JPH0620980A - 縦型熱処理炉 - Google Patents

縦型熱処理炉

Info

Publication number
JPH0620980A
JPH0620980A JP17392692A JP17392692A JPH0620980A JP H0620980 A JPH0620980 A JP H0620980A JP 17392692 A JP17392692 A JP 17392692A JP 17392692 A JP17392692 A JP 17392692A JP H0620980 A JPH0620980 A JP H0620980A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
pipe
gas discharge
heat treatment
reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17392692A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Hirose
功治 廣瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP17392692A priority Critical patent/JPH0620980A/ja
Publication of JPH0620980A publication Critical patent/JPH0620980A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【目的】ガスの流れを改善し、半導体ウェハに形成され
る膜厚の面内均一性を向上させる。 【構成】縦型熱処理炉であって、頭部に複数のガス導入
穴9をもつとともに下側にガス排出穴10を複数個をも
つ内管5bと、この内管5bの上部側を包むとともに下
側にガス導入管7をもつ外管5aと、内管5bのガス排
出穴10が形成される壁部5dを囲みガス排出管8をも
つ外囲室5cとを備える構造の反応管5にし、ガス導入
管7より供給されるガスをガス導入穴9より通し、下側
に向って流し、内管5b内に水平に並べて収納されるウ
ェハ1の面に接触しながら半径方向に向って流れるよう
にし、ガス排出穴10を通ってガス排気管8から管外に
ガうを排出させるようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子製造工程に
おいて使用する半導体基板であるウェハを酸化・拡散処
理する熱処理炉に関し、特に反応管が縦に配置される縦
型熱処理炉に関する。
【0002】
【従来の技術】図2(a)及び(b)は従来の縦型熱処
理炉の一例を示す縦断面図及び横断面図である。従来、
この種の熱処理炉は、図2に示すように、ウェハ1の複
数枚が水平に並べ収納される縦型ボート2と、この縦型
ボート2とこの縦型ボート2を搭載する保温断熱塔3を
収納し、上部にガス導入穴9を有するとともに下部にガ
ス排出口管8を取付ける内管11bと、この内管11b
を囲み反応室11を形成する外管11aと、反応管11
の外周囲に固定されるヒータと、反応管11に縦型ボー
ト2を搬入・搬出するとともに反応管11の開口を開閉
するボート上下駆動機構4を備えている。また、反応管
11はヒータ6により600〜1200℃程度の中・高
温に一定に保たれている。
【0003】次に、この縦型熱処理炉の動作について説
明する。まず、ウェハ1を積載した縦型ボート2は、ボ
ート上下駆動機構4により上昇し、反応ガスで一定の雰
囲気に保たれた反応管11の内管11bにゆっくりと挿
入される。次に、縦型ボート2が上限まで上昇し、反応
管11への挿入が終了すると、ウェハ1の酸化・拡散等
の処理が開始される。
【0004】この酸化・拡散等の処理は、つぎの一連の
装置動作が連続して繰り返し一定時間行われることによ
り処理される。まず、外管11aの底部にあるガス導入
管7から導入された反応ガスは反応管外管11aと反応
管内管11bの間の反応管11の頭部方向へ上昇する。
そしてヒータ6により加熱されながら反応管の外管11
aと内管11bの間を上昇した反応ガスは、内管11b
の頭部にある多数のガス導入穴9を通るより整流され均
一に反応管11の内部に流入し、縦型ボート2に積載さ
れたウェハ1の酸化・拡散が行われる。ここで、反応後
の反応ガスや、余剰反応ガスはガス排出管8より排出さ
れる。
【0005】この一連の装置動作が一定の時間繰り返し
行われた後、ウェハ1が積載されている縦型ボート2
は、ボート上下駆動機構4により下側に駆動され下降
し、酸化・拡散工程が終了する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】この従来の縦型熱処理
炉では、反応管の構造がガス導入管を有するガス導入側
のみが内外2重構造で、ガス排出管は1本のみが反応管
内管に直接取り付けられている1重構造であるので、ガ
スの排出が水平に保持されたウェハ面に均一に流れず、
ガス排出管が取り付けられている一方向へのみガスが流
れ、排出されるので反応管挿入時に反応管の底部付近に
位置するウェハの酸化膜厚の面内均一性が反応管頭部付
近のものより悪くなる傾向がある。更に従来の構造で
は、ウェハの酸化膜厚面内均一性に対するガス排出圧力
等のガス排出の諸条件の影響度が高く、最適条件とする
為の条件決定評価に多大な工数と時間を要するという問
題があった。そして評価により決定した最適条件に一定
に保つ為にガス排出圧力の日常管理を常に行う必要があ
り、この日常管理が煩しく誤りをしばしば引き起すとい
う問題があった。
【0007】図3(a)及び(b)は従来の縦型熱処理
で処理したウェハ面内均一性について説明するための図
である。ちなみに図2に示す熱処理炉で、反応管内90
0℃程度に保ち、酸水素を用いてウェハを酸化すると、
図3に示すように、反応管の構造と酸化膜厚の面内分布
との関係を等厚線(同一膜厚点を結んで得られる線)を
用いて示したようになる。また、直線グラフで示すとウ
ェハの膜厚は右側と左側では大きくばらついていた。こ
のようにガス排出管の取り付け位置に近い程膜厚が厚
く、ガス排出管の取り付け位置から離れている程膜厚が
薄くなる傾向にあることを示しており、ガス排出管の取
り付け位置依存性が高い事を示している。本発明の目的
は、これらの課題を解決するためにガスの流れを改善
し、面内を均一に処理出来る縦型熱処理炉を提供するこ
とにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の縦型熱処理炉
は、頭部に複数のガス導入穴を有し下部の側壁に複数の
ガス排出穴をもつとともに半導体基板が複数枚並べて積
載されるボートを収納する内管と、この内管の頭部を含
む上側部を包むとともに下側にガス導入管が取付けられ
る外管と、前記内管の側壁を囲み、閉鎖するとともにガ
ス排気管をもつ外囲室とを備えている。
【0009】
【実施例】次に、本発明について参照しながら説明す
る。
【0010】図1(a)及び(b)は、本発明の縦型熱
処理炉の一実施例を示す縦断面図及び横断面図である。
この縦型熱処理炉は、その反応管5の構造を図1に示す
ように、頂部の壁部に複数のガス導入のガス導入穴9を
もつ内管5bの下側の壁部5dに複数のガス排出穴10
を明け、このガス排出穴10をもつ包む外囲室5cと、
この外囲室5cに取付けられるガス排出管8を設けた構
造にしたことである。また、反応管の外管5aの下側に
取付けられるガス導入管7は、図1(b)に示すよう
に、2本のガス排出管8に対し半径方向に伸びるように
外管5aの下部に接合されており、外囲室5cとは内壁
で仕切られている。
【0011】次に、各部の相互の関係と働きを説明しな
がら、本発明の縦型熱処理炉を用いた場合の処理動作を
説明する。まず、ウェハ1は、縦型ボート2内に水平か
つ平行に積載される。次に、この縦型ボート2は保温断
熱塔3の上に搭載され、保温断熱塔3はボート上下駆動
機構4に搭載され内管5bに挿入される。次に、縦型ボ
ート2が上限まで上昇し、反応管5への挿入が終了する
と、ウェハ1の酸化・拡散等の処理が開始される。
【0012】この酸化・拡散の処理は、次の一連の装置
動作が連続して繰り返し一定時間行われることにより処
理される。すなわち、まず、反応管5の外管5aの底部
にあるガス導入管7から導入された反応ガスは、外管5
aと内管5bの間を通り反応管5の頭部方向へ上昇す
る。そしてヒータ6により加熱されながら外管5aと内
管5b上段の間を上昇した反応ガスは、内管5bの頭部
にある多数のガス導入穴9を通ることにより内管5b内
に分散・整流され、均一に管5b内に流れる。このこと
により縦型ボート2に積載されたウェハ1の酸化・拡散
が行われる。反応後のガスや余剰反応ガスは反応管下段
の内管5bの壁部5dに半径方向に放射状に開けられた
多数のガス排出穴10から均一に吸引される。吸引され
た反応後のガスや余剰反応ガスはウェハ1の半径方向に
放射状に均一に流れ、ガス排出穴10を通り反応管下段
の外囲室5cに接合されている2本のガス排出管8から
反応管5外へ排出される。
【0013】これら一連の装置動作が一定の時間繰り返
し行われた後、ウェハ1が積載されている縦型ボート2
は、ボート上下駆動機構4により下側に駆動され下降
し、酸化・拡散工程が終了する。ここで、この実施例で
は反応ガスを排出するガス排出管8は2本としてある
が、別の実施例としては、ガスの排出をより一層均一に
することを目的として、ガス排出管8を3本や4本等に
する例が考えられる。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明の縦型熱処理
炉は、複数のガス導入穴を頭部にもつとともに下部側に
複数のガス排出穴をもつ内管と、この内管の頭部側を包
むとともに下部側にガス導入管をもつ外管と、前記内管
の前記ガス排出穴のある壁部を包むとともに複数のガス
排出管をもつ外囲室とを設ける構造の反応管にし、前記
ガス導入管より供給されるガスの流れを、前記内管の頭
部のガス導入穴を通って前記内管内のウェハ面内を一様
に接触しながら半径方向に流出させ、下側の前記ガス排
出穴を通って前記ガス排出管より管外より排出させるこ
とによって、反応管内に収納される半導体基板であるウ
ェハに面内に一様な膜厚を生成出来るという効果があ
る。また、二次的効果としてウェハの酸化膜厚面内均一
性に対するガス排出圧力等の諸条件の影響度が低くな
り、前記諸条件を最適化するための条件決定評価や日常
管理に費やしていた多大な工数と時間を大幅に削減でき
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の縦型熱処理炉の一実施例を示す。
【図2】従来の縦型熱処理炉の一例を示す縦断面図及び
横断面図である。
【図3】従来の縦型熱処理炉で処理したウェハ面内の均
一性について説明する図である。
【符号の説明】
1 ウェハ 2 縦型ボート 3 保温断熱塔 4 ボート上下駆動機構 5,11 反応管 5a,11a 外管 5b,11b 内管 5c 外囲室 5d 壁部 6 ヒータ 7 ガス導入管 8 ガス排出管 9 ガス導入穴 10 ガス排出穴

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 頭部に複数のガス導入穴を有し下部の側
    壁に複数のガス排出穴をもつとともに半導体基板が複数
    枚並べて積載されるボートを収納する内管と、この内管
    の頭部を含む上側部を包むとともに下側にガス導入管が
    取付けられる外管と、前記内管の側壁を囲み、閉鎖する
    とともにガス排気管をもつ外囲室とを備えることを特徴
    とする縦型熱処理炉。
JP17392692A 1992-07-01 1992-07-01 縦型熱処理炉 Pending JPH0620980A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17392692A JPH0620980A (ja) 1992-07-01 1992-07-01 縦型熱処理炉

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17392692A JPH0620980A (ja) 1992-07-01 1992-07-01 縦型熱処理炉

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0620980A true JPH0620980A (ja) 1994-01-28

Family

ID=15969639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17392692A Pending JPH0620980A (ja) 1992-07-01 1992-07-01 縦型熱処理炉

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0620980A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100559198B1 (ko) * 1999-12-21 2006-03-10 액셀리스 테크놀로지스, 인크. 일체형 가스 분배 채널링을 갖는 벨자

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100559198B1 (ko) * 1999-12-21 2006-03-10 액셀리스 테크놀로지스, 인크. 일체형 가스 분배 채널링을 갖는 벨자

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100638946B1 (ko) 열처리장치 및 열처리방법 및 보온 유니트
JP3341619B2 (ja) 成膜装置
JP4426518B2 (ja) 処理装置
US6884319B2 (en) Susceptor of apparatus for manufacturing semiconductor device
US6204194B1 (en) Method and apparatus for producing a semiconductor device
US5431561A (en) Method and apparatus for heat treating
US11104995B2 (en) Substrate processing apparatus
US20210043485A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate holder
US20110309562A1 (en) Support structure and processing apparatus
KR102358277B1 (ko) 성막 장치 및 방법
KR102674572B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 프로그램 및 온도 조정 방법
US12546002B2 (en) Reaction tube, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP5303984B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
US7304003B2 (en) Oxidizing method and oxidizing unit for object to be processed
JPH0620980A (ja) 縦型熱処理炉
JP2001035797A (ja) 基板処理装置
JP4218360B2 (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
JP2002289557A (ja) 成膜方法
US20070128878A1 (en) Substrate processing apparatus and method for producing a semiconductor device
JP2006093411A (ja) 基板処理装置
US20230390810A1 (en) Cleaning method and processing apparatus
JPH0468522A (ja) 縦型熱処理装置
JP2992576B2 (ja) 縦型熱処理装置
KR20060098742A (ko) 보트 어셈블리
JPH0468528A (ja) 縦型熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20000201