JPH06208140A - 非線型素子基板及び液晶表示装置 - Google Patents
非線型素子基板及び液晶表示装置Info
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- JPH06208140A JPH06208140A JP342193A JP342193A JPH06208140A JP H06208140 A JPH06208140 A JP H06208140A JP 342193 A JP342193 A JP 342193A JP 342193 A JP342193 A JP 342193A JP H06208140 A JPH06208140 A JP H06208140A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 非線形素子基板のヒステリシス特性を対称性
の向上。 【構成】 基板上に第１の電極、強誘電体層及び第２の
電極が積層された非線型素子基板であって、第１の電極
と第２の電極を構成する材料が同一もしくは仕事関数の
差が０．５ｅＶ以下の材料からなる非線形素子基板、あ
るいは、少なくとも平行な前記第１の電極及び前記第２
の電極からなり、前記第１の電極と前記第２の電極が互
いに交差するように配設されたリング状構造からなるこ
とを特徴とする非線形素子基板、及びそれを用いた液晶
表示装置。
の向上。 【構成】 基板上に第１の電極、強誘電体層及び第２の
電極が積層された非線型素子基板であって、第１の電極
と第２の電極を構成する材料が同一もしくは仕事関数の
差が０．５ｅＶ以下の材料からなる非線形素子基板、あ
るいは、少なくとも平行な前記第１の電極及び前記第２
の電極からなり、前記第１の電極と前記第２の電極が互
いに交差するように配設されたリング状構造からなるこ
とを特徴とする非線形素子基板、及びそれを用いた液晶
表示装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非線型素子基板及び液
晶表示装置に関する。さらに詳しくは、表示装置や光変
調素子などに用いられる非線形素子基板及び液晶表示装
置に関する。
晶表示装置に関する。さらに詳しくは、表示装置や光変
調素子などに用いられる非線形素子基板及び液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板上に少なくとも第１の電極と
第２の電極と有機高分子強誘電体層を備えた非線型素子
基板では、強誘電体層として、スピンコート、ディッピ
ング等のコーティング工程のみで強誘電性を示すポリフ
ッ化ビニリデン−トリフロロエチレン（以下ＰＶＦ−Ｔ
ｒＦＥ）が主に用いられている。この材料を用いた非線
型素子基板は製造が容易であり、強誘電体としての特性
の点からも比較的大きな残留成分と抗電界を有し、比較
的耐熱性も良いことから、液晶表示装置用非線型素子基
板として用いた例が報告されている。
第２の電極と有機高分子強誘電体層を備えた非線型素子
基板では、強誘電体層として、スピンコート、ディッピ
ング等のコーティング工程のみで強誘電性を示すポリフ
ッ化ビニリデン−トリフロロエチレン（以下ＰＶＦ−Ｔ
ｒＦＥ）が主に用いられている。この材料を用いた非線
型素子基板は製造が容易であり、強誘電体としての特性
の点からも比較的大きな残留成分と抗電界を有し、比較
的耐熱性も良いことから、液晶表示装置用非線型素子基
板として用いた例が報告されている。
【０００３】このような従来例を図１０に示す。１は絶
縁性透明基板、２は第１の電極、３は強誘電体材料、４
は第２の電極である。このような従来の非線形素子基板
では、第１の電極と第２の電極の材料が異なる材料で形
成されており、例えば第２の電極として、インジウムチ
タンオキサイド（ＩＴＯ）からなる透明電極を使用する
ことが一般的である。また下部電極には導電率が高い材
料を用いる必要があり、ＩＴＯは一般に下部電極として
用いるには抵抗が高いため、下部電極としては適さず、
通常の非線形素子では、上下電極は相違する材料で製造
されていた。
縁性透明基板、２は第１の電極、３は強誘電体材料、４
は第２の電極である。このような従来の非線形素子基板
では、第１の電極と第２の電極の材料が異なる材料で形
成されており、例えば第２の電極として、インジウムチ
タンオキサイド（ＩＴＯ）からなる透明電極を使用する
ことが一般的である。また下部電極には導電率が高い材
料を用いる必要があり、ＩＴＯは一般に下部電極として
用いるには抵抗が高いため、下部電極としては適さず、
通常の非線形素子では、上下電極は相違する材料で製造
されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図１０に示すような従
来の非線形素子基板を液晶表示装置のアクティブ基板と
して用いた場合の、電界−電気変位ヒステリシス曲線を
図１１に示した。またヒステリシス測定のための測定系
を図１２に示した。ここで１０４は波形発生装置、１０
５は高速アンプ、１０６は素子、１０７は測定用容量、
１０８はデジタルストレージスコープ、１０９は導線及
び１１０はプローブを示す。測定条件は±４０Ｖ、３０
Ｈｚの正弦波を印加し、測定用容量として１００ｎＦの
コンデンサを用いた。
来の非線形素子基板を液晶表示装置のアクティブ基板と
して用いた場合の、電界−電気変位ヒステリシス曲線を
図１１に示した。またヒステリシス測定のための測定系
を図１２に示した。ここで１０４は波形発生装置、１０
５は高速アンプ、１０６は素子、１０７は測定用容量、
１０８はデジタルストレージスコープ、１０９は導線及
び１１０はプローブを示す。測定条件は±４０Ｖ、３０
Ｈｚの正弦波を印加し、測定用容量として１００ｎＦの
コンデンサを用いた。
【０００５】図１１から分かるように、上下電極材料の
異なる非線形素子基板ではそのヒステリシス特性が非対
称になる欠点があった。特に強誘電材料にＰＶＦ−Ｔｒ
ＦＥを用いぬれ特性向上のために界面活性剤を用いた場
合はより顕著に表れる。以上の課題を鑑み、第１の電極
と第２の電極の選択及び／又は非線形素子基板をリング
状構造に配設することによって、ヒステリシス特性が対
称となることを見いだし本発明をなすにいたった。
異なる非線形素子基板ではそのヒステリシス特性が非対
称になる欠点があった。特に強誘電材料にＰＶＦ−Ｔｒ
ＦＥを用いぬれ特性向上のために界面活性剤を用いた場
合はより顕著に表れる。以上の課題を鑑み、第１の電極
と第２の電極の選択及び／又は非線形素子基板をリング
状構造に配設することによって、ヒステリシス特性が対
称となることを見いだし本発明をなすにいたった。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】かくして、本発
明によれば、基板上に第１の電極、強誘電体層及び第２
の電極が積層された非線型素子基板であって、第１の電
極及び第２の電極が同一材料もしくは仕事関数の差が
０．５ｅＶ以下の材料からなることを特徴とする非線形
素子基板が提供される。
明によれば、基板上に第１の電極、強誘電体層及び第２
の電極が積層された非線型素子基板であって、第１の電
極及び第２の電極が同一材料もしくは仕事関数の差が
０．５ｅＶ以下の材料からなることを特徴とする非線形
素子基板が提供される。
【０００７】本発明に使用できる基板としては、特に限
定されないが、透明性の基板が用いられ、例えばガラス
基板が挙げられる。第１の電極及び第２の電極材料とし
ては、公知のものが使用でき、同一の電極とする場合、
アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔ
ａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）等が挙げら
れ、異なる材料の電極とする場合、その仕事関数の差が
０．５ｅＶ以下、好ましくは０．４ｅＶ以下である。こ
のような電極材料の組み合わせとして、ＡｌとＴａ、Ａ
ｌとＴｉ、ＡｌとＣｒ、ＴａとＴｉ、ＣｒとＴａ、Ｔｉ
とＣｒ、ＭｏとＡｌ、ＭｏとＴｉ、ＭｏとＣｒ、Ｍｏと
Ｔａ等が挙げられる。ここで仕事関数とは、フェルミ準
位にある金属内電子を固体外部の真空へ移動するのに必
要な仕事を意味する。
定されないが、透明性の基板が用いられ、例えばガラス
基板が挙げられる。第１の電極及び第２の電極材料とし
ては、公知のものが使用でき、同一の電極とする場合、
アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔ
ａ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）等が挙げら
れ、異なる材料の電極とする場合、その仕事関数の差が
０．５ｅＶ以下、好ましくは０．４ｅＶ以下である。こ
のような電極材料の組み合わせとして、ＡｌとＴａ、Ａ
ｌとＴｉ、ＡｌとＣｒ、ＴａとＴｉ、ＣｒとＴａ、Ｔｉ
とＣｒ、ＭｏとＡｌ、ＭｏとＴｉ、ＭｏとＣｒ、Ｍｏと
Ｔａ等が挙げられる。ここで仕事関数とは、フェルミ準
位にある金属内電子を固体外部の真空へ移動するのに必
要な仕事を意味する。
【０００８】このように仕事関数の差が０．５ｅＶ以下
の材料を電極とすることによって、ヒステリシス特性の
対称性が良好な非線形素子基板が得られる。更に、本発
明によれば、基板上に第１の電極、強誘電体層及び第２
の電極が積層された非線型素子基板であって、少なくと
も平行な前記第１の電極及び前記第２の電極からなり、
前記第１の電極と前記第２の電極が互いに交差するよう
に配設されたリング状構造からなることを特徴とする非
線形素子基板が提供される。
の材料を電極とすることによって、ヒステリシス特性の
対称性が良好な非線形素子基板が得られる。更に、本発
明によれば、基板上に第１の電極、強誘電体層及び第２
の電極が積層された非線型素子基板であって、少なくと
も平行な前記第１の電極及び前記第２の電極からなり、
前記第１の電極と前記第２の電極が互いに交差するよう
に配設されたリング状構造からなることを特徴とする非
線形素子基板が提供される。
【０００９】上記のようなリング状構造に配設された素
子基板の平面図の例を図１に示す。この素子基板は電極
１１（データライン）と電極１２とからなる第１の電
極、第１の電極上に積層された強誘電体層、電極１３と
電極１４（絵素電極）とからなる第２の電極からなって
いる。ここで電極材料として上記に挙げた材料のほか
に、ＩＴＯ、ＺｎＯ等も使用することが可能である。図
中斜線部は非線形素子を示し、Ｘ部はスルーホールが形
成されていることを示している。
子基板の平面図の例を図１に示す。この素子基板は電極
１１（データライン）と電極１２とからなる第１の電
極、第１の電極上に積層された強誘電体層、電極１３と
電極１４（絵素電極）とからなる第２の電極からなって
いる。ここで電極材料として上記に挙げた材料のほか
に、ＩＴＯ、ＺｎＯ等も使用することが可能である。図
中斜線部は非線形素子を示し、Ｘ部はスルーホールが形
成されていることを示している。
【００１０】上記図１においてＡ−Ａ′間、Ｂ−Ｂ′間
の断面図をそれぞれ図２及び図３に示す。図２及び図３
に示されているように本発明の素子基板は対称な構造か
らなっており、第１の電極と第２の電極が互いに交差す
るように配設することによってリング状の構造を構成し
ている。このような構成にすることによってヒステリシ
ス特性の対称性が良好な非線形素子基板が得られる。
の断面図をそれぞれ図２及び図３に示す。図２及び図３
に示されているように本発明の素子基板は対称な構造か
らなっており、第１の電極と第２の電極が互いに交差す
るように配設することによってリング状の構造を構成し
ている。このような構成にすることによってヒステリシ
ス特性の対称性が良好な非線形素子基板が得られる。
【００１１】本発明の強誘電体層の形成には、ＰＶＦ−
ＴｒＦＥ、ポリフッ化ビニリデン−テトラフロロエチレ
ン（以下ＰＶＦ−ＴｅＦＥ）、ＰＶＦ、シアン化ビニリ
デン酢酸ビニル共重合体等の有機物、ＢａＴｉＯ3 、Ｐ
ｂＴｉＯ3 、ＰｂＺｒＯ3 等の無機物等が使用される。
このうちＰＶＦ−ＴｒＦＥを使用することが好ましい。
ＴｒＦＥ、ポリフッ化ビニリデン−テトラフロロエチレ
ン（以下ＰＶＦ−ＴｅＦＥ）、ＰＶＦ、シアン化ビニリ
デン酢酸ビニル共重合体等の有機物、ＢａＴｉＯ3 、Ｐ
ｂＴｉＯ3 、ＰｂＺｒＯ3 等の無機物等が使用される。
このうちＰＶＦ−ＴｒＦＥを使用することが好ましい。
【００１２】次に本発明の非線形素子基板の製造方法を
説明する。基板上に蒸着、スパッタリング等によって第
１の電極を形成する。次に有機物を強誘電体として使用
する場合、有機物を溶媒中に溶かした溶液を、スピンコ
ート法によって１５００〜２５００Åの層厚に塗布し、
１３５〜１４０℃の温度で２０〜４０分間焼成した後、
２５〜５０℃／時の速度で降温することによって強誘電
体層が形成される。また無機物を使用する場合、有機金
属化合物あるいは金属有機物を、キャリアガスに気化同
伴させながら反応室に送り込み、加熱された基板上で化
学反応させるこからなるＭＯＣＶＤ法により成膜し、強
誘電体層が形成される。
説明する。基板上に蒸着、スパッタリング等によって第
１の電極を形成する。次に有機物を強誘電体として使用
する場合、有機物を溶媒中に溶かした溶液を、スピンコ
ート法によって１５００〜２５００Åの層厚に塗布し、
１３５〜１４０℃の温度で２０〜４０分間焼成した後、
２５〜５０℃／時の速度で降温することによって強誘電
体層が形成される。また無機物を使用する場合、有機金
属化合物あるいは金属有機物を、キャリアガスに気化同
伴させながら反応室に送り込み、加熱された基板上で化
学反応させるこからなるＭＯＣＶＤ法により成膜し、強
誘電体層が形成される。
【００１３】前記有機物を溶かす溶媒としては、メチル
エチルケトン（ＭＥＫ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭ
Ｆ）及びジメチルホルムアミド（ＤＭＡ）等が挙げら
れ、この溶媒は１種でもよくまた複数種組み合わされて
いてもよい。ここで成膜状態を改善するためにフッ化ア
ルキルエステル等の界面活性剤を添加することもでき
る。この際の添加量は使用される強誘電体によっても異
なるが、通常０．１〜０．３重量％加えることが好まし
い。
エチルケトン（ＭＥＫ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭ
Ｆ）及びジメチルホルムアミド（ＤＭＡ）等が挙げら
れ、この溶媒は１種でもよくまた複数種組み合わされて
いてもよい。ここで成膜状態を改善するためにフッ化ア
ルキルエステル等の界面活性剤を添加することもでき
る。この際の添加量は使用される強誘電体によっても異
なるが、通常０．１〜０．３重量％加えることが好まし
い。
【００１４】つぎに上記基板の所望の領域をエッチング
することによって、スルーホールを形成する。さらに第
２の電極を上記強誘電体層上に蒸着、スパッタリング等
によって形成する。このようにして本発明の非線形素子
基板が得られる。以上の非線形素子基板では、光透過型
の構成ついて説明したが、光反射型の構成にすることも
可能である。
することによって、スルーホールを形成する。さらに第
２の電極を上記強誘電体層上に蒸着、スパッタリング等
によって形成する。このようにして本発明の非線形素子
基板が得られる。以上の非線形素子基板では、光透過型
の構成ついて説明したが、光反射型の構成にすることも
可能である。
【００１５】さらに本発明によれば、上記非線形素子基
板を使用した液晶表示装置が提供される。液晶表示装置
は通常、基板上に電極が形成され、該電極上に配向膜が
形成されてなる基板を、配向膜が相対するように設置
し、基板間に液晶を注入することによって得られる。こ
のような液晶表示装置の基板として、一方の基板もしく
は両方の基板に、本発明の非線形素子基板が使用でき
る。以下本発明の非線形素子基板を、一方の基板に使用
した場合の液晶表示装置の製造法を説明する。
板を使用した液晶表示装置が提供される。液晶表示装置
は通常、基板上に電極が形成され、該電極上に配向膜が
形成されてなる基板を、配向膜が相対するように設置
し、基板間に液晶を注入することによって得られる。こ
のような液晶表示装置の基板として、一方の基板もしく
は両方の基板に、本発明の非線形素子基板が使用でき
る。以下本発明の非線形素子基板を、一方の基板に使用
した場合の液晶表示装置の製造法を説明する。
【００１６】まず上記のようにして得られた非線形素子
基板上に、配向膜を形成する。配向膜の材料としては、
無機系もしくは有機系の配向膜を使用することができ
る。無機系の配向膜を用いる場合、よく用いられる方法
としては、酸化ケイ素等の斜め蒸着法、回転蒸着等の方
法を用いることができる。有機系の配向膜を用いる場
合、その材料としては、ナイロン、ポリビニルアルコー
ル、ポリイミド、ポリ尿素等を用いることができる。こ
のような有機系の配向膜を堆積し、ラビング処理するこ
とによって形成できる。さらに、高分子液晶、ＬＢ膜を
用いて配向させたり、磁場による配向、スペーサエッジ
法による配向等も可能である。また、ＳｉＯ，ＳｉＮ等
を蒸着し、その上をラビングする方法も可能である。
基板上に、配向膜を形成する。配向膜の材料としては、
無機系もしくは有機系の配向膜を使用することができ
る。無機系の配向膜を用いる場合、よく用いられる方法
としては、酸化ケイ素等の斜め蒸着法、回転蒸着等の方
法を用いることができる。有機系の配向膜を用いる場
合、その材料としては、ナイロン、ポリビニルアルコー
ル、ポリイミド、ポリ尿素等を用いることができる。こ
のような有機系の配向膜を堆積し、ラビング処理するこ
とによって形成できる。さらに、高分子液晶、ＬＢ膜を
用いて配向させたり、磁場による配向、スペーサエッジ
法による配向等も可能である。また、ＳｉＯ，ＳｉＮ等
を蒸着し、その上をラビングする方法も可能である。
【００１７】次に液晶材料としては、シアノフェニルシ
クロヘキサン系、シアノビフェニル系、フッ素系、トラ
ン系等が使用できる。スーペサに使用できる組成物とし
ては、ポリスチレン、シリカ、アクリル、塩化ビニリデ
ン、ナイロン等が挙げられる。このうちポリスチレン、
シリカが好適に使用される。スペーサを塗布したあと、
紫外線硬化樹脂で周囲をシールし、前記液晶材料が、配
向膜間に注入された後、封止されることによって本発明
の液晶表示装置が得られる。
クロヘキサン系、シアノビフェニル系、フッ素系、トラ
ン系等が使用できる。スーペサに使用できる組成物とし
ては、ポリスチレン、シリカ、アクリル、塩化ビニリデ
ン、ナイロン等が挙げられる。このうちポリスチレン、
シリカが好適に使用される。スペーサを塗布したあと、
紫外線硬化樹脂で周囲をシールし、前記液晶材料が、配
向膜間に注入された後、封止されることによって本発明
の液晶表示装置が得られる。
【００１８】
【実施例】以下に、本発明の実施例を示す。なお本発明
は以下の材料、工程及びその条件等に限定されるもので
はない。 実施例１ ガラス基板１５上に、Ａｌをスパッタ法で積層しパター
ニングを行って膜厚２０００Åの第１の電極である電極
１１（データライン）と電極１２を形成した。その上に
ＰＶＦ−ＴｒＦＥをＭＥＫに３％溶かした溶液を、スピ
ンコート法によって２０００Åの厚さで積層し、１４０
℃で３０分間焼成した後、２５℃／時の速度で降温し、
強誘電体膜２３を形成した。次に所定の領域を第１の電
極が露出するまでエッチングすることによってスルーホ
ールを形成した。次に強誘電体膜上に、ＩＴＯをスパッ
タ法で積層しパターニングを行って膜厚１０００Åの第
２の電極である電極１３と電極１４（絵素電極）を形成
し、図１、図２及び図３に示すような非線形素子基板を
形成した。
は以下の材料、工程及びその条件等に限定されるもので
はない。 実施例１ ガラス基板１５上に、Ａｌをスパッタ法で積層しパター
ニングを行って膜厚２０００Åの第１の電極である電極
１１（データライン）と電極１２を形成した。その上に
ＰＶＦ−ＴｒＦＥをＭＥＫに３％溶かした溶液を、スピ
ンコート法によって２０００Åの厚さで積層し、１４０
℃で３０分間焼成した後、２５℃／時の速度で降温し、
強誘電体膜２３を形成した。次に所定の領域を第１の電
極が露出するまでエッチングすることによってスルーホ
ールを形成した。次に強誘電体膜上に、ＩＴＯをスパッ
タ法で積層しパターニングを行って膜厚１０００Åの第
２の電極である電極１３と電極１４（絵素電極）を形成
し、図１、図２及び図３に示すような非線形素子基板を
形成した。
【００１９】また強誘電性を確認するために、ヒステリ
シスを測定した。このヒステリシスを測定するための測
定系を図１２に示した。ここで１０４は波形発生装置、
１０５は高速アンプ、１０６は素子、１０７は測定用容
量、１０８はデジタルストレージスコープ、１０９は導
線及び１１０はプローブを示す。測定条件は±４０Ｖ、
３０Ｈｚの正弦波を非線形素子基板の電極に印加し、測
定用容量として１００ｎＦのコンデンサを用いた。上記
のようにして測定したヒステリシス曲線から、残留分極
値を求め、その結果を図８に示した。この図から分かる
ように、ヒステリシスの非対称性の非常に少ない非線形
素子基板が得られた。
シスを測定した。このヒステリシスを測定するための測
定系を図１２に示した。ここで１０４は波形発生装置、
１０５は高速アンプ、１０６は素子、１０７は測定用容
量、１０８はデジタルストレージスコープ、１０９は導
線及び１１０はプローブを示す。測定条件は±４０Ｖ、
３０Ｈｚの正弦波を非線形素子基板の電極に印加し、測
定用容量として１００ｎＦのコンデンサを用いた。上記
のようにして測定したヒステリシス曲線から、残留分極
値を求め、その結果を図８に示した。この図から分かる
ように、ヒステリシスの非対称性の非常に少ない非線形
素子基板が得られた。
【００２０】実施例２ ガラス基板４１上に、Ｔａをスパッタ法で積層しパター
ニングを行って膜厚３０００Åの第１の電極４２を形成
した。その上にＰＶＦ−ＴｒＦＥをＭＥＫに３％溶かし
た溶液を、スピンコート法によって２０００Åの厚さで
積層し、１４０℃で３０分間焼成した後、２５℃／時の
速度で降温し、強誘電体膜４３を形成した。次に強誘電
体膜４３上に、Ｍｏをスパッタ法で積層しパターニング
を行って膜厚２０００Åの第２の電極４４を形成した、
これら第１の電極４２、強誘電体膜４３及び第２の電極
４４上に、ＩＴＯをスパッタ法で積層しパターニングを
行って膜厚１０００Åの絵素電極４５を形成し、図５に
示すような透過型の非線形素子基板を形成した。この非
線形素子基板に使用された、第１の電極４２と第２の電
極４４との仕事関数の差は、０．４０ｅＶであった。実
施例１と同様にして測定したヒステリシス曲線から、残
留分極値を求め、その結果を図９（ａ）に示した。この
図から分かるように、ヒステリシスの非対称性の非常に
少ない非線形素子基板が得られた。
ニングを行って膜厚３０００Åの第１の電極４２を形成
した。その上にＰＶＦ−ＴｒＦＥをＭＥＫに３％溶かし
た溶液を、スピンコート法によって２０００Åの厚さで
積層し、１４０℃で３０分間焼成した後、２５℃／時の
速度で降温し、強誘電体膜４３を形成した。次に強誘電
体膜４３上に、Ｍｏをスパッタ法で積層しパターニング
を行って膜厚２０００Åの第２の電極４４を形成した、
これら第１の電極４２、強誘電体膜４３及び第２の電極
４４上に、ＩＴＯをスパッタ法で積層しパターニングを
行って膜厚１０００Åの絵素電極４５を形成し、図５に
示すような透過型の非線形素子基板を形成した。この非
線形素子基板に使用された、第１の電極４２と第２の電
極４４との仕事関数の差は、０．４０ｅＶであった。実
施例１と同様にして測定したヒステリシス曲線から、残
留分極値を求め、その結果を図９（ａ）に示した。この
図から分かるように、ヒステリシスの非対称性の非常に
少ない非線形素子基板が得られた。
【００２１】実施例３ 絵素電極を形成しないことを除いては、実施例２と同様
にして図６に示すような反射型の非線形素子基板を形成
した。この非線形素子基板に使用された、第１の電極４
２と第２の電極４４に使用された電極材料はＴａとＡｌ
であり、第１の電極４２と第２の電極４４との仕事関数
の差は、０．１３ｅＶであった。実施例１と同様にして
測定したヒステリシス曲線から、残留分極値を求め、そ
の結果を図９（ｂ）に示した。この図から分かるよう
に、ヒステリシスの非対称性の非常に少ない非線形素子
基板が得られた。
にして図６に示すような反射型の非線形素子基板を形成
した。この非線形素子基板に使用された、第１の電極４
２と第２の電極４４に使用された電極材料はＴａとＡｌ
であり、第１の電極４２と第２の電極４４との仕事関数
の差は、０．１３ｅＶであった。実施例１と同様にして
測定したヒステリシス曲線から、残留分極値を求め、そ
の結果を図９（ｂ）に示した。この図から分かるよう
に、ヒステリシスの非対称性の非常に少ない非線形素子
基板が得られた。
【００２２】実施例４ 実施例１の非線形素子基板を、一方の基板として使用し
た、液晶表示装置について説明する。まず一方の基板を
作成するために、非線形素子基板３１上にポリイミドを
印刷法によって成膜し、ラビング処理し、配向膜３４を
形成することによって作成した。また他方の基板は、ガ
ラス基板３３上に対向電極としてＩＴＯを膜厚１０００
Åで蒸着して電極３０を形成し、上記方法と同様にして
配向膜３４を形成した。つぎにスペーサ３６を散布し、
セル厚が５μｍとなるように貼り合わせ、ネマティック
液晶３７を注入した。この後液晶材料の配向を安定させ
るために加熱処理を行い室温まで冷却することによっ
て、図４に示すような液晶表示装置を得た。上記のよう
に作成した液晶表示装置は、ヒステリシス特性の対称な
液晶表示素子であった。
た、液晶表示装置について説明する。まず一方の基板を
作成するために、非線形素子基板３１上にポリイミドを
印刷法によって成膜し、ラビング処理し、配向膜３４を
形成することによって作成した。また他方の基板は、ガ
ラス基板３３上に対向電極としてＩＴＯを膜厚１０００
Åで蒸着して電極３０を形成し、上記方法と同様にして
配向膜３４を形成した。つぎにスペーサ３６を散布し、
セル厚が５μｍとなるように貼り合わせ、ネマティック
液晶３７を注入した。この後液晶材料の配向を安定させ
るために加熱処理を行い室温まで冷却することによっ
て、図４に示すような液晶表示装置を得た。上記のよう
に作成した液晶表示装置は、ヒステリシス特性の対称な
液晶表示素子であった。
【００２３】実施例５ 実施例２の非線形素子基板を、一方の基板として使用し
た、液晶表示装置について説明する。まず一方の基板を
作成するために、非線形素子基板５１上にポリイミドを
印刷法によって成膜し、ラビング処理し、配向膜５４を
形成することによって作成した。また他方の基板は、ガ
ラス基板５３上に対向電極としてＩＴＯを膜厚１０００
Åで蒸着して電極５２を形成し、上記方法と同様にして
配向膜５４を形成した。つぎにスペーサ５６を散布し、
セル厚が５μｍとなるように貼り合わせ、ネマティック
液晶５７を注入した。この後液晶材料の配向を安定させ
るために加熱処理を行い室温まで冷却することによっ
て、図７に示すような液晶表示装置を得た。
た、液晶表示装置について説明する。まず一方の基板を
作成するために、非線形素子基板５１上にポリイミドを
印刷法によって成膜し、ラビング処理し、配向膜５４を
形成することによって作成した。また他方の基板は、ガ
ラス基板５３上に対向電極としてＩＴＯを膜厚１０００
Åで蒸着して電極５２を形成し、上記方法と同様にして
配向膜５４を形成した。つぎにスペーサ５６を散布し、
セル厚が５μｍとなるように貼り合わせ、ネマティック
液晶５７を注入した。この後液晶材料の配向を安定させ
るために加熱処理を行い室温まで冷却することによっ
て、図７に示すような液晶表示装置を得た。
【００２４】上記のように作成した液晶表示装置は、ヒ
ステリシス特性の対称な液晶表示素子であった。
ステリシス特性の対称な液晶表示素子であった。
【００２５】
【発明の効果】本発明の非線型素子基板をリング構造に
し、素子を対称にすることにより非線形素子基板のヒス
テリシス特性の対称性を向上させることができる。
し、素子を対称にすることにより非線形素子基板のヒス
テリシス特性の対称性を向上させることができる。
【図１】本発明の非線形素子基板の概略平面図である。
【図２】図１の非線形素子基板のＡ−Ａ′間の概略断面
図である。
図である。
【図３】図１の非線形素子基板のＢ−Ｂ′間の概略断面
図である。
図である。
【図４】本発明の液晶表示装置の概略断面図である。
【図５】本発明の非線形素子基板の概略断面図である。
【図６】本発明の非線形素子基板の概略断面図である。
【図７】本発明の液晶表示装置の概略断面図である。
【図８】本発明の実施例１の非線形素子基板のヒステリ
シスである。
シスである。
【図９】本発明の実施例２及び実施例３の非線形素子基
板のヒステリシスである。
板のヒステリシスである。
【図１０】従来の非線形素子基板の概略断面図である。
【図１１】従来の非線形素子基板のヒステリシスであ
る。
る。
【図１２】ヒステリシス曲線の測定系を示す図である。
１ 絶縁性透明基板 ２ 第１の電極 ３ 強誘電体材料 ４ 第２の電極 １１ 電極（データライン） １２ 電極 １３ 電極 １４ 絵素電極 １５ 基板 ２３ 強誘電体膜 ３０ 電極 ３１ 非線形素子基板 ３３ ガラス基板 ３４ 配向膜 ３５ シール材 ３６ スペーサー ３７ 液晶 ４１ ガラス基板 ４２ 第１の電極 ４３ 強誘電体膜 ４５ 絵素電極 ５１ 非線形素子基板 ５２ 電極 ５３ ガラス基板 ５４ 配向膜 ５５ シール材 ５６ スペーサー ５７ 液晶
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に第１の電極、強誘電体層及び第
２の電極が積層された非線型素子基板であって、第１の
電極及び第２の電極が同一材料もしくは仕事関数の差が
０．５ｅＶ以下の材料からなることを特徴とする非線形
素子基板。 - 【請求項２】 基板上に第１の電極、強誘電体層及び第
２の電極が積層された非線型素子基板であって、少なく
とも平行な前記第１の電極及び前記第２の電極からな
り、前記第１の電極と前記第２の電極が互いに交差する
ように配設されたリング状構造からなることを特徴とす
る非線形素子基板。 - 【請求項３】 強誘電体層がポリフッ化ビニリデントリ
フロロエチレンを含有することからなる請求項１あるい
は２記載の非線形素子基板。 - 【請求項４】 第１の電極及び第２の電極がアルミニウ
ム、タンタル、チタン、クロム及びモリブデンの少なく
とも１種の物質を含むことからなる請求項１記載の非線
形素子基板。 - 【請求項５】 ２枚の基板間に液晶が挟持されてなる液
晶表示装置であって、前記基板のうち少なくとも一方が
請求項１あるいは２記載の非線形素子基板であることを
特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP342193A JPH06208140A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 非線型素子基板及び液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP342193A JPH06208140A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 非線型素子基板及び液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208140A true JPH06208140A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11556919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP342193A Pending JPH06208140A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 非線型素子基板及び液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06208140A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007525337A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-09-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 強誘電性ポリマー層のパターニング方法 |
-
1993
- 1993-01-12 JP JP342193A patent/JPH06208140A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007525337A (ja) * | 2003-12-22 | 2007-09-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 強誘電性ポリマー層のパターニング方法 |
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