JPH0620948A - 赤外線検出器材料の製造方法 - Google Patents
赤外線検出器材料の製造方法Info
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- JPH0620948A JPH0620948A JP20067092A JP20067092A JPH0620948A JP H0620948 A JPH0620948 A JP H0620948A JP 20067092 A JP20067092 A JP 20067092A JP 20067092 A JP20067092 A JP 20067092A JP H0620948 A JPH0620948 A JP H0620948A
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Landscapes
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＢＥ法によりＨｇＣｄＴｅを材料として赤
外線検出器材料を製造するに際し、ＨｇＣｄＴｅによる
成長薄膜の結晶均一性を高める。 【構成】 ＨｇＣｄＴｅ成長用被成長基板２を、基板ホ
ルダー１と同サイズの鏡面薄板１０を介して基板ホルダ
ー１上に固定し、ＭＢＥ法を用いて被成長用基板２上に
ＨｇＣｄＴｅ薄膜の成長を行う。 【効果】 被成長基板の密着性が高まり、被成長基板全
面の温度ムラがなくなる。また、成長中は、鏡面薄板に
遮ぎられ、基板ホルダー上へのＨｇＣｄＴｅの堆積がな
く、基板ホルダーとガリウムとの反応が防止され、放射
冷却の増加による基板温度の低下を防止できる。
外線検出器材料を製造するに際し、ＨｇＣｄＴｅによる
成長薄膜の結晶均一性を高める。 【構成】 ＨｇＣｄＴｅ成長用被成長基板２を、基板ホ
ルダー１と同サイズの鏡面薄板１０を介して基板ホルダ
ー１上に固定し、ＭＢＥ法を用いて被成長用基板２上に
ＨｇＣｄＴｅ薄膜の成長を行う。 【効果】 被成長基板の密着性が高まり、被成長基板全
面の温度ムラがなくなる。また、成長中は、鏡面薄板に
遮ぎられ、基板ホルダー上へのＨｇＣｄＴｅの堆積がな
く、基板ホルダーとガリウムとの反応が防止され、放射
冷却の増加による基板温度の低下を防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、分子線エピタキシー
（ＭＢＥ）法によるＨｇＣｄＴｅ薄膜を材料とする赤外
線検出器材料の製造方法に関するものである。
（ＭＢＥ）法によるＨｇＣｄＴｅ薄膜を材料とする赤外
線検出器材料の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により
ＨｇＣｄＴｅ薄膜を成長する場合の概念図を図２に示
す。同図において、るつぼ４には、ＨｇＣｄＴｅの分子
線源の元素Ｈｇ，Ｔｅ及び化合物のＣｄＴｅが入ってい
る。シャッター３を開けることにより、加熱されたるつ
ぼ４から分子線が被成長基板２へ照射され、被成長基板
２上にＨｇＣｄＴｅが成長するようになっている。基板
ホルダー１周辺の拡大図を図３に示す。図３において、
被成長基板２は、基板ホルダー１の裏面からヒータ６で
加熱される。
ＨｇＣｄＴｅ薄膜を成長する場合の概念図を図２に示
す。同図において、るつぼ４には、ＨｇＣｄＴｅの分子
線源の元素Ｈｇ，Ｔｅ及び化合物のＣｄＴｅが入ってい
る。シャッター３を開けることにより、加熱されたるつ
ぼ４から分子線が被成長基板２へ照射され、被成長基板
２上にＨｇＣｄＴｅが成長するようになっている。基板
ホルダー１周辺の拡大図を図３に示す。図３において、
被成長基板２は、基板ホルダー１の裏面からヒータ６で
加熱される。
【０００３】ＨｇＣｄＴｅ薄膜は、揮発性が高く、プロ
セスでは大気中で１００℃以上の加熱で結晶中の水銀が
抜けるという欠点があるため、従来、被成長基板２は、
基板ホルダー１にガリウム（融点約３０℃）８のような
低融点金属にて固定されていた。
セスでは大気中で１００℃以上の加熱で結晶中の水銀が
抜けるという欠点があるため、従来、被成長基板２は、
基板ホルダー１にガリウム（融点約３０℃）８のような
低融点金属にて固定されていた。
【０００４】このような基板加熱装置にて被成長基板２
が加熱されるわけであるが、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃ
ｈｎｏｌｏｇｙ Ｂ５（１９８７）７３４頁 Ｗ．Ｅ．
Ｈｏｋｅらが述べているように、基板ホルダー１の表面
は、凹凸が大きい粗面であるため、基板ホルダー１の被
成長基板に覆われない部分の占める表面積が大きいほ
ど、薄膜堆積とともに同表面部分からの放射冷却が大き
くなり、熱電対７に表示される温度は、一定にもかかわ
らず実際の基板温度（基板ホルダーの表面温度にほぼ等
しい）は、薄膜の成長が進行するにつれ、低下すること
が示されている（図４参照）。
が加熱されるわけであるが、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃ
ｈｎｏｌｏｇｙ Ｂ５（１９８７）７３４頁 Ｗ．Ｅ．
Ｈｏｋｅらが述べているように、基板ホルダー１の表面
は、凹凸が大きい粗面であるため、基板ホルダー１の被
成長基板に覆われない部分の占める表面積が大きいほ
ど、薄膜堆積とともに同表面部分からの放射冷却が大き
くなり、熱電対７に表示される温度は、一定にもかかわ
らず実際の基板温度（基板ホルダーの表面温度にほぼ等
しい）は、薄膜の成長が進行するにつれ、低下すること
が示されている（図４参照）。
【０００５】基板温度を安定化するためには、薄膜堆積
にともない、一定の割合でヒータへの供給電力を増加さ
せる方法が採られており（例えばＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １１１（１９９１）
８９８頁 Ｊ．Ｐ．Ｆａｕｒｌｅら）、これにより実際
の基板温度は安定化され、膜厚方向の薄膜結晶性が均一
になるように制御されていた。
にともない、一定の割合でヒータへの供給電力を増加さ
せる方法が採られており（例えばＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １１１（１９９１）
８９８頁 Ｊ．Ｐ．Ｆａｕｒｌｅら）、これにより実際
の基板温度は安定化され、膜厚方向の薄膜結晶性が均一
になるように制御されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
方法によれば、薄膜の成長速度を変えた場合、あるいは
基板の大きさ（面積）が異なる場合、放射冷却により基
板ホルダー１の表面から放射される熱量が複雑に変化す
るため、ヒータ６への供給電力量の制御が容易でなかっ
た。
方法によれば、薄膜の成長速度を変えた場合、あるいは
基板の大きさ（面積）が異なる場合、放射冷却により基
板ホルダー１の表面から放射される熱量が複雑に変化す
るため、ヒータ６への供給電力量の制御が容易でなかっ
た。
【０００７】また、基板ホルダー１はモリブデンなどの
材質で、凹凸の多い粗面であるため、ガリウムなどの接
着金属を介しても、基板２と基板ホルダー１間の密着性
が悪く、かつ熱伝導が悪かった。このため、ＨｇＣｄＴ
ｅ薄膜成長時の基板温度制御が容易でなく、ＨｇＣｄＴ
ｅ薄膜の結晶性、及び再現性は著しく低く、結晶の電気
特性や赤外線の検出波長帯が結晶ごとにばらつくという
問題があった。
材質で、凹凸の多い粗面であるため、ガリウムなどの接
着金属を介しても、基板２と基板ホルダー１間の密着性
が悪く、かつ熱伝導が悪かった。このため、ＨｇＣｄＴ
ｅ薄膜成長時の基板温度制御が容易でなく、ＨｇＣｄＴ
ｅ薄膜の結晶性、及び再現性は著しく低く、結晶の電気
特性や赤外線の検出波長帯が結晶ごとにばらつくという
問題があった。
【０００８】また、ＧａＡｓ，Ｓｉなどの材料をＨｇＣ
ｄＴｅの被成長基板とする場合、５００℃以上でこれら
基板の熱処理をする必要があった。このような高温で
は、ガリウムとモリブデンの基板ホルダーとが反応して
基板ホルダー１の表面にガリウムとモリブデンとの化合
物を作ってしまう。
ｄＴｅの被成長基板とする場合、５００℃以上でこれら
基板の熱処理をする必要があった。このような高温で
は、ガリウムとモリブデンの基板ホルダーとが反応して
基板ホルダー１の表面にガリウムとモリブデンとの化合
物を作ってしまう。
【０００９】この化合物は、次回からの同基板ホルダー
１の使用において、ガリウムとの馴染みを悪くし、被成
長基板２への熱伝導を悪くする原因となるため、できる
限り、使用ごとに（水＋硝酸＋塩酸）の溶液により同基
板ホルダー１をエッチングしてホルダー表面の化合物を
除去する必要があった。そのため、エッチングごとに同
ホルダーは滅耗し、ＭＢＥ装置に同ホルダーを使用でき
る寿命が短いという欠点があった。
１の使用において、ガリウムとの馴染みを悪くし、被成
長基板２への熱伝導を悪くする原因となるため、できる
限り、使用ごとに（水＋硝酸＋塩酸）の溶液により同基
板ホルダー１をエッチングしてホルダー表面の化合物を
除去する必要があった。そのため、エッチングごとに同
ホルダーは滅耗し、ＭＢＥ装置に同ホルダーを使用でき
る寿命が短いという欠点があった。
【００１０】本発明の目的は、基板と基板ホルダーとの
密着性を高め、かつ、結晶成長時の基板温度の低下を防
止して高品質のＨｇＣｄＴｅ薄膜を用いた赤外線検出器
材料を製造する方法を提供し、ＭＢＥ装置にかかる基板
ホルダーの寿命を延ばすことにある。
密着性を高め、かつ、結晶成長時の基板温度の低下を防
止して高品質のＨｇＣｄＴｅ薄膜を用いた赤外線検出器
材料を製造する方法を提供し、ＭＢＥ装置にかかる基板
ホルダーの寿命を延ばすことにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による赤外線検出器材料の製造方法において
は、分子線エピタキシー法を用い、基板ホルダー上に設
置した被成長基板上に赤外線検出器材料となるＨｇＣｄ
Ｔｅ薄膜を成長させる赤外線検出器材料の製造方法であ
って、基板ホルダーの全面を該ホルダーと同サイズの鏡
面薄板で覆い、該薄板の鏡面上に被成長基板を密着させ
てＨｇＣｄＴｅの成長を行うものである。
め、本発明による赤外線検出器材料の製造方法において
は、分子線エピタキシー法を用い、基板ホルダー上に設
置した被成長基板上に赤外線検出器材料となるＨｇＣｄ
Ｔｅ薄膜を成長させる赤外線検出器材料の製造方法であ
って、基板ホルダーの全面を該ホルダーと同サイズの鏡
面薄板で覆い、該薄板の鏡面上に被成長基板を密着させ
てＨｇＣｄＴｅの成長を行うものである。
【００１２】
【作用】本発明は、被成長基板を基板ホルダーと同サイ
ズの鏡面薄板上を介して固定し、基板ホルダー全面を鏡
面薄板で覆うことにより、見かけ上の被成長基板面積を
大きくし、基板温度の低下を防止するものである。
ズの鏡面薄板上を介して固定し、基板ホルダー全面を鏡
面薄板で覆うことにより、見かけ上の被成長基板面積を
大きくし、基板温度の低下を防止するものである。
【００１３】また、上記基板ホルダーと同面積の鏡面薄
板で覆うことにより、同ウェハー上に、面積の異なる同
一材料から被成長基板もしくは材料の異なる各種被成長
基板へのＨｇＣｄＴｅ薄膜成長を容易にするものであ
る。
板で覆うことにより、同ウェハー上に、面積の異なる同
一材料から被成長基板もしくは材料の異なる各種被成長
基板へのＨｇＣｄＴｅ薄膜成長を容易にするものであ
る。
【００１４】また、上記基板ホルダーと被成長基板固定
のための低融点金属ガリウムが５００℃以上の高温で反
応しないようにするために、鏡面薄板を隔離板として使
用することにある。
のための低融点金属ガリウムが５００℃以上の高温で反
応しないようにするために、鏡面薄板を隔離板として使
用することにある。
【００１５】また、鏡面を使用することにより、被成長
基板を接着するガリウムをよく馴染ませることができ、
被成長基板との密着性を高め、被成長基板落下の危険性
を回避し、被成長基板全面の温度ムラを無くするもので
ある。
基板を接着するガリウムをよく馴染ませることができ、
被成長基板との密着性を高め、被成長基板落下の危険性
を回避し、被成長基板全面の温度ムラを無くするもので
ある。
【００１６】本発明の方法により、ＨｇＣｄＴｅ薄膜
は、基板ホルダーの表面積とほぼ同面積の鏡面薄板に堆
積することになり、基板ホルダー粗面には、ＨｇＣｄＴ
ｅは堆積しないため、放射冷却はほとんどなくなる。し
たがって、ＨｇＣｄＴｅ薄膜堆積に伴う基板温度の低下
は防止できる。
は、基板ホルダーの表面積とほぼ同面積の鏡面薄板に堆
積することになり、基板ホルダー粗面には、ＨｇＣｄＴ
ｅは堆積しないため、放射冷却はほとんどなくなる。し
たがって、ＨｇＣｄＴｅ薄膜堆積に伴う基板温度の低下
は防止できる。
【００１７】また、基板ホルダーの表面積とほぼ同面積
の鏡面薄板を用いることにより、同鏡面薄板上であれ
ば、材料を問わず、いかなる大きさの被成長基板でも積
載可能であり、かつ、面積の違いによる基板温度の制御
の必要がない。
の鏡面薄板を用いることにより、同鏡面薄板上であれ
ば、材料を問わず、いかなる大きさの被成長基板でも積
載可能であり、かつ、面積の違いによる基板温度の制御
の必要がない。
【００１８】また、鏡面薄板で基板ホルダーとガリウム
とを隔離することにより、基板ホルダーとガリウムの反
応が防止できる。
とを隔離することにより、基板ホルダーとガリウムの反
応が防止できる。
【００１９】また、鏡面薄板を使用することにより、凹
凸の多いモリブデン製基板ホルダー表面に比べて、実効
表面積を小さくすることができ、かつ、被成長基板との
間隔が小さくなるため表面張力が向上し、被成長基板と
の密着性がよくなる。
凸の多いモリブデン製基板ホルダー表面に比べて、実効
表面積を小さくすることができ、かつ、被成長基板との
間隔が小さくなるため表面張力が向上し、被成長基板と
の密着性がよくなる。
【００２０】
【実施例】以下、図によって赤外線検出器材料の製造方
法の実施例を説明する。図１において、モリブデンから
なる基板ホルダー（通常直径は２又は３インチ）１上
に、インジウム９を介して同ホルダーと同サイズの２又
は３インチ鏡面薄板（この場合Ｓｉウェハーを使用）１
０を固定する。
法の実施例を説明する。図１において、モリブデンから
なる基板ホルダー（通常直径は２又は３インチ）１上
に、インジウム９を介して同ホルダーと同サイズの２又
は３インチ鏡面薄板（この場合Ｓｉウェハーを使用）１
０を固定する。
【００２１】基板ホルダー１は、通常、表面形状が凹凸
の大きい粗面であるが、同Ｓｉウェハーは、鏡面の表面
形態を有しているため、同表面へ融点約３０℃の金属ガ
リウム（Ｇａ）８を塗布すると、濡れ性がよいため、非
常によく伸ばすことができた。この上へＨｇＣｄＴｅエ
ピタキシャル成長用被成長基板２を固定すると、相互の
間隔が非常に狭く、表面張力向上により、ガリウムとの
密着度に優れ、搬送中あるいは成長中に被成長基板が途
中で基板ホルダー１から落下する危険性を極めて減少さ
せることができた。
の大きい粗面であるが、同Ｓｉウェハーは、鏡面の表面
形態を有しているため、同表面へ融点約３０℃の金属ガ
リウム（Ｇａ）８を塗布すると、濡れ性がよいため、非
常によく伸ばすことができた。この上へＨｇＣｄＴｅエ
ピタキシャル成長用被成長基板２を固定すると、相互の
間隔が非常に狭く、表面張力向上により、ガリウムとの
密着度に優れ、搬送中あるいは成長中に被成長基板が途
中で基板ホルダー１から落下する危険性を極めて減少さ
せることができた。
【００２２】また、密着度の向上により、基板ヒータか
らの熱は、被成長基板２の全域でほぼ均一になった。成
長したＨｇＣｄＴｅ薄膜について、二結晶法Ｘ線により
評価したところ、その結晶性の面内のばらつきが約１桁
改善された。
らの熱は、被成長基板２の全域でほぼ均一になった。成
長したＨｇＣｄＴｅ薄膜について、二結晶法Ｘ線により
評価したところ、その結晶性の面内のばらつきが約１桁
改善された。
【００２３】このように基板温度の不均一性が改善され
た結果、成長したＨｇＣｄＴｅの結晶均一性に改善が見
られた。
た結果、成長したＨｇＣｄＴｅの結晶均一性に改善が見
られた。
【００２４】図４は、物体から輻射される赤外線を利用
した温度計（パイロメータ）により、従来法において、
ＨｇＣｄＴｅ薄膜成長中の被成長基板温度の経時変化を
モニターしたときのものである。ＭＢＥ法でのＨｇＣｄ
Ｔｅの成長温度は、通常１９０℃程度であるが、従来法
では１時間成長して約２１℃の基板温度の低下が見られ
た。
した温度計（パイロメータ）により、従来法において、
ＨｇＣｄＴｅ薄膜成長中の被成長基板温度の経時変化を
モニターしたときのものである。ＭＢＥ法でのＨｇＣｄ
Ｔｅの成長温度は、通常１９０℃程度であるが、従来法
では１時間成長して約２１℃の基板温度の低下が見られ
た。
【００２５】本発明によりＨｇＣｄＴｅを成長すると、
図５に示すように１時間でわずか２℃程度の変化だけ
で、被成長基板周辺部からの放射冷却が非常によく抑え
られていることがわかった。
図５に示すように１時間でわずか２℃程度の変化だけ
で、被成長基板周辺部からの放射冷却が非常によく抑え
られていることがわかった。
【００２６】被成長基板の温度は、ＨｇＣｄＴｅ薄膜成
長中、ほぼ一定なので、成長しているＨｇＣｄＴｅ薄膜
の特性は、温度による擾乱をほとんど受けなくなった。
二結晶Ｘ線回折で従来、約１００秒のものが本発明方法
により約６０秒に改善できた。すなわち、ＨｇＣｄＴｅ
は、成長中に基板温度の低下に伴う結晶の劣化（双晶）
を起こすこともなく、結晶の均一性が従来の方法に比べ
て格段に向上した。
長中、ほぼ一定なので、成長しているＨｇＣｄＴｅ薄膜
の特性は、温度による擾乱をほとんど受けなくなった。
二結晶Ｘ線回折で従来、約１００秒のものが本発明方法
により約６０秒に改善できた。すなわち、ＨｇＣｄＴｅ
は、成長中に基板温度の低下に伴う結晶の劣化（双晶）
を起こすこともなく、結晶の均一性が従来の方法に比べ
て格段に向上した。
【００２７】さらに、基板ホルダーとほぼ同面積の鏡面
薄板（Ｓｉウェハー）を用いたことから、本発明での鏡
面薄板１０上に様々な面積の異なるＣｄＴｅ系基板，Ｇ
ａＡｓあるいはＳｉなどの被成長基板２を積載すること
が可能となり、基板温度の安定度は、全て同じであり、
従来のように異なった面積を有する基板ごとに、基板ヒ
ーターに供給する電力で基板温度を補償する必要が全く
無くなった。
薄板（Ｓｉウェハー）を用いたことから、本発明での鏡
面薄板１０上に様々な面積の異なるＣｄＴｅ系基板，Ｇ
ａＡｓあるいはＳｉなどの被成長基板２を積載すること
が可能となり、基板温度の安定度は、全て同じであり、
従来のように異なった面積を有する基板ごとに、基板ヒ
ーターに供給する電力で基板温度を補償する必要が全く
無くなった。
【００２８】さらに、ＳｉやＧａＡｓをＨｇＣｄＴｅの
被成長基板として使用する場合、ＳｉやＧａＡｓ基板表
面の酸化膜を除去するために、一時的に５００℃以上の
高温で基板を熱処理する必要がある。本発明のように放
射冷却防止用Ｓｉウェハーを隔離板として使用すると、
５００℃以上でもＳｉウェハーとガリウムとは反応しな
いため、モリブデンとガリウムとの化合物を基板ホルダ
ー表面に作らなくなった。つまり、モリブデンを溶解す
るエッチング液で、基板ホルダーを薄膜の成長毎に洗浄
する必要がなくなった。従って、基板ホルダーが滅耗す
ることがなくなり、同ホルダーの寿命を延ばすことがで
きた。
被成長基板として使用する場合、ＳｉやＧａＡｓ基板表
面の酸化膜を除去するために、一時的に５００℃以上の
高温で基板を熱処理する必要がある。本発明のように放
射冷却防止用Ｓｉウェハーを隔離板として使用すると、
５００℃以上でもＳｉウェハーとガリウムとは反応しな
いため、モリブデンとガリウムとの化合物を基板ホルダ
ー表面に作らなくなった。つまり、モリブデンを溶解す
るエッチング液で、基板ホルダーを薄膜の成長毎に洗浄
する必要がなくなった。従って、基板ホルダーが滅耗す
ることがなくなり、同ホルダーの寿命を延ばすことがで
きた。
【００２９】
【発明の効果】以上詳述したように本発明による赤外線
検出器材料の製造方法によれば、基板温度がＨｇＣｄＴ
ｅの成膜中、極めて安定であり、均一性の高い良質な結
晶性を有するＨｇＣｄＴｅ薄膜を形成できる。したがっ
て、本発明方法により作製した結晶を用いれば、動作特
性に優れたＨｇＣｄＴｅ赤外線検出器を実現でき、ま
た、基板ホルダーを使用できる寿命も延ばすことができ
る。
検出器材料の製造方法によれば、基板温度がＨｇＣｄＴ
ｅの成膜中、極めて安定であり、均一性の高い良質な結
晶性を有するＨｇＣｄＴｅ薄膜を形成できる。したがっ
て、本発明方法により作製した結晶を用いれば、動作特
性に優れたＨｇＣｄＴｅ赤外線検出器を実現でき、ま
た、基板ホルダーを使用できる寿命も延ばすことができ
る。
【図１】本発明による赤外線検出器材料の製造方法を説
明するための構造図である。
明するための構造図である。
【図２】従来の赤外線検出器材料の製造方法を説明する
ための構造図である。
ための構造図である。
【図３】従来の赤外線検出器材料の製造方法を説明する
ための図で、図２の一部分を拡大した図である。
ための図で、図２の一部分を拡大した図である。
【図４】従来の赤外線検出器材料の製造方法を説明する
ための図で、ＨｇＣｄＴｅの成膜中の基板温度の変化を
示した図である。
ための図で、ＨｇＣｄＴｅの成膜中の基板温度の変化を
示した図である。
【図５】本発明方法によるＨｇＣｄＴｅの成膜中の基板
温度変化を示した図である。
温度変化を示した図である。
１ 基板ホルダー ２ 被成長基板 ６ ヒータ ８ ガリウム ９ インジウム １０ 鏡面薄板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/0264
Claims (1)
- 【請求項１】 分子線エピタキシー法を用い、基板ホル
ダー上に設置した被成長基板上に赤外線検出器材料とな
るＨｇＣｄＴｅ薄膜を成長させる赤外線検出器材料の製
造方法であって、 基板ホルダーの全面を該ホルダーと同サイズの鏡面薄板
で覆い、該薄板の鏡面上に被成長基板を密着させてＨｇ
ＣｄＴｅの成長を行うことを特徴とする赤外線検出器材
料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20067092A JPH0620948A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 赤外線検出器材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20067092A JPH0620948A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 赤外線検出器材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0620948A true JPH0620948A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=16428286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20067092A Pending JPH0620948A (ja) | 1992-07-03 | 1992-07-03 | 赤外線検出器材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620948A (ja) |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP20067092A patent/JPH0620948A/ja active Pending
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