connected to the lead-out side (right side) of the lead terminal. There is. Further, on the back side shown in FIG. 1B, the pads a and c of the semiconductor chip 2 are connected to the other end side (left side) where the lead terminals are not led out, and the pads b and d are the other end side where the lead terminals are not led out. (Right side).
【0016】以上のようなリード端子の構造及び接続方
法をとることで、同一チップの裏面同士を対向させる構
成を容易に実現することができる。次に、本実施例の半
導体装置の製造方法について簡単に説明する。図3は、
本実施例に用いるリードフレームの平面図であり、図1
では半導体チップ1及び絶縁テープ3で隠れていた部分
が示されている。By adopting the lead terminal structure and the connecting method as described above, it is possible to easily realize a structure in which the back surfaces of the same chip are opposed to each other. Next, a method of manufacturing the semiconductor device of this embodiment will be briefly described. Figure 3
FIG. 1 is a plan view of a lead frame used in this embodiment.
Shows the part hidden by the semiconductor chip 1 and the insulating tape 3.
【0017】このリードフレーム8は、導電材からなる
薄板をプレス加工或いはエッチング加工することによ
り、複数が連結された状態として形成する。このように
形成したリードフレーム8の中央部の表裏面に、半導体
チップより若干広い面積を有する絶縁テープ3,3’を
被着する。被着は接着剤等を絶縁テープに付着させてお
くことで行う。図3において点線で示す部分が絶縁テー
プを被着する位置である。The lead frame 8 is formed by pressing or etching a thin plate made of a conductive material so that a plurality of the lead frames 8 are connected to each other. On the front and back surfaces of the central portion of the lead frame 8 thus formed, the insulating tapes 3, 3'having a slightly larger area than the semiconductor chip are attached. Adhesion is performed by attaching an adhesive or the like to the insulating tape. In FIG. 3, a portion indicated by a dotted line is a position where the insulating tape is attached.
【0018】一方、半導体チップは、TAB方式により
パッドに導線が接続された状態としておく。これは、チ
ップ搭載部分に孔を開けた可橈性を有するフィルム上に
銅泊を貼着した後、エッチングにより複数の導線6を形
成し、孔部に半導体チップを配置させて熱圧着により導
線6とチップのパッドとの接続を行ったものである。
尚、導線6の一端は切断されて自由端としている。On the other hand, the semiconductor chip is kept in a state in which the lead wire is connected to the pad by the TAB method. This is because a plurality of conducting wires 6 are formed by etching after sticking copper foil on a flexible film in which holes are formed in the chip mounting portion, and semiconductor chips are arranged in the holes and thermocompression bonding is performed. 6 and the pads of the chip are connected.
In addition, one end of the conductor wire 6 is cut to leave a free end.
【0019】このように導線6が接続された半導体チッ
プ1,2をリードフレーム8の表裏の絶縁テープ3,
3’上にそれぞれ裏面同士が対向するように搭載して、
リードフレーム8のリード端子4の所定部分に導線6を
熱圧着により接続する。そして、所定形状のキャビティ
を有する金型内に半導体チップ1,2を搭載したリード
フレーム8をセットして、キャビティ内にエポキシ系等
の樹脂を充填することでモールド樹脂7を形成した後、
リードフレーム8の不要な部分を切断すると共に、リー
ド端子4の導出部の曲げ加工を行うことで半導体装置を
完成させる。The semiconductor chips 1 and 2 to which the conductors 6 are connected in this manner are attached to the insulating tapes 3 on the front and back of the lead frame 8.
Mount on 3 'so that the backsides face each other,
The lead wire 6 is connected to a predetermined portion of the lead terminal 4 of the lead frame 8 by thermocompression bonding. Then, the lead frame 8 on which the semiconductor chips 1 and 2 are mounted is set in a mold having a cavity of a predetermined shape, and the mold resin 7 is formed by filling the cavity with a resin such as epoxy resin.
The semiconductor device is completed by cutting unnecessary portions of the lead frame 8 and bending the lead portions of the lead terminals 4.
【0020】尚、本実施例では、リード端子4の表裏面
に絶縁テープ3,3’を被着したが、リード端子4の表
裏にはペースト状の絶縁樹脂を塗布した後、乾燥させる
ことで絶縁膜を形成することもできる。次に、図4及び
図5を参照しながら、本発明の他の実施例を説明する。
図4は本実施例のリード端子14の構造を示すリードフ
レーム18の平面図、図5は完成後の本実施例の半導体
装置の平面図であり、図5(a)は表面図、図5(b)
は図5(a)を半導体チップの短手方向の辺を軸にして
反転させた裏面図である。但し、図5はモールド樹脂の
内部が透けて見えている状態を示している。In this embodiment, the insulating tapes 3 and 3'are attached to the front and back surfaces of the lead terminal 4. However, by applying a paste-like insulating resin to the front and back surfaces of the lead terminal 4 and drying it. An insulating film can also be formed. Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
4 is a plan view of the lead frame 18 showing the structure of the lead terminal 14 of this embodiment, FIG. 5 is a plan view of the semiconductor device of this embodiment after completion, and FIG. (B)
FIG. 6 is a rear view in which FIG. 5A is inverted with a lateral side of the semiconductor chip as an axis. However, FIG. 5 shows a state in which the inside of the mold resin can be seen through.
【0021】前実施例では電極が半導体チップの長手方
向に引き出されていたのに対して、本実施例は、半導体
チップの短手方向に電極が引き出される例である。図5
から明らかなように、半導体チップ11,12のパッド
15は、短辺部分に設けられており、リード端子14は
パッド15の近傍に引き回されている。前実施例同様、
図4に示すリードフレーム18は、導電材からなる薄板
をプレス加工することにより、複数が連結された状態と
して形成する。このように形成したリードフレーム18
の点線で示す中央部の表裏面に、半導体チップ11,1
2より若干広い面積を有する絶縁テープ13,13’を
被着する。被着は接着剤等を絶縁テープに付着させてお
くことで行う。While the electrodes are drawn out in the longitudinal direction of the semiconductor chip in the previous embodiment, this embodiment is an example in which the electrodes are drawn out in the lateral direction of the semiconductor chip. Figure 5
As is apparent from the above, the pads 15 of the semiconductor chips 11 and 12 are provided on the short side portions, and the lead terminals 14 are routed near the pads 15. Similar to the previous example
The lead frame 18 shown in FIG. 4 is formed by pressing a thin plate made of a conductive material in a state in which a plurality of them are connected. The lead frame 18 formed in this way
On the front and back surfaces of the central part indicated by the dotted line of
The insulating tape 13, 13 'having a slightly larger area than 2 is applied. Adhesion is performed by attaching an adhesive or the like to the insulating tape.
【0022】その後、前実施例と同様にTAB方式によ
り導線16がパッド15に接続された状態の半導体チッ
プ11,12を表裏の各絶縁テープ13,13’上に裏
面同士が対向するように搭載する。そして、リードフレ
ーム18のリード端子14の所定部分と導線16とを熱
圧着により接続する。このように半導体チップ11,1
2を搭載したリードフレーム18を所定形状のキャビテ
ィを有する金型内にセットして、キャビティ内に樹脂を
充填することでモールド樹脂17を形成した後、リード
フレーム18の不要な部分を切断すると共に、リード端
子14の導出部の曲げ加工を行うことで図5に示す半導
体装置を完成させる。Thereafter, as in the previous embodiment, the semiconductor chips 11 and 12 in which the conductors 16 are connected to the pads 15 by the TAB method are mounted on the front and back insulating tapes 13 and 13 'so that the back surfaces face each other. To do. Then, a predetermined portion of the lead terminal 14 of the lead frame 18 and the conducting wire 16 are connected by thermocompression bonding. In this way, the semiconductor chips 11, 1
2 is set in a mold having a cavity having a predetermined shape, the cavity is filled with resin to form a molding resin 17, and then unnecessary portions of the lead frame 18 are cut off. By bending the lead portion of the lead terminal 14, the semiconductor device shown in FIG. 5 is completed.
【0023】本実施例においては、リード端子14の導
出側の一端は半導体チップの短辺側から長辺側へと引き
回されて長手辺の部分から外部へ導出しているが、半導
体チップの方向を考えなければ、前実施例と同様な配線
がなされている。即ち、リード端子14の両端部が半導
体チップの両側に位置すると共にその一端が外部に導出
しており、表側の半導体チップ11のパッドがリード端
子14の外部導出側表面に、裏側の半導体チップ12の
パッドがリード端子14の他端側の裏面に接続されてい
る。In the present embodiment, one end of the lead terminal 14 on the lead-out side is routed from the short side to the long side of the semiconductor chip and led out from the long side portion to the outside. If the direction is not taken into consideration, wiring similar to that in the previous embodiment is made. That is, both ends of the lead terminal 14 are located on both sides of the semiconductor chip and one end thereof is led out to the outside, and the pad of the front side semiconductor chip 11 is on the outer lead side surface of the lead terminal 14 and the semiconductor chip 12 on the back side. Pad is connected to the back surface of the lead terminal 14 on the other end side.
【0024】以上のようなリード端子の構造及び接続方
法をとることで、同一チップの裏面同士を対向させる構
成を容易に実現することができる。本実施例において
も、リード端子14の表裏の絶縁テープに代わり、ペー
スト状の絶縁樹脂を塗布した後、乾燥させることで形成
する絶縁膜を用いることができる。By adopting the lead terminal structure and the connecting method as described above, it is possible to easily realize a structure in which the back surfaces of the same chip are opposed to each other. Also in this embodiment, an insulating film formed by applying a paste-like insulating resin and then drying it can be used instead of the insulating tapes on the front and back of the lead terminal 14.
【0025】更に、上記二実施例においては、半導体チ
ップのパッドとリード端子との接続は、TAB(Tape A
utomated Bonding)方式により行っているが、ワイヤー
ボンディング方式での配線を行うことも可能である。こ
のワイヤーボンディング方式は、図示しないが、従来よ
り行われている方法を適用すればよい。即ち、半導体チ
ップをリードフレーム8表裏の絶縁テープ3,3’上に
それぞれ搭載して固定した後、ワイヤーボンディングに
よりリード端子4とパッド5,5’とを接続することで
図1と同様な配線状態とする。Further, in the above-mentioned two embodiments, the connection between the pad of the semiconductor chip and the lead terminal is TAB (Tape A
Although it is performed by the utomated Bonding method, it is also possible to perform wiring by a wire bonding method. As the wire bonding method, although not shown, a conventional method may be applied. That is, after the semiconductor chips are mounted and fixed on the insulating tapes 3 and 3'on the front and back of the lead frame 8, respectively, the lead terminals 4 and the pads 5 and 5'are connected by wire bonding, so that the same wiring as in FIG. State.
【0026】また、リードフレーム表裏の一方側をTA
B方式、他方側をワイヤーボンディング方式によって接
続することも可能である。In addition, one side of the lead frame front and back is TA
It is also possible to connect the B system and the other side by the wire bonding system.
【0027】[0027]
【効果】本発明によると、全く同じ半導体チップの裏面
同士を対向させて配置しても、一本のリード端子が半導
体チップの両側にあるため、上下の回路的に同様な電極
を一本の同じリード端子に接続することが可能となる。
従って、集積度を高めるために複数の半導体チップを一
つのモールド樹脂内に収納する半導体装置において、製
造工程や製造設備を増やすことなく、モールド樹脂内の
チップバランスの良好なものを提供することができる。[Effects] According to the present invention, even if the back surfaces of the same semiconductor chip are arranged so as to face each other, since one lead terminal exists on both sides of the semiconductor chip, the same upper and lower circuit-like electrodes are provided. It is possible to connect to the same lead terminal.
Therefore, in a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are housed in one mold resin in order to increase the degree of integration, it is possible to provide a good chip balance in the mold resin without increasing the manufacturing process or manufacturing equipment. it can.
【図1】本発明の一実施例を説明するための半導体装置
の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a semiconductor device for explaining an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施例を説明するための半導体装置
の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a semiconductor device for explaining an embodiment of the present invention.
【図3】本発明の一実施例を説明するためのリードフレ
ーム平面図である。FIG. 3 is a plan view of a lead frame for explaining an embodiment of the present invention.
【図4】本発明の他の実施例を説明するためのリードフ
レーム平面図である。FIG. 4 is a plan view of a lead frame for explaining another embodiment of the present invention.
【図5】本発明の他の実施例を説明するための半導体装
置の平面図である。FIG. 5 is a plan view of a semiconductor device for explaining another embodiment of the present invention.
【図6】従来の半導体装置の一例を説明するための断面
図、及び平面図である。6A and 6B are a cross-sectional view and a plan view for explaining an example of a conventional semiconductor device.
【図7】従来の半導体装置の他の例を説明するための断
面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining another example of the conventional semiconductor device.
1,2,11,12・・・・・半導体チップ 3,3’13,13’・・・・絶縁テープ 4,14・・・・・・・・・・リード端子 5,5’15・・・・・・・・パッド 6,16・・・・・・・・・・導線 7,17・・・・・・・・・・モールド樹脂 8,18・・・・・・・・・・リードフレーム 1, 2, 11, 12 ... Semiconductor chip 3,3'13,13 '... Insulating tape 4,14 ... Lead terminal 5,5'15 ... --- Pads 6, 16 --- Lead wires 7, 17 --- Mold resin 8, 18 --- Leads flame
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 25/065 25/07 25/18 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI technical display location H01L 25/065 25/07 25/18
Claims (1)
(3,3’)を介して上下に配置し、該半導体チップ
(1,2)の複数の電極部(5,5’)と外部に導出さ
れるリード端子(4)とを電気的に接続した状態で樹脂
封止する半導体装置において、 前記一対の半導体チップ(1,2)は、回路パターンの
形成されていない裏面同士を対向させるよう配置し、 前記リード端子(4)は、少なくとも半導体チップ
(1,2)との接触面に絶縁膜(3,3’)が被覆さ
れ、両端部がそれぞれ半導体チップ(1,2)の対向す
る両外周部より突出するように上下の半導体チップ
(1,2)間に介在されていると共に、一端が更に延び
て樹脂外部に導出しており、 一方の半導体チップ(1)の電極部(5)が前記リード
端子(4)の外部導出側表面に、他方の半導体チップ
(2)の電極部(5’)が該リード端子(4)の他端側
の裏面に接続されていることを特徴とする半導体装置。1. A pair of semiconductor chips (1, 2) are vertically arranged via an insulating film (3, 3 '), and a plurality of electrode portions (5, 5') of the semiconductor chip (1, 2) are arranged. In a semiconductor device in which a lead terminal (4) led out to the outside is electrically connected in a resin-sealed state, the pair of semiconductor chips (1, 2) are provided with a back surface on which a circuit pattern is not formed. The lead terminals (4) are arranged so as to face each other, and at least the contact surfaces with the semiconductor chips (1, 2) are covered with an insulating film (3, 3 ′), and both ends thereof are respectively the semiconductor chips (1, 2). Of the semiconductor chip (1), which is interposed between the upper and lower semiconductor chips (1, 2) so as to project from both outer peripheral portions facing each other, and one end of which extends further to the outside of the resin. The part (5) is provided on the outer lead-out side surface of the lead terminal (4), A semiconductor device characterized in that the electrode portion (5 ') of the other semiconductor chip (2) is connected to the back surface of the lead terminal (4) on the other end side.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5001274A JPH06204390A (en) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP5001274A JPH06204390A (en) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204390A true JPH06204390A (en) | 1994-07-22 |
Family
ID=11496888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5001274A Pending JPH06204390A (en) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204390A (en) |
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- 1993-01-07 JP JP5001274A patent/JPH06204390A/en active Pending
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