JPH06208972A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JPH06208972A JPH06208972A JP5003142A JP314293A JPH06208972A JP H06208972 A JPH06208972 A JP H06208972A JP 5003142 A JP5003142 A JP 5003142A JP 314293 A JP314293 A JP 314293A JP H06208972 A JPH06208972 A JP H06208972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- plasma
- gas
- etching
- mixed gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマエッチング方法及びプラズマクリー
ニング方法において、特に相対向する電極間距離が小さ
い場合、ＣＦ4を含む混合ガスを用いてガスプラズマを
発生させるときに生じやすい異常放電を抑制する。 【構成】 エッチングガス（クリーニングガス）として
用いるＣＦ4を含む混合ガスに、ＳＦ6、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3
のうち少なくともひとつを含む混合ガスを添加すること
により、ガスプラズマを発生させるときに生じやすい異
常放電を抑制することができる。
ニング方法において、特に相対向する電極間距離が小さ
い場合、ＣＦ4を含む混合ガスを用いてガスプラズマを
発生させるときに生じやすい異常放電を抑制する。 【構成】 エッチングガス（クリーニングガス）として
用いるＣＦ4を含む混合ガスに、ＳＦ6、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3
のうち少なくともひとつを含む混合ガスを添加すること
により、ガスプラズマを発生させるときに生じやすい異
常放電を抑制することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマエッチング
方法及びプラズマクリーニング方法に関し、特に相対向
する電極間の距離が小さい場合、ＣＦ4を含む混合ガス
を用いてガスプラズマを発生させるときに生じやすい異
常放電を抑制することができるものに関する。
方法及びプラズマクリーニング方法に関し、特に相対向
する電極間の距離が小さい場合、ＣＦ4を含む混合ガス
を用いてガスプラズマを発生させるときに生じやすい異
常放電を抑制することができるものに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造に用いられるプラ
ズマエッチング装置の模式図を図１に示す。図１におい
て、上部電極１と下部電極２は電極間距離ｄを隔てて反
応室３内に平行に設置される。半導体基板６は下部電極
２上に置かれる。上部電極１の下部電極２側にはガス導
入口４が設けられる。下部電極２は高周波電源５に接続
されており、上部電極１は接地される。エッチングガス
は、ガス導入口４から反応室３内に導入される。
ズマエッチング装置の模式図を図１に示す。図１におい
て、上部電極１と下部電極２は電極間距離ｄを隔てて反
応室３内に平行に設置される。半導体基板６は下部電極
２上に置かれる。上部電極１の下部電極２側にはガス導
入口４が設けられる。下部電極２は高周波電源５に接続
されており、上部電極１は接地される。エッチングガス
は、ガス導入口４から反応室３内に導入される。
【０００３】大型の液晶基板の製造に用いられるプラズ
マエッチング装置の構成も、基本的に図１と同様なもの
である。
マエッチング装置の構成も、基本的に図１と同様なもの
である。
【０００４】半導体集積回路や液晶基板の製造におい
て、ＳｉＯ2あるいはＳｉ3Ｎ4等をエッチングする際、
一般にＣＦ4を含むガスがエッチングガスとして用いら
れている。ＣＦ4にＯ2を混合すると、ＣＦ4のみによる
エッチングに比べて、エッチング速度が増大するため、
ＣＦ4Ｏ2添加したガスがエッチングガスとして使用され
ている。また、エッチングしようとしている絶縁膜と下
地Ｓｉとのエッチング選択比を向上させるため、ＣＨＦ
3またはＨ2を混合することも一般に行われている。
て、ＳｉＯ2あるいはＳｉ3Ｎ4等をエッチングする際、
一般にＣＦ4を含むガスがエッチングガスとして用いら
れている。ＣＦ4にＯ2を混合すると、ＣＦ4のみによる
エッチングに比べて、エッチング速度が増大するため、
ＣＦ4Ｏ2添加したガスがエッチングガスとして使用され
ている。また、エッチングしようとしている絶縁膜と下
地Ｓｉとのエッチング選択比を向上させるため、ＣＨＦ
3またはＨ2を混合することも一般に行われている。
【０００５】電極間距離ｄを、上部電極１と下部電極２
のうち直径（電極形状が円形でない場合は電極の対角線
の長さ）が小さい方の電極の直径（電極形状が円形でな
い場合は電極の対角線の長さ）の１／１５以下となるよ
うにすると、プラズマが電極間に閉じ込められるためプ
ラズマ密度が上昇し、エッチング速度が増大する。この
方法は、ナローギャップＲＩＥ法として実用化されてい
る。ナローギャップＲＩＥ法においても、エッチングガ
スとしてはＣＦ4を含む混合ガスが用いられる。
のうち直径（電極形状が円形でない場合は電極の対角線
の長さ）が小さい方の電極の直径（電極形状が円形でな
い場合は電極の対角線の長さ）の１／１５以下となるよ
うにすると、プラズマが電極間に閉じ込められるためプ
ラズマ密度が上昇し、エッチング速度が増大する。この
方法は、ナローギャップＲＩＥ法として実用化されてい
る。ナローギャップＲＩＥ法においても、エッチングガ
スとしてはＣＦ4を含む混合ガスが用いられる。
【０００６】ＣＦ4を含む混合ガスを用いたプラズマ処
理として実用化されているものには、以上に述べたプラ
ズマエッチング方法の他に、プラズマＣＶＤ方法による
膜堆積の工程終了後に行うプラズマクリーニング方法が
ある。
理として実用化されているものには、以上に述べたプラ
ズマエッチング方法の他に、プラズマＣＶＤ方法による
膜堆積の工程終了後に行うプラズマクリーニング方法が
ある。
【０００７】とくにＡＩ配線の形成後の工程においてＳ
ｉＯ2やＳｉ3Ｎ4を堆積する方法として、低温で膜形成
が可能なプラズマＣＶＤ方法が広く用いられている。半
導体積層回路の製造に用いられるプラズマＣＶＤ装置の
模式図を図２に示す。図２において、上部電極１と下部
電極２は電極間距離ｄ2を隔てて反応室３内に平行に配
置される。半導体基板６は下部電極２上に置かれる。上
部電極１の下部電極２側にはガス導入口４が設けられ
る。上部電極１は高周波電源５に接続されており、下部
電極２は接地される。反応ガスは、ガス導入口４から反
応室３内に導入する。
ｉＯ2やＳｉ3Ｎ4を堆積する方法として、低温で膜形成
が可能なプラズマＣＶＤ方法が広く用いられている。半
導体積層回路の製造に用いられるプラズマＣＶＤ装置の
模式図を図２に示す。図２において、上部電極１と下部
電極２は電極間距離ｄ2を隔てて反応室３内に平行に配
置される。半導体基板６は下部電極２上に置かれる。上
部電極１の下部電極２側にはガス導入口４が設けられ
る。上部電極１は高周波電源５に接続されており、下部
電極２は接地される。反応ガスは、ガス導入口４から反
応室３内に導入する。
【０００８】液晶基板の製造に用いられるプラズマＣＶ
Ｄ装置の構成も、枚葉式に関しては基本的に図２と同様
なものである。バッチ式については、図３に示すような
トレーに基板を固定して成膜を行うトレー式が採用され
ている。図３において、電極１とトレー２は電極間距離
ｄ3を隔てて反応室３内に平行に配置される。また、処
理能力を高めるために、一対の電極１とトレー７はヒー
ター８の両側に２組設けられのが一般的である。液晶基
板６はトレー７に固定される。電極１のトレー７側には
ガス導入口が設けられる。電極１は高周波電源５に接続
されており、トレー７は接地され第２の電極（アース電
極）としての機能を持つ。反応ガスは、ガス導入口４か
ら反応室３内に導入する。
Ｄ装置の構成も、枚葉式に関しては基本的に図２と同様
なものである。バッチ式については、図３に示すような
トレーに基板を固定して成膜を行うトレー式が採用され
ている。図３において、電極１とトレー２は電極間距離
ｄ3を隔てて反応室３内に平行に配置される。また、処
理能力を高めるために、一対の電極１とトレー７はヒー
ター８の両側に２組設けられのが一般的である。液晶基
板６はトレー７に固定される。電極１のトレー７側には
ガス導入口が設けられる。電極１は高周波電源５に接続
されており、トレー７は接地され第２の電極（アース電
極）としての機能を持つ。反応ガスは、ガス導入口４か
ら反応室３内に導入する。
【０００９】プラズマＣＶＤ方法において、電極間距離
を、上部電極１（トレー式の場合電極１）と下部電極２
（トレー式の場合トレー７）のうち直径（電極形状が円
形でない場合は電極の対角線の長さ）が小さい方の電極
の直径（電極形状が円形でない場合は電極の対角線の長
さ）の１／１５以下となるようにすると、堆積速度が著
しく増大する。この方法も、ナローギャッププラズマＣ
ＶＤ法として実用化されている。
を、上部電極１（トレー式の場合電極１）と下部電極２
（トレー式の場合トレー７）のうち直径（電極形状が円
形でない場合は電極の対角線の長さ）が小さい方の電極
の直径（電極形状が円形でない場合は電極の対角線の長
さ）の１／１５以下となるようにすると、堆積速度が著
しく増大する。この方法も、ナローギャッププラズマＣ
ＶＤ法として実用化されている。
【００１０】プラズマＣＶＤ方法によって基板上に絶縁
膜を堆積すると、上部・下部の各電極（トレー式の場合
電極とトレー）及び反応室内壁に絶縁物が堆積する。こ
の堆積物は反応中あるいは基板搬送中にはがれを起こ
し、ダストとなる。さらに、一般に上部電極（トレー式
の場合電極）に設けられているガス導入口（通常は内径
０．４〜１．０ｍｍ程度の穴）に堆積物がつまると、堆
積速度の基板面内均一性が悪化する。
膜を堆積すると、上部・下部の各電極（トレー式の場合
電極とトレー）及び反応室内壁に絶縁物が堆積する。こ
の堆積物は反応中あるいは基板搬送中にはがれを起こ
し、ダストとなる。さらに、一般に上部電極（トレー式
の場合電極）に設けられているガス導入口（通常は内径
０．４〜１．０ｍｍ程度の穴）に堆積物がつまると、堆
積速度の基板面内均一性が悪化する。
【００１１】このため、プラズマＣＶＤ方法による膜堆
積の工程終了後、基板を反応室の外へ出したのちに、エ
ッチングガスを反応室に導入しプラズマを発生させるこ
とにより、反応室内壁及び電極に堆積した絶縁物を取り
除くことを目的としてプラズマクリーニングが行われて
いる。（トレー式の場合はトレーはオフラインでクリー
ニングする。）このプラズマクリーニング方法において
も、プラズマエッチング方法と同様、エッチングガスと
して一般にＣＦ4を含む混合ガスが用いられる。
積の工程終了後、基板を反応室の外へ出したのちに、エ
ッチングガスを反応室に導入しプラズマを発生させるこ
とにより、反応室内壁及び電極に堆積した絶縁物を取り
除くことを目的としてプラズマクリーニングが行われて
いる。（トレー式の場合はトレーはオフラインでクリー
ニングする。）このプラズマクリーニング方法において
も、プラズマエッチング方法と同様、エッチングガスと
して一般にＣＦ4を含む混合ガスが用いられる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】以上に述べたことから
明らかなように、プラズマエッチング方法としてプラズ
マクリーニング方法は、ともに絶縁膜を取り除くという
点において共通性をもつ技術である。エッチングガス、
クリーニングガスとしては一般にＣＦ4を含む混合ガス
が用いられ、また、プラズマエッチング方法におけるエ
ッチング速度の増大、あるいはプラズマＣＶＤ方法にお
ける堆積速度の著しい増大を図るため、ともに電極間距
離を小さくするナローギャップ化が行われている。
明らかなように、プラズマエッチング方法としてプラズ
マクリーニング方法は、ともに絶縁膜を取り除くという
点において共通性をもつ技術である。エッチングガス、
クリーニングガスとしては一般にＣＦ4を含む混合ガス
が用いられ、また、プラズマエッチング方法におけるエ
ッチング速度の増大、あるいはプラズマＣＶＤ方法にお
ける堆積速度の著しい増大を図るため、ともに電極間距
離を小さくするナローギャップ化が行われている。
【００１３】しかしながら、ＣＦ4を含む混合ガスを用
いた場合、電極間距離を上部電極（トレー式プラズマＣ
ＶＤ装置の場合電極）と下部電極（トレー式プラズマＣ
ＶＤ装置の場合トレー）のうち直径（電極形状が円形で
ない場合は電極の対角線の長さ）が小さい方の電極の直
径（電極形状が円形でない場合は電極の対角線の長さ）
の１／１５以下となるようにすると、プラズマが不安定
となることがある。とくに反応室内の圧力を下げて、高
周波電力を大きくしたときに異常放電が発生しやすくな
る。異常放電とは、プラズマ密度が異常に高い部分が局
所的に生じる現象で、エッチングあるいはクリーニング
の面内均一性の低下はもちろん、電極および基板の損傷
をも引き起こす。異常放電が起こるときは、エッチング
速度あるいはクリーニング速度を犠牲にして高周波電力
を小さくせざるを得ない。 本発明は、このような従来
方法の問題点に鑑み、プラズマエッチング方法及びプラ
ズマクリーニング方法に関し、とくに相対する電極間距
離が小さい場合、ＣＦ4を含む混合ガスを用いてガスプ
ラズマを発生させるときに生じやすい異常放電を抑制す
ることを目的とするものである。
いた場合、電極間距離を上部電極（トレー式プラズマＣ
ＶＤ装置の場合電極）と下部電極（トレー式プラズマＣ
ＶＤ装置の場合トレー）のうち直径（電極形状が円形で
ない場合は電極の対角線の長さ）が小さい方の電極の直
径（電極形状が円形でない場合は電極の対角線の長さ）
の１／１５以下となるようにすると、プラズマが不安定
となることがある。とくに反応室内の圧力を下げて、高
周波電力を大きくしたときに異常放電が発生しやすくな
る。異常放電とは、プラズマ密度が異常に高い部分が局
所的に生じる現象で、エッチングあるいはクリーニング
の面内均一性の低下はもちろん、電極および基板の損傷
をも引き起こす。異常放電が起こるときは、エッチング
速度あるいはクリーニング速度を犠牲にして高周波電力
を小さくせざるを得ない。 本発明は、このような従来
方法の問題点に鑑み、プラズマエッチング方法及びプラ
ズマクリーニング方法に関し、とくに相対する電極間距
離が小さい場合、ＣＦ4を含む混合ガスを用いてガスプ
ラズマを発生させるときに生じやすい異常放電を抑制す
ることを目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明では、エッチング
ガス（クリーニングガス）として用いるＣＦ4を含む混
合ガスに、ＳＦ6、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3のうち少なくともひと
つを含む混合ガスを添加する。
ガス（クリーニングガス）として用いるＣＦ4を含む混
合ガスに、ＳＦ6、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3のうち少なくともひと
つを含む混合ガスを添加する。
【００１５】
【作用】本発明によれば、エッチングガス（クリーニン
グガス）として用いるＣＦ4を含む混合ガスにＳＦ6、Ｃ
2Ｆ6、ＮＦ3のうち少なくともひとつを含む混合ガスを
添加することにより、プラズマの安定化が図れ、その結
果電極間距離が小さい場合に生じやすい異常放電を抑制
することができる。
グガス）として用いるＣＦ4を含む混合ガスにＳＦ6、Ｃ
2Ｆ6、ＮＦ3のうち少なくともひとつを含む混合ガスを
添加することにより、プラズマの安定化が図れ、その結
果電極間距離が小さい場合に生じやすい異常放電を抑制
することができる。
【００１６】
【実施例】以下、多層配線構造をもつ反動体集積回路の
製造工程における、層間ＳｉＯ2膜堆積に利用されるプ
ラズマＣＶＤ方法による膜堆積工程終了後のクリーニン
グ工程を例にとって説明する。なお、実験に用いた装置
は、６インチ半導体基板用プラズマＣＶＤ装置である。
製造工程における、層間ＳｉＯ2膜堆積に利用されるプ
ラズマＣＶＤ方法による膜堆積工程終了後のクリーニン
グ工程を例にとって説明する。なお、実験に用いた装置
は、６インチ半導体基板用プラズマＣＶＤ装置である。
【００１７】図２において、直径が１５０ｍｍの上部電
極１と同じく直径が１５０ｍｍの下部電極２が距離５ｍ
ｍを隔てて反応室３内に平行に配置されている。上部電
極１の下部電極２側には穴径０．５ｍｍガス導入口４が
多数（約３０００個）設けられている。上部電極１は高
周波電源５に接続されており、下部電極２は接地され
る。エッチングガス（クリーニングガス）は、ＣＦ4に
Ｏ2を１０％含んだ混合ガスに、異常放電抑制のための
ＳＦ6を添加した後、ガス導入口４から反応室３内に導
入する。ＣＦ4とＯ2の混合ガス及びＳＦ6は、マスフロ
ーコントローラ（図示していない）によって流量制御が
可能となっている。また、ＳｉＯ2膜堆積のための反応
ガスも、エッチングガス（クリーニングガス）と同様、
ガス導入口４から反応室３内に導入する。
極１と同じく直径が１５０ｍｍの下部電極２が距離５ｍ
ｍを隔てて反応室３内に平行に配置されている。上部電
極１の下部電極２側には穴径０．５ｍｍガス導入口４が
多数（約３０００個）設けられている。上部電極１は高
周波電源５に接続されており、下部電極２は接地され
る。エッチングガス（クリーニングガス）は、ＣＦ4に
Ｏ2を１０％含んだ混合ガスに、異常放電抑制のための
ＳＦ6を添加した後、ガス導入口４から反応室３内に導
入する。ＣＦ4とＯ2の混合ガス及びＳＦ6は、マスフロ
ーコントローラ（図示していない）によって流量制御が
可能となっている。また、ＳｉＯ2膜堆積のための反応
ガスも、エッチングガス（クリーニングガス）と同様、
ガス導入口４から反応室３内に導入する。
【００１８】図４は、ＳｉＯ2膜を通常の堆積条件で半
導体基板上に２μｍ堆積した後、基板を反応室の外へ出
したのちに、反応室内の圧力を５００ｍｍＴｏｒｒ、エ
ッチングガス（クリーニングガス）の総流量を６０ｓｃ
ｃｍ（一定）とし、ＳＦ6の添加量（流量比）を０〜２
０％と変化させて、異常放電が起きず正常な放電が可能
となる最大の高周波電力を求めたものである。
導体基板上に２μｍ堆積した後、基板を反応室の外へ出
したのちに、反応室内の圧力を５００ｍｍＴｏｒｒ、エ
ッチングガス（クリーニングガス）の総流量を６０ｓｃ
ｃｍ（一定）とし、ＳＦ6の添加量（流量比）を０〜２
０％と変化させて、異常放電が起きず正常な放電が可能
となる最大の高周波電力を求めたものである。
【００１９】図４からわかるように、ＳＦ6添加量が0％
のときは、正常放電する条件は存在しない。ＳＦ6添加量
を増加するに従って、正常放電可能な最大の高周波電力
が大きくなっている。ＳＦ6添加量が２０％となると、
１０００Ｗ放電が可能となる。さらにＳＦ6添加量を大
きくすると、正常放電可能な最大の高周波電力はさらに
大きくなる。
のときは、正常放電する条件は存在しない。ＳＦ6添加量
を増加するに従って、正常放電可能な最大の高周波電力
が大きくなっている。ＳＦ6添加量が２０％となると、
１０００Ｗ放電が可能となる。さらにＳＦ6添加量を大
きくすると、正常放電可能な最大の高周波電力はさらに
大きくなる。
【００２０】本実施例では半導体集積回路の製造に利用
されるプラズマＣＶＤ方法による膜堆積工程終了後のク
リーニング工程について説明したが、本発明は、液晶基
板の製造に用いられるプラズマＣＶＤ装置等、他のプラ
ズマＣＶＤ装置におけるクリーニング方法、あるいは半
導体集積回路、液晶基板等の製造に利用されるプラズマ
エッチング方法にも適用可能である。
されるプラズマＣＶＤ方法による膜堆積工程終了後のク
リーニング工程について説明したが、本発明は、液晶基
板の製造に用いられるプラズマＣＶＤ装置等、他のプラ
ズマＣＶＤ装置におけるクリーニング方法、あるいは半
導体集積回路、液晶基板等の製造に利用されるプラズマ
エッチング方法にも適用可能である。
【００２１】また、本実施例ではＣＦ4を含む混合ガス
としてＣＦ4にＯ2を１０％含んだものを用いているが、
Ｏ2の混合比はもちろん１０％に限定されるものではな
い。あるいは、ＣＦ4を含む混合ガスにはＯ2以外の成
分、例えばＣＨＦ3やＨ2が含まれていてもよい。
としてＣＦ4にＯ2を１０％含んだものを用いているが、
Ｏ2の混合比はもちろん１０％に限定されるものではな
い。あるいは、ＣＦ4を含む混合ガスにはＯ2以外の成
分、例えばＣＨＦ3やＨ2が含まれていてもよい。
【００２２】また、本実施例では電極間距離が５ｍｍで
ある場合について説明したが、本発明は、電極間距離を
２つの電極のうち直径（電極形状が円形でない場合は電
極の対角線の長さ）が小さい方の電極の直径（電極形状
が円形でない場合は電極の対角線の長さ）の１／１５以
下となるようにした場合のあらゆるプラズマ処理方法に
適用可能である。
ある場合について説明したが、本発明は、電極間距離を
２つの電極のうち直径（電極形状が円形でない場合は電
極の対角線の長さ）が小さい方の電極の直径（電極形状
が円形でない場合は電極の対角線の長さ）の１／１５以
下となるようにした場合のあらゆるプラズマ処理方法に
適用可能である。
【００２３】また、本実施例ではＣＦ4を含む混合ガス
に添加する異常放電抑止のためのガスとしてＳＦ6を用
いたものについて説明したが、添加ガスはＳＦ6に限定
されるものではなくＳＦ6、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3のうち少なく
ともひとつを含む混合ガスを添加しても同様の効果が得
られる。
に添加する異常放電抑止のためのガスとしてＳＦ6を用
いたものについて説明したが、添加ガスはＳＦ6に限定
されるものではなくＳＦ6、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3のうち少なく
ともひとつを含む混合ガスを添加しても同様の効果が得
られる。
【００２４】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、プラズマＣＶＤ装置において、クリーニングガス
（エッチングガス）として用いるＣＦ4を含む混合ガス
に、ＳＦ6、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3のうち少なくともひとつを含
む混合ガスを添加することによって、異常放電を発生さ
せることなくクリーニングが行えるようになる。
ば、プラズマＣＶＤ装置において、クリーニングガス
（エッチングガス）として用いるＣＦ4を含む混合ガス
に、ＳＦ6、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3のうち少なくともひとつを含
む混合ガスを添加することによって、異常放電を発生さ
せることなくクリーニングが行えるようになる。
【００２５】プラズマエッチング方法においても全く同
様に、エッチングガスとして用いるＣＦ4を含む混合ガ
スに、ＳＦ6、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3のうち少なくともひとつを
含む混合ガスを添加することによって、異常放電の発生
を抑制することができる。
様に、エッチングガスとして用いるＣＦ4を含む混合ガ
スに、ＳＦ6、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3のうち少なくともひとつを
含む混合ガスを添加することによって、異常放電の発生
を抑制することができる。
【図１】プラズマエッチング装置の構成図
【図２】本発明の一実施例におけるプラズマＣＶＤ装置
の構成図
の構成図
【図３】従来のＣＶＤ装置の構成図
【図４】正常な放電が可能となる最大の高周波電力とＳ
Ｆ6添加量との関係を示す特性図
Ｆ6添加量との関係を示す特性図
１ 上部電極 ２ 下部電極 ３ 反応室 ４ ガス導入口 ５ 高周波電源
Claims (1)
- 【請求項１】 真空容器内に２つの電極を有し、前記２
つの電極間の距離が、前記２つの電極のうち直径（電極
形状が円形でない場合は電極の対角線の長さ）が小さい
方の電極の直径（電極形状が円形でない場合は電極の対
角線の長さ）の１／１５以下であるプラズマ処理装置に
おいて、前記真空容器内にＣＦ4を含む混合ガスを導入
し、前記２つの電極間に高周波電力を印加してガスプラ
ズマを発生させるプラズマ処理方法であって、前記ＣＦ
4を含む混合ガスに、ＳＦ6、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3のうち少な
くともひとつを含む混合ガスを添加することを特徴とす
るプラズマ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5003142A JPH06208972A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5003142A JPH06208972A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | プラズマ処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06208972A true JPH06208972A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11549111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5003142A Pending JPH06208972A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06208972A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6060397A (en) * | 1995-07-14 | 2000-05-09 | Applied Materials, Inc. | Gas chemistry for improved in-situ cleaning of residue for a CVD apparatus |
| WO2004100246A1 (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-18 | Tadahiro Ohmi | 基板処理装置のクリーニング方法 |
| CN102870198A (zh) * | 2009-12-11 | 2013-01-09 | 诺发系统有限公司 | 极低硅损失高剂量植入剥离 |
| US9514954B2 (en) | 2014-06-10 | 2016-12-06 | Lam Research Corporation | Peroxide-vapor treatment for enhancing photoresist-strip performance and modifying organic films |
| US9613825B2 (en) | 2011-08-26 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Photoresist strip processes for improved device integrity |
| US9941108B2 (en) | 2004-12-13 | 2018-04-10 | Novellus Systems, Inc. | High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry |
-
1993
- 1993-01-12 JP JP5003142A patent/JPH06208972A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6060397A (en) * | 1995-07-14 | 2000-05-09 | Applied Materials, Inc. | Gas chemistry for improved in-situ cleaning of residue for a CVD apparatus |
| WO2004100246A1 (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-18 | Tadahiro Ohmi | 基板処理装置のクリーニング方法 |
| US9941108B2 (en) | 2004-12-13 | 2018-04-10 | Novellus Systems, Inc. | High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry |
| CN102870198A (zh) * | 2009-12-11 | 2013-01-09 | 诺发系统有限公司 | 极低硅损失高剂量植入剥离 |
| JP2013513946A (ja) * | 2009-12-11 | 2013-04-22 | ノベルス・システムズ・インコーポレーテッド | シリコン損失を非常に低く抑えた高ドーズインプラントストリップ |
| US9564344B2 (en) | 2009-12-11 | 2017-02-07 | Novellus Systems, Inc. | Ultra low silicon loss high dose implant strip |
| US9613825B2 (en) | 2011-08-26 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Photoresist strip processes for improved device integrity |
| US9514954B2 (en) | 2014-06-10 | 2016-12-06 | Lam Research Corporation | Peroxide-vapor treatment for enhancing photoresist-strip performance and modifying organic films |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5512130A (en) | Method and apparatus of etching a clean trench in a semiconductor material | |
| CN119694885A (zh) | 改进的锗蚀刻系统和方法 | |
| JPH09167755A (ja) | プラズマ酸化膜処理装置 | |
| US20040180553A1 (en) | Method of depositing ALD thin films on wafer | |
| JP3257356B2 (ja) | 気相成長装置及び気相成長方法並びに気相成長装置のクリーニング方法 | |
| JPH06208972A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JP2003155569A (ja) | プラズマｃｖｄ装置及びそのクリーニング方法 | |
| KR20040096380A (ko) | 산화 금속막 증착 챔버의 세정 방법 및 이를 수행하기위한 증착 장치 | |
| US20030121527A1 (en) | Method for cleaning a semiconductor device | |
| JP4749683B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JP3437926B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置及び成膜方法並びにクリーニング方法 | |
| US10886137B2 (en) | Selective nitride removal | |
| JPH0776781A (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JPH0610140A (ja) | 薄膜堆積装置 | |
| EP1039501A2 (en) | Apparatus and method for production of electronic devices | |
| JPH09129596A (ja) | 反応室のクリーニング方法 | |
| JPH11307521A (ja) | プラズマｃｖｄ装置及びその使用方法 | |
| JP2001176843A (ja) | ドライクリーニング方法 | |
| KR100443905B1 (ko) | 화학 기상 증착장치 | |
| CN1494115A (zh) | 湿蚀刻装置 | |
| JPH09266201A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH10177993A (ja) | 平行平板狭電極型のプラズマ処理装置 | |
| JP2001140077A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2002235173A (ja) | プラズマｃｖｄ装置及び堆積膜クリーニング方法 | |
| JPH09209119A (ja) | 薄膜成膜・加工装置及び薄膜成膜・加工方法 |