JPH06211593A - 結晶育成装置用坩堝 - Google Patents
結晶育成装置用坩堝Info
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- JPH06211593A JPH06211593A JP447293A JP447293A JPH06211593A JP H06211593 A JPH06211593 A JP H06211593A JP 447293 A JP447293 A JP 447293A JP 447293 A JP447293 A JP 447293A JP H06211593 A JPH06211593 A JP H06211593A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】結晶育成の際、高速度の坩堝回転においても溶
融した結晶原料が軸対称流を保持しかつ周方向に発生す
る渦構造を防止する坩堝を提供する。 【構成】坩堝１の内壁に半径方向に突出する板部材２を
複数枚取り付けて坩堝内を区切り、融液対流をこの区切
り部内に押さえることによって周方向への動きを規制す
る。これにより融液対流を軸対称に近づけ、かつ周方向
への渦構造の発生を防止する。
融した結晶原料が軸対称流を保持しかつ周方向に発生す
る渦構造を防止する坩堝を提供する。 【構成】坩堝１の内壁に半径方向に突出する板部材２を
複数枚取り付けて坩堝内を区切り、融液対流をこの区切
り部内に押さえることによって周方向への動きを規制す
る。これにより融液対流を軸対称に近づけ、かつ周方向
への渦構造の発生を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチョクラルスキー法また
は液体封止チョクラルスキー法を用いて半導体結晶の育
成を行う場合に使用する結晶育成装置用坩堝に関する。
は液体封止チョクラルスキー法を用いて半導体結晶の育
成を行う場合に使用する結晶育成装置用坩堝に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、チョクラルスキー法または液体封
止チョクラルスキー法を用いてシリコン（Ｓｉ）あるい
はガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の結晶育成を行う場合に
は、結晶原料を入れた坩堝を０．５〜１ｒｐｍで回転さ
せて結晶育成を行っている。しかし、結晶引き上げ装置
を構成する断熱材等に対する機械加工精度の限界によ
り、坩堝内の温度分布が回転中心軸に対しずれを生じ、
そのため、図２の断面図に示すように、左右の融液対流
３が回転軸対称にならない現象が生じている。この軸対
称からのずれを補償するために、坩堝の回転を１０〜２
０ｒｐｍに増加させて高速回転し結晶育成を行ってい
た。
止チョクラルスキー法を用いてシリコン（Ｓｉ）あるい
はガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の結晶育成を行う場合に
は、結晶原料を入れた坩堝を０．５〜１ｒｐｍで回転さ
せて結晶育成を行っている。しかし、結晶引き上げ装置
を構成する断熱材等に対する機械加工精度の限界によ
り、坩堝内の温度分布が回転中心軸に対しずれを生じ、
そのため、図２の断面図に示すように、左右の融液対流
３が回転軸対称にならない現象が生じている。この軸対
称からのずれを補償するために、坩堝の回転を１０〜２
０ｒｐｍに増加させて高速回転し結晶育成を行ってい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の坩堝に
おいては、前述のように坩堝の回転数を増加させると融
液中に周方向の渦構造が発生し、育成した結晶中のドー
プ材あるいは酸素などの不純物分布が不均一となること
が知られている。従って、このように高速で坩堝を回転
させた場合においても、軸対称流が得られるような構造
を持った坩堝が必要であった。
おいては、前述のように坩堝の回転数を増加させると融
液中に周方向の渦構造が発生し、育成した結晶中のドー
プ材あるいは酸素などの不純物分布が不均一となること
が知られている。従って、このように高速で坩堝を回転
させた場合においても、軸対称流が得られるような構造
を持った坩堝が必要であった。
【０００４】本発明の目的は、高速度の坩堝回転におい
ても融液の軸対称流が実現できる結晶育成用坩堝を提供
することにある。
ても融液の軸対称流が実現できる結晶育成用坩堝を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、坩堝回転の
際、周方向の融液流を抑制し保持するために、坩堝内壁
に半径方向に板状の対流抑止板を突出して設けた結晶育
成装置用坩堝である。
際、周方向の融液流を抑制し保持するために、坩堝内壁
に半径方向に板状の対流抑止板を突出して設けた結晶育
成装置用坩堝である。
【０００６】
【作用】本発明においては、坩堝内を対流抑止板により
複数個所に区切ることによって融液の軸対称流を各区切
り部内に止どめ、その結果、高速回転により周方向に発
生する渦構造を抑える作用がある。
複数個所に区切ることによって融液の軸対称流を各区切
り部内に止どめ、その結果、高速回転により周方向に発
生する渦構造を抑える作用がある。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して高速回転においても軸
対称流が実現できる坩堝の実施例について説明する。図
１は本発明の一実施例を示す図で、シリコンの融液対流
を軸対称にするための坩堝の構造を示す平面図（ａ）お
よび側面図（ｂ）である。
対称流が実現できる坩堝の実施例について説明する。図
１は本発明の一実施例を示す図で、シリコンの融液対流
を軸対称にするための坩堝の構造を示す平面図（ａ）お
よび側面図（ｂ）である。
【０００８】図１に示すように、本実施例は一辺が坩堝
１の半径のほぼ半分の長さを持つ石英からなる４枚の矩
形状の板部材２を、坩堝１の内壁から半径方向に突出さ
せて溶着することによって対流抑止板を実現している。
石英板の寸法および枚数は、上記４枚の矩形状に限ら
ず、半径方向の対流を阻止する形状のものであれば、例
えば台形あるいは三角形でも同様の作用がある。本実施
例の坩堝内にシリコンの結晶を融解し、Ｘ線透視法によ
り融液対流を観測したところ、１５ｒｐｍの回転速度に
おいても軸対称流を実現することが可能となった。
１の半径のほぼ半分の長さを持つ石英からなる４枚の矩
形状の板部材２を、坩堝１の内壁から半径方向に突出さ
せて溶着することによって対流抑止板を実現している。
石英板の寸法および枚数は、上記４枚の矩形状に限ら
ず、半径方向の対流を阻止する形状のものであれば、例
えば台形あるいは三角形でも同様の作用がある。本実施
例の坩堝内にシリコンの結晶を融解し、Ｘ線透視法によ
り融液対流を観測したところ、１５ｒｐｍの回転速度に
おいても軸対称流を実現することが可能となった。
【０００９】以上の実施例においては、シリコン（Ｓ
ｉ）やゲルマニウム（Ｇｅ）の結晶育成を対象として述
べてきたが、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）やインジウム燐
（ＩｎＰ）に代表されるような化合物半導体の結晶育成
においては、パイロリテックボロンナイトライド（ｐ−
ＢＮ）が坩堝材料として使用されるので、ｐ−ＢＮ製の
対流抑止板をプラズマ溶着により坩堝内に取り付けるこ
とによって実現することが可能となる。
ｉ）やゲルマニウム（Ｇｅ）の結晶育成を対象として述
べてきたが、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）やインジウム燐
（ＩｎＰ）に代表されるような化合物半導体の結晶育成
においては、パイロリテックボロンナイトライド（ｐ−
ＢＮ）が坩堝材料として使用されるので、ｐ−ＢＮ製の
対流抑止板をプラズマ溶着により坩堝内に取り付けるこ
とによって実現することが可能となる。
【００１０】
【発明の効果】以上のように本発明においては、坩堝内
に対流抑止板を設けたことによって、坩堝が高速回転し
ている時でも軸対称流を実現することが可能となる。
に対流抑止板を設けたことによって、坩堝が高速回転し
ている時でも軸対称流を実現することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例を示す図で、同図（ａ）は平
面図、同図（ｂ）は側面図である。
面図、同図（ｂ）は側面図である。
【図２】坩堝内の融液対流を示す断面図である。
１ 坩堝 ２ 板部材 ３ 融液体流
Claims (2)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法または液体封止チョ
クラルスキー法に用いる結晶育成装置用坩堝において、
坩堝内壁に半径方向に突出する板部材を複数枚取り付
け、回転する坩堝内の周方向への融液対流を抑制する対
流抑止板としたことを特徴とする結晶育成装置用坩堝。 - 【請求項２】 前記板部材が４枚である請求項１記載の
結晶育成装置用坩堝。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP447293A JPH06211593A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 結晶育成装置用坩堝 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP447293A JPH06211593A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 結晶育成装置用坩堝 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06211593A true JPH06211593A (ja) | 1994-08-02 |
Family
ID=11585067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP447293A Pending JPH06211593A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | 結晶育成装置用坩堝 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06211593A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5964589A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-12 | Fujitsu Ltd | 結晶の成長方法 |
| JPS6374991A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-05 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶成長用試料容器 |
| JPH04108684A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-09 | Japan Steel Works Ltd:The | 単結晶引上げ装置 |
| JPH04321585A (ja) * | 1991-04-23 | 1992-11-11 | Nippon Mektron Ltd | 単結晶育成方法 |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP447293A patent/JPH06211593A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5964589A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-12 | Fujitsu Ltd | 結晶の成長方法 |
| JPS6374991A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-05 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶成長用試料容器 |
| JPH04108684A (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-09 | Japan Steel Works Ltd:The | 単結晶引上げ装置 |
| JPH04321585A (ja) * | 1991-04-23 | 1992-11-11 | Nippon Mektron Ltd | 単結晶育成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19950530 |