JPH0621030A - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0621030A JPH0621030A JP17438992A JP17438992A JPH0621030A JP H0621030 A JPH0621030 A JP H0621030A JP 17438992 A JP17438992 A JP 17438992A JP 17438992 A JP17438992 A JP 17438992A JP H0621030 A JPH0621030 A JP H0621030A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- wafer
- carrier
- semiconductor wafer
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウエハの洗浄効率を高めより短時間に完
全な洗浄を可能にする洗浄方法を提供すること。 【構成】半導体ウエハを洗浄キャリアに装填して洗浄液
内に配置し、該洗浄キャリアに揺動を与えながら前記ウ
エハの洗浄を行う半導体ウエハの洗浄において、洗浄中
に前記ウエハの洗浄キャリアに対する位置を変えこと。
全な洗浄を可能にする洗浄方法を提供すること。 【構成】半導体ウエハを洗浄キャリアに装填して洗浄液
内に配置し、該洗浄キャリアに揺動を与えながら前記ウ
エハの洗浄を行う半導体ウエハの洗浄において、洗浄中
に前記ウエハの洗浄キャリアに対する位置を変えこと。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハの洗浄方法
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハの洗浄方法には幾つかの方
法があるが、一般に多槽式超音波洗浄方法に使用されて
いる。
法があるが、一般に多槽式超音波洗浄方法に使用されて
いる。
【０００３】図６にこの超音波洗浄装置の１槽分の側面
図を示した。この洗浄装置は通常２５枚のウエハ１をキ
ャリア２に装填して、これを受け台５に載せて洗浄槽６
に配置し、有機溶剤や超純水などの洗浄液１４を循環ポ
ンプ１３で循環しながら洗浄する。この時超音波発振器
１２を動作させて洗浄効果を高め、同時に受け台５を適
当なピッチで揺動させながら洗浄を行う。
図を示した。この洗浄装置は通常２５枚のウエハ１をキ
ャリア２に装填して、これを受け台５に載せて洗浄槽６
に配置し、有機溶剤や超純水などの洗浄液１４を循環ポ
ンプ１３で循環しながら洗浄する。この時超音波発振器
１２を動作させて洗浄効果を高め、同時に受け台５を適
当なピッチで揺動させながら洗浄を行う。
【０００４】図１にウエハ１を装填した洗浄キャリア２
の任意のウエハ面での断面図を示した。なお、図１には
キャリア１の底面１１を傾けてウエハを移動させる本発
明の方法の一例の原理を示す図を併記した。
の任意のウエハ面での断面図を示した。なお、図１には
キャリア１の底面１１を傾けてウエハを移動させる本発
明の方法の一例の原理を示す図を併記した。
【０００５】洗浄装置には、図１に示すキャリア２に多
数枚のウエハ１を装填したまま洗浄するので、図１のａ
およびｂで示したウエハ１とキャリア２の接触点では洗
浄が不充分となる。この接触点付近の洗浄不良は洗浄液
に超音波を与えても解消できないものであり、従来の洗
浄方法における課題の１つであった。
数枚のウエハ１を装填したまま洗浄するので、図１のａ
およびｂで示したウエハ１とキャリア２の接触点では洗
浄が不充分となる。この接触点付近の洗浄不良は洗浄液
に超音波を与えても解消できないものであり、従来の洗
浄方法における課題の１つであった。
【０００６】上記ウエハ洗浄技術上の欠点を解消する方
法として、特開平１−１７１６８４号公報に、上記受け
台とキャリアを一体化させたウエハ収納容器にウエハを
収納し、洗浄槽内の洗浄液を上下に流動させて収納容器
内のウエハを洗浄する洗浄装置において、洗浄液の流れ
がウエハ上の左右の部分で遅くなり洗浄が不充分となる
のを、収納容器を回転させ洗浄液の流れに対してウエハ
の位置を９０度回転させ完全な洗浄を実現することを提
案している。
法として、特開平１−１７１６８４号公報に、上記受け
台とキャリアを一体化させたウエハ収納容器にウエハを
収納し、洗浄槽内の洗浄液を上下に流動させて収納容器
内のウエハを洗浄する洗浄装置において、洗浄液の流れ
がウエハ上の左右の部分で遅くなり洗浄が不充分となる
のを、収納容器を回転させ洗浄液の流れに対してウエハ
の位置を９０度回転させ完全な洗浄を実現することを提
案している。
【０００７】しかしながら、ウエハが装填された収納容
器を回転させることは設備的にも操作的にも困難なこと
で実用的な対策と言い難い。
器を回転させることは設備的にも操作的にも困難なこと
で実用的な対策と言い難い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来の技術の欠点を解消し、ウエハの洗浄効率を高
め、より短時間に完全な洗浄を可能にする洗浄方法を提
供することにある。
した従来の技術の欠点を解消し、ウエハの洗浄効率を高
め、より短時間に完全な洗浄を可能にする洗浄方法を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明のウ
エハの洗浄方法によって達成される。すなわち、ウエハ
を洗浄キャリアに装填して洗浄液内に配置し、該洗浄キ
ャリアに揺動を与えながら前記ウエハの洗浄を行う半導
体ウエハの洗浄において、洗浄中に前記ウエハの洗浄キ
ャリアに対する位置を変えることを特徴とする半導体ウ
エハの洗浄方法である。
エハの洗浄方法によって達成される。すなわち、ウエハ
を洗浄キャリアに装填して洗浄液内に配置し、該洗浄キ
ャリアに揺動を与えながら前記ウエハの洗浄を行う半導
体ウエハの洗浄において、洗浄中に前記ウエハの洗浄キ
ャリアに対する位置を変えることを特徴とする半導体ウ
エハの洗浄方法である。
【００１０】ウエハの洗浄キャリアに対する位置を変え
るということは、例えば図１に示した本発明の具体例で
説明すれば、洗浄の最初の段階で、キャリア２のａおよ
びｂの位置と重なっていたウエハ１の位置から、洗浄の
途中でウエハ１を移動してウエハ１の異なった位置が重
なるようにすること、言い換えれば元のウエハ表面のａ
およびｂの位置を他に移動させることである。
るということは、例えば図１に示した本発明の具体例で
説明すれば、洗浄の最初の段階で、キャリア２のａおよ
びｂの位置と重なっていたウエハ１の位置から、洗浄の
途中でウエハ１を移動してウエハ１の異なった位置が重
なるようにすること、言い換えれば元のウエハ表面のａ
およびｂの位置を他に移動させることである。
【００１１】洗浄中にウエハの洗浄キャリアに対する位
置を変える方法のひとつは、図２に示すような中央の蝶
番７で二つ割れにできる上下対象の本発明の変形キャリ
ア３、４に予めウエハ１を装填し、図２に示すように洗
浄キャリア３、４を閉めて洗浄装置内に配置し、洗浄中
一定の時間が経過した後に一旦洗浄を停止し、洗浄キャ
リア３、４を上下反対にして洗浄装置内に再配置する方
法を挙げることができる。この方法ではウエハとキャリ
アとの接点は殆ど１８０度回転する。
置を変える方法のひとつは、図２に示すような中央の蝶
番７で二つ割れにできる上下対象の本発明の変形キャリ
ア３、４に予めウエハ１を装填し、図２に示すように洗
浄キャリア３、４を閉めて洗浄装置内に配置し、洗浄中
一定の時間が経過した後に一旦洗浄を停止し、洗浄キャ
リア３、４を上下反対にして洗浄装置内に再配置する方
法を挙げることができる。この方法ではウエハとキャリ
アとの接点は殆ど１８０度回転する。
【００１２】実際ウエハとキャリアとの接点は２０度回
転させれば洗浄効果は大幅に向上する。従って、いまひ
とつ別の方法としてウエハとキャリアとの接点を２０度
程度回転させる方法の一つが図１に示したキャリアの底
面の一部を押し上げてウエハを回転させて元のウエハ表
面のａおよびｂの位置を他に移動させる方法である。以
下に実施例としてこれらの方法を具体的に説明する。
転させれば洗浄効果は大幅に向上する。従って、いまひ
とつ別の方法としてウエハとキャリアとの接点を２０度
程度回転させる方法の一つが図１に示したキャリアの底
面の一部を押し上げてウエハを回転させて元のウエハ表
面のａおよびｂの位置を他に移動させる方法である。以
下に実施例としてこれらの方法を具体的に説明する。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例を具体的に図２〜図５を用い
て説明する。しかしながら以下の説明は本発明のより良
い理解のためであって、本発明を制限するものではな
い。 （実施例１）図２に示した本発明の変形キャリア３、４
中にウエハ２５枚を収納し、これを図５に示した超音波
洗浄装置の洗浄槽１中の受け台５にセットする。
て説明する。しかしながら以下の説明は本発明のより良
い理解のためであって、本発明を制限するものではな
い。 （実施例１）図２に示した本発明の変形キャリア３、４
中にウエハ２５枚を収納し、これを図５に示した超音波
洗浄装置の洗浄槽１中の受け台５にセットする。
【００１４】受け台５を上下に適当なピッチで揺動さ
せ、かつ４０ｋＨｚの超音波を与えて洗浄を行った。洗
浄液は０．２μｍのフィルターを介して循環した。５分
間洗浄を行った後に運転を停止し、洗浄槽１内の変形キ
ャリア３、４を上下に逆転させて図３に示した形にセッ
トし、さらに１０分間洗浄を行った。変形キャリア３、
４を上下に逆転してセットすることでキャリアとウエハ
の接点が変わり、これにより最初の５分間の洗浄で不充
分であったウエハの部分の洗浄ができる。
せ、かつ４０ｋＨｚの超音波を与えて洗浄を行った。洗
浄液は０．２μｍのフィルターを介して循環した。５分
間洗浄を行った後に運転を停止し、洗浄槽１内の変形キ
ャリア３、４を上下に逆転させて図３に示した形にセッ
トし、さらに１０分間洗浄を行った。変形キャリア３、
４を上下に逆転してセットすることでキャリアとウエハ
の接点が変わり、これにより最初の５分間の洗浄で不充
分であったウエハの部分の洗浄ができる。
【００１５】（実施例２）図４および図５に示した本発
明の説明図のウエハ洗浄装置はキャリア２の底面の一部
を押し上げるための装備以外は前記した図６の従来のウ
エハ洗浄装置と同様の装置であり、多数枚のウエハ１を
キャリウ２に装填して、これを受け台５に載せて洗浄槽
６に配置し、（循環ポンプ１３や超音波発振器１２など
は図示していないが）有機溶剤や超純水などの洗浄液１
４を循環ポンプ１３で循環し、同時に超音波発振器１２
を動作させ、受け台５を適当なピッチで揺動させながら
洗浄を行う。
明の説明図のウエハ洗浄装置はキャリア２の底面の一部
を押し上げるための装備以外は前記した図６の従来のウ
エハ洗浄装置と同様の装置であり、多数枚のウエハ１を
キャリウ２に装填して、これを受け台５に載せて洗浄槽
６に配置し、（循環ポンプ１３や超音波発振器１２など
は図示していないが）有機溶剤や超純水などの洗浄液１
４を循環ポンプ１３で循環し、同時に超音波発振器１２
を動作させ、受け台５を適当なピッチで揺動させながら
洗浄を行う。
【００１６】図４および図５に示した本発明のウエハ洗
浄装置に用いるキャリア２は、ウエハ１を支持してる底
板１１が２枚構成に作られていて、以下に説明する受け
台５の枠に仕組んだキャリア底板１１を持ち上げる機構
によって底板１１の内１枚がウエハ１と共に持ち上げら
れる。
浄装置に用いるキャリア２は、ウエハ１を支持してる底
板１１が２枚構成に作られていて、以下に説明する受け
台５の枠に仕組んだキャリア底板１１を持ち上げる機構
によって底板１１の内１枚がウエハ１と共に持ち上げら
れる。
【００１７】本発明のウエハ洗浄装置の受け台５の枠に
は、キャリア底板持ち上げ用のハンドル８が組み込まれ
ていて、このハンドル８を図４の矢印ｐの方向に押し下
げると、伝達シャフト９が押し下げられると共に回転軸
１５を回転させ、回転軸１５と共軸に取り付けられた治
具１０が回転しキャリア底板１１の一部を持ち上げる。
キャリア底板１１の一部が矢印ｑの方向に回転的に持ち
上がると底板１１の上に置かれたウエハ１を押し上げ図
４および図５の点線で表示したウエハの位置にまでウエ
ハを移動させる。以上が本発明のウエハ移動の機構の一
例である。
は、キャリア底板持ち上げ用のハンドル８が組み込まれ
ていて、このハンドル８を図４の矢印ｐの方向に押し下
げると、伝達シャフト９が押し下げられると共に回転軸
１５を回転させ、回転軸１５と共軸に取り付けられた治
具１０が回転しキャリア底板１１の一部を持ち上げる。
キャリア底板１１の一部が矢印ｑの方向に回転的に持ち
上がると底板１１の上に置かれたウエハ１を押し上げ図
４および図５の点線で表示したウエハの位置にまでウエ
ハを移動させる。以上が本発明のウエハ移動の機構の一
例である。
【００１８】この方法によれば、洗浄中に洗浄作業を停
止して、あるいは停止することなくキャリア２上のウエ
ハ１を移動させることができる。
止して、あるいは停止することなくキャリア２上のウエ
ハ１を移動させることができる。
【００１９】
【発明の効果】洗浄中にウエハ洗浄装置のキャリア上の
ウエハのキャリアに対する位置を変える本発明の洗浄方
法によって、優れた洗浄効果をあげ、ウエハの品質を向
上させることにより、テバイスの素子の歩留りを向上す
ることができる。
ウエハのキャリアに対する位置を変える本発明の洗浄方
法によって、優れた洗浄効果をあげ、ウエハの品質を向
上させることにより、テバイスの素子の歩留りを向上す
ることができる。
【図１】ウエハをキャリアに装填した断面図。（キャリ
アの底板を持ち上げる本発明のウエハ移動方法の原理の
一例を示す図を含む）
アの底板を持ち上げる本発明のウエハ移動方法の原理の
一例を示す図を含む）
【図２】ウエハを本発明の変形キャリアに装填した断面
図。
図。
【図３】ウエハを本発明の変形キャリアに装填し、洗浄
途中で変形キャリアの設置を逆転した場合の断面図。
途中で変形キャリアの設置を逆転した場合の断面図。
【図４】キャリアの底板を持ち上げる本発明のウエハ移
動方法の例を示す正面からみた説明図。
動方法の例を示す正面からみた説明図。
【図５】キャリアの底板を持ち上げる本発明のウエハ移
動方法の例を示す側面からみた説明図。
動方法の例を示す側面からみた説明図。
【図６】ウエハの従来の超音波洗浄装置の概要側面図。
１ ウエハ ２ キャリア ３ 変形キャリアの一部 ４ 変形キャリアの他の一部 ５ 受け台 ６ 洗浄槽 ７ 蝶番 ８ キャリア底板持ち上げ用ハンドル ９ キャリア底板持ち上げ用伝達シャフト １０ キャリア底板持ち上げ用治具 １１ キャリア底板（可動部） １２ 超音波発振器 １３ 循環ポンプ １４ 洗浄液 １５ 回転軸 ａ、ｂ ウエハとキャリアの重なる位置
Claims (1)
- 【請求項１】ウエハを洗浄キャリアに装填して洗浄液内
に配置し、該洗浄キャリアに揺動を与えながら前記ウエ
ハの洗浄を行う半導体ウエハの洗浄において、洗浄中に
前記ウエハの洗浄キャリアに対する位置を変えることを
特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17438992A JPH0621030A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17438992A JPH0621030A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0621030A true JPH0621030A (ja) | 1994-01-28 |
Family
ID=15977754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17438992A Pending JPH0621030A (ja) | 1992-07-01 | 1992-07-01 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621030A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6337030B1 (en) | 1997-02-04 | 2002-01-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method |
| US6391067B2 (en) | 1997-02-04 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
-
1992
- 1992-07-01 JP JP17438992A patent/JPH0621030A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6337030B1 (en) | 1997-02-04 | 2002-01-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus, wafer processing method, and SOI wafer fabrication method |
| US6391067B2 (en) | 1997-02-04 | 2002-05-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer processing apparatus and method, wafer convey robot, semiconductor substrate fabrication method, and semiconductor fabrication apparatus |
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