JPH06208840A - 走査型形状観察装置 - Google Patents
走査型形状観察装置Info
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- JPH06208840A JPH06208840A JP5003563A JP356393A JPH06208840A JP H06208840 A JPH06208840 A JP H06208840A JP 5003563 A JP5003563 A JP 5003563A JP 356393 A JP356393 A JP 356393A JP H06208840 A JPH06208840 A JP H06208840A
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 形状観察装置に装着された試料の外形のエッ
ジ位置を、画像から自動認識する場合に、試料外部に対
して試料の外形のエッジ部分が明るい画像になるように
構成して、エッジ認識率と認識精度を向上する。 【構成】 試料装着装置２１３の試料２３外形エッジ部
下の部分に穴を設け、試料３の外形エッジ部下の外部か
らの２次電子または反射光の量が、外形エッジ部下に試
料装着装置が延在する場合に比べて少ない構成にした。 【効果】 簡単な試料装着装置の改良によりエッジ認識
率と認識精度を向上できる。従って、特別なノイズ処理
方法、エッジ認識方法等がが必要で無く、装置コスト、
計算コストが軽減できる。
ジ位置を、画像から自動認識する場合に、試料外部に対
して試料の外形のエッジ部分が明るい画像になるように
構成して、エッジ認識率と認識精度を向上する。 【構成】 試料装着装置２１３の試料２３外形エッジ部
下の部分に穴を設け、試料３の外形エッジ部下の外部か
らの２次電子または反射光の量が、外形エッジ部下に試
料装着装置が延在する場合に比べて少ない構成にした。 【効果】 簡単な試料装着装置の改良によりエッジ認識
率と認識精度を向上できる。従って、特別なノイズ処理
方法、エッジ認識方法等がが必要で無く、装置コスト、
計算コストが軽減できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】電子顕微鏡、レーザー顕微鏡など
の走査型微小形状観察装置に関する。
の走査型微小形状観察装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】形状観察装置の試料装着装置に装着され
た試料の外形のエッジ位置を、形状観察装置により得ら
れた２次電子画像等から自動認識する場合に、従来は外
形のエッジ部下に延在する平板状の試料装着装置の上に
装着していた。エッジ部分は試料外部よりも明るい画像
として得られる。従って十分高いしきい値を用いて２値
化画像を得れば、エッジ部分のみがリング状になった画
像が得られる。このリング形状の点列をトレース方法で
取得して、エッジ位置座標を求めることにより、試料外
形を自動認識する。
た試料の外形のエッジ位置を、形状観察装置により得ら
れた２次電子画像等から自動認識する場合に、従来は外
形のエッジ部下に延在する平板状の試料装着装置の上に
装着していた。エッジ部分は試料外部よりも明るい画像
として得られる。従って十分高いしきい値を用いて２値
化画像を得れば、エッジ部分のみがリング状になった画
像が得られる。このリング形状の点列をトレース方法で
取得して、エッジ位置座標を求めることにより、試料外
形を自動認識する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、試料外
部の画像のノイズ成分が大きくて、その一部がエッジ部
分の明るさに近くなると、自動認識時に複数のエッジが
存在すると判断し、エッジ部分の正確な認識が出来なく
なる場合が発生する。
部の画像のノイズ成分が大きくて、その一部がエッジ部
分の明るさに近くなると、自動認識時に複数のエッジが
存在すると判断し、エッジ部分の正確な認識が出来なく
なる場合が発生する。
【０００４】またエッジ部分が充分明るくないと、なめ
らかなリング状の画像が得られず、認識精度が低下す
る。などの課題が発生するので、これらを解決すること
を目的とする。
らかなリング状の画像が得られず、認識精度が低下す
る。などの課題が発生するので、これらを解決すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するため手段】本発明は試料装着装置の改
良により、取得画像の試料外部部分に対してエッジ部分
が充分明るくなるようにして、しきい値の選択に大きく
依存しないなめらかなリング状の２値化画像を安定的に
取得可能にする事により、エッジ認識率と認識精度を向
上した走査型形状観察装置を提供するものである。
良により、取得画像の試料外部部分に対してエッジ部分
が充分明るくなるようにして、しきい値の選択に大きく
依存しないなめらかなリング状の２値化画像を安定的に
取得可能にする事により、エッジ認識率と認識精度を向
上した走査型形状観察装置を提供するものである。
【０００６】
【作用】エッジを含む試料内部は、画像を得るために照
射する電子線等が焦点付近で当たるので、試料から発生
する検出対象になる電子等が多い。特にエッジはエッジ
効果により発生数が多い。また発生した電子等が検出さ
れやすいように検出器を配置しているので検出効率が良
い。この結果エッジ部分を含む試料内部は明るく見え
る。
射する電子線等が焦点付近で当たるので、試料から発生
する検出対象になる電子等が多い。特にエッジはエッジ
効果により発生数が多い。また発生した電子等が検出さ
れやすいように検出器を配置しているので検出効率が良
い。この結果エッジ部分を含む試料内部は明るく見え
る。
【０００７】以下の４つの実施例は、観察対象になる試
料外部を上記の明るい画像になる原理の逆になるように
することで、試料外部の画像を暗くして、エッジ認識率
と認識精度を向上する形状観察装置である。 （１）照射電子、照射光を試料面より充分離れた装置下
面まで到達させるためにエッジ観察場所で試料外部にな
る部分に穴を開けた。
料外部を上記の明るい画像になる原理の逆になるように
することで、試料外部の画像を暗くして、エッジ認識率
と認識精度を向上する形状観察装置である。 （１）照射電子、照射光を試料面より充分離れた装置下
面まで到達させるためにエッジ観察場所で試料外部にな
る部分に穴を開けた。
【０００８】（２）エッジ観察場所で試料外部になる部
分に、試料面より離れた場所になるように、深い溝を設
けた。 （３）エッジ観察場所で試料外部になる部分を斜面にし
た。 （４）エッジ観察場所で試料外部になる部分に照射電子
線や照射光を吸収する素材を付着した。
分に、試料面より離れた場所になるように、深い溝を設
けた。 （３）エッジ観察場所で試料外部になる部分を斜面にし
た。 （４）エッジ観察場所で試料外部になる部分に照射電子
線や照射光を吸収する素材を付着した。
【０００９】
【実施例】以下本発明を図示の実施例に基づき説明す
る。図１は本発明の走査型形状観察装置のブロック図を
示したものである。
る。図１は本発明の走査型形状観察装置のブロック図を
示したものである。
【００１０】電子銃１から発生する電子線ａは偏向器２
ｘによりｘ方向に偏向され偏向器２ｙによりｙ方向に偏
向される。偏向量はＣＰＵ６からｘ方向のＤＡ変換器４
とｙ方向のＤＡ変換器５に与えられる。このＤＡ変換器
４、５の出力は偏向器２ｘと２ｙに、接続されている。
ｘによりｘ方向に偏向され偏向器２ｙによりｙ方向に偏
向される。偏向量はＣＰＵ６からｘ方向のＤＡ変換器４
とｙ方向のＤＡ変換器５に与えられる。このＤＡ変換器
４、５の出力は偏向器２ｘと２ｙに、接続されている。
【００１１】ＣＰＵ６がＡＤ変換器７に対して読み込み
動作をすると、試料３から発生する電子ｂが検出器８に
検出されて変換された電気信号ｃの値がデジタル量に変
換されてＣＰＵ６に取り込まれる。ＣＰＵ６はＡＤ変換
器７から読み込んだ値を画像メモリ９に書き込む。画像
メモリ９の内容は表示器１０に表示される。
動作をすると、試料３から発生する電子ｂが検出器８に
検出されて変換された電気信号ｃの値がデジタル量に変
換されてＣＰＵ６に取り込まれる。ＣＰＵ６はＡＤ変換
器７から読み込んだ値を画像メモリ９に書き込む。画像
メモリ９の内容は表示器１０に表示される。
【００１２】試料３は試料装着装置１３に装着されステ
ージ駆動装置１２を介して観察位置が制御される。ステ
ージ移動量はＣＰＵ６からステージ制御装置１１に与え
られる。このステージ制御装置１１の出力はステージ駆
動装置１２に接続されている。
ージ駆動装置１２を介して観察位置が制御される。ステ
ージ移動量はＣＰＵ６からステージ制御装置１１に与え
られる。このステージ制御装置１１の出力はステージ駆
動装置１２に接続されている。
【００１３】（実施例１）図２は試料装着装置２１３の
改良点を表している。エッジ観察場所で試料外部になる
部分には穴２１があり、画像取得時に電子線ａが照射さ
れた場合は、充分離れた装置下面２２まで到達する。こ
こは焦点より充分離れていて電子線ａが大きく広がって
いるので試料外部から発生する電子数が少なく、かつ検
出器２８まで遠いので電子が検出されにくい。この実施
例は外形の一部を観察する場合に用いることが可能であ
る。
改良点を表している。エッジ観察場所で試料外部になる
部分には穴２１があり、画像取得時に電子線ａが照射さ
れた場合は、充分離れた装置下面２２まで到達する。こ
こは焦点より充分離れていて電子線ａが大きく広がって
いるので試料外部から発生する電子数が少なく、かつ検
出器２８まで遠いので電子が検出されにくい。この実施
例は外形の一部を観察する場合に用いることが可能であ
る。
【００１４】（実施例２）図３は試料装着装置３１３の
改良点を表している。原理は実施例１と同じである。こ
の実施例は実施例１に比べ明るさの差がつきにくいが、
溝３１による試料装着装置の強度低下の問題が避けられ
る。
改良点を表している。原理は実施例１と同じである。こ
の実施例は実施例１に比べ明るさの差がつきにくいが、
溝３１による試料装着装置の強度低下の問題が避けられ
る。
【００１５】（実施例３）図４は試料装着装置４１３の
改良点を表している。エッジ観察場所で試料４３の外部
になる部分は斜面４１になっており、画像取得時に電子
線が照射された場合は、試料外部から発生した電子が検
出器４８方向に飛行しにくいので、検出されにくい。
改良点を表している。エッジ観察場所で試料４３の外部
になる部分は斜面４１になっており、画像取得時に電子
線が照射された場合は、試料外部から発生した電子が検
出器４８方向に飛行しにくいので、検出されにくい。
【００１６】（実施例４）図５は試料装着装置５１３の
改良点を表している。エッジ観察場所で試料外部になる
部分には、電子線の照射による電子の発生数の少ない部
材５１が付着されており、画像取得時に電子線が照射さ
れた場合は、試料外部から電子が発生しにくい。
改良点を表している。エッジ観察場所で試料外部になる
部分には、電子線の照射による電子の発生数の少ない部
材５１が付着されており、画像取得時に電子線が照射さ
れた場合は、試料外部から電子が発生しにくい。
【００１７】
【発明の効果】本実施例２から５のいずれか、もしくは
組み合わせた手段を用いれば、試料外形の自動認識時
に、エッジ認識率と認識精度を向上できる。本発明によ
れば、単純な試料装着装置の改良以外に、特別なノイズ
処理方法、エッジ認識方法等がが必要で無く、装置コス
ト、計算コストが軽減できる。
組み合わせた手段を用いれば、試料外形の自動認識時
に、エッジ認識率と認識精度を向上できる。本発明によ
れば、単純な試料装着装置の改良以外に、特別なノイズ
処理方法、エッジ認識方法等がが必要で無く、装置コス
ト、計算コストが軽減できる。
【図１】本発明が適用される走査型形状観察装置のブロ
ック図を示している。
ック図を示している。
【図２】実施例１の断面図を示している。
【図３】実施例２の断面図を示している。
【図４】実施例３の断面図を示している。
【図５】実施例４の断面図を示している。
３、２３、３３、４３、５３ 試料 ８ ２８、３８、４８、５８ 検出器 １３ ２１３、３１３、４１３、５１３ 試料装着装置 ａ 電子線 ｂ 試料から発生する電子
Claims (1)
- 【請求項１】 試料装着装置上に装着された試料に電子
線または光を試料上面より走査し、前記試料からの２次
電子または反射光の量を検出することにより形状を認識
する走査型形状観察装置において、前記試料の外形のエ
ッジ部下の外部からの２次電子または反射光の量が、前
記外形エッジ部下に前記試料装着装置表面が延在する場
合に比べて少ないことを特徴とする走査型形状観察装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00356393A JP3370365B2 (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 形状観察装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00356393A JP3370365B2 (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 形状観察装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208840A true JPH06208840A (ja) | 1994-07-26 |
| JP3370365B2 JP3370365B2 (ja) | 2003-01-27 |
Family
ID=11560898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00356393A Expired - Fee Related JP3370365B2 (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 形状観察装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3370365B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5717206A (en) * | 1995-10-11 | 1998-02-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron multiplier for scanning electron mircroscopes |
| JP2014529839A (ja) * | 2011-07-26 | 2014-11-13 | 中国科学院物理研究所 | ナノパターン化及び超広帯域電磁特性測定システム |
-
1993
- 1993-01-12 JP JP00356393A patent/JP3370365B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5717206A (en) * | 1995-10-11 | 1998-02-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron multiplier for scanning electron mircroscopes |
| JP2014529839A (ja) * | 2011-07-26 | 2014-11-13 | 中国科学院物理研究所 | ナノパターン化及び超広帯域電磁特性測定システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3370365B2 (ja) | 2003-01-27 |
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