JPH06207921A - 窒素酸化物ガス検知素子 - Google Patents
窒素酸化物ガス検知素子Info
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- JPH06207921A JPH06207921A JP35275291A JP35275291A JPH06207921A JP H06207921 A JPH06207921 A JP H06207921A JP 35275291 A JP35275291 A JP 35275291A JP 35275291 A JP35275291 A JP 35275291A JP H06207921 A JPH06207921 A JP H06207921A
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- 239000007789 gas Substances 0.000 title claims description 73
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 18
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002089 NOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低濃度のNOXガスに対し、高い感度と選択
性を示すNOXガス検知素子を提供する。 【構成】 縦,横及び厚さが13×10×1mmの絶縁
基板1上に、AuがIn100重量部に対し900重量
部以下となるようにAu及びInを真空蒸着し、更に空
気中で10分間熱処理(500℃)して膜厚260Åの
ガス感応体2を形成し、該ガス感応体2上に厚さ50n
mのくし型Pt電極3を真空蒸着法により形成してNO
Xガス検知素子を作製する。
性を示すNOXガス検知素子を提供する。 【構成】 縦,横及び厚さが13×10×1mmの絶縁
基板1上に、AuがIn100重量部に対し900重量
部以下となるようにAu及びInを真空蒸着し、更に空
気中で10分間熱処理(500℃)して膜厚260Åの
ガス感応体2を形成し、該ガス感応体2上に厚さ50n
mのくし型Pt電極3を真空蒸着法により形成してNO
Xガス検知素子を作製する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、低濃度のNOX(窒素
酸化物)ガスに対し、高い感度と選択性を示すNOXガ
ス検知素子に関する。
酸化物)ガスに対し、高い感度と選択性を示すNOXガ
ス検知素子に関する。
【0002】
【従来の技術】NO(一酸化窒素)ガス及びNO2(二
酸化窒素)ガスを主体とするNOXガスは、自動車,航
空機等の内燃機関や家庭内の暖房設備などから排出さ
れ、それ自身または他のガスとの複合,吸着,反応によ
って人体や生物,生活環境等に多大な影響を及ぼす危険
性の高いガスである。従来では、このNOXガスの測定
に化学発光法,赤外線吸収法,電気分解法等が用いられ
てきたが、これらの方法は大型の装置を必要としメンテ
ナンスが困難であるといった問題を抱えていた。
酸化窒素)ガスを主体とするNOXガスは、自動車,航
空機等の内燃機関や家庭内の暖房設備などから排出さ
れ、それ自身または他のガスとの複合,吸着,反応によ
って人体や生物,生活環境等に多大な影響を及ぼす危険
性の高いガスである。従来では、このNOXガスの測定
に化学発光法,赤外線吸収法,電気分解法等が用いられ
てきたが、これらの方法は大型の装置を必要としメンテ
ナンスが困難であるといった問題を抱えていた。
【0003】そこで、上記の問題を解決するため、NO
Xガスに接触して抵抗値の変化する酸化物半導体を用い
た小型でメンテナンスフリーのNOXガス検知素子につ
いての研究が種々なされている。例えば、特開昭61ー
93945号公報には、基板上にFe(鉄)を含むSn
O2の多結晶を主体とするガス感応薄膜を形成したも
の、特開平1ー150849号公報には非化学量論性パ
ラメータ(δ)が0.01<δ<0.5の酸素欠陥を有
し、かつチタン原子を含有する酸化物よりなるものが紹
介されている。
Xガスに接触して抵抗値の変化する酸化物半導体を用い
た小型でメンテナンスフリーのNOXガス検知素子につ
いての研究が種々なされている。例えば、特開昭61ー
93945号公報には、基板上にFe(鉄)を含むSn
O2の多結晶を主体とするガス感応薄膜を形成したも
の、特開平1ー150849号公報には非化学量論性パ
ラメータ(δ)が0.01<δ<0.5の酸素欠陥を有
し、かつチタン原子を含有する酸化物よりなるものが紹
介されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のNOXガス検知素子におけるガス感度を見た場
合には、特開昭61ー93945号公報では100pp
mのNOガスに対し2以下、特開平1ー150849号
公報では100ppmから1000ppmにNOX濃度
を増加した場合の感度が5程度と低い値を示しており、
より簡単な回路に組み込むために更に高い感度が望まれ
る。
た従来のNOXガス検知素子におけるガス感度を見た場
合には、特開昭61ー93945号公報では100pp
mのNOガスに対し2以下、特開平1ー150849号
公報では100ppmから1000ppmにNOX濃度
を増加した場合の感度が5程度と低い値を示しており、
より簡単な回路に組み込むために更に高い感度が望まれ
る。
【0005】本発明者らは前記事情に鑑み、低濃度のN
OXガスに対して高い感度と選択性を示すNOXガス検知
素子を開発するべく種々探索した結果本発明に至った。
OXガスに対して高い感度と選択性を示すNOXガス検知
素子を開発するべく種々探索した結果本発明に至った。
【0006】
【課題を解決するための手段】即ち本発明のNOXガス
検知素子は、絶縁基板と、該基板上に設けられたIn2
O3を主成分とするガス感応体と、該ガス感応体に設け
られた一対の電極とから構成されている。
検知素子は、絶縁基板と、該基板上に設けられたIn2
O3を主成分とするガス感応体と、該ガス感応体に設け
られた一対の電極とから構成されている。
【0007】本発明において使用されるガス感応体とし
ては、In2O3を主成分とするものが用いられ、このガ
ス感応体は真空蒸着法,スパッタリング法等により直接
酸化物半導体を形成するか、Inを同様に膜状に形成し
た後、酸化することにより形成される。また、このガス
感応体の膜厚は30Å以上である必要があり、30Åに
満たない場合は連続膜を形成することができない。更
に、このガス感応体は、In100重量部に対し900
重量部以下のAuを含有させることにより、NOxガス
に対する感度を向上させることができる。Auの含有量
がIn100重量部に対し900重量部を超えるとIn
2O3が半導性を保てなくなり実質的にNOxガスの検知
が不可能となってしまう。尚、Auは真空蒸着法,スパ
ッタリング法等によりガス感応体形成と同時に含有させ
るか、あるいはガス感応体を形成した後、真空蒸着法,
スパッタリング法等により含有させる。
ては、In2O3を主成分とするものが用いられ、このガ
ス感応体は真空蒸着法,スパッタリング法等により直接
酸化物半導体を形成するか、Inを同様に膜状に形成し
た後、酸化することにより形成される。また、このガス
感応体の膜厚は30Å以上である必要があり、30Åに
満たない場合は連続膜を形成することができない。更
に、このガス感応体は、In100重量部に対し900
重量部以下のAuを含有させることにより、NOxガス
に対する感度を向上させることができる。Auの含有量
がIn100重量部に対し900重量部を超えるとIn
2O3が半導性を保てなくなり実質的にNOxガスの検知
が不可能となってしまう。尚、Auは真空蒸着法,スパ
ッタリング法等によりガス感応体形成と同時に含有させ
るか、あるいはガス感応体を形成した後、真空蒸着法,
スパッタリング法等により含有させる。
【0008】本発明において使用される基板としては、
例えばAl2O3(酸化アルミニウム)等のセラミック基
板やSiO2(酸化ケイ素)等のガラス基板など耐熱性
かつ絶縁性の基板が用いられる。
例えばAl2O3(酸化アルミニウム)等のセラミック基
板やSiO2(酸化ケイ素)等のガラス基板など耐熱性
かつ絶縁性の基板が用いられる。
【0009】本発明において使用される電極としては、
例えばAu,Pt(白金)等が用いられ、スクリーン印
刷法,スパッタリング法,蒸着法等によりガス感応体に
接して対向して形成される。
例えばAu,Pt(白金)等が用いられ、スクリーン印
刷法,スパッタリング法,蒸着法等によりガス感応体に
接して対向して形成される。
【0010】本発明のNOXガス検知素子は、素子の温
度を所定の温度に保つために発熱体を設けても良い。発
熱体には、自己温度制御型(PTC)ヒータを用いても
良い。
度を所定の温度に保つために発熱体を設けても良い。発
熱体には、自己温度制御型(PTC)ヒータを用いても
良い。
【0011】
【作用】本発明によれば、低濃度のNOXガスに対して
も高いガス感度とガス選択性を示すNOXガス検知素子
を得ることができる。
も高いガス感度とガス選択性を示すNOXガス検知素子
を得ることができる。
【0012】
【実施例】以下に本発明を図面等を参照して更に詳しく
説明する。図1は、本発明によるNOXガス検知素子の
一実施例を示す断面図(概念図)である。図2は本発明
に用いられるくし型Pt電極の一例を示す平面図であ
る。 <実施例1>本実施例ではまず、図1に示すように絶縁
基板1として縦,横及び厚さが13×10×1mmのア
ルミナ基板を用意し、該基板上にAuがIn100重量
部に対し900重量部以下となるようにAu及びInを
真空蒸着(Au10Å,In300Å)し、空気中で1
0分間熱処理(500℃)して膜厚260Åのガス感応
体2を得た。尚、前記空気中での熱処理の温度は、20
0℃以上である必要がある。200℃未満では、Inの
酸化が十分に行われない。次に、前記ガス感応体2上
に、図2に示すような厚さ50nmのくし型Pt電極3
を真空蒸着法により形成した。また、前記絶縁基板1の
裏面には素子の温度を所定の温度に保つために発熱体4
を設けた。
説明する。図1は、本発明によるNOXガス検知素子の
一実施例を示す断面図(概念図)である。図2は本発明
に用いられるくし型Pt電極の一例を示す平面図であ
る。 <実施例1>本実施例ではまず、図1に示すように絶縁
基板1として縦,横及び厚さが13×10×1mmのア
ルミナ基板を用意し、該基板上にAuがIn100重量
部に対し900重量部以下となるようにAu及びInを
真空蒸着(Au10Å,In300Å)し、空気中で1
0分間熱処理(500℃)して膜厚260Åのガス感応
体2を得た。尚、前記空気中での熱処理の温度は、20
0℃以上である必要がある。200℃未満では、Inの
酸化が十分に行われない。次に、前記ガス感応体2上
に、図2に示すような厚さ50nmのくし型Pt電極3
を真空蒸着法により形成した。また、前記絶縁基板1の
裏面には素子の温度を所定の温度に保つために発熱体4
を設けた。
【0013】ここで、本発明のNOXガス検知素子を密
閉槽内に固定し、該槽内に濃度30ppmのNOガス及
びNO2ガス、濃度1000ppmのC3H8(プロパ
ン)ガス,CO(一酸化炭素)ガス及びH2(水素)ガ
スの各種ガスを注射器で注入しファンで撹拌した後、各
種ガス雰囲気中における素子の電気抵抗値を測定した。
そして、各種ガスに対する感度を図3に示した。感度は
[ガス中の抵抗値(Rgas)/空気中の抵抗値
(Rair)]で示した。図3からも明らかなように、本
発明の素子は数10℃から300℃付近までの広範囲に
おいて高いガス感度とガス選択性を示している。
閉槽内に固定し、該槽内に濃度30ppmのNOガス及
びNO2ガス、濃度1000ppmのC3H8(プロパ
ン)ガス,CO(一酸化炭素)ガス及びH2(水素)ガ
スの各種ガスを注射器で注入しファンで撹拌した後、各
種ガス雰囲気中における素子の電気抵抗値を測定した。
そして、各種ガスに対する感度を図3に示した。感度は
[ガス中の抵抗値(Rgas)/空気中の抵抗値
(Rair)]で示した。図3からも明らかなように、本
発明の素子は数10℃から300℃付近までの広範囲に
おいて高いガス感度とガス選択性を示している。
【0014】<実施例2>実施例1と同様構造で、Au
を含有しない素子を作製し、濃度30ppmのNOガス
及びNO2ガスに対する感度を測定し、その結果を図4
に示した。Auを含有しない素子は、数10℃から20
0℃付近の温度域において高いガス感度を示している。
尚、図4には実施例1の素子(Au含有)の感度特性も
併せて示した。これによれば、Auを含有させることに
よりNOxガスに対する素子の検出感度が向上すること
が良くわかる。
を含有しない素子を作製し、濃度30ppmのNOガス
及びNO2ガスに対する感度を測定し、その結果を図4
に示した。Auを含有しない素子は、数10℃から20
0℃付近の温度域において高いガス感度を示している。
尚、図4には実施例1の素子(Au含有)の感度特性も
併せて示した。これによれば、Auを含有させることに
よりNOxガスに対する素子の検出感度が向上すること
が良くわかる。
【0015】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、絶
縁基板上に、In2O3を主成分とするガス感応体または
In2O3を主成分としIn100重量部に対し900重
量部以下のAuを含有するガス感応体を設けることによ
り、低濃度のNOXガスに対しても高いガス感度とガス
選択性を示すNOXガス検知素子を得ることができる。
そのため、従来に比べより簡単な回路への組み込みが可
能となり経済性及び信頼性の向上を図ることができる。
縁基板上に、In2O3を主成分とするガス感応体または
In2O3を主成分としIn100重量部に対し900重
量部以下のAuを含有するガス感応体を設けることによ
り、低濃度のNOXガスに対しても高いガス感度とガス
選択性を示すNOXガス検知素子を得ることができる。
そのため、従来に比べより簡単な回路への組み込みが可
能となり経済性及び信頼性の向上を図ることができる。
【図1】本発明によるNOXガス検知素子の一実施例を
示す断面図(概念図)である。
示す断面図(概念図)である。
【図2】本発明に用いられるくし型Pt電極の一例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図3】本発明によるNOXガス検知素子の各種ガスに
対する感度特性を示すグラフである。
対する感度特性を示すグラフである。
【図4】Auを含有していないガス感応体を有する素子
とAuを含有しているガス感応体を有する素子のNOX
ガスに対する感度特性を示すグラフである。
とAuを含有しているガス感応体を有する素子のNOX
ガスに対する感度特性を示すグラフである。
1 絶縁基板 2 ガス感応体 3 くし型Pt電極 4 発熱体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 収 静岡県浜松市高塚町4830番地株式会社クラ ベ内
Claims (2)
- 【請求項1】 絶縁基板と、該基板上に設けられたIn
2O3(酸化インジウム)を主成分とするガス感応体と、
該ガス感応体に設けられた一対の電極とから構成された
窒素酸化物ガス検知素子。 - 【請求項2】 請求項1記載の窒素酸化物ガス検知素子
において、前記In2O3を主成分とするガス感応体は、
In(インジウム)100重量部に対し900重量部以
下のAu(金)を含有することを特徴とした窒素酸化物
ガス検知素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35275291A JPH06207921A (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | 窒素酸化物ガス検知素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35275291A JPH06207921A (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | 窒素酸化物ガス検知素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06207921A true JPH06207921A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=18426201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35275291A Pending JPH06207921A (ja) | 1991-12-16 | 1991-12-16 | 窒素酸化物ガス検知素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06207921A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022191183A (ja) * | 2021-06-15 | 2022-12-27 | ティーイー コネクティビティ センサーズ フランス | カバー層を備えるセンサデバイス |
-
1991
- 1991-12-16 JP JP35275291A patent/JPH06207921A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022191183A (ja) * | 2021-06-15 | 2022-12-27 | ティーイー コネクティビティ センサーズ フランス | カバー層を備えるセンサデバイス |
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