JPH0713203A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0713203A JPH0713203A JP14948693A JP14948693A JPH0713203A JP H0713203 A JPH0713203 A JP H0713203A JP 14948693 A JP14948693 A JP 14948693A JP 14948693 A JP14948693 A JP 14948693A JP H0713203 A JPH0713203 A JP H0713203A
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- JP
- Japan
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- electrode
- common electrode
- liquid crystal
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 第１基板と、第１基板上にマトリックス状に
配列された画素電極と、画素電極の各行間に設けられた
共通電極と、画素電極および共通電極の上から第１基板
上に積層された強誘電体膜と、誘電体膜上で各画素電極
の端部と隣接する共通電極の一部とに重なり画素電極か
ら共通電極へ渡るように積層された接続電極と、接続電
極の上から第１基板上に積層された第１配向膜と、第２
基板と、第２基板上に前記画素電極の各列に対応して平
行配列されたセグメント電極と、セグメント電極の上か
ら第２基板上に積層された第２配向膜を備え、第１およ
び第２配向膜が互に対向するように第１および第２基板
を平行に配置して、その間隔に液晶層を封入したことを
特徴とする。 【効果】 共通電極の配線パターンが直接基板に形成さ
れるので、配線パターンがはがれることがなく欠陥の少
ないアクティブマトリックス駆動用の液晶表示装置を得
ることができる。
配列された画素電極と、画素電極の各行間に設けられた
共通電極と、画素電極および共通電極の上から第１基板
上に積層された強誘電体膜と、誘電体膜上で各画素電極
の端部と隣接する共通電極の一部とに重なり画素電極か
ら共通電極へ渡るように積層された接続電極と、接続電
極の上から第１基板上に積層された第１配向膜と、第２
基板と、第２基板上に前記画素電極の各列に対応して平
行配列されたセグメント電極と、セグメント電極の上か
ら第２基板上に積層された第２配向膜を備え、第１およ
び第２配向膜が互に対向するように第１および第２基板
を平行に配置して、その間隔に液晶層を封入したことを
特徴とする。 【効果】 共通電極の配線パターンが直接基板に形成さ
れるので、配線パターンがはがれることがなく欠陥の少
ないアクティブマトリックス駆動用の液晶表示装置を得
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、２端子非線形素子を
備えアクティブマトリックス駆動によって駆動される液
晶表示装置に関する。
備えアクティブマトリックス駆動によって駆動される液
晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の液晶表示装置において、
共通電極と画素電極と有機高分子強誘電体膜を備えた非
線形素子基板では、強誘電体膜として、スピンコート、
ディッピング等のコーティング工程のみで強誘電性を示
すポリフッ化ビニリデントリフルオロエチレン共重合体
が主に用いられている。
共通電極と画素電極と有機高分子強誘電体膜を備えた非
線形素子基板では、強誘電体膜として、スピンコート、
ディッピング等のコーティング工程のみで強誘電性を示
すポリフッ化ビニリデントリフルオロエチレン共重合体
が主に用いられている。
【０００３】この材料を用いた非線形素子基板は製造が
容易であり、強誘電体としての特性の点からも比較的大
きな残留成分と抗電界を有することから液晶表示装置用
非線形素子基板として用いた例が報告されている（例え
ば、Takashi Sato，他著“Two-Terminal Device Using
Ferroelectric Polymetric Thin Film for Large-Area
LCDs", 1991,International Symposium Digest of Tech
nical Papers, vol.22,p.18〜p.21,Published by Socie
ty for Information Display参照）。
容易であり、強誘電体としての特性の点からも比較的大
きな残留成分と抗電界を有することから液晶表示装置用
非線形素子基板として用いた例が報告されている（例え
ば、Takashi Sato，他著“Two-Terminal Device Using
Ferroelectric Polymetric Thin Film for Large-Area
LCDs", 1991,International Symposium Digest of Tech
nical Papers, vol.22,p.18〜p.21,Published by Socie
ty for Information Display参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
従来の非線形素子基板では、図９にその上面図を、図１
０に図９のＥ−Ｅ矢視断面図を示すように、絶縁性透明
基板３１の上に、画素電極３２と強誘電体膜３３と共通
電極３４が順次積層されるため、共通電極３４はそのパ
ターニングの際に、はがれやサイドエッチング等が生じ
て、共通電極３４の配線パターンに断線をおこし易いと
いう問題がある。また、強誘電体膜３３を挟んで形成さ
れる２端子素子のヒステリシス特性が非対称になるとい
う問題がある。
従来の非線形素子基板では、図９にその上面図を、図１
０に図９のＥ−Ｅ矢視断面図を示すように、絶縁性透明
基板３１の上に、画素電極３２と強誘電体膜３３と共通
電極３４が順次積層されるため、共通電極３４はそのパ
ターニングの際に、はがれやサイドエッチング等が生じ
て、共通電極３４の配線パターンに断線をおこし易いと
いう問題がある。また、強誘電体膜３３を挟んで形成さ
れる２端子素子のヒステリシス特性が非対称になるとい
う問題がある。
【０００５】この発明はこのような事情を考慮してなさ
れたもので、共通電極の配線パターンに断線をおこすこ
とがなく、形成される２端子素子のヒステリシス特性が
対称になる液晶表示装置を提供するものである。
れたもので、共通電極の配線パターンに断線をおこすこ
とがなく、形成される２端子素子のヒステリシス特性が
対称になる液晶表示装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、第１基板
と、第１基板上にマトリックス状に配列された画素電極
と、画素電極の各行間に設けられた共通電極と、画素電
極および共通電極の上から第１基板上に積層された強誘
電体膜と、誘電体膜上で各画素電極の端部と隣接する共
通電極の一部とに重なり画素電極から共通電極へ渡るよ
うに積層された接続電極と、接続電極の上から第１基板
上に積層された第１配向膜と、第２基板と、第２基板上
に前記画素電極の各列に対応して平行配列されたセグメ
ント電極と、セグメント電極の上から第２基板上に積層
された第２配向膜を備え、第１および第２配向膜が互に
対向するように第１および第２基板を平行に配置して、
その間隔に液晶層を封入したことを特徴とする液晶表示
装置を提供するものである。
と、第１基板上にマトリックス状に配列された画素電極
と、画素電極の各行間に設けられた共通電極と、画素電
極および共通電極の上から第１基板上に積層された強誘
電体膜と、誘電体膜上で各画素電極の端部と隣接する共
通電極の一部とに重なり画素電極から共通電極へ渡るよ
うに積層された接続電極と、接続電極の上から第１基板
上に積層された第１配向膜と、第２基板と、第２基板上
に前記画素電極の各列に対応して平行配列されたセグメ
ント電極と、セグメント電極の上から第２基板上に積層
された第２配向膜を備え、第１および第２配向膜が互に
対向するように第１および第２基板を平行に配置して、
その間隔に液晶層を封入したことを特徴とする液晶表示
装置を提供するものである。
【０００７】第１および第２基板は、ガラス、樹脂、セ
ラミックなどの絶縁性透明基板が用いられる。画素電極
には、インジウム酸化錫（ＩＴＯ）や酸化亜鉛などの透
明導電膜を用いるが、アルミニウムのような金属で形成
した反射膜を用いてもよい。共通電極は、アルミニウ
ム、チタン、タンタル、モリブデン等の導電性材料を用
いて形成される。
ラミックなどの絶縁性透明基板が用いられる。画素電極
には、インジウム酸化錫（ＩＴＯ）や酸化亜鉛などの透
明導電膜を用いるが、アルミニウムのような金属で形成
した反射膜を用いてもよい。共通電極は、アルミニウ
ム、チタン、タンタル、モリブデン等の導電性材料を用
いて形成される。
【０００８】強誘電体膜には、ポリフッ化ビニリデン、
ポリフッ化ビニリデン／トリフロロエチレン共重合体、
ポリフッ化ビニリデン／テトラフロロエチレン共重合体
のうち少くとも１種類を含む高分子強誘電体材料を使用
することが好ましいが、チタン酸バリウム、ロシェル
塩、ＰＺＴ、ＰＬＺＴなどの無機強誘電体や、強誘電液
晶、強誘電液晶高分子のような有機強誘電体を用いるこ
ともできる。
ポリフッ化ビニリデン／トリフロロエチレン共重合体、
ポリフッ化ビニリデン／テトラフロロエチレン共重合体
のうち少くとも１種類を含む高分子強誘電体材料を使用
することが好ましいが、チタン酸バリウム、ロシェル
塩、ＰＺＴ、ＰＬＺＴなどの無機強誘電体や、強誘電液
晶、強誘電液晶高分子のような有機強誘電体を用いるこ
ともできる。
【０００９】配向膜には、ポリイミドのような耐熱性樹
脂または酸化シリコンのような無機配向材を用いる。接
続電極には、共通電極と同様に、アルミニウム、チタ
ン、タンタル、モリブデン等の導電性材料が用いられ
る。液晶層には、従来公知の液晶であれば、いずれでも
使用でき、特に限定されない。
脂または酸化シリコンのような無機配向材を用いる。接
続電極には、共通電極と同様に、アルミニウム、チタ
ン、タンタル、モリブデン等の導電性材料が用いられ
る。液晶層には、従来公知の液晶であれば、いずれでも
使用でき、特に限定されない。
【００１０】
【作用】共通電極が、画素電極と同様に第１基板の表面
に形成されるので、共通電極のパターニング時に見られ
るはがれやサイドエッチングの発生が抑制され、共通電
極の断線が防止される。
に形成されるので、共通電極のパターニング時に見られ
るはがれやサイドエッチングの発生が抑制され、共通電
極の断線が防止される。
【００１１】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明
を詳述する。なお、これによってこの発明が限定される
ものではない。
を詳述する。なお、これによってこの発明が限定される
ものではない。
【００１２】実施例１ 図１はこの発明の実施例１における非線形素子基板の上
面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図である。図１およ
び図２を用いて実施例１の非線形素子基板の製造方法を
説明する。まず、ガラス、樹脂、セラミックなどの絶縁
性透明基板１上にアルミニウム、チタン、タンタル等の
導電性材料をスパッタリング法によって積層して、図１
に示す所定の形状にパターニングし、膜厚３０００Åの
共通電極２を形成する。
面図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図である。図１およ
び図２を用いて実施例１の非線形素子基板の製造方法を
説明する。まず、ガラス、樹脂、セラミックなどの絶縁
性透明基板１上にアルミニウム、チタン、タンタル等の
導電性材料をスパッタリング法によって積層して、図１
に示す所定の形状にパターニングし、膜厚３０００Åの
共通電極２を形成する。
【００１３】次に、インジウム酸化錫（ＩＴＯ）、酸化
亜鉛などの透明導電膜またはアルミニウム等金属を用い
た反射膜をスパッタリング法によって積層し、所定の形
状にパターニングを行い、マトリック状に配列された膜
厚１０００Åの画素電極３を形成する。反射膜の場合に
は、特に表面に凹凸を設けてもよい。
亜鉛などの透明導電膜またはアルミニウム等金属を用い
た反射膜をスパッタリング法によって積層し、所定の形
状にパターニングを行い、マトリック状に配列された膜
厚１０００Åの画素電極３を形成する。反射膜の場合に
は、特に表面に凹凸を設けてもよい。
【００１４】さらに、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ
化ビニリデン／トリフルオロロエチレン共重合体、ポリ
フッ化ビニリデン／テトラフルオロロエチレン共重合体
等の高分子強誘電体をメチルエチルケトンに３％溶かし
た溶液を、スピンコート法により２０００Åの厚さで積
層し、１４０℃で３０分間焼成した後、２５℃／時の速
度で降温し、強誘電体膜４を形成した。
化ビニリデン／トリフルオロロエチレン共重合体、ポリ
フッ化ビニリデン／テトラフルオロロエチレン共重合体
等の高分子強誘電体をメチルエチルケトンに３％溶かし
た溶液を、スピンコート法により２０００Åの厚さで積
層し、１４０℃で３０分間焼成した後、２５℃／時の速
度で降温し、強誘電体膜４を形成した。
【００１５】ここでは、高分子強誘電体を強誘電層４に
用いたが、これはチタン酸バリウム、ロシェル塩、ＰＺ
Ｔ、ＰＬＺＴなどの無機強誘電体や強誘電液晶、強誘電
液晶高分子など他の有機強誘電体でもよい。さらに強誘
電膜４上にアルミニウム、チタン、モリブデン等の導電
体をスパッタリング法によって積層し、所定の形状にパ
ターニングし、膜厚２０００Åの接続電極５を形成し
て、図１および図２に示すような非線形素子基板を形成
した。
用いたが、これはチタン酸バリウム、ロシェル塩、ＰＺ
Ｔ、ＰＬＺＴなどの無機強誘電体や強誘電液晶、強誘電
液晶高分子など他の有機強誘電体でもよい。さらに強誘
電膜４上にアルミニウム、チタン、モリブデン等の導電
体をスパッタリング法によって積層し、所定の形状にパ
ターニングし、膜厚２０００Åの接続電極５を形成し
て、図１および図２に示すような非線形素子基板を形成
した。
【００１６】この場合、接続電極５は、図１および図２
に示すように、誘電体膜４上で、各画素電極３の端部と
隣接する共通電極２の一部とに重なり、画素電極３から
共通電極２へ渡るように積層されている。
に示すように、誘電体膜４上で、各画素電極３の端部と
隣接する共通電極２の一部とに重なり、画素電極３から
共通電極２へ渡るように積層されている。
【００１７】実施例２ 図３はこの発明の実施例２における非線形素子基板の上
面図、図４は図３のＢ−Ｂ矢視断面図である。図３およ
び図４を用いて実施例２の非線形素子基板の製造方法を
説明する。
面図、図４は図３のＢ−Ｂ矢視断面図である。図３およ
び図４を用いて実施例２の非線形素子基板の製造方法を
説明する。
【００１８】まず、ガラス、樹脂、セラミックなどの絶
縁性透明基板１１上にインジウム酸化錫（ＩＴＯ）、酸
化亜鉛などの透明導電膜またはアルミニウム等金属を用
いた反射膜をスパッタリング法によって積層し、所定の
形状にパターニングを行い、マトリックス状に配列され
た膜厚１０００Åの画素電極１２を形成する。反射膜の
場合には、特に表面に凹凸を設けてもよい。
縁性透明基板１１上にインジウム酸化錫（ＩＴＯ）、酸
化亜鉛などの透明導電膜またはアルミニウム等金属を用
いた反射膜をスパッタリング法によって積層し、所定の
形状にパターニングを行い、マトリックス状に配列され
た膜厚１０００Åの画素電極１２を形成する。反射膜の
場合には、特に表面に凹凸を設けてもよい。
【００１９】次に、アルミニウム、チタン、タンタル等
の導電性材料をスパッタリング法によって積層して、所
定の形状にパターニングし、膜厚３０００Åの共通電極
１３と付加電極１４を形成する。さらに、ポリフッ化ビ
ニリデン、ポリフッ化ビニリデン／トリフルオロエチレ
ン共重合体、ポリフッ化ビニリデン／テトラフルオロエ
チレン共重合体等の高分子強誘電体をメチルエチルケト
ンに３％溶かした溶液をスピンコート法により２０００
Åの厚さで積層し、１４０℃で３０分間焼成した後、２
５℃／時の速度で降温し、強誘電体膜１５を形成した。
の導電性材料をスパッタリング法によって積層して、所
定の形状にパターニングし、膜厚３０００Åの共通電極
１３と付加電極１４を形成する。さらに、ポリフッ化ビ
ニリデン、ポリフッ化ビニリデン／トリフルオロエチレ
ン共重合体、ポリフッ化ビニリデン／テトラフルオロエ
チレン共重合体等の高分子強誘電体をメチルエチルケト
ンに３％溶かした溶液をスピンコート法により２０００
Åの厚さで積層し、１４０℃で３０分間焼成した後、２
５℃／時の速度で降温し、強誘電体膜１５を形成した。
【００２０】さらに、強誘電膜１５上にアルミニウム、
チタン、モリブデン等の導電体をスパッタリング法によ
って積層し、所定の形状にパターニングし、膜厚２００
０Åの接続電極１６を形成して、図３および図４に示す
ような非線形素子基板を形成した。
チタン、モリブデン等の導電体をスパッタリング法によ
って積層し、所定の形状にパターニングし、膜厚２００
０Åの接続電極１６を形成して、図３および図４に示す
ような非線形素子基板を形成した。
【００２１】実施例３ 図５は実施例３の液晶表示装置における上面図、図６は
図５のＣ−Ｃ矢視断面図である。実施例１で形成された
非線形素子基板と、ＩＴＯを平行な帯状にパターニング
して対向電極すなわちセグメント電極２３を形成した絶
縁性透明基板２２の上に、ポリイミドのような耐熱性樹
脂か酸化シリコンのような無機配向材を用いて配向膜２
４を形成し配向処理を行う。ここでは、配向膜としてポ
リイミド材料を用いた。配向処理はナイロン製起毛布を
もちいてセル内の液晶分子が所定の方向を向くような方
向に行った。
図５のＣ−Ｃ矢視断面図である。実施例１で形成された
非線形素子基板と、ＩＴＯを平行な帯状にパターニング
して対向電極すなわちセグメント電極２３を形成した絶
縁性透明基板２２の上に、ポリイミドのような耐熱性樹
脂か酸化シリコンのような無機配向材を用いて配向膜２
４を形成し配向処理を行う。ここでは、配向膜としてポ
リイミド材料を用いた。配向処理はナイロン製起毛布を
もちいてセル内の液晶分子が所定の方向を向くような方
向に行った。
【００２２】その後、基板２１にスペーサーを散布し、
図５，図６に示すように基板２１に基板２２を対向さ
せ、シール材として紫外線硬化樹脂２５で周囲をシール
し、セル厚が５μｍになるように両基板を貼り合わせ
た。このようにして作成されたセルに液晶２６を注入し
た後、注入口を封止樹脂で封止し、図５，図６に示すよ
うな液晶表示装置を得た。
図５，図６に示すように基板２１に基板２２を対向さ
せ、シール材として紫外線硬化樹脂２５で周囲をシール
し、セル厚が５μｍになるように両基板を貼り合わせ
た。このようにして作成されたセルに液晶２６を注入し
た後、注入口を封止樹脂で封止し、図５，図６に示すよ
うな液晶表示装置を得た。
【００２３】実施例３の液晶表示装置において、接続電
極５は、その面積が画素電極３と比較して十分に小さけ
れば、対向電極２３と重なっていても特に支障はない
が、対向電極２３との間で容量を形成するため、図５に
示すように重なっていない方が好ましい。実施例３で作
成した液晶表示装置は、線欠陥が全くなく、従来の構造
のものと比較し、表示のコントラスト、均一性などの点
で格段に優れたものを得ることができた。
極５は、その面積が画素電極３と比較して十分に小さけ
れば、対向電極２３と重なっていても特に支障はない
が、対向電極２３との間で容量を形成するため、図５に
示すように重なっていない方が好ましい。実施例３で作
成した液晶表示装置は、線欠陥が全くなく、従来の構造
のものと比較し、表示のコントラスト、均一性などの点
で格段に優れたものを得ることができた。
【００２４】実施例４ 図７は実施例４の液晶表示装置における上面図、図８は
図７のＣ−Ｃ矢視断面図である。この実施例の装置は、
実施例３の非線形素子基板を実施例２の非線形素子基板
に置換えたものであり、その他の構成および製造方法
は、実施例３と同等である。なお、実施例４の装置も、
表示のコントラストや均一性について実施例３と同等の
効果が得られた。
図７のＣ−Ｃ矢視断面図である。この実施例の装置は、
実施例３の非線形素子基板を実施例２の非線形素子基板
に置換えたものであり、その他の構成および製造方法
は、実施例３と同等である。なお、実施例４の装置も、
表示のコントラストや均一性について実施例３と同等の
効果が得られた。
【００２５】
【発明の効果】この発明によれば、共通電極の配線パタ
ーンが直接基板に形成されるので、配線パターンがはが
れることがなく欠陥の少ないアクティブマトリックス駆
動用の液晶表示装置を得ることができる。
ーンが直接基板に形成されるので、配線パターンがはが
れることがなく欠陥の少ないアクティブマトリックス駆
動用の液晶表示装置を得ることができる。
【図１】この発明の実施例１の非線形素子基板の上面図
である。
である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】この発明の実施例２の非線形素子基板の上面図
である。
である。
【図４】図３のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図５】この発明の実施例３の液晶表示装置の要部上面
図である。
図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ矢視断面図である。
【図７】この発明の実施例４の液晶表示装置の要部上面
図である。
図である。
【図８】図７のＤ−Ｄ矢視断面図である。
【図９】従来例の非線形素子基板の上面図である。
【図１０】図７のＥ−Ｅ矢視断面図である。
１ 第１基板 ２ 共通電極 ３ 画素電極 ４ 強誘電体膜 ５ 接続電極 ２１ 非線形素子基板 ２３ 絶縁性透明基板 ２３ 対向電極 ２４ 配向膜
Claims (1)
- 【請求項１】 第１基板と、第１基板上にマトリックス
状に配列された画素電極と、画素電極の各行間に設けら
れた共通電極と、画素電極および共通電極の上から第１
基板上に積層された強誘電体膜と、誘電体膜上で各画素
電極の端部と隣接する共通電極の一部とに重なり画素電
極から共通電極へ渡るように積層された接続電極と、接
続電極の上から第１基板上に積層された第１配向膜と、
第２基板と、第２基板上に前記画素電極の各列に対応し
て平行配列されたセグメント電極と、セグメント電極の
上から第２基板上に積層された第２配向膜を備え、第１
および第２配向膜が互に対向するように第１および第２
基板を平行に配置して、その間隔に液晶層を封入したこ
とを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14948693A JPH0713203A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14948693A JPH0713203A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0713203A true JPH0713203A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15476210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14948693A Pending JPH0713203A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0713203A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6243154B1 (en) | 1997-12-11 | 2001-06-05 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Liquid crystal display having wide viewing angle without color shift having annular pixel and counter electrodes |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP14948693A patent/JPH0713203A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6243154B1 (en) | 1997-12-11 | 2001-06-05 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Liquid crystal display having wide viewing angle without color shift having annular pixel and counter electrodes |
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