JPH06211596A - 高温超伝導薄膜等の薄膜の堆積方法および堆積用基板の保持方法 - Google Patents
高温超伝導薄膜等の薄膜の堆積方法および堆積用基板の保持方法Info
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- JPH06211596A JPH06211596A JP5158355A JP15835593A JPH06211596A JP H06211596 A JPH06211596 A JP H06211596A JP 5158355 A JP5158355 A JP 5158355A JP 15835593 A JP15835593 A JP 15835593A JP H06211596 A JPH06211596 A JP H06211596A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温超伝導薄膜等の堆積方法と堆積用基板の
保持方法に関し、加熱板に薄膜堆積用基板を熱接触を良
好に保って貼り付けることができ、しかも堆積後にこの
堆積用基板を容易に外すことができる方法を提供する。 【構成】 堆積用基板４を銀ペースト等の接着媒質２に
よって昇温した加熱板１に接着した状態で、この堆積用
基板４に高温超伝導材料等の材料を構成する元素を供給
する導薄膜堆積方法において、この堆積用基板４と加熱
板１の間に雲母、グラファイト等の単体層状材料、Ａｇ
Ｆ2 等のハロゲン化金属、ＭｏＳ2 等の遷移金属カルコ
ゲナイド、窒化硼素等の劈開性物質３を挟み込み、ある
いは、加熱体自体を劈開性の物質で形成し、薄膜を堆積
した後にこれらの劈開性物質３を劈開して堆積用基板４
を加熱板１から剥離するようにした。この接着媒質を低
融点ガラス等の堆積時に液状で、固化した後に機械的強
度が弱い材料を用いることもできる。
保持方法に関し、加熱板に薄膜堆積用基板を熱接触を良
好に保って貼り付けることができ、しかも堆積後にこの
堆積用基板を容易に外すことができる方法を提供する。 【構成】 堆積用基板４を銀ペースト等の接着媒質２に
よって昇温した加熱板１に接着した状態で、この堆積用
基板４に高温超伝導材料等の材料を構成する元素を供給
する導薄膜堆積方法において、この堆積用基板４と加熱
板１の間に雲母、グラファイト等の単体層状材料、Ａｇ
Ｆ2 等のハロゲン化金属、ＭｏＳ2 等の遷移金属カルコ
ゲナイド、窒化硼素等の劈開性物質３を挟み込み、ある
いは、加熱体自体を劈開性の物質で形成し、薄膜を堆積
した後にこれらの劈開性物質３を劈開して堆積用基板４
を加熱板１から剥離するようにした。この接着媒質を低
融点ガラス等の堆積時に液状で、固化した後に機械的強
度が弱い材料を用いることもできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高温超伝導薄膜等の薄
膜の堆積方法および堆積用基板の保持方法に関するもの
である。
膜の堆積方法および堆積用基板の保持方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、臨界温度が液体窒素の沸点（７７
Ｋ）を超える酸化物高温超伝導体が発見され、エレクト
ロニクス分野での超伝導現象の利用が期待されている。
エレクトロニクス分野で高温超伝導体を用いるために
は、高温超伝導体を薄膜の形にする技術が必要である。
Ｋ）を超える酸化物高温超伝導体が発見され、エレクト
ロニクス分野での超伝導現象の利用が期待されている。
エレクトロニクス分野で高温超伝導体を用いるために
は、高温超伝導体を薄膜の形にする技術が必要である。
【０００３】従来から、高温超伝導体薄膜を形成する方
法として、レーザアブレーション法、スパッタリング
法、反応性蒸着法等が用いられてきた。これらのいずれ
の方法においても、超伝導体薄膜を堆積するための堆積
用基板を７００℃程度の高温に加熱しつつ、高温超伝導
材料を構成する元素を堆積用基板上に供給している。
法として、レーザアブレーション法、スパッタリング
法、反応性蒸着法等が用いられてきた。これらのいずれ
の方法においても、超伝導体薄膜を堆積するための堆積
用基板を７００℃程度の高温に加熱しつつ、高温超伝導
材料を構成する元素を堆積用基板上に供給している。
【０００４】図９は、レーザアブレーション法によって
高温超伝導体薄膜を形成する方法の原理説明図であり、
（Ａ）は堆積装置、（Ｂ）は高温超伝導薄膜を堆積した
状態、（Ｃ）は堆積した高温超伝導薄膜を剥離する状態
を示している。図において、９１はチャンバ、９２はガ
ス供給系、９３は排気系、９４は窓、９５はターゲッ
ト、９６は加熱板、９７は堆積用基板、９８は銀ペース
ト、９９はエキシマレーザ装置、１００は高温超伝導薄
膜、１０１はピンセットを示している。
高温超伝導体薄膜を形成する方法の原理説明図であり、
（Ａ）は堆積装置、（Ｂ）は高温超伝導薄膜を堆積した
状態、（Ｃ）は堆積した高温超伝導薄膜を剥離する状態
を示している。図において、９１はチャンバ、９２はガ
ス供給系、９３は排気系、９４は窓、９５はターゲッ
ト、９６は加熱板、９７は堆積用基板、９８は銀ペース
ト、９９はエキシマレーザ装置、１００は高温超伝導薄
膜、１０１はピンセットを示している。
【０００５】レーザアブレーション法によって高温超伝
導体薄膜を形成する場合は、図９（Ａ）に示されている
ように、チャンバ９１内に高温超伝導体を構成する組
成、例えばＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x からなるターゲット９
５と、加熱板９６の平坦な表面上に堆積用基板９７を載
置したものを対向して配置し、チャンバ９１を排気系９
３によって排気し、ガス供給系９２から酸化性ガスを供
給した状態で、窓９４を通してエキシマレーザ装置９９
から放射されるレーザ光をターゲット９５に照射し、レ
ーザ光のエネルギーによって飛散されるターゲット９５
の分子を堆積用基板９７の表面に堆積する方法をとって
いる。
導体薄膜を形成する場合は、図９（Ａ）に示されている
ように、チャンバ９１内に高温超伝導体を構成する組
成、例えばＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x からなるターゲット９
５と、加熱板９６の平坦な表面上に堆積用基板９７を載
置したものを対向して配置し、チャンバ９１を排気系９
３によって排気し、ガス供給系９２から酸化性ガスを供
給した状態で、窓９４を通してエキシマレーザ装置９９
から放射されるレーザ光をターゲット９５に照射し、レ
ーザ光のエネルギーによって飛散されるターゲット９５
の分子を堆積用基板９７の表面に堆積する方法をとって
いる。
【０００６】この堆積方法あるいは、前記の他の堆積方
法によって高温超伝導薄膜を堆積する場合、良好な特性
の高温超伝導薄膜を得るためには、堆積中の堆積用基板
９７の温度がその表面上で一様であり、かつ、再現性が
よいことが必要不可欠であることが知られている。
法によって高温超伝導薄膜を堆積する場合、良好な特性
の高温超伝導薄膜を得るためには、堆積中の堆積用基板
９７の温度がその表面上で一様であり、かつ、再現性が
よいことが必要不可欠であることが知られている。
【０００７】そして、堆積用基板９７を加熱板９６に機
械的に押しつけただけでは、熱的な接触は充分に得られ
ず、加熱板９６の表面と堆積用基板９７とでは１５０〜
２００℃程度の温度差を生じることが知られている。こ
の温度差は堆積用基板９７と加熱板９６との接触状態の
微妙な変化により大きく変化するため、単に堆積用基板
９７を加熱板９６に機械的に接触させるだけでは、得ら
れる高温超伝導薄膜の特性に再現性がないという問題が
あった。
械的に押しつけただけでは、熱的な接触は充分に得られ
ず、加熱板９６の表面と堆積用基板９７とでは１５０〜
２００℃程度の温度差を生じることが知られている。こ
の温度差は堆積用基板９７と加熱板９６との接触状態の
微妙な変化により大きく変化するため、単に堆積用基板
９７を加熱板９６に機械的に接触させるだけでは、得ら
れる高温超伝導薄膜の特性に再現性がないという問題が
あった。
【０００８】また、低い雰囲気圧力下で堆積用基板を加
熱板上に載置して薄膜を堆積する場合、堆積用基板と加
熱板との間は熱伝導の媒体とするガスが希薄であるた
め、熱伝導率が著しく低下する。このため従来から、金
属粉を有機溶媒に混和した接着媒質によって堆積用基板
を加熱板に接着し熱伝導効率を高める方法がとられてき
た。接着媒質を用いないで、ねじによって堆積用基板を
加熱板上に押さえつけて保持する方法によっては、加熱
板の設定温度を８００℃にしても、堆積用基板は約７０
０℃程度にしか上昇しないが、堆積用基板を、銀粉を有
機溶媒に混和した銀ペースト等の接着媒質によって加熱
板に接着保持する方法によると、熱伝導効率が向上し８
００℃まで上げることができる。
熱板上に載置して薄膜を堆積する場合、堆積用基板と加
熱板との間は熱伝導の媒体とするガスが希薄であるた
め、熱伝導率が著しく低下する。このため従来から、金
属粉を有機溶媒に混和した接着媒質によって堆積用基板
を加熱板に接着し熱伝導効率を高める方法がとられてき
た。接着媒質を用いないで、ねじによって堆積用基板を
加熱板上に押さえつけて保持する方法によっては、加熱
板の設定温度を８００℃にしても、堆積用基板は約７０
０℃程度にしか上昇しないが、堆積用基板を、銀粉を有
機溶媒に混和した銀ペースト等の接着媒質によって加熱
板に接着保持する方法によると、熱伝導効率が向上し８
００℃まで上げることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】一般に、このような場
合、堆積用基板と加熱板の間の熱伝導を良好にする手段
として、堆積用基板を接着媒質を用いて加熱板上に貼り
付ける方法が知られており、例えば、高真空中における
ＭＢＥ法によって被膜を堆積する際、Ｉｎ等の低融点金
属を用いて堆積用基板と加熱板を接着する方法が用いら
れている。しかしながら、高温超伝導材料は酸化物であ
るため、酸化性の雰囲気中で堆積する必要があるが、Ｉ
ｎ等の低融点金属はこの酸化性雰囲気によって酸化さ
れ、接着性と熱伝導性が著しく損なわれるためこれを接
着媒質として用いることは不可能である。
合、堆積用基板と加熱板の間の熱伝導を良好にする手段
として、堆積用基板を接着媒質を用いて加熱板上に貼り
付ける方法が知られており、例えば、高真空中における
ＭＢＥ法によって被膜を堆積する際、Ｉｎ等の低融点金
属を用いて堆積用基板と加熱板を接着する方法が用いら
れている。しかしながら、高温超伝導材料は酸化物であ
るため、酸化性の雰囲気中で堆積する必要があるが、Ｉ
ｎ等の低融点金属はこの酸化性雰囲気によって酸化さ
れ、接着性と熱伝導性が著しく損なわれるためこれを接
着媒質として用いることは不可能である。
【００１０】また、図９（Ｂ）に示されているように、
堆積用基板９７と加熱板９６の間の熱接触を改善するた
めに、堆積用基板９７と加熱板９６の間を銀ペースト９
８を用いて接着することもできるが、銀ペースト９８
は、昇温すると堆積雰囲気中の酸素が原因となって硬化
するため、通常の作業温度では低融点金属のように加熱
溶融できず、図９（Ｃ）に示されるように、高温超伝導
薄膜１００を堆積した後に、ピンセット１０１やカッタ
ー等を堆積用基板９７と加熱板９６の間に差し込んで強
い機械的な力を加えて剥離することが必要である。
堆積用基板９７と加熱板９６の間の熱接触を改善するた
めに、堆積用基板９７と加熱板９６の間を銀ペースト９
８を用いて接着することもできるが、銀ペースト９８
は、昇温すると堆積雰囲気中の酸素が原因となって硬化
するため、通常の作業温度では低融点金属のように加熱
溶融できず、図９（Ｃ）に示されるように、高温超伝導
薄膜１００を堆積した後に、ピンセット１０１やカッタ
ー等を堆積用基板９７と加熱板９６の間に差し込んで強
い機械的な力を加えて剥離することが必要である。
【００１１】以上のように接着媒質としてＩｎ等の低融
点金属を用いると、酸化性雰囲気で酸化されるため接着
が不可能となり、また、銀ペースト等の接着媒質を用い
ると、堆積用基板温度の再現性は向上し、高温超伝導薄
膜の特性の再現性も向上するが、銀ペーストは一旦接着
すると堆積用基板を容易に剥離できず、また、堆積用基
板の裏面にも硬化した銀ペーストが付着し、これを除去
することが困難であるという問題がある。
点金属を用いると、酸化性雰囲気で酸化されるため接着
が不可能となり、また、銀ペースト等の接着媒質を用い
ると、堆積用基板温度の再現性は向上し、高温超伝導薄
膜の特性の再現性も向上するが、銀ペーストは一旦接着
すると堆積用基板を容易に剥離できず、また、堆積用基
板の裏面にも硬化した銀ペーストが付着し、これを除去
することが困難であるという問題がある。
【００１２】このように、銀ペーストを用いた場合、１
０ｍｍ角程度の小さい堆積用基板を用いる実験室的な規
模の装置では大きな困難を伴わないで剥離することがで
きるが、堆積用基板が１５〜２０ｍｍ角程度以上になる
と、高温超伝導薄膜堆積後の堆積用基板を加熱板から剥
離するのが困難になる。たとえ強い力を加えることによ
って堆積用基板を剥離できたとしても、堆積用基板が割
れたり反ったりし、また裏面が平坦にならないことが多
く、これを用いてデバイスに加工するとき悪影響がでる
ばかりでなく、高温超伝導薄膜の評価を行うとき精度に
大きく影響し、堆積ロット間で再現性が悪くなるという
不都合を生じる。
０ｍｍ角程度の小さい堆積用基板を用いる実験室的な規
模の装置では大きな困難を伴わないで剥離することがで
きるが、堆積用基板が１５〜２０ｍｍ角程度以上になる
と、高温超伝導薄膜堆積後の堆積用基板を加熱板から剥
離するのが困難になる。たとえ強い力を加えることによ
って堆積用基板を剥離できたとしても、堆積用基板が割
れたり反ったりし、また裏面が平坦にならないことが多
く、これを用いてデバイスに加工するとき悪影響がでる
ばかりでなく、高温超伝導薄膜の評価を行うとき精度に
大きく影響し、堆積ロット間で再現性が悪くなるという
不都合を生じる。
【００１３】したがって、高温超伝導薄膜を工業的規模
で実用化するためには、堆積用基板温度の再現性が得ら
れる堆積用基板と加熱板の間の接着手段と、大型の堆積
用基板を貼り付けた場合でも堆積用基板を加熱板から容
易に剥離できる手段を開発することが必要になる。
で実用化するためには、堆積用基板温度の再現性が得ら
れる堆積用基板と加熱板の間の接着手段と、大型の堆積
用基板を貼り付けた場合でも堆積用基板を加熱板から容
易に剥離できる手段を開発することが必要になる。
【００１４】本発明は、加熱板に高温超伝導薄膜堆積用
基板を熱接触を良好に保って貼り付けることができ、し
かも堆積後にこの堆積用基板を加熱板から容易に取り外
すことができる方法を提供することを目的とする。
基板を熱接触を良好に保って貼り付けることができ、し
かも堆積後にこの堆積用基板を加熱板から容易に取り外
すことができる方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる、堆積用
基板を接着媒質によって昇温した加熱板に接着した状態
で、該堆積用基板に高温超伝導体薄膜等の堆積薄膜の材
料を構成する元素を供給する薄膜の堆積方法において
は、該堆積用基板と加熱板を剥離性のよい手段を用いて
接着する工程を採用した。
基板を接着媒質によって昇温した加熱板に接着した状態
で、該堆積用基板に高温超伝導体薄膜等の堆積薄膜の材
料を構成する元素を供給する薄膜の堆積方法において
は、該堆積用基板と加熱板を剥離性のよい手段を用いて
接着する工程を採用した。
【００１６】この場合、堆積用基板と加熱板の間に劈解
性の物質を挟み込み、または、加熱板自体を劈解性の物
質によって形成することができる。また、この場合、接
着媒質として、粉末化した劈解性の物質のペースト、粉
末化した劈解性の物質と有機ポリマーを混合したペース
ト、または、粉末化した劈解性の物質と良熱電導性の物
質の粉末と有機ポリマーを混合したペーストを用いるこ
とができる。
性の物質を挟み込み、または、加熱板自体を劈解性の物
質によって形成することができる。また、この場合、接
着媒質として、粉末化した劈解性の物質のペースト、粉
末化した劈解性の物質と有機ポリマーを混合したペース
ト、または、粉末化した劈解性の物質と良熱電導性の物
質の粉末と有機ポリマーを混合したペーストを用いるこ
とができる。
【００１７】また、この場合、接着媒質として、堆積薄
膜材料を堆積する温度において液状であるＢ2 Ｏ3 を主
成分とするガラスのような酸化物、ハロゲン化物、カル
コゲン化物等の化合物あるいはこれらの化合物に銀等の
金属粉末を加えた材料を用いることができる。
膜材料を堆積する温度において液状であるＢ2 Ｏ3 を主
成分とするガラスのような酸化物、ハロゲン化物、カル
コゲン化物等の化合物あるいはこれらの化合物に銀等の
金属粉末を加えた材料を用いることができる。
【００１８】そしてこの場合、堆積用基板を加熱板に押
しつけるための押さえ板を用いることができ、加熱板の
表面に接着媒質と反応しない層を被覆することができ
る。
しつけるための押さえ板を用いることができ、加熱板の
表面に接着媒質と反応しない層を被覆することができ
る。
【００１９】また、本発明にかかる堆積用基板の保持方
法においては、堆積用基板を金属粉を有機溶媒に混和し
た接着媒質によって加熱板に接着し、接着部を酸化性ガ
ス雰囲気から遮断する機構を採用した。この場合、接着
部を不活性ガス雰囲気中に置くことができる。
法においては、堆積用基板を金属粉を有機溶媒に混和し
た接着媒質によって加熱板に接着し、接着部を酸化性ガ
ス雰囲気から遮断する機構を採用した。この場合、接着
部を不活性ガス雰囲気中に置くことができる。
【００２０】
【作用】この発明のように、堆積用基板を劈解性材料を
介して加熱板に接着し、または、堆積用基板を劈解性接
着媒質によって加熱板に接着し、あるいは、加熱板自体
を劈解性材料によって形成すると、高温超伝導薄膜を堆
積した後に、劈解性材料、劈解性接着媒質または劈解性
加熱板が容易に劈解されるため、堆積用基板を大きな機
械的な力を用いることなく、裏面が平坦な状態で加熱板
から剥離することができる。
介して加熱板に接着し、または、堆積用基板を劈解性接
着媒質によって加熱板に接着し、あるいは、加熱板自体
を劈解性材料によって形成すると、高温超伝導薄膜を堆
積した後に、劈解性材料、劈解性接着媒質または劈解性
加熱板が容易に劈解されるため、堆積用基板を大きな機
械的な力を用いることなく、裏面が平坦な状態で加熱板
から剥離することができる。
【００２１】また、堆積用基板を、高温超伝導薄膜を堆
積する温度において液状であるＢ2Ｏ3 を主成分とする
ガラスのような酸化物、ハロゲン化物、カルコゲン化物
等の化合物あるいはこれらの化合物に銀等の金属粉末を
加えたもので、材料を用いて加熱板に接着すると、高温
超伝導薄膜を堆積するときは、化合物が液状になって微
小な間隙を満たすため良好な熱接触が得られ、さらに、
これらの化合物はすでに酸素や他の元素と化合している
ために酸化性雰囲気で酸化されて不都合を生じるという
問題もない。また、高温超伝導薄膜を堆積した後には、
加熱体の温度を若干上昇して化合物の接着強度を大幅に
低下させることによって、堆積用基板を加熱板から容易
に剥離することができる。
積する温度において液状であるＢ2Ｏ3 を主成分とする
ガラスのような酸化物、ハロゲン化物、カルコゲン化物
等の化合物あるいはこれらの化合物に銀等の金属粉末を
加えたもので、材料を用いて加熱板に接着すると、高温
超伝導薄膜を堆積するときは、化合物が液状になって微
小な間隙を満たすため良好な熱接触が得られ、さらに、
これらの化合物はすでに酸素や他の元素と化合している
ために酸化性雰囲気で酸化されて不都合を生じるという
問題もない。また、高温超伝導薄膜を堆積した後には、
加熱体の温度を若干上昇して化合物の接着強度を大幅に
低下させることによって、堆積用基板を加熱板から容易
に剥離することができる。
【００２２】また、この場合、堆積用基板を加熱板に押
しつけるための押さえ板を用いることができ、加熱板の
表面に接着媒質と反応しない層を被覆することができ
る。
しつけるための押さえ板を用いることができ、加熱板の
表面に接着媒質と反応しない層を被覆することができ
る。
【００２３】また、本発明の堆積用基板の保持方法のよ
うに、堆積用基板を金属粉を有機溶媒に混和した接着媒
質によって加熱板に接着し、接着部を酸化性ガス雰囲気
から遮断する機構を用い、あるいは、接着部を不活性ガ
ス雰囲気中に置くと、接着媒質である銀ペーストが酸素
によって硬化するのを防ぐことができる。
うに、堆積用基板を金属粉を有機溶媒に混和した接着媒
質によって加熱板に接着し、接着部を酸化性ガス雰囲気
から遮断する機構を用い、あるいは、接着部を不活性ガ
ス雰囲気中に置くと、接着媒質である銀ペーストが酸素
によって硬化するのを防ぐことができる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 （第１実施例）図１は、第１実施例の模式的説明図であ
り、（Ａ）は高温超伝導薄膜を堆積する状態を示し、
（Ｂ）は堆積用基板を加熱板から剥離する状態を示して
いる。この図において、１は加熱板、２は銀ペースト、
３は雲母箔、４はＳｒＴｉＯ 3 基板を示している。
り、（Ａ）は高温超伝導薄膜を堆積する状態を示し、
（Ｂ）は堆積用基板を加熱板から剥離する状態を示して
いる。この図において、１は加熱板、２は銀ペースト、
３は雲母箔、４はＳｒＴｉＯ 3 基板を示している。
【００２５】この実施例においては、高温超伝導薄膜を
堆積する基板としてＳｒＴｉＯ3 基板４を用い、劈解性
材料として雲母箔３を用い、レーザ堆積装置によって高
温超伝導薄膜を堆積する。
堆積する基板としてＳｒＴｉＯ3 基板４を用い、劈解性
材料として雲母箔３を用い、レーザ堆積装置によって高
温超伝導薄膜を堆積する。
【００２６】まず、図１（Ａ）に示されているように、
従来技術と同様に加熱板１の上にＳｒＴｉＯ3 基板４を
銀ペースト２によって固定するが、このとき加熱板１と
の間に厚さ０．２ｍｍ程度の雲母箔３を挟んで固定す
る。
従来技術と同様に加熱板１の上にＳｒＴｉＯ3 基板４を
銀ペースト２によって固定するが、このとき加熱板１と
の間に厚さ０．２ｍｍ程度の雲母箔３を挟んで固定す
る。
【００２７】銀ペースト２がある程度硬化した後、昇温
を開始し、ここでは１０ｍｍＴｏｒｒの酸素雰囲気中
で、ＳｒＴｉＯ3 基板４の温度を６８０℃にして高温超
伝導薄膜の堆積を行う。
を開始し、ここでは１０ｍｍＴｏｒｒの酸素雰囲気中
で、ＳｒＴｉＯ3 基板４の温度を６８０℃にして高温超
伝導薄膜の堆積を行う。
【００２８】このようにして、雲母箔３のような劈解性
材料を加熱板１とＳｒＴｉＯ3 基板４の間に挟み込む
と、図１（Ｂ）に示されているように、高温超伝導薄膜
を堆積した後に、雲母箔３を劈解することによって、Ｓ
ｒＴｉＯ3 基板４を加熱板１から容易に剥離することが
できる。
材料を加熱板１とＳｒＴｉＯ3 基板４の間に挟み込む
と、図１（Ｂ）に示されているように、高温超伝導薄膜
を堆積した後に、雲母箔３を劈解することによって、Ｓ
ｒＴｉＯ3 基板４を加熱板１から容易に剥離することが
できる。
【００２９】（第２実施例）図２は、第２実施例の模式
的説明図であり、（Ａ）は高温超伝導薄膜を堆積する状
態を示し、（Ｂ）は堆積用基板を加熱板から剥離する状
態を示している。この図において、１１は雲母板、１２
は銀ペースト、１３はＳｒＴｉＯ3 基板を示している。
的説明図であり、（Ａ）は高温超伝導薄膜を堆積する状
態を示し、（Ｂ）は堆積用基板を加熱板から剥離する状
態を示している。この図において、１１は雲母板、１２
は銀ペースト、１３はＳｒＴｉＯ3 基板を示している。
【００３０】この実施例においては、加熱板として劈解
性を有する雲母板１１を用い、レーザ堆積装置によって
ＳｒＴｉＯ3 基板１３の上に高温超伝導薄膜を堆積す
る。
性を有する雲母板１１を用い、レーザ堆積装置によって
ＳｒＴｉＯ3 基板１３の上に高温超伝導薄膜を堆積す
る。
【００３１】まず、図２（Ａ）に示されているように、
加熱板として、ＳｒＴｉＯ3 基板１３の表面に平行な面
に劈解面を有する雲母板１１の上にＳｒＴｉＯ3 基板１
３を銀ペースト１２によって固定する。
加熱板として、ＳｒＴｉＯ3 基板１３の表面に平行な面
に劈解面を有する雲母板１１の上にＳｒＴｉＯ3 基板１
３を銀ペースト１２によって固定する。
【００３２】銀ペースト１２がある程度硬化した後、昇
温を開始し、１０ｍｍＴｏｒｒの酸素雰囲気中で、Ｓｒ
ＴｉＯ3 基板１３の温度を６８０℃にして高温超伝導薄
膜の堆積を行う。
温を開始し、１０ｍｍＴｏｒｒの酸素雰囲気中で、Ｓｒ
ＴｉＯ3 基板１３の温度を６８０℃にして高温超伝導薄
膜の堆積を行う。
【００３３】このようにして、加熱板として雲母板１１
のような劈解性材料を用いると、図２（Ｂ）に示されて
いるように、高温超伝導薄膜を堆積した後に、雲母板１
１の上面部分を劈解することによって、ＳｒＴｉＯ3 基
板１３を雲母板１１から容易に剥離することができる。
のような劈解性材料を用いると、図２（Ｂ）に示されて
いるように、高温超伝導薄膜を堆積した後に、雲母板１
１の上面部分を劈解することによって、ＳｒＴｉＯ3 基
板１３を雲母板１１から容易に剥離することができる。
【００３４】これらの第１実施例、第２実施例では堆積
用基板と加熱板の間に介挿される劈解性材料の箔、また
は加熱板自体を構成する劈解性材料として雲母箔を用い
たが、グラファイトを始めとする単体層状材料、ＡｇＦ
2 等のハロゲン化金属、ＭｏＳ2 等の遷移金属カルコゲ
ナイド、窒化硼素等を用いることができることはいうま
でもない。
用基板と加熱板の間に介挿される劈解性材料の箔、また
は加熱板自体を構成する劈解性材料として雲母箔を用い
たが、グラファイトを始めとする単体層状材料、ＡｇＦ
2 等のハロゲン化金属、ＭｏＳ2 等の遷移金属カルコゲ
ナイド、窒化硼素等を用いることができることはいうま
でもない。
【００３５】（第３実施例）図３は、第３実施例の模式
的説明図であり、（Ａ）は高温超伝導薄膜を堆積する状
態を示し、（Ｂ）は堆積用基板を加熱板から剥離する状
態を示している。この図において、２１は加熱板、２２
はＭｏＳ2 ペースト、２３はＳｒＴｉＯ 3 基板を示して
いる。この実施例においては、ＳｒＴｉＯ3 基板２３を
加熱板２１の上に劈解性を有するＭｏＳ2 粉末を懸濁し
たＭｏＳ2 ペースト２２を用いて固定し、レーザ堆積装
置によってＳｒＴｉＯ3 基板２３の上に高温超伝導薄膜
を堆積する。
的説明図であり、（Ａ）は高温超伝導薄膜を堆積する状
態を示し、（Ｂ）は堆積用基板を加熱板から剥離する状
態を示している。この図において、２１は加熱板、２２
はＭｏＳ2 ペースト、２３はＳｒＴｉＯ 3 基板を示して
いる。この実施例においては、ＳｒＴｉＯ3 基板２３を
加熱板２１の上に劈解性を有するＭｏＳ2 粉末を懸濁し
たＭｏＳ2 ペースト２２を用いて固定し、レーザ堆積装
置によってＳｒＴｉＯ3 基板２３の上に高温超伝導薄膜
を堆積する。
【００３６】まず、図３（Ａ）に示されているように、
加熱板２１の上にＳｒＴｉＯ3 基板２３を劈解性を有す
るＭｏＳ2 ペースト２２によって固定する。
加熱板２１の上にＳｒＴｉＯ3 基板２３を劈解性を有す
るＭｏＳ2 ペースト２２によって固定する。
【００３７】ＭｏＳ2 ペースト２２がある程度硬化した
後、昇温を開始し、１０ｍｍＴｏｒｒの酸素雰囲気中
で、ＳｒＴｉＯ3 基板２３の温度を６８０℃にしてター
ゲット上でのレーザ光のエネルギー密度を４Ｊ／ｃｍ2
にして高温超伝導薄膜の堆積を行う。
後、昇温を開始し、１０ｍｍＴｏｒｒの酸素雰囲気中
で、ＳｒＴｉＯ3 基板２３の温度を６８０℃にしてター
ゲット上でのレーザ光のエネルギー密度を４Ｊ／ｃｍ2
にして高温超伝導薄膜の堆積を行う。
【００３８】このようにして、劈解性を有するＭｏＳ2
粉末のペーストを用いると、ＭｏＳ 2 粉末は劈解性を有
するために概ね鱗片状であり、このペーストを加熱板２
１の上に塗布したとき、その劈解面は加熱板２１の表面
に平行に配列され、図３（Ｂ）に示されているように、
高温超伝導薄膜を堆積した後に、ＭｏＳ2 ペースト２２
を劈解することによって、ＳｒＴｉＯ3 基板２３を加熱
板２１から容易に剥離することができる。
粉末のペーストを用いると、ＭｏＳ 2 粉末は劈解性を有
するために概ね鱗片状であり、このペーストを加熱板２
１の上に塗布したとき、その劈解面は加熱板２１の表面
に平行に配列され、図３（Ｂ）に示されているように、
高温超伝導薄膜を堆積した後に、ＭｏＳ2 ペースト２２
を劈解することによって、ＳｒＴｉＯ3 基板２３を加熱
板２１から容易に剥離することができる。
【００３９】（第４実施例）この実施例においては、Ｓ
ｒＴｉＯ3 基板を加熱板の上に劈解性を有する雲母粉末
を懸濁した雲母ペーストを用いて固定し、レーザ堆積装
置によってＳｒＴｉＯ3 基板の上に高温超伝導薄膜を堆
積する。
ｒＴｉＯ3 基板を加熱板の上に劈解性を有する雲母粉末
を懸濁した雲母ペーストを用いて固定し、レーザ堆積装
置によってＳｒＴｉＯ3 基板の上に高温超伝導薄膜を堆
積する。
【００４０】有機ポリマーであるテルピネオールに雲母
の粉末を混ぜてペースト状にして雲母ペーストを調整
し、この雲母ペーストを用いて加熱板の上にＳｒＴｉＯ
3 基板を接着する。
の粉末を混ぜてペースト状にして雲母ペーストを調整
し、この雲母ペーストを用いて加熱板の上にＳｒＴｉＯ
3 基板を接着する。
【００４１】雲母ペーストがある程度硬化した後、昇温
を開始し、１０ｍｍＴｏｒｒの酸素雰囲気中で、ＳｒＴ
ｉＯ3 基板の温度を６８０℃にしてターゲット上でのレ
ーザエネルギー密度を４Ｊ／ｃｍ2 にして高温超伝導薄
膜の堆積を行う。
を開始し、１０ｍｍＴｏｒｒの酸素雰囲気中で、ＳｒＴ
ｉＯ3 基板の温度を６８０℃にしてターゲット上でのレ
ーザエネルギー密度を４Ｊ／ｃｍ2 にして高温超伝導薄
膜の堆積を行う。
【００４２】このようにして、劈解性を有する雲母ペー
ストを用いると、高温超伝導薄膜を堆積した後に、雲母
ペーストを劈解することによって、ＳｒＴｉＯ3 基板を
加熱板から容易に剥離することができる。
ストを用いると、高温超伝導薄膜を堆積した後に、雲母
ペーストを劈解することによって、ＳｒＴｉＯ3 基板を
加熱板から容易に剥離することができる。
【００４３】（第５実施例）この実施例においては、Ｓ
ｒＴｉＯ3 基板を加熱板の上に、銀ペーストに雲母粉末
を混ぜたペーストを用いて固定し、レーザ堆積装置によ
ってＳｒＴｉＯ3 基板の上に高温超伝導薄膜を堆積す
る。まず、一般に市販されている銀ペーストに雲母の粉
末を混ぜ合わせてペースト状にする。このペーストを用
いて、加熱板の上にＳｒＴｉＯ3 基板を接着する。
ｒＴｉＯ3 基板を加熱板の上に、銀ペーストに雲母粉末
を混ぜたペーストを用いて固定し、レーザ堆積装置によ
ってＳｒＴｉＯ3 基板の上に高温超伝導薄膜を堆積す
る。まず、一般に市販されている銀ペーストに雲母の粉
末を混ぜ合わせてペースト状にする。このペーストを用
いて、加熱板の上にＳｒＴｉＯ3 基板を接着する。
【００４４】このペーストがある程度硬化した後、昇温
を開始し、１０ｍｍＴｏｒｒの酸素雰囲気中で、ＳｒＴ
ｉＯ3 基板の温度を６８０℃にしてターゲット上でのレ
ーザ光のエネルギー密度を４Ｊ／ｃｍ2 にして高温超伝
導薄膜の堆積を行う。
を開始し、１０ｍｍＴｏｒｒの酸素雰囲気中で、ＳｒＴ
ｉＯ3 基板の温度を６８０℃にしてターゲット上でのレ
ーザ光のエネルギー密度を４Ｊ／ｃｍ2 にして高温超伝
導薄膜の堆積を行う。
【００４５】このようにして、劈解性を有する雲母粉末
を混ぜた銀ペーストを用いると、高温超伝導薄膜を堆積
した後に、ペースト中の雲母粉末を劈解することによっ
て、ＳｒＴｉＯ3 基板を加熱板から容易に剥離すること
ができる。また、銀粉末を混入したことによって、加熱
板からＳｒＴｉＯ3 基板への熱伝導が大きく改善され
る。
を混ぜた銀ペーストを用いると、高温超伝導薄膜を堆積
した後に、ペースト中の雲母粉末を劈解することによっ
て、ＳｒＴｉＯ3 基板を加熱板から容易に剥離すること
ができる。また、銀粉末を混入したことによって、加熱
板からＳｒＴｉＯ3 基板への熱伝導が大きく改善され
る。
【００４６】これらの第３実施例、第４実施例、第５実
施例では、ペースト中に混入する劈解性材料粉末とし
て、ＭｏＳ2 と雲母粉末を用いたが、グラファイトを始
めとする単体層状材料、ＡｇＦ2 等のハロゲン化金属、
ＭｏＳ2 に類似する他の遷移金属カルコゲナイド、窒化
硼素等を用いることができることはいうまでもない。
施例では、ペースト中に混入する劈解性材料粉末とし
て、ＭｏＳ2 と雲母粉末を用いたが、グラファイトを始
めとする単体層状材料、ＡｇＦ2 等のハロゲン化金属、
ＭｏＳ2 に類似する他の遷移金属カルコゲナイド、窒化
硼素等を用いることができることはいうまでもない。
【００４７】（第６実施例）図４は、第６実施例の模式
的説明図である。この図において、３１は加熱板、３２
は低融点ガラス、３３は堆積用基板を示している。この
実施例においては、ステンレス製の加熱板（ヒーターブ
ロック）３１の上に堆積用基板３３をＢ2 Ｏ3 を主成分
とする低融点ガラス３２によって接着し、堆積用基板３
３を８５０℃程度に昇温して、堆積用基板３３の上に高
温超伝導薄膜を堆積する。
的説明図である。この図において、３１は加熱板、３２
は低融点ガラス、３３は堆積用基板を示している。この
実施例においては、ステンレス製の加熱板（ヒーターブ
ロック）３１の上に堆積用基板３３をＢ2 Ｏ3 を主成分
とする低融点ガラス３２によって接着し、堆積用基板３
３を８５０℃程度に昇温して、堆積用基板３３の上に高
温超伝導薄膜を堆積する。
【００４８】この８５０℃程度の堆積温度では上記のＢ
2 Ｏ3 低融点ガラス３２は粘度が低い液体になり、加熱
板３１と堆積用基板３３の間の間隙を満たし、歪みが生
じない状態で良好な熱接触を実現する。
2 Ｏ3 低融点ガラス３２は粘度が低い液体になり、加熱
板３１と堆積用基板３３の間の間隙を満たし、歪みが生
じない状態で良好な熱接触を実現する。
【００４９】この実施例においては、Ｉｎ等の低融点金
属を用いて加熱板３１と堆積用基板３３を接着する場合
とは異なり、低融点ガラスはすでに酸素やその他の元素
と化合しているため、酸化製雰囲気によって不所望な酸
化を生じる等の問題を生じない。
属を用いて加熱板３１と堆積用基板３３を接着する場合
とは異なり、低融点ガラスはすでに酸素やその他の元素
と化合しているため、酸化製雰囲気によって不所望な酸
化を生じる等の問題を生じない。
【００５０】このようにして、高温超伝導薄膜を堆積し
た後に室温に戻すとＢ2 Ｏ3 低融点ガラス３２は固化す
るが、通常の低融点ガラスに比べて強度が極めて小さ
く、また、大気中の水分で容易に侵されるため、室温で
堆積用基板３３を加熱板３１から簡単に剥離することが
できる。
た後に室温に戻すとＢ2 Ｏ3 低融点ガラス３２は固化す
るが、通常の低融点ガラスに比べて強度が極めて小さ
く、また、大気中の水分で容易に侵されるため、室温で
堆積用基板３３を加熱板３１から簡単に剥離することが
できる。
【００５１】なお、Ｂ2 Ｏ3 の他、ＰｂＯ，ＺｎＯ等を
主成分とする低融点ガラスを用いることができる。
主成分とする低融点ガラスを用いることができる。
【００５２】（第７実施例）図５は、第７実施例の模式
的説明図である。この図において、４１は加熱板、４２
は低融点ガラス、４３は銀粒子、４４は堆積用基板を示
している。この実施例においては、ステンレス製の加熱
板（ヒーターブロック）４１の上に堆積用基板４４を、
平均直径０．５μｍの銀粒子４３を混合したＢ2 Ｏ3 を
主成分とする低融点ガラス４２によって接着し、堆積用
基板４４を８５０℃程度に昇温して、堆積用基板４４の
上に高温超伝導薄膜を堆積する。
的説明図である。この図において、４１は加熱板、４２
は低融点ガラス、４３は銀粒子、４４は堆積用基板を示
している。この実施例においては、ステンレス製の加熱
板（ヒーターブロック）４１の上に堆積用基板４４を、
平均直径０．５μｍの銀粒子４３を混合したＢ2 Ｏ3 を
主成分とする低融点ガラス４２によって接着し、堆積用
基板４４を８５０℃程度に昇温して、堆積用基板４４の
上に高温超伝導薄膜を堆積する。
【００５３】この８５０℃程度の堆積温度ではＢ2 Ｏ3
低融点ガラス４２は粘度が低い液体になって加熱板４１
と堆積用基板４４あるいは銀粒子４３の間を満たし、銀
粒子４３の熱伝導が良好であるために混合物全体の熱伝
導性が良好になり、その結果、歪みが生じない状態で、
加熱板４１と堆積用基板４４の間の熱接触を良好にす
る。
低融点ガラス４２は粘度が低い液体になって加熱板４１
と堆積用基板４４あるいは銀粒子４３の間を満たし、銀
粒子４３の熱伝導が良好であるために混合物全体の熱伝
導性が良好になり、その結果、歪みが生じない状態で、
加熱板４１と堆積用基板４４の間の熱接触を良好にす
る。
【００５４】この実施例においても、Ｉｎ等の低融点金
属を用いて加熱板４１と堆積用基板４４を接着する場合
とは異なり、低融点ガラスはすでに酸素やその他の元素
と化合しているため、酸化製雰囲気によって不所望な酸
化を生じる等の問題を生じない。
属を用いて加熱板４１と堆積用基板４４を接着する場合
とは異なり、低融点ガラスはすでに酸素やその他の元素
と化合しているため、酸化製雰囲気によって不所望な酸
化を生じる等の問題を生じない。
【００５５】このようにして、高温超伝導薄膜を堆積し
た後に室温に戻すとＢ2 Ｏ3 低融点ガラス４２は固体に
なるが、加熱板４１の温度を３００℃にすると、その温
度が融点より低くても、温度の上昇とともに低融点ガラ
スの強度が著しく低下するため、堆積用基板４４を加熱
板４１から容易に剥離することができる。なお、Ｂ2 Ｏ
3 の他、ＰｂＯ，ＺｎＯ等を主成分とする低融点ガラス
を用いることができる。
た後に室温に戻すとＢ2 Ｏ3 低融点ガラス４２は固体に
なるが、加熱板４１の温度を３００℃にすると、その温
度が融点より低くても、温度の上昇とともに低融点ガラ
スの強度が著しく低下するため、堆積用基板４４を加熱
板４１から容易に剥離することができる。なお、Ｂ2 Ｏ
3 の他、ＰｂＯ，ＺｎＯ等を主成分とする低融点ガラス
を用いることができる。
【００５６】（第８実施例）図６は、第８実施例の模式
的説明図である。この図において、５１は加熱板、５２
は低融点ガラス、５３は堆積用基板、５４は押さえ板、
５５は係止部材を示している。
的説明図である。この図において、５１は加熱板、５２
は低融点ガラス、５３は堆積用基板、５４は押さえ板、
５５は係止部材を示している。
【００５７】この実施例においては、堆積用基板５３を
ステンレス製の加熱板５１の上に低融点ガラス５２等に
よって接着し、この堆積用基板５３をバネ性を有する押
さえ板５４の一端で押さえ、押さえ板５４の他端を係止
部材５５によって加熱板５１に固定した状態で堆積用基
板５３の上に高温超伝導薄膜を堆積する。
ステンレス製の加熱板５１の上に低融点ガラス５２等に
よって接着し、この堆積用基板５３をバネ性を有する押
さえ板５４の一端で押さえ、押さえ板５４の他端を係止
部材５５によって加熱板５１に固定した状態で堆積用基
板５３の上に高温超伝導薄膜を堆積する。
【００５８】前記の第６実施例、第７実施例において
は、高温超伝導薄膜を堆積する温度では低融点ガラス等
の接着媒質は完全に液化あるいは液体と金属の混合物と
なっているため、液体の粘性や表面張力のみで堆積用基
板５３が貼りついている。そのため、レーザ堆積装置内
の加熱板の向きや堆積用基板の大きさによっては堆積用
基板が脱落したりずれたりする可能性がある。
は、高温超伝導薄膜を堆積する温度では低融点ガラス等
の接着媒質は完全に液化あるいは液体と金属の混合物と
なっているため、液体の粘性や表面張力のみで堆積用基
板５３が貼りついている。そのため、レーザ堆積装置内
の加熱板の向きや堆積用基板の大きさによっては堆積用
基板が脱落したりずれたりする可能性がある。
【００５９】この実施例によると、堆積用基板５３が脱
落したりずれたりするのを防ぐことができ、押さえ板５
４によって堆積用基板５３を押圧するために接着媒質の
層厚を最小限度に薄くすることができるため良好な熱接
触が得られる利点がある。
落したりずれたりするのを防ぐことができ、押さえ板５
４によって堆積用基板５３を押圧するために接着媒質の
層厚を最小限度に薄くすることができるため良好な熱接
触が得られる利点がある。
【００６０】（第９実施例）図７は、第９実施例の模式
的説明図である。この図において、６１は加熱板、６２
は白金被膜、６３は低融点ガラス、６４は堆積用基板を
示している。この実施例においては、ステンレス製の加
熱板６１の表面に白金被膜６２が形成され、その上に低
融点ガラス６３等によって堆積用基板６４を接着してい
る点が他の実施例と異なる。
的説明図である。この図において、６１は加熱板、６２
は白金被膜、６３は低融点ガラス、６４は堆積用基板を
示している。この実施例においては、ステンレス製の加
熱板６１の表面に白金被膜６２が形成され、その上に低
融点ガラス６３等によって堆積用基板６４を接着してい
る点が他の実施例と異なる。
【００６１】接着媒質として低融点ガラスを用いると、
ステンレス製の加熱板６１の表面がガラスの中に溶け込
むため、次第にステンレス製の加熱板６１の表面が侵食
される問題が生じる。この実施例のように、ステンレス
製の加熱板６１の表面にガラスとの反応速度が遅い白金
のような物質を被覆するとこの問題を解消することがで
きる。加熱板６１の表面に形成する材料としては、白金
の他にＳｉＣ，ＡｌＮ等が挙げられる。
ステンレス製の加熱板６１の表面がガラスの中に溶け込
むため、次第にステンレス製の加熱板６１の表面が侵食
される問題が生じる。この実施例のように、ステンレス
製の加熱板６１の表面にガラスとの反応速度が遅い白金
のような物質を被覆するとこの問題を解消することがで
きる。加熱板６１の表面に形成する材料としては、白金
の他にＳｉＣ，ＡｌＮ等が挙げられる。
【００６２】（第１０実施例）図８は、第１０実施例の
模式的説明図である。この図において、７１は反応チャ
ンバー、７２は雰囲気ガス供給口、７３は排気口、７４
は光透過窓、７５は加熱台、７６はＡｒガス導入口、７
７はＡｒガス排出口、７８は遮蔽カバー、７９は加熱台
凹部、８０は銀ペースト、８１は堆積用基板、８２は押
さえねじ、８３は堆積薄膜材料ターゲット、８４はエキ
シマレーザー光源を示している。
模式的説明図である。この図において、７１は反応チャ
ンバー、７２は雰囲気ガス供給口、７３は排気口、７４
は光透過窓、７５は加熱台、７６はＡｒガス導入口、７
７はＡｒガス排出口、７８は遮蔽カバー、７９は加熱台
凹部、８０は銀ペースト、８１は堆積用基板、８２は押
さえねじ、８３は堆積薄膜材料ターゲット、８４はエキ
シマレーザー光源を示している。
【００６３】この実施例においては、レーザーアブレー
ション型Ｙ系超伝導体（ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx ）薄膜形成
装置を示し、まず、雰囲気ガス供給口７２と排気口７３
と光透過窓７４を有する反応チャンバー７１内に配置さ
れた、Ａｒガス導入口７６とＡｒガス排出口７７とこれ
らのガス通路に接続された加熱台凹部７９を有する加熱
台７５の、この加熱台凹部７９の底面にＳｒＴｉＯ3 か
らなる堆積用基板８１を銀ペースト８０によって接着
し、遮蔽カバー７８によって堆積用基板８１上の薄膜を
堆積する領域を除いて加熱台凹部７９を密閉し、押さえ
ねじ８２によって遮蔽カバー７８を固定する。
ション型Ｙ系超伝導体（ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx ）薄膜形成
装置を示し、まず、雰囲気ガス供給口７２と排気口７３
と光透過窓７４を有する反応チャンバー７１内に配置さ
れた、Ａｒガス導入口７６とＡｒガス排出口７７とこれ
らのガス通路に接続された加熱台凹部７９を有する加熱
台７５の、この加熱台凹部７９の底面にＳｒＴｉＯ3 か
らなる堆積用基板８１を銀ペースト８０によって接着
し、遮蔽カバー７８によって堆積用基板８１上の薄膜を
堆積する領域を除いて加熱台凹部７９を密閉し、押さえ
ねじ８２によって遮蔽カバー７８を固定する。
【００６４】そして、反応チャンバー７１の雰囲気ガス
供給口７２から酸素分圧が高いＡｒガスを供給し、排気
口７３から排気する状態にし、他方、加熱台７５の加熱
台凹部７９のＡｒガス導入口７６からＡｒガスを導入
し、Ａｒガス排出口７７から排出する状態にして、光透
過窓７４を通して、エキシマレーザー光源８４から放出
される高エネルギーレーザー光を、Ｙ系超伝導材料から
なる堆積薄膜材料ターゲット８３に照射し、飛び出した
堆積薄膜材料ターゲット８３の材料を堆積用基板８１の
上に堆積する。
供給口７２から酸素分圧が高いＡｒガスを供給し、排気
口７３から排気する状態にし、他方、加熱台７５の加熱
台凹部７９のＡｒガス導入口７６からＡｒガスを導入
し、Ａｒガス排出口７７から排出する状態にして、光透
過窓７４を通して、エキシマレーザー光源８４から放出
される高エネルギーレーザー光を、Ｙ系超伝導材料から
なる堆積薄膜材料ターゲット８３に照射し、飛び出した
堆積薄膜材料ターゲット８３の材料を堆積用基板８１の
上に堆積する。
【００６５】この実施例によると、薄膜堆積工程中、遮
蔽カバー７８によって堆積用基板８１の一部と銀ペース
トによる接着部分が覆われ、銀ペーストによる接着部分
がＡｒガス導入口７６から導入されるＡｒガスが充満さ
れているため、薄膜堆積温度において、銀ペースト８０
の酸化が防がれ、銀ペースト８０が硬化することがな
く、薄膜を堆積した後に、堆積用基板８１を加熱台凹部
７９から容易に剥離することができる。
蔽カバー７８によって堆積用基板８１の一部と銀ペース
トによる接着部分が覆われ、銀ペーストによる接着部分
がＡｒガス導入口７６から導入されるＡｒガスが充満さ
れているため、薄膜堆積温度において、銀ペースト８０
の酸化が防がれ、銀ペースト８０が硬化することがな
く、薄膜を堆積した後に、堆積用基板８１を加熱台凹部
７９から容易に剥離することができる。
【００６６】上記の実施例では、加熱台７５の加熱台凹
部７９のＡｒガス導入口７６からＡｒガスを導入し、Ａ
ｒガス排出口７７から排出することによって、銀ペース
トによる接着部分にＡｒガスを充満する例を説明した
が、加熱台凹部７９のＡｒガス導入口７６からＡｒガス
を導入しない場合でも、遮蔽カバー７８によって銀ペー
ストによる接着部分が酸素分圧の高い雰囲気から遮蔽さ
れるため、銀ペースト８０の酸化を防ぐ効果を有する。
部７９のＡｒガス導入口７６からＡｒガスを導入し、Ａ
ｒガス排出口７７から排出することによって、銀ペース
トによる接着部分にＡｒガスを充満する例を説明した
が、加熱台凹部７９のＡｒガス導入口７６からＡｒガス
を導入しない場合でも、遮蔽カバー７８によって銀ペー
ストによる接着部分が酸素分圧の高い雰囲気から遮蔽さ
れるため、銀ペースト８０の酸化を防ぐ効果を有する。
【００６７】上記の各実施例においては、Ｙ系超伝導体
（ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx ）薄膜を形成する場合を説明した
が、本発明は、薄膜を堆積する工程において、堆積用基
板の温度を高くし、堆積用基板の面内の温度分布を均一
化して堆積薄膜の性質を均一化する必要がある、誘電体
薄膜、絶縁体薄膜、半導体薄膜、導電体薄膜等を堆積す
る場合にも適用できることはいうまでもない。
（ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏx ）薄膜を形成する場合を説明した
が、本発明は、薄膜を堆積する工程において、堆積用基
板の温度を高くし、堆積用基板の面内の温度分布を均一
化して堆積薄膜の性質を均一化する必要がある、誘電体
薄膜、絶縁体薄膜、半導体薄膜、導電体薄膜等を堆積す
る場合にも適用できることはいうまでもない。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
高温超伝導薄膜を堆積した後に、堆積用基板を加熱板か
ら容易に剥離することができ、かつ、平坦な裏面を得る
ことができるため、その後のデバイス加工が容易にな
り、また、基板を剥離するときに無理なストレスが高温
超伝導薄膜にかからないため、特性の再現性も改善さ
れ、高温超伝導薄膜を用いたデバイスの開発研究に寄与
するところが大きい。
高温超伝導薄膜を堆積した後に、堆積用基板を加熱板か
ら容易に剥離することができ、かつ、平坦な裏面を得る
ことができるため、その後のデバイス加工が容易にな
り、また、基板を剥離するときに無理なストレスが高温
超伝導薄膜にかからないため、特性の再現性も改善さ
れ、高温超伝導薄膜を用いたデバイスの開発研究に寄与
するところが大きい。
【００６９】また、本発明による基板保持方法を用いる
と、加熱台からの堆積用基板の取外しと、堆積用基板の
裏面に残る銀ペーストの除去が容易になり、剥離する工
程で堆積用基板を破損することがなくなる。
と、加熱台からの堆積用基板の取外しと、堆積用基板の
裏面に残る銀ペーストの除去が容易になり、剥離する工
程で堆積用基板を破損することがなくなる。
【図１】第１実施例の模式的説明図であり、（Ａ）は高
温超伝導薄膜を堆積する状態を示し、（Ｂ）は堆積用基
板を加熱板から剥離する状態を示している。
温超伝導薄膜を堆積する状態を示し、（Ｂ）は堆積用基
板を加熱板から剥離する状態を示している。
【図２】第２実施例の模式的説明図であり、（Ａ）は高
温超伝導薄膜を堆積する状態を示し、（Ｂ）は堆積用基
板を加熱板から剥離する状態を示している。
温超伝導薄膜を堆積する状態を示し、（Ｂ）は堆積用基
板を加熱板から剥離する状態を示している。
【図３】第３実施例の模式的説明図であり、（Ａ）は高
温超伝導薄膜を堆積する状態を示し、（Ｂ）は堆積用基
板を加熱板から剥離する状態を示している。
温超伝導薄膜を堆積する状態を示し、（Ｂ）は堆積用基
板を加熱板から剥離する状態を示している。
【図４】第６実施例の模式的説明図である。
【図５】第７実施例の模式的説明図である。
【図６】第８実施例の模式的説明図である。
【図７】第９実施例の模式的説明図である。
【図８】第１０実施例の模式的説明図である。
【図９】レーザアブレーション法によって高温超伝導体
薄膜を形成する方法の原理説明図であり、（Ａ）は堆積
装置、（Ｂ）は高温超伝導薄膜を堆積した状態、（Ｃ）
は堆積した高温超伝導薄膜を剥離する状態を示してい
る。
薄膜を形成する方法の原理説明図であり、（Ａ）は堆積
装置、（Ｂ）は高温超伝導薄膜を堆積した状態、（Ｃ）
は堆積した高温超伝導薄膜を剥離する状態を示してい
る。
１ 加熱板 ２ 銀ペースト ３ 雲母箔 ４ ＳｒＴｉＯ3 基板 １１ 雲母板 １２ 銀ペースト １３ ＳｒＴｉＯ3 基板 ２１ 加熱板 ２２ ＭｏＳ2 ペースト ２３ ＳｒＴｉＯ3 基板 ３１ 加熱板 ３２ 低融点ガラス ３３ 堆積用基板 ４１ 加熱板 ４２ 低融点ガラス ４３ 銀粒子 ４４ 堆積用基板 ５１ 加熱板 ５２ 低融点ガラス ５３ 堆積用基板 ５４ 押さえ板 ５５ 係止部材 ６１ 加熱板 ６２ 白金被膜 ６３ 低融点ガラス ６４ 堆積用基板 ７１ 反応チャンバー ７２ 雰囲気ガス供給口 ７３ 排気口 ７４ 光透過窓 ７５ 加熱台 ７６ Ａｒガス導入口 ７７ Ａｒガス排出口 ７８ 遮蔽カバー ７９ 加熱台凹部 ８０ 銀ペースト ８１ 堆積用基板 ８２ 押さえねじ ８３ 堆積薄膜材料ターゲット ８４ エキシマレーザー光源 ９１ チャンバ ９２ ガス供給系 ９３ 排気系 ９４ 窓 ９５ ターゲット ９６ 加熱板 ９７ 堆積用基板 ９８ 銀ペースト ９９ エキシマレーザ装置 １００ 高温超伝導薄膜 １０１ ピンセット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 13/00 ５６５ Ｄ 7244−5Ｇ Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｚ 9276−4Ｍ
Claims (12)
- 【請求項１】 堆積用基板を接着媒質によって昇温した
加熱板に接着した状態で、該堆積用基板に堆積薄膜材料
を構成する元素を供給する薄膜の堆積方法において、該
堆積用基板と加熱板の間に劈解性の物質を挟み込むこと
を特徴とする薄膜の堆積方法。 - 【請求項２】 堆積用基板を接着媒質によって昇温した
加熱板に接着した状態で、該堆積用基板に堆積薄膜材料
を構成する元素を供給する薄膜の堆積方法において、該
加熱板を劈解性の物質によって形成することを特徴とす
る薄膜の堆積方法。 - 【請求項３】 堆積用基板を接着媒質によって昇温した
加熱板に接着した状態で、該堆積用基板に堆積薄膜材料
を構成する元素を供給する薄膜の堆積方法において、該
接着媒質として粉末化した劈解性の物質のペーストを用
いることを特徴とする薄膜の堆積方法。 - 【請求項４】 堆積用基板を接着媒質によって昇温した
加熱板に接着した状態で、該堆積用基板に堆積薄膜材料
を構成する元素を供給する薄膜の堆積方法において、該
接着媒質として粉末化した劈解性の物質と有機ポリマー
を混合したペーストを用いることを特徴とする薄膜の堆
積方法。 - 【請求項５】 堆積用基板を接着媒質によって昇温した
加熱板に接着した状態で、該堆積用基板に堆積薄膜材料
を構成する元素を供給する薄膜の堆積方法において、該
接着媒質として粉末化した劈解性の物質と良熱伝導性の
物質の粉末と有機ポリマーを混合したペーストを用いる
ことを特徴とする薄膜の堆積方法。 - 【請求項６】 堆積用基板を接着媒質によって昇温した
加熱板に接着した状態で、該堆積用基板に堆積薄膜材料
を構成する元素を供給する薄膜の堆積方法において、該
接着媒質として、薄膜を堆積する温度において液状にな
る酸化物、ハロゲン化物、カルコゲン化物等の化合物あ
るいはこれらの化合物に金属粉末を加えた材料を用いる
ことを特徴とする薄膜の堆積方法。 - 【請求項７】 化合物がＢ2 Ｏ3 を主成分とするガラス
であることを特徴とする請求項６に記載された薄膜の堆
積方法。 - 【請求項８】 堆積用基板を加熱板に押しつけるための
押さえ板を用いることを特徴とする請求項６に記載され
た薄膜の堆積方法。 - 【請求項９】 表面に接着媒質と反応しない層を被覆し
た加熱板を用いることを特徴とする請求項６に記載され
た薄膜の堆積方法。 - 【請求項１０】 堆積薄膜が酸化物薄膜であることを特
徴とする請求項１から請求項９までのいずれか１項に記
載された薄膜の堆積方法。 - 【請求項１１】 堆積用基板を金属粉を有機溶媒に混和
した接着媒質によって加熱板に接着し、接着部を酸化性
ガス雰囲気から遮断する機構を用いることを特徴とする
堆積用基板の保持方法。 - 【請求項１２】 接着部を不活性ガス雰囲気中に置くこ
とを特徴とする請求項１１に記載された堆積用基板の保
持方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5158355A JPH06211596A (ja) | 1992-11-30 | 1993-06-29 | 高温超伝導薄膜等の薄膜の堆積方法および堆積用基板の保持方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31998492 | 1992-11-30 | ||
| JP4-319984 | 1992-11-30 | ||
| JP5158355A JPH06211596A (ja) | 1992-11-30 | 1993-06-29 | 高温超伝導薄膜等の薄膜の堆積方法および堆積用基板の保持方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06211596A true JPH06211596A (ja) | 1994-08-02 |
Family
ID=26485496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5158355A Withdrawn JPH06211596A (ja) | 1992-11-30 | 1993-06-29 | 高温超伝導薄膜等の薄膜の堆積方法および堆積用基板の保持方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06211596A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000204332A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-25 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 熱剥離性接着剤組成物および接着構造体 |
| US6508884B2 (en) * | 2000-01-20 | 2003-01-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus, method of manufacturing wafer holder, and semiconductor manufacturing apparatus |
| WO2006132386A1 (en) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Fujifilm Corporation | Functional film containing structure and method of manufacturing functional film |
| JP2007027513A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Toyota Motor Corp | 熱電発電装置 |
| US7687372B2 (en) | 2005-04-08 | 2010-03-30 | Versatilis Llc | System and method for manufacturing thick and thin film devices using a donee layer cleaved from a crystalline donor |
| CN113451447A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-09-28 | 南方科技大学 | 一种深紫外非晶氧化镓光电探测器及其制备方法与应用 |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP5158355A patent/JPH06211596A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000204332A (ja) * | 1999-01-08 | 2000-07-25 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | 熱剥離性接着剤組成物および接着構造体 |
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| US6716304B2 (en) | 2000-01-20 | 2004-04-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus, and method of manufacturing the wafer holder |
| US7687372B2 (en) | 2005-04-08 | 2010-03-30 | Versatilis Llc | System and method for manufacturing thick and thin film devices using a donee layer cleaved from a crystalline donor |
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