JPH0621231B2 - スクエアリリウム顔料の精製方法 - Google Patents

スクエアリリウム顔料の精製方法

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JPH0621231B2
JPH0621231B2 JP62042897A JP4289787A JPH0621231B2 JP H0621231 B2 JPH0621231 B2 JP H0621231B2 JP 62042897 A JP62042897 A JP 62042897A JP 4289787 A JP4289787 A JP 4289787A JP H0621231 B2 JPH0621231 B2 JP H0621231B2
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子写真特性を改善するためのスクエアリリウ
ム顔料の精製方法に関する。
従来の技術 従来、電子写真感光体として、無定形セレン、セレン合
金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機系感光材料やポ
リビニルカルバゾール及びポリビニルカルバゾール誘導
体に代表される有機系感光材料が広く知られている。
近年、多種類の有機系の感光体が研究され、特に電荷発
生層と電荷輸送層を有する積層型の感光体が従来のもの
に比べ優れた電気特性を有することが報告されている。
これらの感光体に用いられる電荷発生材料としては、ビ
スアゾ類、トリスアゾ類、フタロシアニン類、ピリリウ
ム類、スクエアリリウム類等が知られており、可視領域
から近赤外領域まで感度を有するものとしては、フタロ
シアニン類、トリスアゾ類、スクエアリリウム類等の顔
料が報告されている。特に、特開昭49−105536
及び同60−128453号公報等に示されるスクエア
リリウム類は、可視から近赤外領域まで比較的高い感度
を有するので、電荷発生材料として優れたものである。
一方、有機顔料の一般的精製法としては、有機溶媒によ
る再結晶法、硫酸によるアシッドペースティング法、ア
ミンによる再沈法、昇華精製法等が知られている。
発明が解決しようとする問題点 ところで、スクエアリリウム顔料を電子写真感光体に使
用する場合に、少量の不純物でも帯電性、暗減衰、繰返
し安定性等に影響を与えるため、できる限り不純物を除
去することが必要であるが、比較的高い感度を有するス
クエアリリウム顔料は溶媒類への溶解度が小さいものが
多く、高純度化が困難であった。即ち、有機溶媒による
再結晶法では、スクエアリリウム顔料の溶解度の点から
適用範囲が非常に限られ、特に難溶性のスクエアリリウ
ム顔料に対して応用可能な再結晶溶媒は未だ見出だされ
ていない。又、アシッドペースティング法、アミンによ
る再沈法及び昇華精製法は、安定性等の点から殆ど実用
に適しない。
したがって、本発明の目的は、高感度で、しかも帯電性
が高く、暗減衰が小さく、残留電位が低く、繰返し使用
に対する安定性に優れた電子写真感光体を製造するのに
適した、高純度なスクエアリリウム顔料を提供すること
にある。
問題点を解決するための手段 本発明の上記目的は、スクエアリリウム顔料を2−クロ
ロエタノールに溶解し、再結晶もしくは再沈澱させて精
製することによって達成される。
本発明に用いるスクエアリリウム顔料は、以下一般式
(I)で示される。
[式中、R、R、R及びRは、それぞれ炭素数
1〜20のアルキル基、置換あるいは未置換のフェニル
基、又は (式中、Rは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、
水酸基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数1〜4の
アルコキシカルボニル基又はトリフルオロメチル基を表
わす)で示されるベンジル基を表わし、R及びR
は、それぞれ水素原子、水酸基、メチル基、ハロゲン
原子、トリフルオロメチル基、カルボキシル基、 −NHCOR又は−NHSO(式中、R及び
は、それぞれ置換基を有してもよいアルキル基又は
フェニル基)で表わす。] 特に、下記一般式(II)で示されるスクエアリリウム顔
料が好ましく用いられる。
[式中、R10、R11、R12及びR13はそれぞれメチル
基、エチル基又は (式中、R16は水素原子、メチル基、水酸基、メトキシ
基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シア
ノ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基又
はトリフルオロメチル基を表わす)で示されるベンジル
基を表わし、R14及びR15は、それぞれ水素原子、水酸
基、メチル基又はフッ素原子を表わす。] 一般式(I)で示されるスクエアリリウム顔料のうち、
四員環をはさんだ左右が対称のスクエアリリウム顔料
は、スクエアリン酸と対応するアニリン誘導体より公知
の方法により容易に合成することができる。又、四員環
をはさんだ左右が非対称のスクエアリリウム顔料は、下
記反応式に示す反応により合成することができる。
一般式(I)で示されるスクエアリリウム顔料の代表的
なものとして、次のものが例示される。
(1)2,4−ビス−[4′(p−クロロベンジルメチ
ルアミノ)フェニル]−1,3−シクロブタジエン−ジ
イリウム−1,3−ジオレート (2)2−(2′−フルオロ−4′−ジメチルアミノフ
ェニル)−4−(2′−メチル−4′−ジメチルアミノ
フェニル)−1,3−シクロブタジエン−ジイリウム−
1,3−ジオレート (3)2,4−ビス−(4′−エチルメチルアミノフェ
ニル)−1,3−シクロブタジエン−ジイリウム−1,
3−ジオレート (4)2,4−ビス−(4′−ジメチルアミノフェニ
ル)−1,3−シクロブタジエン−ジイリウム−1,3
−ジオレート (5)2,4−ビス−(2′−フルオロ−4′−ジメチ
ルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエン−ジイ
リウム−1,3−ジオレート (6)2,4−ビス−(4′−ジベンジルアミノフェニ
ル)−1,3−シクロブタジエン−ジイリウム−1,3
−ジオレート (7)2−(2′−フルオロ−4′−ジメチルアミノフ
ェニル)−4−(2′−ヒドロキシ−4′−ジメチルア
ミノフェニル)−1,3−シクロブタジエン−ジイリウ
ム−1,3−ジオレート (8)2−(4′−ジメチルアミノフェニル)−4−
(2′−ヒドロキシ−4′−ジメチルアミノフェニル)
−1,3−シクロブタジエン−ジイリウム−1,3−ジ
オレート (9)2−(4′−ジメチルアミノフェニル)−4−
(2′−メチル−4′−ジメチルアミノフェニル)−
1,3−シクロブタジエン−ジイリウム−1,3−ジオ
レート (10)2−(4′−ジメチルアミノフェニル)−4−
(4′−ジベンジルアミノフェニル)−1,3−シクロ
ブタジエン−ジイリウム−1,3−ジオレート (11)2−(2′−フルオロ−4′−ジメチルアミノフ
ェニル)−−4−[4′−(p−クロロベンジルメチル
アミノ)フェニル]−1,3−シクロブタジエン−ジイ
リウム−1,3−ジオレート (12)2,4−ビス(2′−ヒドロキシ−4′−ジメチ
ルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエン−ジイ
リウム−1,3−ジオレート (13)2,4−ビス−(2′−メチル−4′−ジメチル
アミノフェニル)−1,3−シクロブタジエン−ジイリ
ウム−1,3−ジオレート (14)2,4−ビス−(3′−フルオロ−4′−ジメチ
ルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエン−ジイ
リウム−1,3−ジオレート (15)2,4−ビス−[4′−(p−クロロベンジルメ
チルアミノ)−2′−フルオロフェニル]−1,3−シ
クロブタジエン−ジイリウム−1,3−ジオレート (16)2−(2′−ヒドロキシ−4′−ジメチルアミノ
フェニル)−4−[4′−(p−クロロベンジルメチル
アミノ)フェニル]−1,3−シクロブタジエン−ジイ
リウム−1,3−ジオレート (17)2−(2′−ヒドロキシ−4′−ジメチルアミノ
フェニル)−4−[4′−(p−クロロベンジルメチル
アミノ)−2′−フルオロフェニル]−1,3−シクロ
ブタジエン−ジイリウム−1,3−ジオレート (18)2−(2′−フルオロ−4′−ジメチルアミノフ
ェニル)−4−[4′−(p−クロロベンジルメチルア
ミノ)−2′−ヒドロキシフェニル]−1,3−シクロ
ブタジエン−ジイリウム−1,3−ジオレート (19)2−(2′−フルオロ−4′−ジメチルアミノフ
ェニル)−4−[4′−(p−クロロベンジルメチルア
ミノ)−2′−フルオロフェニル]−1,3−シクロブ
タジエン−ジイリウム−1,3−ジオレート (20)2−(2′−フルオロ−4′−ジメチルアミノフ
ェニル)−4−(4′−ジベンジルアミノフェニル)−
1,3−シクロブタジエン−ジイリウム−1,3−ジオ
レート (21)2−(2′−ヒドロキシ−4′−ジメチルアミノ
フェニル)−4−(2′−メチル−4′−ジメチルアミ
ノフェニル)−1,3−シクロブタジエン−ジイリウム
−1,3−ジオレート (22)2−(2′−フルオロ−4′−ジメチルアミノフ
ェニル)−4−(2′−メチル−4′−ジメチルアミノ
フェニル)−1,3−シクロブタジエン−ジイリウム−
1,3−ジオレート (23)2−(4′−ジメチルアミノフェニル)−4−
(2′−フルオロ−4′−ジメチルアミノフェニル)−
1,3−シクロブタジエン−ジイリウム−1,3−ジオ
レート (24)2−(2′,6′−ジフルオロ−4′−ジメチル
アミノフェニル)−4−(2′−ヒドロキシ−4′−ジ
メチルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエン−
ジイリウム−1,3−ジオレート (25)2−(2′,6′−ジフルオロ−4′−ジメチル
アミノフェニル)−4−[4′−(p−クロロベンジル
メチルアミノ)フェニル]−1,3−シクロブタジエン
−ジイリウム−1,3−ジオレート (26)2−(2′,6′−ジフルオロ−4′−ジメチル
アミノフェニル)−4−[4′−(p−クロロベンジル
メチルアミノ)−2′−ヒドロキシフェニル]−1,3
−シクロブタジエン−ジイリウム−1,3−ジオレート (27)2−(2′,6′−ジフルオロ−4′−ジメチル
アミノフェニル)−4−[4′−(p−クロロベンジル
メチルアミノ)−2′−フルオロフェニル]−1,3−
シクロブタジエン−ジイリウム−1,3−ジオレート 本発明においては、上記一般式(I)で示されるスクエ
アリリウム顔料を2−クロロエタノールを用いて再結晶
もしくは再沈澱させる。
再結晶は、スクエアリリウム顔料を2−クロロエタノー
ル中に溶解させて行うが、その際の加熱温度は60℃か
ら130℃(還流温度)が好ましく、100℃から13
0℃が特に好ましい。2−クロロエタノールは単独で用
いても、又、他の溶媒、例えば、水、エタノール等のア
ルコール系溶媒、トルエン等の芳香族系溶媒、トリクロ
ロエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等と混合して用
いてもよい。又、塩酸等の酸を添加してもよい。
再沈澱は、スクエアリリウム顔料を2−クロロエタノー
ルに溶解し、貧溶媒と混合することによって行うが、そ
の際の加熱温度は、再結晶の場合と同様である。貧溶媒
としては、水、エタノール等のアルコール系溶媒、トル
エン等の芳香族系溶媒、トリクロロエタン等のハロゲン
化炭化水素系溶媒等が用いられる。又、再沈澱の際の貧
溶媒の比率は、2−クロロエタノールに対し1/2倍容
量から、10倍容量の範囲が好ましい。
実施例 以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例1 3,4−ジヒドロキシ−3−シクロブテン−1,2−ジ
オン10.0gとN−(p−クロロベンジル)−N−メ
チルアニリン61.0gをブタノール400mlとトルエ
ン200mlの混合溶媒中に入れ、還流し、生成する水を
除去しながら8時間反応した。放冷後、生成した青緑色
の結晶を濾別し、ブタノール、メタノール、ジエチルエ
ーテルで洗浄後、乾燥して、下記構造式の2,4−ビス
−[4′(p−クロロベンジルメチルアミノ)フェニ
ル]−1,3−シクロブタジエン−ジイリウム−1,3
−ジオレート(例示化合物(1))18.2g(収率38
%)を得た。
次いで、例示化合物(1)4.0gを2−クロロエタノ
ール400mlに入れ、還流温度で20分間加熱し、熱時
濾過後、濾液を放冷し、析出した結晶を濾別し、精製さ
れた例示化合物(1)3.5g(収率88%)を得た。
精製された例示化合物(1)は、上記合成によって得ら
れた未精製のものの結晶形とは異なる結晶形を有するも
のになっており、その粉末のX線回析を測定したとこ
ろ、2θ=6.4゜、13.4゜、17.6゜、24.
5゜、27.1゜に主な回折ピークをもつ回折パターン
を示した。
応用例1 実施例1によって精製された例示化合物(1)1重量部
にポリビニルブチラール樹脂(積水化学製、BXL(登録
商標))1重量部、シクロヘキサノン40重量部を加
え、ボールミルで4時間粉砕、混合した分散液を、バー
コーターを用いてアルミニウムを蒸着したポリエステル
フィルム(東レ製、メタルミー(登録商標))上に塗布
し、乾燥して厚さ0.2μmの電荷発生層を形成した。
この電荷発生層上に、N,N′−ジフエニル−N,N′
−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1′−ビフェニ
ル]−4,4′−ジアミン1重量部、ポリカーボネート
樹脂(帝人製、パンライト(登録商標))1重量部、テ
トラヒドロフラン10重量部からなる均一溶液をバーコ
ーターを用いて塗布し、乾燥して厚さ15μmの電荷輸
送層を形成し、電子写真感光体を作成した。
次に、得られた電子写真感光体について、静電複写紙試
験装置(川口電気製、エレクトロスタティック・ペーパ
ーアナライザー、SP428)を用いて、−6kVのコロナ
放電を施して負帯電させた後、2秒間暗所に放置し、続
いて、タングステンランプを用い、表面の照度が5ルッ
クスになるように感光層に光照射を施した。
帯電直後の電位をVo、2秒間暗所放置後の電位をVDD
P、表面電位がVDDPの1/2になる露光量をE1/2、5
ルックスの光を10秒照射した後のの表面電位をVRPと
し、同様の測定を20回繰返し行った。
その結果を第1表に示す。
参考例1 実施例1における未精製の例示化合物(1)を用い、応
用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評
価した。その結果を第2表に示す。
実施例2 実施例1における未精製の例示化合物(1)4.0gを
2−クロロエタノール400mlに入れ、還流温度で20
分間加熱し、熱時濾過後、直ちに濾液にメタノール20
0mlを注ぎ入れ、放冷した。析出した結晶を濾別し、精
製された例示化合物(1)3.6g(収率90%)を得
た。
応用例2 実施例2によって精製された例示化合物(1)を用い、
応用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に
評価した。その結果を第3表に示す。
実施例3 3,4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,2−ジオン
25g及び三フッ化ホウ素エチルエーテル錯体6.5ml
を塩化メチレン30mlに溶解し、N,N−ジメチル−m
−フルオロアニリン35gと混合し、室温で16時間間
撹拌して反応を行った。反応終了後、混合物を希塩酸、
次いで水で洗浄し、カラムクロマトグラフィーを用いて
分離精製を行い、3−クロロ−4−(2′−フルオロ−
4′−ジメチルアミノフェニル)−3−シクロブテン−
1,2−ジオン9.1g(収率72%)を得た。
次いで、この3−クロロ−4−(2′−フルオロ−4′
−ジメチルアミノフェニル)−3−シクロブテン−1,
2−ジオン7.6gに酢酸120ml及び水40mlを加
え、2時間還流し、放冷後、析出した結晶を濾別、水洗
いして3−ヒドロキシ−4−(2′−フルオロ−4′−
ジメチルアミノフェニル)−3−シクロブテン−1,2
−ジオン6.7g(収率95%)を得た。
次いで、この3−ヒドロキシ−4−(2′−フルオロ−
4′−ジメチルアミノフェニル)−3−シクロブテン−
1,2−ジオン4.0gとN,N−ジメチル−m−トル
イジン6.9gをブタノール340ml中に入れ、16時
間加熱還流した。放冷後、生成した青緑色の結晶を濾別
し、ブタノール、メタノール、ジエチルエーテルで洗浄
後、乾燥して、2−(2′−フルオロ−4′−ジメチル
アミノフェニル)−4−(2′−メチル−4′−ジメチ
ルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエン−ジイ
リウム−1,3−ジオレート(例示化合物(2))4.
1g(収率68%)を得た。
次いで、例示化合物(2)2.6gを2−クロロエタノ
ール260mlに入れ、還流温度で10分間加熱し、熱時
濾過後、濾液を放冷し、析出した結晶を濾別し、精製さ
れた化合物(2)2.1g(収率81%)を得た。
応用例3 実施例3によって精製された例示化合物(2)を用い、
応用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に
評価した。その結果を第4表に示す。
参考例2 実施例3における未精製の例示化合物(2)を用い、実
施例2と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評
価した。その結果を第5表に示す。
実施例4 未精製の2,4−ビス−(4′−エチルメチルアミノフ
ェニル)−1,3−シクロブタジエン−ジイリウム−
1,3−ジオレート(例示化合物(3))3.0gを2
−クロロエタノール25mlとエタノール25mlの混合溶
媒中に入れ、還流温度で10分間加熱し、熱時濾過後、
濾液を放冷し、析出した結晶を濾別し、精製された化合
物(3)2.7g(収率80%)を得た。
応用例4 実施例4によって精製された例示化合物(3)を用い、
応用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に
評価した。その結果を第6表に示す。
参考例3 実施例4における未精製の例示化合物(3)を用い、応
用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評
価した。その結果を第7表に示す。
実施例5〜12及び参考例4〜11 例示化合物(4)〜(11)について、2−クロロエタ
ノールを用い、実施例1におけると同様に再結晶処理を
行い、それぞれ精製された化合物を得た。
精製された例示化合物(4)〜(11)について、応用
例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評価
した。その結果を第8表に示す。又、再結晶処理を行わ
ない例示化合物(4)〜(11)を用い、応用例1と同
様にして電子写真感光体を作成し、同様に評価した。そ
の結果を第9表に示す。
発明の効果 本発明は、上記の構成を有するから、従来、精製が困難
であったスクエアリリウム顔料を容易に精製することが
できる。そして又、本発明によって処理されたスクエア
リリウム顔料は、電子写真感光体における電荷発生材料
として使用するのに適しておりり、高感度で、しかも帯
電性が高く、暗減衰が小さく、残留電位が低く、繰返し
使用に対する安定性に優れた電子写真感光体を形成する
ことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 浩之 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内 (72)発明者 須藤 秀美 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】下記一般式(I)で示されるスクエアリリ
    ウム顔料を2−クロロエタノールに溶解し、再結晶又は
    再沈澱させることを特徴とするスクエアリリウム顔料の
    精製方法。 [式中、R、R、R及びRは、それぞれ炭素数
    1〜20のアルキル基、置換あるいは未置換のフエニル
    基、又は (式中、Rは水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、
    水酸基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ハロゲン原子、
    ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数1〜4の
    アルコキシカルボニル基又はトリフルオロメチル基を表
    わす)で示されるベンジル基を表わし、R及びR
    は、それぞれ水素原子、水酸基、メチル基、ハロゲン
    原子、トリフルオロメチル基、カルボキシル基、 −NHCOR又は−NHSO(式中、R及び
    は、それぞれ置換基を有してもよいアルキル基又は
    フエニル基)を表わす。]
  2. 【請求項2】スクエアリリウム顔料が下記一般式(II)
    で示されることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記
    載の精製方法。 [式中、R10、R11、R12及びR13はそれぞれメチル
    基、エチル基又は (式中、R16は水素原子、メチル基、水酸基、メトキシ
    基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シア
    ノ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基又
    はトリフルオロメチル基を表わす)で示されるベンジル
    基を表わし、R14及びR15は、それぞれ水素原子、水酸
    基、メチル基又はフッ素原子を表わす。]
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