JPH06211705A - クロロ芳香族化合物から芳香族置換オレフインを製造する方法 - Google Patents
クロロ芳香族化合物から芳香族置換オレフインを製造する方法Info
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 スチレン、スチルベンおよびケイ皮酸エステ
ルのような芳香族オレフインを厄介な不純物を伴うこと
なくできうる限り高い収率で、そして簡単な方法で生成
クロロ芳香族の接触的オレフイン化方法を提供する。 【構成】 式(II)で表されるクロロ芳香族を、塩基お
よび触媒量の、配位子として単座および2座配位のホス
フアンを含有するパラジウム錯体の存在下に、式(II
I)で表されるオレフインと反応式(I)で表される芳
香族置換オレフインの製造方法。 (Xはアルケニル、シクロアルケニル等を:Yは−C
N,−COOH,−COOR7,−CON(R7)2、等を:
R1,R2,R3,R4は水素、フエニル、アルキル、−O
H、フッ素、塩素、−NO2,−CN等を示す)
ルのような芳香族オレフインを厄介な不純物を伴うこと
なくできうる限り高い収率で、そして簡単な方法で生成
クロロ芳香族の接触的オレフイン化方法を提供する。 【構成】 式(II)で表されるクロロ芳香族を、塩基お
よび触媒量の、配位子として単座および2座配位のホス
フアンを含有するパラジウム錯体の存在下に、式(II
I)で表されるオレフインと反応式(I)で表される芳
香族置換オレフインの製造方法。 (Xはアルケニル、シクロアルケニル等を:Yは−C
N,−COOH,−COOR7,−CON(R7)2、等を:
R1,R2,R3,R4は水素、フエニル、アルキル、−O
H、フッ素、塩素、−NO2,−CN等を示す)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、オレフインのクロロ芳
香族化合物による接触的アリール化によって芳香族置換
オレフインを製造する方法に関する。
香族化合物による接触的アリール化によって芳香族置換
オレフインを製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】芳香族置換オレフインは、重合体の合成
用の重要な単量体であり、そして医薬品および農薬の製
造用の重要な中間体である。すなわち、スチルベンは、
蛍光増白剤として、スチレンは、重合体の製造用に、そ
してケイ皮酸エステルは、化粧品用の紫外線の吸収剤と
して工業的に使用される。
用の重要な単量体であり、そして医薬品および農薬の製
造用の重要な中間体である。すなわち、スチルベンは、
蛍光増白剤として、スチレンは、重合体の製造用に、そ
してケイ皮酸エステルは、化粧品用の紫外線の吸収剤と
して工業的に使用される。
【0003】塩基の存在下におけるヨード- またはブロ
モ芳香族化合物のパラジウム触媒によるオレフイン化に
よる芳香族オレフインの製造は、久しくヘック(HEC
K)反応として知られている。しかしながら、類似する
クロロ芳香族のオレフイン化は、劣ったないしは並の収
率でしか起らないかあるいは工業的な反応を困難なそし
て複雑なものにする極めて不安定な触媒系が使用され
る。
モ芳香族化合物のパラジウム触媒によるオレフイン化に
よる芳香族オレフインの製造は、久しくヘック(HEC
K)反応として知られている。しかしながら、類似する
クロロ芳香族のオレフイン化は、劣ったないしは並の収
率でしか起らないかあるいは工業的な反応を困難なそし
て複雑なものにする極めて不安定な触媒系が使用され
る。
【0004】ジヤーナル・オブ・オーガノメタリック・
ケミストリー(J. Organomet. Chem.) 第270巻(19
84年)第115頁には、酢酸パラジウムおよび配位子
としてのトリフエニルホスフアンの存在下におけるクロ
ロ芳香族のビニル化が記載されている。しかしながら、
この方法によれば、最も反応性に富むクロロ芳香族化合
物、すなわち電子吸引性置換基を有するものの場合にお
いてさえ、せいぜい51%までの並の収率しか得られな
い。活性化されていない芳香族としてのクロロベンゼン
については、4%という低い収率しか得られないことす
らある。そのほかの困難性は、触媒が失活し、それによ
ってせいぜい51回という反応サイクルに導かれること
である。
ケミストリー(J. Organomet. Chem.) 第270巻(19
84年)第115頁には、酢酸パラジウムおよび配位子
としてのトリフエニルホスフアンの存在下におけるクロ
ロ芳香族のビニル化が記載されている。しかしながら、
この方法によれば、最も反応性に富むクロロ芳香族化合
物、すなわち電子吸引性置換基を有するものの場合にお
いてさえ、せいぜい51%までの並の収率しか得られな
い。活性化されていない芳香族としてのクロロベンゼン
については、4%という低い収率しか得られないことす
らある。そのほかの困難性は、触媒が失活し、それによ
ってせいぜい51回という反応サイクルに導かれること
である。
【0005】ヨーロッパ特許出願公開第103,544
号には、クロロ芳香族がリンまたはヒ素配位子を有する
パラジウム触媒の存在下にオレフインと反応せしめられ
るという方法が記載されている。しかしながら、収率
は、活性化クロロ芳香族についてはせいぜい61%であ
り、そして非活性化クロロ芳香族については明らかに更
に悪い。
号には、クロロ芳香族がリンまたはヒ素配位子を有する
パラジウム触媒の存在下にオレフインと反応せしめられ
るという方法が記載されている。しかしながら、収率
は、活性化クロロ芳香族についてはせいぜい61%であ
り、そして非活性化クロロ芳香族については明らかに更
に悪い。
【0006】米国特許第4,814,489号によれ
ば、クロロ芳香族をニッケル触媒の存在下にヨウ化物塩
および臭化物塩と反応せしめて、アリール臭化物または
ヨウ化物を得、このものを次に今度はパラジウム触媒の
存在下に反応せしめて芳香族オレフインを得る。しかし
ながら、この方法の欠点は、化学量論的量のヨウ化物ま
たは臭化物塩を必要とすることである。更に、触媒の再
循環は、2触媒系を使用した場合特に困難になる。
ば、クロロ芳香族をニッケル触媒の存在下にヨウ化物塩
および臭化物塩と反応せしめて、アリール臭化物または
ヨウ化物を得、このものを次に今度はパラジウム触媒の
存在下に反応せしめて芳香族オレフインを得る。しかし
ながら、この方法の欠点は、化学量論的量のヨウ化物ま
たは臭化物塩を必要とすることである。更に、触媒の再
循環は、2触媒系を使用した場合特に困難になる。
【0007】ヨーロッパ特許出願公開第406,848
号には、式R1 R2 P(CH2)n PR3 R4 (式中、n
=3または4である)で表されるキレート化ビスホスフ
アンの存在下におけるクロロ芳香族の接触的ホルミル化
が開示されている。この方法の不利な点は、配位子およ
び触媒の極端な敏感性であり、これが触媒の再循環を困
難にし、そしてパラジウムの分離による触媒の失活を促
進することである。
号には、式R1 R2 P(CH2)n PR3 R4 (式中、n
=3または4である)で表されるキレート化ビスホスフ
アンの存在下におけるクロロ芳香族の接触的ホルミル化
が開示されている。この方法の不利な点は、配位子およ
び触媒の極端な敏感性であり、これが触媒の再循環を困
難にし、そしてパラジウムの分離による触媒の失活を促
進することである。
【0008】ビユルタン・ド・ラ・ソシエテ・シミック
・ド・フランス(Bull. Soc. Chem.France) 1973年
第2790頁には、クロロ芳香族を用いるスチレンの不
均一触媒によるアリール化が記載されている。しかしな
がら、収率および転化率は、劣っている。その他のオレ
フインは、この方法によってはアリール化され得ないか
あるいは多大の困難を伴って僅かしかアリール化され得
ない。
・ド・フランス(Bull. Soc. Chem.France) 1973年
第2790頁には、クロロ芳香族を用いるスチレンの不
均一触媒によるアリール化が記載されている。しかしな
がら、収率および転化率は、劣っている。その他のオレ
フインは、この方法によってはアリール化され得ないか
あるいは多大の困難を伴って僅かしかアリール化され得
ない。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従っ
て、前記のような欠点を有せず、そして特にスチレン、
スチルベンおよびケイ皮酸エステルのような芳香族オレ
フインを厄介な不純物を伴うことなくできうる限り高い
収率で、そして簡単な方法で生成せしめ、そして更に単
純な工業的反応を可能にするような、クロロ芳香族の接
触的オレフイン化方法を提供することである。特に、ブ
ロモ- またはヨード芳香族と同様に効果的にクロロ芳香
族を活性化せしめる簡単な、安定した触媒系を開発する
ことである。
て、前記のような欠点を有せず、そして特にスチレン、
スチルベンおよびケイ皮酸エステルのような芳香族オレ
フインを厄介な不純物を伴うことなくできうる限り高い
収率で、そして簡単な方法で生成せしめ、そして更に単
純な工業的反応を可能にするような、クロロ芳香族の接
触的オレフイン化方法を提供することである。特に、ブ
ロモ- またはヨード芳香族と同様に効果的にクロロ芳香
族を活性化せしめる簡単な、安定した触媒系を開発する
ことである。
【0010】
【課題を解決しようとする手段】上記の目的は、本発明
によれば、式(I)
によれば、式(I)
【0011】
【化5】
【0012】(上式中、XはC2-12- アルケニル、C
5-6-シクロアルケニルまたは基
5-6-シクロアルケニルまたは基
【0013】
【化6】
【0014】であり、Yは -CN、 -COOH、 -CO
OR7 、 -CON(R7)2 、 -COR7 、-OR7 また
は
OR7 、 -CON(R7)2 、 -COR7 、-OR7 また
は
【0015】
【化7】
【0016】であり、R5 は水素またはメチルであり、
R6 は水素またはメチルであり、R7 はC1-12- アルキ
ルまたはフエニルであり、そしてR2 は水素、フエニ
ル、C1-8-アルキル、C1-5-アルコキシ、 -OH、フッ
素、塩素、 -NO2 、 -CN、 -CHO、 -CO -C
1-4-アルキル、 -CO-フエニル、 -COO -C1-4-ア
ルキル、 -O- CO -C1-4-アルキル、-NHCO- C
1-4-アルキル、 -CF3 、 -NH2 、 -NH- C1-4-ア
ルキルまたは -N(C1-4-アルキル)2であり、R1 およ
びR3 は互いに独立的にR2 と同じ意味を有してもよ
く、そしてR4 は水素、フエニル、C1-8-アルキル、 -
OH、フッ素、塩素、 -NO2 、-CN、 -CHOまた
は -O- CO- C1-4-アルキルである)で表される芳香
族置換オレフインを、式(II)
R6 は水素またはメチルであり、R7 はC1-12- アルキ
ルまたはフエニルであり、そしてR2 は水素、フエニ
ル、C1-8-アルキル、C1-5-アルコキシ、 -OH、フッ
素、塩素、 -NO2 、 -CN、 -CHO、 -CO -C
1-4-アルキル、 -CO-フエニル、 -COO -C1-4-ア
ルキル、 -O- CO -C1-4-アルキル、-NHCO- C
1-4-アルキル、 -CF3 、 -NH2 、 -NH- C1-4-ア
ルキルまたは -N(C1-4-アルキル)2であり、R1 およ
びR3 は互いに独立的にR2 と同じ意味を有してもよ
く、そしてR4 は水素、フエニル、C1-8-アルキル、 -
OH、フッ素、塩素、 -NO2 、-CN、 -CHOまた
は -O- CO- C1-4-アルキルである)で表される芳香
族置換オレフインを、式(II)
【0017】
【化8】
【0018】(上式中、R1,R2,R3 およびR4 は前記
の意味を有する)で表されるクロロ芳香族化合物を式
(III) HX (III) (上式中、Xは前記の意味を有する)で表されるオレフ
インと、塩基および触媒量のパラジウム錯体の存在下に
反応せしめることによって製造する方法において、上記
パラジウム錯体が配位子として単座および2座配位のホ
スフアンを含有することを特徴とする上記式(I)で表
される芳香族置換オレフインの製造方法によって達成さ
れる。
の意味を有する)で表されるクロロ芳香族化合物を式
(III) HX (III) (上式中、Xは前記の意味を有する)で表されるオレフ
インと、塩基および触媒量のパラジウム錯体の存在下に
反応せしめることによって製造する方法において、上記
パラジウム錯体が配位子として単座および2座配位のホ
スフアンを含有することを特徴とする上記式(I)で表
される芳香族置換オレフインの製造方法によって達成さ
れる。
【0019】式(III)におけるXが3〜12個の炭
素原子を有するアルケニルまたはC4-8-シクロアルケニ
ルである場合には、二重結合のシフトは、反応中に起
り、そして一般に異性体混合物が得られる。
素原子を有するアルケニルまたはC4-8-シクロアルケニ
ルである場合には、二重結合のシフトは、反応中に起
り、そして一般に異性体混合物が得られる。
【0020】好ましくは、基R5 およびR6 のうちの少
なくとも1個は水素である。アルキル基R7 およびR1
ないしR4 、アルコキシ基R1 ないしR3 および置換基
R1 ないしR4 中のアルキル基は、直鎖状または分枝鎖
状でありうる。挙げうる基R1 ないしR3 の例は、メチ
ル、エチル、n- プロピル、イソプロピル、n- ブチ
ル、sec- ブチル、n- ペンチル、2- ペンチル、n
- ヘキシル、n- ヘプチル、n- オクチル、n- デシ
ル;メトキシ、エトキシ、n- プロポキシ、イソプロポ
キシ、n- ブトキシ、n- ペンチルオキシ;カルボニル
メチル、-エチル、 -n- プロピル、 -イソプロピル、
-n- ブチルおよび -sec- ブチル基;アセトアミ
ド、プロピオンアミド、ブチルアミドおよびバレルアミ
ド基;N- メチルアミノ、N- エチルアミノ、N -n-
プロピルアミノおよびN- N- ブチルアミノ基;N,N
- ジメチルアミノ、N,N- ジエチルアミノ、N,N-
ジ -n- プロピルアミノ、N,N- ジ -n- ブチルアミ
ノ、N- メチル -N-エチルアミノ、N- メチル -N-
n- プロピルアミノおよびN- エチル -N -n- ブチル
アミノ基およびアセトキシ、プロピオニルオキシおよび
ブチリルオキシ基である。
なくとも1個は水素である。アルキル基R7 およびR1
ないしR4 、アルコキシ基R1 ないしR3 および置換基
R1 ないしR4 中のアルキル基は、直鎖状または分枝鎖
状でありうる。挙げうる基R1 ないしR3 の例は、メチ
ル、エチル、n- プロピル、イソプロピル、n- ブチ
ル、sec- ブチル、n- ペンチル、2- ペンチル、n
- ヘキシル、n- ヘプチル、n- オクチル、n- デシ
ル;メトキシ、エトキシ、n- プロポキシ、イソプロポ
キシ、n- ブトキシ、n- ペンチルオキシ;カルボニル
メチル、-エチル、 -n- プロピル、 -イソプロピル、
-n- ブチルおよび -sec- ブチル基;アセトアミ
ド、プロピオンアミド、ブチルアミドおよびバレルアミ
ド基;N- メチルアミノ、N- エチルアミノ、N -n-
プロピルアミノおよびN- N- ブチルアミノ基;N,N
- ジメチルアミノ、N,N- ジエチルアミノ、N,N-
ジ -n- プロピルアミノ、N,N- ジ -n- ブチルアミ
ノ、N- メチル -N-エチルアミノ、N- メチル -N-
n- プロピルアミノおよびN- エチル -N -n- ブチル
アミノ基およびアセトキシ、プロピオニルオキシおよび
ブチリルオキシ基である。
【0021】アルキル基R7 は、好ましくは1〜10
個、特に1〜8個の炭素原子を有する。R7 は、特に好
ましくはメチル、エチル、n- ブチルまたは2- エチル
ヘキシルである。
個、特に1〜8個の炭素原子を有する。R7 は、特に好
ましくはメチル、エチル、n- ブチルまたは2- エチル
ヘキシルである。
【0022】アルキル基R1 ないしR3 は、好ましくは
直鎖状であり、そして1〜4個、特に1または2個の炭
素原子を有する。好ましいアルコキシ基R1 ないしR3
は、メトキシ基およびエトキシ基である。
直鎖状であり、そして1〜4個、特に1または2個の炭
素原子を有する。好ましいアルコキシ基R1 ないしR3
は、メトキシ基およびエトキシ基である。
【0023】Yが基
【0024】
【化9】である場合には、その置換基R1,R2,R3 およ
びR4 は、式(II)の化合物またはそれとは異なって
対称的または非対称的スチルベン誘導体上の対応する置
換基と同じでありうる。スチルベン誘導体は、また式
(III)の化合物としてのエチレンを式(II)の同
一または相異なるクロロ芳香族と反応せしめることによ
っても製造されうる。
びR4 は、式(II)の化合物またはそれとは異なって
対称的または非対称的スチルベン誘導体上の対応する置
換基と同じでありうる。スチルベン誘導体は、また式
(III)の化合物としてのエチレンを式(II)の同
一または相異なるクロロ芳香族と反応せしめることによ
っても製造されうる。
【0025】式(II)においてR4 が水素であり、そ
してR1 ないしR3 が互いに独立的に水素、フエニル、
C1-3-アルキル、特にメチル、メトキシ、アセトキシ、
-NO2 、 -CN、 -CHO、 -Cl、 -NHCO- C
1-2-アルキル、 -COO- C 1-2-アルキル、 -CO -C
1-2-アルキル、 -CO- フエニルまたは -N(C1-2-ア
ルキル)2である式(II)のクロロ芳香族が好ましく使
用される。
してR1 ないしR3 が互いに独立的に水素、フエニル、
C1-3-アルキル、特にメチル、メトキシ、アセトキシ、
-NO2 、 -CN、 -CHO、 -Cl、 -NHCO- C
1-2-アルキル、 -COO- C 1-2-アルキル、 -CO -C
1-2-アルキル、 -CO- フエニルまたは -N(C1-2-ア
ルキル)2である式(II)のクロロ芳香族が好ましく使
用される。
【0026】式(II)において、R1,R3 およびR4
が水素またはメチルであり、そしてR2 が水素、フエニ
ル、メチル、メトキシ、アセトキシ、 -CN、 -N
O2 、-COOC1-2-アルキル、 -CHO、 -Clまた
は -COCH3 である式(II)の化合物が特に好まし
く使用される。
が水素またはメチルであり、そしてR2 が水素、フエニ
ル、メチル、メトキシ、アセトキシ、 -CN、 -N
O2 、-COOC1-2-アルキル、 -CHO、 -Clまた
は -COCH3 である式(II)の化合物が特に好まし
く使用される。
【0027】使用される式(III)の化合物は、好ま
しくは、Xが2〜8個の炭素原子を有するアルケニル、
シクロペンテニルおよびシクロヘキセニルまたは基 -C
(R 5)=C(R6)- Y(ここにR5 およびR6 のうちの
一方が水素でありそして他方がメチルであるかまたは両
方が水素である)であり、そしてYがフエニル、 -C
N、 -CON(R7)2 または -COOR7 (ここにR7
=フエニルまたはC1-8-アルキル、特にメチルまたはエ
チルである)である化合物である。特に好ましくは、使
用される式(III)の化合物は、スチレン、エチレ
ン、プロピレン、アクリロルトリル、メチル、エチル、
ブチルまたは2- エチルヘキシルアクリレート、N,N
- ジメチルアクリルアミドおよびN,N- ジエチルアク
リルアミドである。ブチルおよびエチルヘキシル4- メ
トキシ- 、4- アセチル- 、4- ホルミル- 、4- ニト
ロ- および4- シアノシンナメート、4,4'-ジニトロ
- 、4- シアノ- および4,4'-ジシアノスチルベンお
よび4- シアノスチレンの製造が特に極めて好ましい。
しくは、Xが2〜8個の炭素原子を有するアルケニル、
シクロペンテニルおよびシクロヘキセニルまたは基 -C
(R 5)=C(R6)- Y(ここにR5 およびR6 のうちの
一方が水素でありそして他方がメチルであるかまたは両
方が水素である)であり、そしてYがフエニル、 -C
N、 -CON(R7)2 または -COOR7 (ここにR7
=フエニルまたはC1-8-アルキル、特にメチルまたはエ
チルである)である化合物である。特に好ましくは、使
用される式(III)の化合物は、スチレン、エチレ
ン、プロピレン、アクリロルトリル、メチル、エチル、
ブチルまたは2- エチルヘキシルアクリレート、N,N
- ジメチルアクリルアミドおよびN,N- ジエチルアク
リルアミドである。ブチルおよびエチルヘキシル4- メ
トキシ- 、4- アセチル- 、4- ホルミル- 、4- ニト
ロ- および4- シアノシンナメート、4,4'-ジニトロ
- 、4- シアノ- および4,4'-ジシアノスチルベンお
よび4- シアノスチレンの製造が特に極めて好ましい。
【0028】エチレンとの反応においてスチレンおよび
/またはスチルベン誘導体が形成されうる。本発明によ
る反応は、常圧においてまたは圧力、例えば1ないし6
0barの圧力下に実施されうる。反応は、主として使
用された圧力の変動によって調節されうる。スチルベン
は、主として常圧において生成され、一方より高い圧
力、特に5ないし40barの圧力においてはスチレン
誘導体が形成される。
/またはスチルベン誘導体が形成されうる。本発明によ
る反応は、常圧においてまたは圧力、例えば1ないし6
0barの圧力下に実施されうる。反応は、主として使
用された圧力の変動によって調節されうる。スチルベン
は、主として常圧において生成され、一方より高い圧
力、特に5ないし40barの圧力においてはスチレン
誘導体が形成される。
【0029】反応温度は、好ましくは120ないし20
0℃、特に140ないし180℃である。本発明による
方法において触媒として使用されるパラジウム錯体は、
パラジウムが単座およびキレート性2座配位ホスフアン
配位子の組合せによって錯化されているパラジウムホス
フアン錯体である。この特殊な配位子の組合せは、より
安定なそして同時に、クロロ芳香族の極めて高い転化率
が達成されるような動力学的により活性な触媒錯体をも
たらす。通常のパラジウム(II)塩または錯体および
/またはパラジウム(O)錯体および単座およびキレー
ト性2座配位ホスフアンは、所望ならばオレフイン化へ
の選択性を増大させるために、ギ酸または酢酸のような
カルボン酸を添加しうる触媒として作用する。可能なパ
ラジウム塩または錯体は、例えば、二塩化パラジウム、
酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、二臭化
パラジウム、二硝酸パラジウム、二塩化パラジウムジベ
ンゾニトリル錯体、ビス〔ジベンジリデンアセトン〕パ
ラジウム(O)およびテトラキス(トリフエニルホスフ
アン)パラジウム(O)である。
0℃、特に140ないし180℃である。本発明による
方法において触媒として使用されるパラジウム錯体は、
パラジウムが単座およびキレート性2座配位ホスフアン
配位子の組合せによって錯化されているパラジウムホス
フアン錯体である。この特殊な配位子の組合せは、より
安定なそして同時に、クロロ芳香族の極めて高い転化率
が達成されるような動力学的により活性な触媒錯体をも
たらす。通常のパラジウム(II)塩または錯体および
/またはパラジウム(O)錯体および単座およびキレー
ト性2座配位ホスフアンは、所望ならばオレフイン化へ
の選択性を増大させるために、ギ酸または酢酸のような
カルボン酸を添加しうる触媒として作用する。可能なパ
ラジウム塩または錯体は、例えば、二塩化パラジウム、
酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、二臭化
パラジウム、二硝酸パラジウム、二塩化パラジウムジベ
ンゾニトリル錯体、ビス〔ジベンジリデンアセトン〕パ
ラジウム(O)およびテトラキス(トリフエニルホスフ
アン)パラジウム(O)である。
【0030】触媒錯体は、反応混合物中で各成分から自
然に形成される。しかしながら、本発明による方法の好
ましい実施態様においては、パラジウム(II)-ホスフ
アン錯体は、溶液中で別個に調製され、そして次に反応
混合物に添加され、そこで反応条件下で活性なパラジウ
ム(O)錯体への還元がその場で行われる。Pd(O)-
ホスフアン錯体もまた明らかに別個に製造されうるが、
この工程は、方法を複雑にする。
然に形成される。しかしながら、本発明による方法の好
ましい実施態様においては、パラジウム(II)-ホスフ
アン錯体は、溶液中で別個に調製され、そして次に反応
混合物に添加され、そこで反応条件下で活性なパラジウ
ム(O)錯体への還元がその場で行われる。Pd(O)-
ホスフアン錯体もまた明らかに別個に製造されうるが、
この工程は、方法を複雑にする。
【0031】Pd原子1モル当り使用されるホスフアン
の量は、一般に少なくともビスホスフアン0.5mol
およびモノホスフアン0.5molであり、これは1.
5:1のP:Pd比に相当する。ビスホスフアン含量の
減少は、原則的に可能であるが、熱的により不安定な触
媒系へと導き、それは容易に金属パラジウムを失わせ
る。同様に、ビスホスフアンの含量をパラジウム原子1
モル当り2mol以上に増加させることは得策ではな
い。増大されたビスホスフアンの含量は、明らかに触媒
錯体の熱安定性を改善するが、同時にまたその動的失活
へと導く。モノホスフアンは、パラジウム原子1モル当
り4molの割合まで好都合に使用されうる。かくし
て、リン対パラジウムのモル比は、好都合には1.5:
1ないし8:1である。この比は、好ましくは1.6:
1ないし6:1、特に2:1ないし5:1である。最も
好ましい組合せは、パラジウム1原子当りビスホスフア
ン1molおよびモノホスフアン2molの使用である
ことが立証され、それは4の全リン対パラジウムの比に
相当する。ビスホスフアン対モノホスフアンのモル比
は、1:1ないし1:4、好ましくは1:1.5ないし
1:3であることが好都合である。1:2の比が最も好
ましい。
の量は、一般に少なくともビスホスフアン0.5mol
およびモノホスフアン0.5molであり、これは1.
5:1のP:Pd比に相当する。ビスホスフアン含量の
減少は、原則的に可能であるが、熱的により不安定な触
媒系へと導き、それは容易に金属パラジウムを失わせ
る。同様に、ビスホスフアンの含量をパラジウム原子1
モル当り2mol以上に増加させることは得策ではな
い。増大されたビスホスフアンの含量は、明らかに触媒
錯体の熱安定性を改善するが、同時にまたその動的失活
へと導く。モノホスフアンは、パラジウム原子1モル当
り4molの割合まで好都合に使用されうる。かくし
て、リン対パラジウムのモル比は、好都合には1.5:
1ないし8:1である。この比は、好ましくは1.6:
1ないし6:1、特に2:1ないし5:1である。最も
好ましい組合せは、パラジウム1原子当りビスホスフア
ン1molおよびモノホスフアン2molの使用である
ことが立証され、それは4の全リン対パラジウムの比に
相当する。ビスホスフアン対モノホスフアンのモル比
は、1:1ないし1:4、好ましくは1:1.5ないし
1:3であることが好都合である。1:2の比が最も好
ましい。
【0032】キレート化2座配位ビスホスフアンは、一
般に、1ないし5個の炭素原子を有するアルカン橋を有
するビス(ジ -C1-6-アルキルホスフイノ)-およびビス
(ジフエニルホスフイノ)-アルカンまたはビス(ジ -C
1-6-アルキルホスフイノ)-およびビス(ジフエニルホス
フイノ)アリールであり、アリールは1,2- フエニル
または2,3- ナフチルである。この場合には、末端の
フエニル基は、それぞれの場合にC1-4-アルキル、C
1-3-アルコキシまたはSO3 Naによって置換されう
る。例えば、以下の化合物が可能である:ビス(ジイソ
プロピルホスフイノ)メタン、 -エタン、 -プロパンお
よび -ブタン;ビス(ジ -n- プロピルホスフイノ)ブ
タン、ビス(ジ -n- ブチルホスフイノ)エタン、ビス
(ジシクロヘキシルホスフイノ)エタン、 -プロパンお
よび-ブタン;ビス(ジフエニルホスフイノ)メタン、
-エタン、 -プロパンおよび-ブタン;ビス〔ジ(メトキ
シフエニル)-ホスフイノ〕メタン、 -エタン、 -プロパ
ンおよび -ブタン;ビス(ジフエニルホスフイノ)ベン
ゼンおよびビス(ジイソプロピルホスフイノ)-ベンゼ
ン。ビス(ジフエニルホスフイノ)エタン、ビス(ジフ
エニルホスフイノ)プロパンおよびビス(ジフエニルホ
スフイノ)ブタンが好ましい。
般に、1ないし5個の炭素原子を有するアルカン橋を有
するビス(ジ -C1-6-アルキルホスフイノ)-およびビス
(ジフエニルホスフイノ)-アルカンまたはビス(ジ -C
1-6-アルキルホスフイノ)-およびビス(ジフエニルホス
フイノ)アリールであり、アリールは1,2- フエニル
または2,3- ナフチルである。この場合には、末端の
フエニル基は、それぞれの場合にC1-4-アルキル、C
1-3-アルコキシまたはSO3 Naによって置換されう
る。例えば、以下の化合物が可能である:ビス(ジイソ
プロピルホスフイノ)メタン、 -エタン、 -プロパンお
よび -ブタン;ビス(ジ -n- プロピルホスフイノ)ブ
タン、ビス(ジ -n- ブチルホスフイノ)エタン、ビス
(ジシクロヘキシルホスフイノ)エタン、 -プロパンお
よび-ブタン;ビス(ジフエニルホスフイノ)メタン、
-エタン、 -プロパンおよび-ブタン;ビス〔ジ(メトキ
シフエニル)-ホスフイノ〕メタン、 -エタン、 -プロパ
ンおよび -ブタン;ビス(ジフエニルホスフイノ)ベン
ゼンおよびビス(ジイソプロピルホスフイノ)-ベンゼ
ン。ビス(ジフエニルホスフイノ)エタン、ビス(ジフ
エニルホスフイノ)プロパンおよびビス(ジフエニルホ
スフイノ)ブタンが好ましい。
【0033】可能な単座配位モノホスフアンは、特にト
リアリールホスフアン、ジアルキルアリールホスフア
ン、ジアリールアルキルホスフアンおよびトリアルキル
ホスフアンであって、アルキル基が1ないし12個の炭
素原子を有しそしてアリール基がそれぞれの場合にC
1-4-アルキル、C1-3-アルコキシまたはSO3 Naによ
って置換されうるフエニルまたはナフチル基であるもの
である。
リアリールホスフアン、ジアルキルアリールホスフア
ン、ジアリールアルキルホスフアンおよびトリアルキル
ホスフアンであって、アルキル基が1ないし12個の炭
素原子を有しそしてアリール基がそれぞれの場合にC
1-4-アルキル、C1-3-アルコキシまたはSO3 Naによ
って置換されうるフエニルまたはナフチル基であるもの
である。
【0034】挙げうる例としては以下のものがある:ト
リフエニルホスフアン、トリシクロヘキシルホスフア
ン、トリイソプロピルホスフアン、トリ -n- ブチルホ
スフアン、トリ(メトキシフエニル)ホスフアン、ジイ
ソプロピルフエニルホスフアン、ジフエニルイソプロピ
ルホスフアン、トリイソブチルホスフアン、メチルジフ
エニルホスフアン、トリ -o- およびp-トリルホスフ
アン、トリエチルホスフアン、第三ブチルジフエニルホ
スフアンおよびトリ(スルホナトフエニル)ホスフア
ン。トリフエニルホスフアン、トリシクロヘキシルホス
フアンおよびトリ -o- トリルホスフアンが特に好まし
い。
リフエニルホスフアン、トリシクロヘキシルホスフア
ン、トリイソプロピルホスフアン、トリ -n- ブチルホ
スフアン、トリ(メトキシフエニル)ホスフアン、ジイ
ソプロピルフエニルホスフアン、ジフエニルイソプロピ
ルホスフアン、トリイソブチルホスフアン、メチルジフ
エニルホスフアン、トリ -o- およびp-トリルホスフ
アン、トリエチルホスフアン、第三ブチルジフエニルホ
スフアンおよびトリ(スルホナトフエニル)ホスフア
ン。トリフエニルホスフアン、トリシクロヘキシルホス
フアンおよびトリ -o- トリルホスフアンが特に好まし
い。
【0035】単核パラジウム錯体として計算された触媒
錯体は、クロロ芳香族に関して0.001ないし10m
ol%、好ましくは0.1ないし1mol%の量で好都
合に使用される。
錯体は、クロロ芳香族に関して0.001ないし10m
ol%、好ましくは0.1ないし1mol%の量で好都
合に使用される。
【0036】使用される塩基は、例えばヨーロッパ特許
出願公開第103,544号に記載された化合物、特
に、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチ
ルアミン、N- メチルモルホリンおよびベンジルジメチ
ルアミンのようなアミンおよび特に2ないし4個の炭素
原子を有するカルボン酸のアルカリ金属塩のようなカル
ボン酸の塩である。酢酸ナトリウムが特に好ましくは使
用される。
出願公開第103,544号に記載された化合物、特
に、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチ
ルアミン、N- メチルモルホリンおよびベンジルジメチ
ルアミンのようなアミンおよび特に2ないし4個の炭素
原子を有するカルボン酸のアルカリ金属塩のようなカル
ボン酸の塩である。酢酸ナトリウムが特に好ましくは使
用される。
【0037】式(II)および(III)で表される出
発生成物は、公知であるかまたは通常の方法に従って製
造されうる。式(II)および(III)の化合物が液
状であるならば、反応は、溶媒を添加することなく実施
されうる。しかしながら、好ましくは、反応は、反応成
分に対して不活性である有機溶媒中で実施される。好適
な不活性有機溶媒は、反応成分に応じて、例えば場合に
よっては塩素化された脂肪族、環状脂肪族または芳香族
炭化水素、例えば、n- ペンタン、n- ヘプタン、n-
オクタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレンおよびクロロベンゼン;芳香
族、脂肪族および環状エーテル、例えばアニソール、ジ
エチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒド
ロフランおよびジオキサン;N- 置換モルホリン、例え
ばN- メチル- およびN- ホルミルモルホリン;ニトリ
ル特にベンゾニトリルおよび2ないし5個の炭素原子を
有するアルキルニトリル、例えばアセトニトリル、プロ
ピオニトリルおよびブチロニトリル;3- メトキシプロ
ピオニルおよび3- エトキシプロピオニトリル、ジアル
キルスルホキシド、例えばジメチルおよびジエチルスル
ホキシド;酸部分に1ないし3個の炭素原子を有する脂
肪族モノカルボン酸のN,N- ジアルキルアミド、例え
ばN,N- ジメチルホルムアミドおよびN,N- ジメチ
ルアセトアミド;8個までの炭素原子を有するアルコー
ル、例えばエタノール、n- プロパノールおよび第三-
ブタノール;脂肪族および環状ケトン、例えばアセト
ン、ジエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、シク
ロペンタノン、シクロヘキサノン、1,3- ジメチル -
2- イミダゾリジノンおよび1,3- ジメチル -3,
4,5,6- テトラヒドロ -2-(1H)-ピリミジノン;
テトラメチル尿素;エステル、例えば炭酸のエステル、
例えば炭酸ジエチル;ニトロメタン;2ないし8個の炭
素原子を有する脂肪族モノカルボン酸のアルキルまたは
アルコキシアルキルエステル、例えばメチル、エチル、
n- ブチルおよびイソブチルアセテート、エチルおよび
n- ブチルブチレート、そしてまた1- アセトキシ -2
- エトキシエタンである。好ましい溶媒は、N,N- ジ
アルキルアミド、特にジメチルアセトアミド、ジメチル
ホルムアミド、N-メチルピロリドンおよびエチレング
リコールジメチルエーテル、およびジ- 、トリ- および
テトラエチレングリコールジメチルエーテルである。
発生成物は、公知であるかまたは通常の方法に従って製
造されうる。式(II)および(III)の化合物が液
状であるならば、反応は、溶媒を添加することなく実施
されうる。しかしながら、好ましくは、反応は、反応成
分に対して不活性である有機溶媒中で実施される。好適
な不活性有機溶媒は、反応成分に応じて、例えば場合に
よっては塩素化された脂肪族、環状脂肪族または芳香族
炭化水素、例えば、n- ペンタン、n- ヘプタン、n-
オクタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレンおよびクロロベンゼン;芳香
族、脂肪族および環状エーテル、例えばアニソール、ジ
エチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒド
ロフランおよびジオキサン;N- 置換モルホリン、例え
ばN- メチル- およびN- ホルミルモルホリン;ニトリ
ル特にベンゾニトリルおよび2ないし5個の炭素原子を
有するアルキルニトリル、例えばアセトニトリル、プロ
ピオニトリルおよびブチロニトリル;3- メトキシプロ
ピオニルおよび3- エトキシプロピオニトリル、ジアル
キルスルホキシド、例えばジメチルおよびジエチルスル
ホキシド;酸部分に1ないし3個の炭素原子を有する脂
肪族モノカルボン酸のN,N- ジアルキルアミド、例え
ばN,N- ジメチルホルムアミドおよびN,N- ジメチ
ルアセトアミド;8個までの炭素原子を有するアルコー
ル、例えばエタノール、n- プロパノールおよび第三-
ブタノール;脂肪族および環状ケトン、例えばアセト
ン、ジエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、シク
ロペンタノン、シクロヘキサノン、1,3- ジメチル -
2- イミダゾリジノンおよび1,3- ジメチル -3,
4,5,6- テトラヒドロ -2-(1H)-ピリミジノン;
テトラメチル尿素;エステル、例えば炭酸のエステル、
例えば炭酸ジエチル;ニトロメタン;2ないし8個の炭
素原子を有する脂肪族モノカルボン酸のアルキルまたは
アルコキシアルキルエステル、例えばメチル、エチル、
n- ブチルおよびイソブチルアセテート、エチルおよび
n- ブチルブチレート、そしてまた1- アセトキシ -2
- エトキシエタンである。好ましい溶媒は、N,N- ジ
アルキルアミド、特にジメチルアセトアミド、ジメチル
ホルムアミド、N-メチルピロリドンおよびエチレング
リコールジメチルエーテル、およびジ- 、トリ- および
テトラエチレングリコールジメチルエーテルである。
【0038】本発明によって達成される利点は、クロロ
芳香族をオレフインと高い収率において反応せしめそし
て芳香族オレフインを製造する簡単な一般的方法が発見
されたという事実に本質的にみられる。
芳香族をオレフインと高い収率において反応せしめそし
て芳香族オレフインを製造する簡単な一般的方法が発見
されたという事実に本質的にみられる。
【0039】本発明による方法のもう一つの利点は、触
媒系が反応条件下で活性なままで留り、パラジウムの消
失が起らず、従って再循環が可能であるということにあ
る。
媒系が反応条件下で活性なままで留り、パラジウムの消
失が起らず、従って再循環が可能であるということにあ
る。
【0040】
【実施例】以下に記載する実験は、保護ガス雰囲気とし
てのアルゴンの存在下に実施された。高沸点の出発物質
の場合には、アルゴンでガスシールされた通常の丸底フ
ラスコおよび触媒溶液を注入するための系付属物が好適
である。もし出発物質または溶媒の沸点が明らかに14
0℃以下である場合には、ガラス製オートクレーブまた
はステンレス鋼製オートクレーブのような耐圧反応器を
使用しなければならない。 例1 4- クロロベンゾニトリル13.8g(100mmo
l)およびアクリル酸ブチル19.2g(150mmo
l)をジメチルアセトアミド(DMAc)50ml中に
溶解した。乾燥した粉砕酢酸ナトリウム9.0g(11
0mmol)をこの溶液に添加した。これとは別個に、
酢酸パラジウム112mg(0.5mmol)、1,2
- ビス(ジフエニルホスフイノ)エタン(DIPHO
S)200mg(0.5mmol)およびトリフエニル
ホスフアン262mg(1mmolよりなる触媒前駆物
質のジメチルアセトアミド10ml中の溶液を調製し
た。この黄色の溶液を次に上記の混合物に添加し、そし
て次いで140℃において15時間撹拌した。反応は、
内部標準(N- メチルピロリドンまたはジトリルエーテ
ルを使用するGC分析によって容易に監視されうる。上
記の反応時間の後に100%の転化率が達成された。単
離されたブチルp- シアノシンナメートの収率は87%
であった。 例2 例1を繰返したが、触媒前駆物質は、酢酸パラジウム1
12mg(0.5mmol)、DIPHOS 200m
g(0.5mmol)、トリシクロヘキシルホスフアン
280mg(1mmol)および酢酸3g(50mmo
l)から形成された。140℃において15時間の反応
後、97%の転化率および85%の収率が達成された。 例3 DMAc 50ml、4- クロロベンゾニトリル13.
8g(100mmol)および酢酸ナトリウム9g(1
10mmol)を200mlのオートクレーブ内に導入
した。アルゴンでフラッシュした後、DMAc 10m
l中の酢酸パラジウム112mg(0.5mmol)、
DIPHOS 200mg(0.5mmol)およびト
リフエニルホスフアン262mg(1mmol)の溶液
を注入した。2barのエチレン圧を適用し、そして混
合物を145℃において24時間撹拌した。GC分析に
より100%の転化率が確認された。分取精製(水を用
いる沈殿、DMAcからの再結晶)によって4,4'-ジ
シアノスチルベン(m.p.=287−288℃)の6
2%が単離された。 例4 例3を繰返したが、ただし反応は、50barのエチレ
ン圧下で実施された。反応溶液は、4,4'-ジシアノス
チルベン12%およびシアノスチレン78%を含有して
いた。 例5 4- クロロベンゾニトリル13.8g(100mmo
l)、スチレン20.8g(200mmol)および酢
酸ナトリウム8.2g(100mmol)を最初にテト
ラエチレングリコールジメチルエーテル60ml中に導
入した。触媒は、酢酸パラジウム224mg(1mmo
l)、DIPHOS 400mg(1mmol)および
トリフエニルホスフアン524mg(2mmol)から
形成された。145℃において18時間の反応後、85
%の転化率および70%の4- シアノスチルベンの収率
が達成された。 例6 例5を繰返したが、ただし触媒の形成にトリフエニルホ
スフアンの代りにトリシクロヘキシルホスフアン560
mg(2mmol)を使用した。反応は、100%の転
化率および85%の4- シアノスチルベンの収率をもた
らした。 例7 出発物質として4- クロロニトロベンゼン15.8g
(100mmol)を使用して例1を繰返した。100
%の転化率が達成された。精製後、ブチル4- ニトロシ
ンナメートの85%が単離された。 例8 DMAc 70ml、4- ニトロクロロベンゼン15.
8g(100mmol)および酢酸ナトリウム9.0g
をガス流入フリットを有する撹拌装置内に予め導入し
た。触媒前駆物質は、DMAc 20ml中のジクロロ
ビス(トリフエニルホスフアン)パラジウム701mg
(1mmol)およびDIPHOS 400mg(1m
mol)から形成された。パラジウム錯体を溶解するた
めに、混合物を80℃に加熱した。触媒溶液を混合物に
添加し、そしてエチレンを通しながら温度を140℃ま
で上昇せしめた。16時間後、95%の転化率が達成さ
れた。精製および再結晶の後、4,4'-ジニトロスチル
ベンの65%が得られた、m.p.=313℃。 例9 4- クロロベンズアルデヒド28.2g(200mmo
l)、アクリル酸ブチル38.4g(300mmo
l)、酢酸ナトリウム24.8g(300mmol)お
よびDMAc 100mlを予め導入した。触媒前駆物
質の溶液は、DMAc 20ml中の酢酸パラジウム2
24mg(1mmol)、DIPHOS 400mg、
トリフエニルホスフアン524mg(2mmol)およ
び酢酸3g(50mmol)から形成され、そして上記
混合物に添加された。反応は、140℃において24時
間実施された。ブチル4- ホルミルシンナメートの92
%の収率をもって100%の転化率が達成された。 例10 4- クロロアセトフエノン15.5g(100mmo
l)、アクリル酸ブチル25.6g(200mmo
l)、酢酸ナトリウム9.0g(110mmol)およ
びDMAc 50mlを最初に導入した。パラジウム触
媒は、例8と同様にして調製された。反応は、160℃
において実施された。6時間後にすでに100%の転化
率が達成され、そしてブチル4- アセチルシンナメート
の収率は92%であった。 例11 4- クロロアニソール14.2g(100mmol)、
アクリル酸ブチル25.6g(200mmol)、酢酸
ナトリウム9.0g(110mmol)およびN- メチ
ルピロリドン60mlを最初に導入した。同じ20ml
溶媒中で酢酸パラジウム224mg(1mmol)、D
IPHOS 400mg(1mmol)およびトリフエ
ニルホスフアン524mg(2mmol)の触媒溶液が
形成された。反応は、180℃において実施された。6
時間後に定量的な転化率およびブチル4- メトキシシン
ナメートの87%の収率が達成された。
てのアルゴンの存在下に実施された。高沸点の出発物質
の場合には、アルゴンでガスシールされた通常の丸底フ
ラスコおよび触媒溶液を注入するための系付属物が好適
である。もし出発物質または溶媒の沸点が明らかに14
0℃以下である場合には、ガラス製オートクレーブまた
はステンレス鋼製オートクレーブのような耐圧反応器を
使用しなければならない。 例1 4- クロロベンゾニトリル13.8g(100mmo
l)およびアクリル酸ブチル19.2g(150mmo
l)をジメチルアセトアミド(DMAc)50ml中に
溶解した。乾燥した粉砕酢酸ナトリウム9.0g(11
0mmol)をこの溶液に添加した。これとは別個に、
酢酸パラジウム112mg(0.5mmol)、1,2
- ビス(ジフエニルホスフイノ)エタン(DIPHO
S)200mg(0.5mmol)およびトリフエニル
ホスフアン262mg(1mmolよりなる触媒前駆物
質のジメチルアセトアミド10ml中の溶液を調製し
た。この黄色の溶液を次に上記の混合物に添加し、そし
て次いで140℃において15時間撹拌した。反応は、
内部標準(N- メチルピロリドンまたはジトリルエーテ
ルを使用するGC分析によって容易に監視されうる。上
記の反応時間の後に100%の転化率が達成された。単
離されたブチルp- シアノシンナメートの収率は87%
であった。 例2 例1を繰返したが、触媒前駆物質は、酢酸パラジウム1
12mg(0.5mmol)、DIPHOS 200m
g(0.5mmol)、トリシクロヘキシルホスフアン
280mg(1mmol)および酢酸3g(50mmo
l)から形成された。140℃において15時間の反応
後、97%の転化率および85%の収率が達成された。 例3 DMAc 50ml、4- クロロベンゾニトリル13.
8g(100mmol)および酢酸ナトリウム9g(1
10mmol)を200mlのオートクレーブ内に導入
した。アルゴンでフラッシュした後、DMAc 10m
l中の酢酸パラジウム112mg(0.5mmol)、
DIPHOS 200mg(0.5mmol)およびト
リフエニルホスフアン262mg(1mmol)の溶液
を注入した。2barのエチレン圧を適用し、そして混
合物を145℃において24時間撹拌した。GC分析に
より100%の転化率が確認された。分取精製(水を用
いる沈殿、DMAcからの再結晶)によって4,4'-ジ
シアノスチルベン(m.p.=287−288℃)の6
2%が単離された。 例4 例3を繰返したが、ただし反応は、50barのエチレ
ン圧下で実施された。反応溶液は、4,4'-ジシアノス
チルベン12%およびシアノスチレン78%を含有して
いた。 例5 4- クロロベンゾニトリル13.8g(100mmo
l)、スチレン20.8g(200mmol)および酢
酸ナトリウム8.2g(100mmol)を最初にテト
ラエチレングリコールジメチルエーテル60ml中に導
入した。触媒は、酢酸パラジウム224mg(1mmo
l)、DIPHOS 400mg(1mmol)および
トリフエニルホスフアン524mg(2mmol)から
形成された。145℃において18時間の反応後、85
%の転化率および70%の4- シアノスチルベンの収率
が達成された。 例6 例5を繰返したが、ただし触媒の形成にトリフエニルホ
スフアンの代りにトリシクロヘキシルホスフアン560
mg(2mmol)を使用した。反応は、100%の転
化率および85%の4- シアノスチルベンの収率をもた
らした。 例7 出発物質として4- クロロニトロベンゼン15.8g
(100mmol)を使用して例1を繰返した。100
%の転化率が達成された。精製後、ブチル4- ニトロシ
ンナメートの85%が単離された。 例8 DMAc 70ml、4- ニトロクロロベンゼン15.
8g(100mmol)および酢酸ナトリウム9.0g
をガス流入フリットを有する撹拌装置内に予め導入し
た。触媒前駆物質は、DMAc 20ml中のジクロロ
ビス(トリフエニルホスフアン)パラジウム701mg
(1mmol)およびDIPHOS 400mg(1m
mol)から形成された。パラジウム錯体を溶解するた
めに、混合物を80℃に加熱した。触媒溶液を混合物に
添加し、そしてエチレンを通しながら温度を140℃ま
で上昇せしめた。16時間後、95%の転化率が達成さ
れた。精製および再結晶の後、4,4'-ジニトロスチル
ベンの65%が得られた、m.p.=313℃。 例9 4- クロロベンズアルデヒド28.2g(200mmo
l)、アクリル酸ブチル38.4g(300mmo
l)、酢酸ナトリウム24.8g(300mmol)お
よびDMAc 100mlを予め導入した。触媒前駆物
質の溶液は、DMAc 20ml中の酢酸パラジウム2
24mg(1mmol)、DIPHOS 400mg、
トリフエニルホスフアン524mg(2mmol)およ
び酢酸3g(50mmol)から形成され、そして上記
混合物に添加された。反応は、140℃において24時
間実施された。ブチル4- ホルミルシンナメートの92
%の収率をもって100%の転化率が達成された。 例10 4- クロロアセトフエノン15.5g(100mmo
l)、アクリル酸ブチル25.6g(200mmo
l)、酢酸ナトリウム9.0g(110mmol)およ
びDMAc 50mlを最初に導入した。パラジウム触
媒は、例8と同様にして調製された。反応は、160℃
において実施された。6時間後にすでに100%の転化
率が達成され、そしてブチル4- アセチルシンナメート
の収率は92%であった。 例11 4- クロロアニソール14.2g(100mmol)、
アクリル酸ブチル25.6g(200mmol)、酢酸
ナトリウム9.0g(110mmol)およびN- メチ
ルピロリドン60mlを最初に導入した。同じ20ml
溶媒中で酢酸パラジウム224mg(1mmol)、D
IPHOS 400mg(1mmol)およびトリフエ
ニルホスフアン524mg(2mmol)の触媒溶液が
形成された。反応は、180℃において実施された。6
時間後に定量的な転化率およびブチル4- メトキシシン
ナメートの87%の収率が達成された。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07C 37/18 8930−4H 39/21 8930−4H 41/24 43/20 A 7419−4H 59/48 253/30 255/50 9357−4H // C07B 61/00 300 (72)発明者 ハインツ・シユトルツ ドイツ連邦共和国、ウージンゲン、ランド ラート−ベックマン−ストラーセ、1
Claims (16)
- 【請求項1】 式(I) 【化1】 (上式中、 XはC2-12- アルケニル、C5-6-シクロアルケニルまた
は基 【化2】 であり、 Yは -CN、 -COOH、 -COOR7 、 -CON(R
7)2 、 -COR7 、-OR7 または 【化3】 R5 は水素またはメチルであり、 R6 水素またはメチルであり、 R7 はC1-12- アルキルまたはフエニルであり、そして
R2 は水素、フエニル、C1-8-アルキル、C1-5-アルコ
キシ、 -OH、フッ素、塩素、 -NO2 、 -CN、 -C
HO、 -CO -C1-4-アルキル、 -CO-フエニル、 -
COO -C1-4-アルキル、 -O- CO -C1-4-アルキ
ル、-NHCO- C1-4-アルキル、 -CF3 、 -N
H2 、 -NH -C1-4-アルキルまたは -N(C1-4-アル
キル)2であり、 R1 およびR3 は互いに独立的にR2 は同じ意味を有し
てもよく、そしてR4 は水素、フエニル、C1-8-アルキ
ル、 -OH、フッ素、塩素、 -NO2 、-CN、 -CH
Oまたは -O- CO- C1-4-アルキルである)で表され
る芳香族置換オレフインを、式(II) 【化4】 (上式中、R1,R2,R3 およびR4 は前記の意味を有す
る)で表されるクロロ芳香族化合物を式(III) HX (III) (上式中、Xは前記の意味を有する)で表されるオレフ
インと、塩基および触媒量のパラジウム錯体の存在下に
反応せしめることによって製造する方法において、上記
パラジウム錯体が配位子として単座および2座配位のホ
スフアンを含有することを特徴とする上記式(I)で表
される芳香族置換オレフインの製造方法。 - 【請求項2】 Xが -C(R5)=C(R6)- Yであり、
そして基R5 およびR6 のうちの少なくとも1個が水素
である式(III)のオレフインを使用する請求項1に
記載の方法。 - 【請求項3】 R4 が水素であり、そしてR1 ないしR
3 が互いに独立的に水素、フエニル、メチル、メトキ
シ、アセトキシ、 -NO2 、 -CN、 -CHO、Cl、
-NHCO -C1-2-アルキル、 -COO -C1-2-アルキ
ル、 -CO -C 1-2-アルキル、 -CO- フエニルまたは
-N(C1-C2-アルキル)2である式(II)の化合物を
使用する請求項1または2に記載の方法。 - 【請求項4】 R1,R3 およびR4 が水素またはメチル
でありそしてR2 が水素、フエニル、メチル、メトキ
シ、アセトキシ、 -CN、 -NO2 、 -COOC1-2-ア
ルキル、 -CHO、 -Clまたは -COCH3 である式
(II)の化合物を使用する請求項1または2に記載の
方法。 - 【請求項5】 使用される式(III)の化合物がスチ
レン、エチレン、プロピレン、アクリロニトリル、メチ
ル、エチル、ブチルまたは2- エチルヘキシルアクリレ
ート、N,N- ジメチルアクリルアミドまたはN,N-
ジエチルアクリルアミドである請求項1〜4のうちのい
ずれかに記載の方法。 - 【請求項6】 ブチルおよびエチルヘキシル4- メトキ
シ、4- アセチル-、4- ホルミル- 、4- ニトロ- ま
たは4- シアノシンナメート、4,4'-ジニトロ- 、4
- シアノ- または4,4'-ジシアノスチルベンまたは4
- シアノスチレンが製造される請求項1〜5のうちのい
ずれかに記載の方法。 - 【請求項7】 反応を120ないし200℃、好ましく
は140ないし180℃の温度において実施する請求項
1〜6のうちのいずれかに記載の方法。 - 【請求項8】 パラジウム錯体がパラジウム(II)塩
および/またはパラジウム(O)錯体および単座および
2座配位のホスフアンよりの反応混合物中で形成される
請求項1〜7のうちのいずれかに記載の方法。 - 【請求項9】 パラジウム錯体が別個にパラジウム(I
I)塩および/またはパラジウム(O)錯体および単座
および2座配位のホスフアンから調製され、そして得ら
れたパラジウム(II)-ホスフアン錯体がその場で対応
するパラジウム(O)-ホスフアン錯体へと還元せしめら
れる請求項1〜7のうちのいずれかに記載の方法。 - 【請求項10】 触媒中のリン原子対パラジウム原子の
モル比が1.5:1ないし8:1、好ましくは1.6:
1ないし6:1、特に2:1ないし5:1である請求項
1〜9のうちのいずれかに記載の方法。 - 【請求項11】 単座配位のホスフアン対パラジウム原
子のモル比が0.5:1ないし4:1であり、そして2
座配位のビスホスフアン対パラジウム原子のモル比が
0.5:1ないし2:1である触媒を使用する請求項1
〜10のうちのいずれかに記載の方法。 - 【請求項12】 2座配位のビスホスフアン対単座配位
のホスフアンのモル比が1:1ないし1:4、好ましく
は1:1.5ないし1:3、特に1:2である請求項1
〜11のうちのいずれかに記載の方法。 - 【請求項13】 2座配位ホスフアン配位子としてビス
(ジフエニルホスフイノ)エタン、ビス(ジフエニルホ
スフイノ)プロパンまたはビス(ジフエニルホスフイ
ノ)ブタンを含有するパラジウム錯体を使用する請求項
1〜12のうちのいずれかに記載の方法。 - 【請求項14】 単座配位ホスフアン配位子としてトリ
フエニルホスフアン、トリシクロヘキシルホスフアンま
たはトリ- O- トリルホスフアンを含有するパラジウム
錯体を使用する請求項1〜13のうちのいずれかに記載
の方法。 - 【請求項15】 単核パラジウム錯体として計算してク
ロロ芳香族化合物(II)に対して0.001ないし1
0mol%、好ましくは0.1ないし1mol%の量で
パラジウム錯体を使用する請求項1〜14のうちのいず
れかに記載の方法。 - 【請求項16】 塩基として酢酸ナトリウムを使用する
請求項1〜15のうちのいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4230107:6 | 1992-09-09 | ||
| DE4230107 | 1992-09-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06211705A true JPH06211705A (ja) | 1994-08-02 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP5222405A Withdrawn JPH06211705A (ja) | 1992-09-09 | 1993-09-07 | クロロ芳香族化合物から芳香族置換オレフインを製造する方法 |
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|---|---|
| EP (1) | EP0587050B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06211705A (ja) |
| DE (1) | DE59301869D1 (ja) |
| ES (1) | ES2086165T3 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20000031444A (ko) * | 1998-11-06 | 2000-06-05 | 구광시 | 신남산 유도체의 제조방법 |
| KR100383366B1 (ko) * | 2000-12-19 | 2003-05-12 | 주식회사 태평양 | 신규한 페닐환 유도체, 그의 제조방법 및 이를 포함하는약학 조성물 및 화장료 조성물 |
| JP2007504191A (ja) * | 2003-09-05 | 2007-03-01 | ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. | スチルベン誘導体を製造する方法 |
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| WO2005069998A2 (en) | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Brigham Young University Technology Transfer Office | Novel sirtuin activating compounds and methods for making the same |
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-
1993
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- 1993-09-02 EP EP93114062A patent/EP0587050B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-02 DE DE59301869T patent/DE59301869D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-09-07 JP JP5222405A patent/JPH06211705A/ja not_active Withdrawn
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| KR101140523B1 (ko) * | 2003-09-05 | 2012-04-30 | 디에스엠 아이피 어셋츠 비.브이. | 스틸벤 유도체의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2086165T3 (es) | 1996-06-16 |
| DE59301869D1 (de) | 1996-04-18 |
| EP0587050B1 (de) | 1996-03-13 |
| EP0587050A1 (de) | 1994-03-16 |
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