JPH0620946A - 基体に量子細線を形成する方法 - Google Patents
基体に量子細線を形成する方法Info
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- JPH0620946A JPH0620946A JP17584992A JP17584992A JPH0620946A JP H0620946 A JPH0620946 A JP H0620946A JP 17584992 A JP17584992 A JP 17584992A JP 17584992 A JP17584992 A JP 17584992A JP H0620946 A JPH0620946 A JP H0620946A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基体に量子細線を形成する方法であって、量
子細線直径が該細線の長さ方向において略均一化されて
おり、量子細線同士においても細線直径、長さ、方向が
略揃っていて所望の量子効果を期待できる量子細線の形
成方法を提供する。 【構成】 量子細線を形成する基体１にイオン注入５ａ
を行ったのち、該基体を弗化水素酸中又はプラズマＰの
もとで陽極酸化処理することにより該基体に量子細線７
を形成する方法。
子細線直径が該細線の長さ方向において略均一化されて
おり、量子細線同士においても細線直径、長さ、方向が
略揃っていて所望の量子効果を期待できる量子細線の形
成方法を提供する。 【構成】 量子細線を形成する基体１にイオン注入５ａ
を行ったのち、該基体を弗化水素酸中又はプラズマＰの
もとで陽極酸化処理することにより該基体に量子細線７
を形成する方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン（Ｓｉ）の結
晶からなる基板等の基体に量子細線を形成する方法に関
する。
晶からなる基板等の基体に量子細線を形成する方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】例えば真性半導体（ｉ形半導体）である
シリコン結晶からなる基板に直径数十オングストロー
ム、長さ数ミクロン程度の細い線を多数形成し、これら
の細線に光等の外部エネルギーを与えると、該細線にお
いてシリコン結晶中の価電子が励起されて伝導電子とな
るとともに正孔（ホール）が生成され、電子正孔対が形
成される。この電子及び正孔はバンド内ある欠陥、不純
物に起因する準位に落ち込み、バンド内準位を介して再
結合する。この電子正孔対の再結合により発光等の現像
が生じる。
シリコン結晶からなる基板に直径数十オングストロー
ム、長さ数ミクロン程度の細い線を多数形成し、これら
の細線に光等の外部エネルギーを与えると、該細線にお
いてシリコン結晶中の価電子が励起されて伝導電子とな
るとともに正孔（ホール）が生成され、電子正孔対が形
成される。この電子及び正孔はバンド内ある欠陥、不純
物に起因する準位に落ち込み、バンド内準位を介して再
結合する。この電子正孔対の再結合により発光等の現像
が生じる。
【０００３】このような発光等の現象故に、かかる細線
は発光素子の形成等に利用できる。このように量子効果
を有する細線（量子細線）は陽極酸化法により形成する
ことができる。すなわち、例えば図３の（Ａ）図に示す
ように、シリコン基板１を弗化水素酸２（弗酸とも呼ば
れる弗化水素の水溶液）中に入れ、該基板に電源３にて
正電圧を印加するとともに該基板に対向させて配置した
白金等のメッシュ電極４に負電圧を印加すると、シリコ
ン基板１上の構造的に弱い部分は、負に帯電した弗化水
素酸中の酸素イオンがシリコン基板自身の持つ正電界に
引き寄せられることで酸化する。この陽極酸化により形
成されたシリコン酸化物（ＳｉＯ2 ）は、弗化水素酸に
溶け易いため、酸化された部分が溶出し、穴が開く。穴
が開いたシリコン基板は構造的に弱いため、再び、陽極
酸化される。
は発光素子の形成等に利用できる。このように量子効果
を有する細線（量子細線）は陽極酸化法により形成する
ことができる。すなわち、例えば図３の（Ａ）図に示す
ように、シリコン基板１を弗化水素酸２（弗酸とも呼ば
れる弗化水素の水溶液）中に入れ、該基板に電源３にて
正電圧を印加するとともに該基板に対向させて配置した
白金等のメッシュ電極４に負電圧を印加すると、シリコ
ン基板１上の構造的に弱い部分は、負に帯電した弗化水
素酸中の酸素イオンがシリコン基板自身の持つ正電界に
引き寄せられることで酸化する。この陽極酸化により形
成されたシリコン酸化物（ＳｉＯ2 ）は、弗化水素酸に
溶け易いため、酸化された部分が溶出し、穴が開く。穴
が開いたシリコン基板は構造的に弱いため、再び、陽極
酸化される。
【０００４】この作用が繰り返されることで、最終的
に、図３の（Ｂ）図に示すように、直径数十オングスト
ロームで、長さ数ミクロンの細い線（量子細線）８がシ
リコン基板１上に形成される。なお、図３の（Ｂ）図
中、９はシリコン酸化物である。
に、図３の（Ｂ）図に示すように、直径数十オングスト
ロームで、長さ数ミクロンの細い線（量子細線）８がシ
リコン基板１上に形成される。なお、図３の（Ｂ）図
中、９はシリコン酸化物である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の量子細
線形成方法によると、細線８の直径が細線長さ方向にお
いて不均一となり、また、細線同士の直径が不揃いで、
各細線の方向もバラつく。そのため、量子サイズ効果等
の現象の確認が困難となったり、発光色の制御が困難と
なったりする。
線形成方法によると、細線８の直径が細線長さ方向にお
いて不均一となり、また、細線同士の直径が不揃いで、
各細線の方向もバラつく。そのため、量子サイズ効果等
の現象の確認が困難となったり、発光色の制御が困難と
なったりする。
【０００６】そこで、本発明は、基体に量子細線を形成
する方法であって、量子細線直径が該細線の長さ方向に
おいて略均一化されており、量子細線同士においても細
線直径、長さ、方向が略揃っていて所望の量子効果を期
待できる量子細線の形成方法を提供することを課題とす
る。
する方法であって、量子細線直径が該細線の長さ方向に
おいて略均一化されており、量子細線同士においても細
線直径、長さ、方向が略揃っていて所望の量子効果を期
待できる量子細線の形成方法を提供することを課題とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の量子細線形成方法は、量子細線を形成する基体に対
し、前処理としてイオン注入を行い、その後、該基体を
陽極酸化することを特徴とする。量子細線の直径は、イ
オン注入におけるイオンの大きさにより制御できる。イ
オンの大きさは例えば使用するイオン源ガスをヘリウム
（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）等と使い
分けることで選択できる。
明の量子細線形成方法は、量子細線を形成する基体に対
し、前処理としてイオン注入を行い、その後、該基体を
陽極酸化することを特徴とする。量子細線の直径は、イ
オン注入におけるイオンの大きさにより制御できる。イ
オンの大きさは例えば使用するイオン源ガスをヘリウム
（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）等と使い
分けることで選択できる。
【０００８】また、量子細線の長さは、イオン注入にお
けるイオンのエネルギーにより制御できる。このイオン
エネルギーは、イオンの加速電圧を例えば数ＫＶ〜数百
ＫＶの範囲で変えることで変化させ得る。イオン注入後
の陽極酸化を増速させるため、前記イオン注入における
注入イオンに電気陰性度の高いイオンを採用してもよ
い。かかる電気陰性度の高いイオンとしては、弗素等の
ハロゲンイオンを例示できる。陽極酸化処理は、従来と
同様、弗化水素酸中における素反応によってもよいし、
例えば酸素と弗化物ガスを混合したガスのプラズマ中で
行ってもよい。
けるイオンのエネルギーにより制御できる。このイオン
エネルギーは、イオンの加速電圧を例えば数ＫＶ〜数百
ＫＶの範囲で変えることで変化させ得る。イオン注入後
の陽極酸化を増速させるため、前記イオン注入における
注入イオンに電気陰性度の高いイオンを採用してもよ
い。かかる電気陰性度の高いイオンとしては、弗素等の
ハロゲンイオンを例示できる。陽極酸化処理は、従来と
同様、弗化水素酸中における素反応によってもよいし、
例えば酸素と弗化物ガスを混合したガスのプラズマ中で
行ってもよい。
【０００９】
【作用】本発明の量子細線形成方法によると、量子細線
を形成する基体に対し、予め前処理としてイオン注入が
行われる。このイオン注入された部分は他の部分より構
造的に弱くなり、酸化され易くなる。そして、この構造
的に弱い部分は、その方向がイオン注入方向に揃ってお
り、また、注入されたイオンの大きさ、エネルギーに応
じてその直径、深さが均一化される。
を形成する基体に対し、予め前処理としてイオン注入が
行われる。このイオン注入された部分は他の部分より構
造的に弱くなり、酸化され易くなる。そして、この構造
的に弱い部分は、その方向がイオン注入方向に揃ってお
り、また、注入されたイオンの大きさ、エネルギーに応
じてその直径、深さが均一化される。
【００１０】かかるイオン注入のあと、基体は陽極酸化
処理を施されることで、前記構造的に弱くなった部分が
集中的に酸化され、その結果として、方向、直径、長さ
が均一化された所望の量子細線が多数形成される。各量
子細線の直径は注入イオンの大きさにより容易に制御す
ることができ、長さは注入イオンのエネルギーにより容
易に制御することができる。
処理を施されることで、前記構造的に弱くなった部分が
集中的に酸化され、その結果として、方向、直径、長さ
が均一化された所望の量子細線が多数形成される。各量
子細線の直径は注入イオンの大きさにより容易に制御す
ることができ、長さは注入イオンのエネルギーにより容
易に制御することができる。
【００１１】注入イオンに電気陰性度の高いイオン、例
えば弗素等のハロゲンイオンを採用すると、それだけイ
オン注入後の陽極酸化が増速される。また、陽極酸化処
理を例えば酸素と弗化物ガスの混合ガスのプラズマ中で
行うときは、それがドライ処理であるから、イオン注入
後直ちに陽極酸化に移行してバッチ処理できるし、取り
扱いが容易である。
えば弗素等のハロゲンイオンを採用すると、それだけイ
オン注入後の陽極酸化が増速される。また、陽極酸化処
理を例えば酸素と弗化物ガスの混合ガスのプラズマ中で
行うときは、それがドライ処理であるから、イオン注入
後直ちに陽極酸化に移行してバッチ処理できるし、取り
扱いが容易である。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１の（Ａ）図は量子細線を形成する基板１にイ
オン注入を行うイオン注入装置５の概略構成を示してお
り、図２の（Ａ）図はイオン注入後、該基板１をプラズ
マＰ中で陽極酸化処理する装置６の概略構成を示してい
る。
する。図１の（Ａ）図は量子細線を形成する基板１にイ
オン注入を行うイオン注入装置５の概略構成を示してお
り、図２の（Ａ）図はイオン注入後、該基板１をプラズ
マＰ中で陽極酸化処理する装置６の概略構成を示してい
る。
【００１３】イオン注入装置５は、真空容器５１、これ
に付設したイオン源５２及び容器５１内を所定の真空度
にする排気装置５３を含んでいる。陽極酸化処理装置６
は、真空容器６１、該容器内を所定の真空度に維持する
排気装置６２、容器６１内の下部に配置した基板支持ト
レイ６３、その上に対向配置したメッシュ電極６４、ト
レイ６３を介してその上の基板１に正電圧を印加すると
ともにメッシュ電極６４に負電圧を印加する電源６５、
容器６１内にプラズマＰ源となるガスＧを導入するガス
導入部６６を備え、この他、図面には示していないが、
該ガスをプラズマ化するそれ自体既に知られたプラズマ
発生手段を含んでいる。このプラズマ発生手段として
は、平行平板型プラズマ発生装置、電子サイクロトロン
共鳴によるプラズマ発生装置等、各種のものを採用でき
る。
に付設したイオン源５２及び容器５１内を所定の真空度
にする排気装置５３を含んでいる。陽極酸化処理装置６
は、真空容器６１、該容器内を所定の真空度に維持する
排気装置６２、容器６１内の下部に配置した基板支持ト
レイ６３、その上に対向配置したメッシュ電極６４、ト
レイ６３を介してその上の基板１に正電圧を印加すると
ともにメッシュ電極６４に負電圧を印加する電源６５、
容器６１内にプラズマＰ源となるガスＧを導入するガス
導入部６６を備え、この他、図面には示していないが、
該ガスをプラズマ化するそれ自体既に知られたプラズマ
発生手段を含んでいる。このプラズマ発生手段として
は、平行平板型プラズマ発生装置、電子サイクロトロン
共鳴によるプラズマ発生装置等、各種のものを採用でき
る。
【００１４】なお、ガスＧとして、ここでは酸素
（Ｏ2 ）と弗化窒素（ＮＦ3 ）の混合ガスを用いてい
る。以上の装置５、６を用いて実施する量子細線形成方
法は次のとおりである。まず、イオン注入装置５に量子
細線を形成しようとする基板１を設置し、真空容器５１
内を排気装置５３にて所定の真空度に維持し、イオン源
５２には原料ガスｇを導入し、ここから該基板表面にイ
オン５ａを注入する。
（Ｏ2 ）と弗化窒素（ＮＦ3 ）の混合ガスを用いてい
る。以上の装置５、６を用いて実施する量子細線形成方
法は次のとおりである。まず、イオン注入装置５に量子
細線を形成しようとする基板１を設置し、真空容器５１
内を排気装置５３にて所定の真空度に維持し、イオン源
５２には原料ガスｇを導入し、ここから該基板表面にイ
オン５ａを注入する。
【００１５】このイオン注入により、図１の（Ｂ）図に
示すように、基板１中に構造的に弱く、酸化され易い部
分（例えばシリコン基板において非晶質化した部分）１
１を、イオン注入方向に直線状に多数形成する。各部分
１１の直径は、注入イオンの種類、従ってイオン源５２
へ導入する原料ガスｇの種類を選択することで制御し、
各部分１１の深さは注入イオンのエネルギーを数ＫＶか
ら数百ＫＶの範囲から選択することで制御する。
示すように、基板１中に構造的に弱く、酸化され易い部
分（例えばシリコン基板において非晶質化した部分）１
１を、イオン注入方向に直線状に多数形成する。各部分
１１の直径は、注入イオンの種類、従ってイオン源５２
へ導入する原料ガスｇの種類を選択することで制御し、
各部分１１の深さは注入イオンのエネルギーを数ＫＶか
ら数百ＫＶの範囲から選択することで制御する。
【００１６】原料ガスｇとして、ここではヘリウム（Ｈ
ｅ）又はＨｅと弗化窒素ガス（ＮＦ 3 ）の混合ガスを使
用する。ＮＦ3 は、イオン注入後の陽極酸化を速く行い
たいときに用いる。前記イオン注入により形成された構
造的に弱い部分１１は、その方向がイオン注入方向に揃
っており、また、注入されたイオンの大きさ、エネルギ
ーに応じてその直径、深さが均一化されている。
ｅ）又はＨｅと弗化窒素ガス（ＮＦ 3 ）の混合ガスを使
用する。ＮＦ3 は、イオン注入後の陽極酸化を速く行い
たいときに用いる。前記イオン注入により形成された構
造的に弱い部分１１は、その方向がイオン注入方向に揃
っており、また、注入されたイオンの大きさ、エネルギ
ーに応じてその直径、深さが均一化されている。
【００１７】かかるイオン注入のあと、基板１を直ちに
陽極酸化処理装置６の基板支持トレイ６３上に設置して
基板押さえ６０にて押さえ、次いで該装置の真空容器６
１を排気装置６２にて所定の真空度に維持しつつ、該容
器内にガス導入部６６から導入したガスＧ（Ｏ2 ＋ＮＦ
3 ）をプラズマＰ化させ、このプラズマＰのもとで、電
源６５にて基板１に正電圧を印加するとともに、メッシ
ュ電極６４に負電圧を印加する。
陽極酸化処理装置６の基板支持トレイ６３上に設置して
基板押さえ６０にて押さえ、次いで該装置の真空容器６
１を排気装置６２にて所定の真空度に維持しつつ、該容
器内にガス導入部６６から導入したガスＧ（Ｏ2 ＋ＮＦ
3 ）をプラズマＰ化させ、このプラズマＰのもとで、電
源６５にて基板１に正電圧を印加するとともに、メッシ
ュ電極６４に負電圧を印加する。
【００１８】かくして、プラズマＰ中の酸素イオン、弗
素イオンが基板１に引き寄せられ、従来の弗酸中におけ
ると同様のプロセスで、前記イオン注入部分１１が集中
的に酸化され、その結果として、図２の（Ｂ）図に示す
ように、直径、長さ、方向の揃った多数の量子細線７が
形成される。この（Ｂ）図中、７０はシリコン酸化物と
なった部分である。
素イオンが基板１に引き寄せられ、従来の弗酸中におけ
ると同様のプロセスで、前記イオン注入部分１１が集中
的に酸化され、その結果として、図２の（Ｂ）図に示す
ように、直径、長さ、方向の揃った多数の量子細線７が
形成される。この（Ｂ）図中、７０はシリコン酸化物と
なった部分である。
【００１９】前記実施例では陽極酸化処理をプラズマ中
でドライで行うようにしたが、他の実施例として図３の
（Ａ）図に示すように、従来どおり弗化水素酸中で陽極
酸化処理することもできる。次に基板の種類、イオン注
入及び陽極酸化の条件を特定した状態での具体的な実施
例１〜４を説明する。 実施例１ 基板 ：４インチＳｉウエハ イオン注入 ・注入ガス ：Ｈｅ ・加速電圧 ：１００ＫＶ ・ドーズ量 ：５×１０-15 陽極酸化 ・ウエット式 ：ＨＦ水溶液使用 ・電流密度 ：３０ｍＡ／ｃｍ2 ・酸化時間 ：２０分 結果） ・発光色 ：黄緑色（紫外蛍光灯光照射） 実施例２ 基板 ：４インチＳｉウエハ イオン注入 ・注入ガス ：Ｈｅ ・加速電圧 ：１００ＫＶ ・ドーズ量 ：５×１０-15 陽極酸化 ・ドライ式 ：ＮＦ3 ＋Ｏ2 プラズマ使用 ・電流密度 ：３ｍＡ／ｃｍ2 ・酸化時間 ：３０分 結果） ・発光色 ：緑色（紫外蛍光灯光照射） 実施例３ 基板 ：４インチＳｉウエハ イオン注入 ・注入ガス ：Ｈｅ＋ＮＦ3 ・加速電圧 ：１００ＫＶ ・ドーズ量 ：５×１０-15 陽極酸化 ・ドライ式 ：ＨＦ水溶液使用 ・電流密度 ：３０ｍＡ／ｃｍ2 ・酸化時間 ：２０分 結果） ・発光色 ：黄緑色（紫外蛍光灯光照射） 実施例４ 基板 ：４インチＳｉウエハ イオン注入 ・注入ガス ：Ｈｅ＋ＮＦ3 ・加速電圧 ：１００ＫＶ ・ドーズ量 ：５×１０-15 陽極酸化 ・ドライ式 ：ＮＦ3 ＋Ｏ2 プラズマ使用 ・電流密度 ：３ｍＡ／ｃｍ2 ・酸化時間 ：３０分 結果） ・発光色 ：緑色（紫外蛍光灯光照射）
でドライで行うようにしたが、他の実施例として図３の
（Ａ）図に示すように、従来どおり弗化水素酸中で陽極
酸化処理することもできる。次に基板の種類、イオン注
入及び陽極酸化の条件を特定した状態での具体的な実施
例１〜４を説明する。 実施例１ 基板 ：４インチＳｉウエハ イオン注入 ・注入ガス ：Ｈｅ ・加速電圧 ：１００ＫＶ ・ドーズ量 ：５×１０-15 陽極酸化 ・ウエット式 ：ＨＦ水溶液使用 ・電流密度 ：３０ｍＡ／ｃｍ2 ・酸化時間 ：２０分 結果） ・発光色 ：黄緑色（紫外蛍光灯光照射） 実施例２ 基板 ：４インチＳｉウエハ イオン注入 ・注入ガス ：Ｈｅ ・加速電圧 ：１００ＫＶ ・ドーズ量 ：５×１０-15 陽極酸化 ・ドライ式 ：ＮＦ3 ＋Ｏ2 プラズマ使用 ・電流密度 ：３ｍＡ／ｃｍ2 ・酸化時間 ：３０分 結果） ・発光色 ：緑色（紫外蛍光灯光照射） 実施例３ 基板 ：４インチＳｉウエハ イオン注入 ・注入ガス ：Ｈｅ＋ＮＦ3 ・加速電圧 ：１００ＫＶ ・ドーズ量 ：５×１０-15 陽極酸化 ・ドライ式 ：ＨＦ水溶液使用 ・電流密度 ：３０ｍＡ／ｃｍ2 ・酸化時間 ：２０分 結果） ・発光色 ：黄緑色（紫外蛍光灯光照射） 実施例４ 基板 ：４インチＳｉウエハ イオン注入 ・注入ガス ：Ｈｅ＋ＮＦ3 ・加速電圧 ：１００ＫＶ ・ドーズ量 ：５×１０-15 陽極酸化 ・ドライ式 ：ＮＦ3 ＋Ｏ2 プラズマ使用 ・電流密度 ：３ｍＡ／ｃｍ2 ・酸化時間 ：３０分 結果） ・発光色 ：緑色（紫外蛍光灯光照射）
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、基
体に量子細線を形成する方法であって、量子細線直径が
該細線の長さ方向において略均一化されており、量子細
線同士においても細線直径、長さ、方向が略揃っていて
所望の量子効果を期待できる量子細線の形成方法を提供
することができる。
体に量子細線を形成する方法であって、量子細線直径が
該細線の長さ方向において略均一化されており、量子細
線同士においても細線直径、長さ、方向が略揃っていて
所望の量子効果を期待できる量子細線の形成方法を提供
することができる。
【００２１】各量子細線の直径は注入イオンの大きさに
より容易に制御することができ、長さは注入イオンのエ
ネルギーにより容易に制御することができる。注入イオ
ンに電気陰性度の高いイオン、例えば弗素等のハロゲン
イオンを採用するときは、それだけイオン注入後の陽極
酸化が増速される。また、陽極酸化処理を例えば酸素と
弗化物ガスの混合ガスのプラズマ中で行うときは、それ
がドライ処理であるから、イオン注入後直ちに陽極酸化
に移行してバッチ処理できるし、取り扱いが容易であ
る。
より容易に制御することができ、長さは注入イオンのエ
ネルギーにより容易に制御することができる。注入イオ
ンに電気陰性度の高いイオン、例えば弗素等のハロゲン
イオンを採用するときは、それだけイオン注入後の陽極
酸化が増速される。また、陽極酸化処理を例えば酸素と
弗化物ガスの混合ガスのプラズマ中で行うときは、それ
がドライ処理であるから、イオン注入後直ちに陽極酸化
に移行してバッチ処理できるし、取り扱いが容易であ
る。
【図１】（Ａ）図はイオン注入装置の１例の概略構成図
であり、（Ｂ）図はイオン注入された基板の一部の断面
図である。
であり、（Ｂ）図はイオン注入された基板の一部の断面
図である。
【図２】（Ａ）図は陽極酸化処理装置の概略構成図であ
り、（Ｂ）図は陽極酸化された基板の一部の断面図であ
る。
り、（Ｂ）図は陽極酸化された基板の一部の断面図であ
る。
【図３】（Ａ）図は従来の量子細線形成方法の説明図で
あり、（Ｂ）図はその方法によって形成された量子細線
を示す図である。
あり、（Ｂ）図はその方法によって形成された量子細線
を示す図である。
１ 基板 ２ 弗化水素酸 ３ 電源 ４ メッシュ電極 ５ イオン注入装置 １１ イオン注入部分 ６ 陽極酸化処理装置 ７ 量子細線 ７０、９ シリコン酸化物 ８ 従来の量子細線
Claims (6)
- 【請求項１】 量子細線を形成する基体にイオン注入を
行ったのち、該基体を陽極酸化処理することにより該基
体に量子細線を形成することを特徴とする基体に量子細
線を形成する方法。 - 【請求項２】 前記イオン注入における注入イオンの大
きさによって量子細線の直径を制御する請求項１記載の
基体に量子細線を形成する方法。 - 【請求項３】 前記イオン注入における注入イオンのエ
ネルギーによって量子細線の長さを制御する請求項１又
は２記載の基体に量子細線を形成する方法。 - 【請求項４】 前記イオン注入における注入イオンとし
て電気陰性度の高いイオンを用いる請求項１、２又は３
記載の基体に量子細線を形成する方法。 - 【請求項５】 前記陽極酸化処理を弗化水素酸中で行う
請求項１から４のいずれかに記載の基体に量子細線を形
成する方法。 - 【請求項６】 前記陽極酸化処理を酸素と弗化物ガスを
混合したガスのプラズマ中で行う請求項１から４のいず
れかに記載の基体に量子細線を形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17584992A JPH0620946A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 基体に量子細線を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17584992A JPH0620946A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 基体に量子細線を形成する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620946A true JPH0620946A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16003285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17584992A Withdrawn JPH0620946A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 基体に量子細線を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620946A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6769697B1 (en) | 1999-09-09 | 2004-08-03 | Ace Inc. | Gasket |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP17584992A patent/JPH0620946A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6769697B1 (en) | 1999-09-09 | 2004-08-03 | Ace Inc. | Gasket |
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