JPH06209042A - 半導体ウエハのダイシングテープ及びチップ分離方法 - Google Patents
半導体ウエハのダイシングテープ及びチップ分離方法Info
- Publication number
- JPH06209042A JPH06209042A JP303693A JP303693A JPH06209042A JP H06209042 A JPH06209042 A JP H06209042A JP 303693 A JP303693 A JP 303693A JP 303693 A JP303693 A JP 303693A JP H06209042 A JPH06209042 A JP H06209042A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- wafer
- adhesive
- dicing
- dicing tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 導電性ペースト等を用いることなしにダイシ
ングブレードからウエハに電流を流してチップごとに分
離することができるダイシングテープを得る。 【構成】 半導体ウエハを接着して保持するためのダイ
シングテープにおいて、接着剤8bの下層に接着面に垂
直方向に導電性を持った導電性高分子8aを備え、半導
体ウエハを接着した際、ウエハを導電性高分子8aを介
して直接グランドできる構成とした。 【効果】 ダイシングブレードからウエハに電流を流し
て半導体ウエハをカットする場合に、ウエハとダイシン
グブレード間以外に抵抗が存在せず、有効に放電の効果
が得られ、半導体ウエハのカットを容易とできるととも
に、チップ分離工程の簡略化及び歩留を向上できる。
ングブレードからウエハに電流を流してチップごとに分
離することができるダイシングテープを得る。 【構成】 半導体ウエハを接着して保持するためのダイ
シングテープにおいて、接着剤8bの下層に接着面に垂
直方向に導電性を持った導電性高分子8aを備え、半導
体ウエハを接着した際、ウエハを導電性高分子8aを介
して直接グランドできる構成とした。 【効果】 ダイシングブレードからウエハに電流を流し
て半導体ウエハをカットする場合に、ウエハとダイシン
グブレード間以外に抵抗が存在せず、有効に放電の効果
が得られ、半導体ウエハのカットを容易とできるととも
に、チップ分離工程の簡略化及び歩留を向上できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエハをチップ
ごとに分離する際に、ウエハを保持するために用いられ
る半導体ウエハのダイシングテープ、及びこれを用いた
チップ分離方法に関するものである。
ごとに分離する際に、ウエハを保持するために用いられ
る半導体ウエハのダイシングテープ、及びこれを用いた
チップ分離方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は半導体ウエハをチップごとに分離
する際に、該ウエハを保持するのに用いられるダイシン
グテープと呼ばれる保持テープの断面図である。図3に
おいて、1はテープ本体を示し、絶縁性材料からなるテ
ープ材1aの表面に紫外光感光性接着剤、もしくは低粘
着性接着剤1bが塗布された構造となっている。この接
着剤1bは数μmの厚さを持ち、半導体ウエハを保持す
るのに十分な接着力となっている。
する際に、該ウエハを保持するのに用いられるダイシン
グテープと呼ばれる保持テープの断面図である。図3に
おいて、1はテープ本体を示し、絶縁性材料からなるテ
ープ材1aの表面に紫外光感光性接着剤、もしくは低粘
着性接着剤1bが塗布された構造となっている。この接
着剤1bは数μmの厚さを持ち、半導体ウエハを保持す
るのに十分な接着力となっている。
【0003】また、図4は図3に示すダイシングテープ
の使用状態を示す上面図であり、図において、1はダイ
シングテープ、2はダイシングテープ1の周縁部に接着
されたダイシングテープ1の周縁部を固定するためのテ
ープ固定リングである。3はダイシングテープ1の中央
部に接着された半導体ウエハ、4はウエハ3の周囲から
リング2の外までグランドを引き出すための導電性ペー
ストである。
の使用状態を示す上面図であり、図において、1はダイ
シングテープ、2はダイシングテープ1の周縁部に接着
されたダイシングテープ1の周縁部を固定するためのテ
ープ固定リングである。3はダイシングテープ1の中央
部に接着された半導体ウエハ、4はウエハ3の周囲から
リング2の外までグランドを引き出すための導電性ペー
ストである。
【0004】次に動作について説明する。図5に示すよ
うに、テープ固定リング2とともに、半導体ウエハ3を
ダイシングテープ1表面に接着し、該テープ1をダイシ
ングマシンのテーブル5に真空引きにより吸着させ、導
電性ペースト4を用いてウエハ3周囲からリング2を回
り込んでテーブル5にグランドを落とし、外部パルス電
源7の(−)マイナス極を接続されたダイシングブレー
ド6にてウエハ3に電流を流しながらチップ分離を行
う。
うに、テープ固定リング2とともに、半導体ウエハ3を
ダイシングテープ1表面に接着し、該テープ1をダイシ
ングマシンのテーブル5に真空引きにより吸着させ、導
電性ペースト4を用いてウエハ3周囲からリング2を回
り込んでテーブル5にグランドを落とし、外部パルス電
源7の(−)マイナス極を接続されたダイシングブレー
ド6にてウエハ3に電流を流しながらチップ分離を行
う。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体ウエハの
保持テープは以上のように構成されており、ウエハに電
流を流してカットするチップ分離方法に用いる場合、導
電性ペースト4によってグランドを引き出すようにして
いるため、ダイシングブレードとグランド間の導電性が
低く、ウエハがカットされにくいという問題点があっ
た。
保持テープは以上のように構成されており、ウエハに電
流を流してカットするチップ分離方法に用いる場合、導
電性ペースト4によってグランドを引き出すようにして
いるため、ダイシングブレードとグランド間の導電性が
低く、ウエハがカットされにくいという問題点があっ
た。
【0006】また、ウエハ3表面の周縁部に導電性ペー
ストを塗布して電極をとっているためウエハ3が汚染さ
れたり、ウエハ1枚ごとに導電性ペーストを塗布する作
業が必要となるため自動化が困難であるなどの問題点が
あった。
ストを塗布して電極をとっているためウエハ3が汚染さ
れたり、ウエハ1枚ごとに導電性ペーストを塗布する作
業が必要となるため自動化が困難であるなどの問題点が
あった。
【0007】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ダイシングテープ表面に接着し
た半導体ウエハを、導電性ペースト等を用いることなし
にダイシングブレードからウエハに電流を流してチップ
ごとに分離することができるダイシングテープ、及びこ
れを用いたウエハ分離方法を提供することを目的とす
る。
ためになされたもので、ダイシングテープ表面に接着し
た半導体ウエハを、導電性ペースト等を用いることなし
にダイシングブレードからウエハに電流を流してチップ
ごとに分離することができるダイシングテープ、及びこ
れを用いたウエハ分離方法を提供することを目的とす
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体ウ
エハのダイシングテープは、半導体ウエハを接着して保
持するためのダイシングテープにおいて、接着剤の下層
に接着面に垂直方向に導電性を持った導電性高分子を備
えたものである。
エハのダイシングテープは、半導体ウエハを接着して保
持するためのダイシングテープにおいて、接着剤の下層
に接着面に垂直方向に導電性を持った導電性高分子を備
えたものである。
【0009】また、この発明に係るダイシングテープ
は、さらに上記接着剤を紫外光に感光することにより接
着力が低下する接着剤としたものである。
は、さらに上記接着剤を紫外光に感光することにより接
着力が低下する接着剤としたものである。
【0010】さらに、半導体ウエハのチップ分離方法
は、接着剤の下層に、接着面に垂直方向に導電性を持っ
た導電性高分子を有する保持テープを用いて半導体ウエ
ハを接着し、該保持テープをグランドとすることによ
り、ダイシングブレードからウエハに電流を流してチッ
プごとに分離するようにしたものである。
は、接着剤の下層に、接着面に垂直方向に導電性を持っ
た導電性高分子を有する保持テープを用いて半導体ウエ
ハを接着し、該保持テープをグランドとすることによ
り、ダイシングブレードからウエハに電流を流してチッ
プごとに分離するようにしたものである。
【0011】
【作用】この発明におけるダイシングテープは、接着面
に垂直方向に導電性を持たせたから、ダイシングブレー
ドからウエハに電流を流してカットする方式で半導体ウ
エハをカットする場合に、ダイシングブレードとグラン
ド間の導電性が低いためウエハのカットを容易とでき、
また、導電性ペーストを用いる必要がないので、ウエハ
が汚染されることを防止できるとともに、ダイシング工
程の自動化を容易とできる。
に垂直方向に導電性を持たせたから、ダイシングブレー
ドからウエハに電流を流してカットする方式で半導体ウ
エハをカットする場合に、ダイシングブレードとグラン
ド間の導電性が低いためウエハのカットを容易とでき、
また、導電性ペーストを用いる必要がないので、ウエハ
が汚染されることを防止できるとともに、ダイシング工
程の自動化を容易とできる。
【0012】また、この発明におけるダイシングテープ
は、さらに接着剤を紫外光に感光することにより接着力
が低下する接着剤としたので、ダイシング工程後のチッ
プの剥離を容易とできる。
は、さらに接着剤を紫外光に感光することにより接着力
が低下する接着剤としたので、ダイシング工程後のチッ
プの剥離を容易とできる。
【0013】また、この発明における半導体ウエハのチ
ップ分離方法によれば、接着剤の下層に、接着面に垂直
方向に導電性を持った導電性高分子を有する保持テープ
を用いて半導体ウエハを接着し、該保持テープをグラン
ドとすることにより、ダイシングブレードからウエハに
電流を流してチップごとに分離するようにしたから、ウ
エハがカットされやすくなり、ダイシングブレードから
ウエハに電流を流して半導体ウエハをカットする方法を
用いたチップ分離工程の歩留りを向上することができ
る。
ップ分離方法によれば、接着剤の下層に、接着面に垂直
方向に導電性を持った導電性高分子を有する保持テープ
を用いて半導体ウエハを接着し、該保持テープをグラン
ドとすることにより、ダイシングブレードからウエハに
電流を流してチップごとに分離するようにしたから、ウ
エハがカットされやすくなり、ダイシングブレードから
ウエハに電流を流して半導体ウエハをカットする方法を
用いたチップ分離工程の歩留りを向上することができ
る。
【0014】
実施例1.以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1は本発明の第1の実施例によるダイシングテ
ープの断面図であり、8は保持テープ本体であり、接着
剤8aの下層に接着面に垂直方向に導電性を持った、材
質として、例えばポリチオフェン,ポリ−3−メチルチ
オフェン,ポリアセチレン等の導電性高分子8bを用い
た構造となっている。
する。図1は本発明の第1の実施例によるダイシングテ
ープの断面図であり、8は保持テープ本体であり、接着
剤8aの下層に接着面に垂直方向に導電性を持った、材
質として、例えばポリチオフェン,ポリ−3−メチルチ
オフェン,ポリアセチレン等の導電性高分子8bを用い
た構造となっている。
【0015】次に動作について説明する。図2に示すよ
うに、テープ固定リング2とともに、半導体ウエハ3を
ダイシングテープ8表面に接着し、該テープをダイシン
グマシンの予めグランドに落とされたテーブル5に真空
引きにより吸着させる。
うに、テープ固定リング2とともに、半導体ウエハ3を
ダイシングテープ8表面に接着し、該テープをダイシン
グマシンの予めグランドに落とされたテーブル5に真空
引きにより吸着させる。
【0016】次に、外部パルス電源7の(−)マイナス
極を接続された、例えばNiを主材としたダイシングブ
レード6にてウエハ3にパルス電流を流しながらチップ
分離を行う。
極を接続された、例えばNiを主材としたダイシングブ
レード6にてウエハ3にパルス電流を流しながらチップ
分離を行う。
【0017】ここで、接着剤8bは数μmの厚さを持
ち、半導体ウエハを保持するのに十分な接着力となって
いる。通常この接着剤8bは完全にテープ材を覆ってい
るのではなく、むらがあるので、テープ上に接着された
半導体ウエハ3の裏面は導電性高分子8bに、むらの部
分で直接接触することとなる。半導体ウエハ3の裏面に
は金メッキ等により電極が形成されているので、この電
極は導電性高分子8bによりダイシングテーブル5にグ
ランドされる。したがって、本実施例では、従来のよう
に導電性ペーストにより周囲からグランドされる場合に
比してダイシングブレードとグランド間の導電性は低く
なり、半導体ウエハは効率よくカットされることとな
る。
ち、半導体ウエハを保持するのに十分な接着力となって
いる。通常この接着剤8bは完全にテープ材を覆ってい
るのではなく、むらがあるので、テープ上に接着された
半導体ウエハ3の裏面は導電性高分子8bに、むらの部
分で直接接触することとなる。半導体ウエハ3の裏面に
は金メッキ等により電極が形成されているので、この電
極は導電性高分子8bによりダイシングテーブル5にグ
ランドされる。したがって、本実施例では、従来のよう
に導電性ペーストにより周囲からグランドされる場合に
比してダイシングブレードとグランド間の導電性は低く
なり、半導体ウエハは効率よくカットされることとな
る。
【0018】このように、本実施例によれば、接着剤下
層に接着面に垂直に導電性を持った構造としたから、ダ
イシング時のパルス電流はウエハとダイシングブレード
間にのみ抵抗を持ち、有効に放電の効果が得られ、工程
の歩留りを大幅に向上することができる。また、ウエハ
表面の周囲から導電性ペースト等を用いてウエハ1枚ご
とに塗布して電極をとる必要がないので、ウエハが汚染
されることがなく、ウエハに汚染防止処理を施す工程を
削減でき、またダイシング工程の自動化も導電性ペース
トの塗布作業がないので容易に実現可能である。
層に接着面に垂直に導電性を持った構造としたから、ダ
イシング時のパルス電流はウエハとダイシングブレード
間にのみ抵抗を持ち、有効に放電の効果が得られ、工程
の歩留りを大幅に向上することができる。また、ウエハ
表面の周囲から導電性ペースト等を用いてウエハ1枚ご
とに塗布して電極をとる必要がないので、ウエハが汚染
されることがなく、ウエハに汚染防止処理を施す工程を
削減でき、またダイシング工程の自動化も導電性ペース
トの塗布作業がないので容易に実現可能である。
【0019】実施例2.なお、図1に示すダイシングテ
ープ8において、接着剤8aとして、紫外光に感光する
ことにより接着力が低下する接着剤を用いた場合には、
ダイシング工程終了後に、紫外光を照射することによ
り、分離されたチップを容易にダイシングテープから剥
離することができ、作業性を向上できる。
ープ8において、接着剤8aとして、紫外光に感光する
ことにより接着力が低下する接着剤を用いた場合には、
ダイシング工程終了後に、紫外光を照射することによ
り、分離されたチップを容易にダイシングテープから剥
離することができ、作業性を向上できる。
【0020】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ダイ
シングテープを接着剤下層に接着面に垂直に導電性を持
った構造としたので、ダイシングブレードからウエハに
電流を流してカットする方式で半導体ウエハをカットす
る場合に、ウエハとダイシングブレード間以外に抵抗が
存在せず、有効に放電の効果が得られ、半導体ウエハの
カットを容易とできるとともに、ウエハに汚染防止処理
等を行う必要がなくなるため、チップ分離工程を簡略化
でき、さらに自動化も容易に実現でき、チップ分離工程
の歩留を向上することができる効果がある。
シングテープを接着剤下層に接着面に垂直に導電性を持
った構造としたので、ダイシングブレードからウエハに
電流を流してカットする方式で半導体ウエハをカットす
る場合に、ウエハとダイシングブレード間以外に抵抗が
存在せず、有効に放電の効果が得られ、半導体ウエハの
カットを容易とできるとともに、ウエハに汚染防止処理
等を行う必要がなくなるため、チップ分離工程を簡略化
でき、さらに自動化も容易に実現でき、チップ分離工程
の歩留を向上することができる効果がある。
【図1】導電性ダイシングテープ断面図。
【図2】導電性ダイシングテープを用いたカッティング
状態図。
状態図。
【図3】ダイシングテープ断面図。
【図4】導電性ペーストを用いたグランド引き出し状態
図。
図。
【図5】導電性ペーストを用いたカッティング状態図。
1 ダイシングテープ 1a テープ材 1b 接着剤 2 テープ固定リング 3 半導体ウエハ 4 導電性ペースト 5 ダイシングテーブル 6 ダイシングブレード 7 外部パルス電源 8 導電性ダイシングテープ 8a 導電性高分子 8b 接着剤
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体ウエハを表面に接着し、該半導体
ウエハをカッティングするための半導体ウエハのダイシ
ングテープにおいて、 上記ダイシングテープは、 上記半導体ウエハを保持するための接着剤と、 該接着剤の下層に設けられ、該接着面に垂直方向に導電
性を持たせるための導電性高分子とを備えていることを
特徴とする半導体ウエハのダイシングテープ。 - 【請求項2】 請求項1記載の半導体ウエハの保持テー
プにおいて、 上記接着剤を、紫外光に感光することにより接着力が低
下する接着剤としたことを特徴とする半導体ウエハのダ
イシングテープ。 - 【請求項3】 半導体ウエハをチップごとに分離するチ
ップ分離方法において、 接着剤下層に、該接着面に垂直方向に導電性を持たせる
ための導電性高分子を有するダイシングテープを用いて
半導体ウエハを接着保持する工程と、 該ダイシングテープをグランド電位として、ダイシング
ブレードから上記半導体ウエハに電流を流して該ウエハ
をチップごとに分離する工程とを含むことを特徴とする
チップ分離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP303693A JPH06209042A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 半導体ウエハのダイシングテープ及びチップ分離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP303693A JPH06209042A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 半導体ウエハのダイシングテープ及びチップ分離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06209042A true JPH06209042A (ja) | 1994-07-26 |
Family
ID=11546089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP303693A Pending JPH06209042A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | 半導体ウエハのダイシングテープ及びチップ分離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06209042A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8471585B2 (en) | 2009-08-27 | 2013-06-25 | Tokyo Electron Limited | Method for evaluating semiconductor device |
-
1993
- 1993-01-12 JP JP303693A patent/JPH06209042A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8471585B2 (en) | 2009-08-27 | 2013-06-25 | Tokyo Electron Limited | Method for evaluating semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI283457B (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP3197788B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW201701341A (zh) | 半導體裝置之製造方法 | |
| JPH025447A (ja) | 半導体デバイスの製造方法並びにその製造方法に使用する可撓性ウエファ構造 | |
| JP2000340526A5 (ja) | ||
| TW201604946A (zh) | 晶圓之加工方法 | |
| US10847403B2 (en) | Method of manufacturing device chips and pick up apparatus | |
| JP2004193241A (ja) | 半導体ウエーハの分割方法 | |
| JPH06209042A (ja) | 半導体ウエハのダイシングテープ及びチップ分離方法 | |
| JP2000331963A (ja) | ウェーハフレームへのウェーハ取付方法と装置及びそれを組込んだ平面加工装置 | |
| JPH04367250A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2829064B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09115863A (ja) | 表面保護テープ貼り付け方法およびその装置 | |
| JPH0621219A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6323334A (ja) | 半導体素子処理方法 | |
| JPH03132056A (ja) | 半導体ウエハのダイシング方法 | |
| JPS6048104B2 (ja) | 半導体ウエハの分割方法 | |
| JPS59134849A (ja) | ダイシング方法および粘着シ−ト | |
| JPS61210650A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05114643A (ja) | 半導体ウエハのウエハシート保持方法 | |
| JPH0974076A (ja) | 発光半導体ウエハの個別分離方法 | |
| JP2859412B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09306976A (ja) | 半導体素子剥離方法及びその装置 | |
| JP4005412B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005302798A (ja) | ボンディング用フィルムおよびボンディング用フィルムを用いた半導体チップの製造方法 |