JPH06212432A - 化学蒸着装置 - Google Patents
化学蒸着装置Info
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- JPH06212432A JPH06212432A JP733893A JP733893A JPH06212432A JP H06212432 A JPH06212432 A JP H06212432A JP 733893 A JP733893 A JP 733893A JP 733893 A JP733893 A JP 733893A JP H06212432 A JPH06212432 A JP H06212432A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】気相中での化学反応によりシリコン基板上に薄
膜を形成する化学蒸着(ＣＶＤ)装置において、高温に加
熱された反応槽内で、成膜される物質から放射する光の
強度を測定することで、形成する薄膜の厚さを測定する
手段を備えたＣＶＤ装置の提供を目的とする。 【構成】本発明によるＣＶＤ装置の主な構成は、加熱炉
１，反応槽３，導波路６，導波路７，放射光検出器８及
び反応ガス供給部９とで構成される。 【効果】本発明に基づいたＣＶＤ装置は高温下で成膜さ
れるＳｉＯ2 ，Ｓｉ3Ｎ4、などの膜厚を反応槽内で測定
可能で、成膜過程を時間を追って管理することができる
ので、成膜工程管理を正確なものにすることができる。
膜を形成する化学蒸着(ＣＶＤ)装置において、高温に加
熱された反応槽内で、成膜される物質から放射する光の
強度を測定することで、形成する薄膜の厚さを測定する
手段を備えたＣＶＤ装置の提供を目的とする。 【構成】本発明によるＣＶＤ装置の主な構成は、加熱炉
１，反応槽３，導波路６，導波路７，放射光検出器８及
び反応ガス供給部９とで構成される。 【効果】本発明に基づいたＣＶＤ装置は高温下で成膜さ
れるＳｉＯ2 ，Ｓｉ3Ｎ4、などの膜厚を反応槽内で測定
可能で、成膜過程を時間を追って管理することができる
ので、成膜工程管理を正確なものにすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気相中での化学反応を
利用した化学蒸着（ＣＶＤ）法によってシリコン（Ｓ
ｉ）基板上に二酸化硅素（ＳｉＯ2 ）や多結晶シリコン
（Ｐ−Ｓｉ）あるいは窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）などの
薄膜を形成する化学蒸着装置であって、半導体製造工程
の単位工程を担う装置の一つで、薄膜を形成する過程で
の、膜の厚さを計測する手段を具備した化学蒸着装置に
関する。
利用した化学蒸着（ＣＶＤ）法によってシリコン（Ｓ
ｉ）基板上に二酸化硅素（ＳｉＯ2 ）や多結晶シリコン
（Ｐ−Ｓｉ）あるいは窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）などの
薄膜を形成する化学蒸着装置であって、半導体製造工程
の単位工程を担う装置の一つで、薄膜を形成する過程で
の、膜の厚さを計測する手段を具備した化学蒸着装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】高度に集積化された半導体素子の製造技
術は、科学分野における現象を応用した微細加工技術で
ある。化学蒸着（ＣＶＤ）法は、シリコン基板上に電気
絶縁膜やゲート材料あるいは電気的な特性を維持するた
めの保護膜を形成する方法である。これらの薄膜を形成
するためのＣＶＤ装置には、大気圧下で反応を行なう常
圧ＣＶＤや減圧ＣＶＤ及びプラズマＣＶＤ装置などがあ
る。半導体製造工程における各種ＣＶＤ装置の原理と役
割については、徳山・橋本編著、ＭＯＳ ＬＳＩ製造技
術（日経マグロウヒル社）及び平野・北沢著、エレクト
ロ材料・日本化学会編（大日本図書）に論じられてい
る。ＣＶＤ装置は、反応槽、反応槽を加熱する炉、反応
ガス供給装置及び反応槽から排気されるガスを無害化す
る排気ガス処理装置とで構成されている。ＣＶＤ装置の
類別は、反応槽内で薄膜を形成する際の反応ガスの圧力
と反応を進行させる手段とによって分類されている。い
ずれのＣＶＤ装置においてもシリコン基板上に薄膜形成
するには、シリコン基板を300℃〜１２００℃に加熱す
る必要がある。この加熱温度は、反応ガスの化学成分の
組合わせと、形成する薄膜の化学成分とによって選択さ
れる。高温下で形成する薄膜の厚さは、素子内での膜の
役割によって異なるが、数十ｎｍから数十μｍまで必要
である。薄膜層の厚さを再現性良く形成するために、反
応槽への反応ガスの供給量、反応槽の圧力及びシリコン
基板温度の管理がなされている。しかし高温下で形成す
る薄膜層の厚さを直接計測している実例は見られない。
本発明は、高温下での薄膜層の厚さを計測し、半導体素
子の性能向上と歩留向上を狙いとしたものである。
術は、科学分野における現象を応用した微細加工技術で
ある。化学蒸着（ＣＶＤ）法は、シリコン基板上に電気
絶縁膜やゲート材料あるいは電気的な特性を維持するた
めの保護膜を形成する方法である。これらの薄膜を形成
するためのＣＶＤ装置には、大気圧下で反応を行なう常
圧ＣＶＤや減圧ＣＶＤ及びプラズマＣＶＤ装置などがあ
る。半導体製造工程における各種ＣＶＤ装置の原理と役
割については、徳山・橋本編著、ＭＯＳ ＬＳＩ製造技
術（日経マグロウヒル社）及び平野・北沢著、エレクト
ロ材料・日本化学会編（大日本図書）に論じられてい
る。ＣＶＤ装置は、反応槽、反応槽を加熱する炉、反応
ガス供給装置及び反応槽から排気されるガスを無害化す
る排気ガス処理装置とで構成されている。ＣＶＤ装置の
類別は、反応槽内で薄膜を形成する際の反応ガスの圧力
と反応を進行させる手段とによって分類されている。い
ずれのＣＶＤ装置においてもシリコン基板上に薄膜形成
するには、シリコン基板を300℃〜１２００℃に加熱す
る必要がある。この加熱温度は、反応ガスの化学成分の
組合わせと、形成する薄膜の化学成分とによって選択さ
れる。高温下で形成する薄膜の厚さは、素子内での膜の
役割によって異なるが、数十ｎｍから数十μｍまで必要
である。薄膜層の厚さを再現性良く形成するために、反
応槽への反応ガスの供給量、反応槽の圧力及びシリコン
基板温度の管理がなされている。しかし高温下で形成す
る薄膜層の厚さを直接計測している実例は見られない。
本発明は、高温下での薄膜層の厚さを計測し、半導体素
子の性能向上と歩留向上を狙いとしたものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＣＶＤ装置は、常圧Ｃ
ＶＤ，減圧ＣＶＤ及びプラズマＣＶＤ装置との３種に区
別され、目的とする膜の物理的あるいは化学的な性質に
よって使い分けられている。いずれのＣＶＤ装置におい
ても、シリコン基板は加熱された状態で、薄膜が形成さ
れる。薄膜が形成する反応は、加熱されたシリコン基板
の表面に、反応ガスが衝突するのが律則として考えられ
ている。したがってシリコン基板は、目的とする薄膜の
化学成分が生成するのに必要温度に加熱される。例えば
常圧ＣＶＤ装置では、反応ガスとして酸素（Ｏ2 ）を用
い、シリコン基板上に二酸化硅素（ＳｉＯ2）膜を形成
するためには、シリコン基板温度を約１１００℃に加熱
する必要がある。また同様に常圧ＣＶＤ装置で、ホスホ
シリケードガラス(ＳｉＯ2・Ｐ2Ｏ5）が形成される温度
は約４００℃である。このような高温下での化学反応に
よって形成される薄膜の膜厚は、反応槽内での計測が困
難で、膜形成後、反応槽外にシリコン基板を取り出し
て、計測されている。したがって、薄膜形成における膜
厚制御は、反応時間と反応ガスの供給量とによって行な
われる。しかし、どのようなＣＶＤ装置であっても、そ
の装置における反応条件は、時間を除いて、反応ガスの
濃度や流量、あるいは温度などの設定において誤差を伴
い、膜厚が変動しやすい。本発明は上記の問題点を消去
するため高温下で膜厚の計測を可能にする検出器を具備
した常圧ＣＶＤ装置を提供するものである。
ＶＤ，減圧ＣＶＤ及びプラズマＣＶＤ装置との３種に区
別され、目的とする膜の物理的あるいは化学的な性質に
よって使い分けられている。いずれのＣＶＤ装置におい
ても、シリコン基板は加熱された状態で、薄膜が形成さ
れる。薄膜が形成する反応は、加熱されたシリコン基板
の表面に、反応ガスが衝突するのが律則として考えられ
ている。したがってシリコン基板は、目的とする薄膜の
化学成分が生成するのに必要温度に加熱される。例えば
常圧ＣＶＤ装置では、反応ガスとして酸素（Ｏ2 ）を用
い、シリコン基板上に二酸化硅素（ＳｉＯ2）膜を形成
するためには、シリコン基板温度を約１１００℃に加熱
する必要がある。また同様に常圧ＣＶＤ装置で、ホスホ
シリケードガラス(ＳｉＯ2・Ｐ2Ｏ5）が形成される温度
は約４００℃である。このような高温下での化学反応に
よって形成される薄膜の膜厚は、反応槽内での計測が困
難で、膜形成後、反応槽外にシリコン基板を取り出し
て、計測されている。したがって、薄膜形成における膜
厚制御は、反応時間と反応ガスの供給量とによって行な
われる。しかし、どのようなＣＶＤ装置であっても、そ
の装置における反応条件は、時間を除いて、反応ガスの
濃度や流量、あるいは温度などの設定において誤差を伴
い、膜厚が変動しやすい。本発明は上記の問題点を消去
するため高温下で膜厚の計測を可能にする検出器を具備
した常圧ＣＶＤ装置を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】加熱された物質は、その
物質特有な赤外線の波長領域を吸収し、同時に吸収した
波長領域と同波長領域の赤外線を放射する。赤外線の波
長領域は、ほぼ２μｍから１４μｍまでの光であり、高
温になるにつれて、熱源から放射される赤外光の波長成
分は相対的に低波長側の光が多くなり強度も強くなる。
物質が吸収または放出する赤外線の波長は、その物質を
構成する原子によって異なり、原子間の結合部位での伸
縮や変角振動に由来するもので、その物質特有のもので
ある。また物質が吸収する光量は、その物質の濃度ある
いは量と関係づけられている。放射光の場合も物質量に
関係している。本発明によるＣＶＤ装置は、反応槽内に
設置されるシリコン基板の円断面に対して垂直方向に導
波路（光ファイバー）を設置した構成になっており、高
温下で形成される薄膜から放射される光の強度を測定し
て、薄膜の厚さを管理することができる。
物質特有な赤外線の波長領域を吸収し、同時に吸収した
波長領域と同波長領域の赤外線を放射する。赤外線の波
長領域は、ほぼ２μｍから１４μｍまでの光であり、高
温になるにつれて、熱源から放射される赤外光の波長成
分は相対的に低波長側の光が多くなり強度も強くなる。
物質が吸収または放出する赤外線の波長は、その物質を
構成する原子によって異なり、原子間の結合部位での伸
縮や変角振動に由来するもので、その物質特有のもので
ある。また物質が吸収する光量は、その物質の濃度ある
いは量と関係づけられている。放射光の場合も物質量に
関係している。本発明によるＣＶＤ装置は、反応槽内に
設置されるシリコン基板の円断面に対して垂直方向に導
波路（光ファイバー）を設置した構成になっており、高
温下で形成される薄膜から放射される光の強度を測定し
て、薄膜の厚さを管理することができる。
【０００５】
【作用】本発明によるＣＶＤ装置は、反応槽、反応槽を
加熱する炉、反応ガス供給部及び反応槽から排気される
ガスを無害化する装置で構成されている。本発明の特徴
は、反応槽に設置された膜厚計測システムにある。この
膜厚計測システムは、加熱されたシリコン基板の表面上
から放射される赤外光を導くための導波路と赤外光の強
度を検出する検出器とで構成されている。加熱された反
応槽内で、シリコン基板上に形成される薄膜の化学成分
は、二酸化硅素(ＳｉＯ2），多結晶シリコン（Ｐ−Ｓ
ｉ），窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）やホスホシリケードガ
ラス（Ｐ2Ｏ5・ＳｉＯ2 ）などである。これらの薄膜成
分は、高温下での気相反応でシリコン基板上に生成す
る。この薄膜形成工程の開始時点では、シリコン基板表
面からの放射赤外光が導波路を通して検出されている。
シリコン基板表面からの放射光はＳｉ−Ｓｉ結合に由来
した６００cm-1近傍の波数である。このシリコン基板上
に、例えばＳｉＯ2膜を形成する場合、ＳｉＯ2膜成長に
伴い、シリコン基板から放出する６００cm-1の光は、徐
々に減衰すると同時にＳｉ−Ｏ結合に由来した1110cm-1
近傍の放射光が強くなる。加熱した物質から放射される
赤外光は、物質特有のものであり、薄膜から放射される
光量（又は強度）を検出することによって、シリコン基
板上に形成される薄膜の厚さを計測できる。高温下で形
成される薄膜の厚さをその場で直接計測することは、技
術的に困難で、まだ確立された方法はない。そのため、
膜の計測は、ＣＶＤ装置で薄膜を形成後、反応槽外に取
り出して行なわれている。この一般的な膜厚の計測法に
は、光の干渉を利用した方法や表面粗さ計などが用いら
れている。現状でのＣＶＤ装置における薄膜の厚さは、
定められた成膜条件下での時間で管理されている。
加熱する炉、反応ガス供給部及び反応槽から排気される
ガスを無害化する装置で構成されている。本発明の特徴
は、反応槽に設置された膜厚計測システムにある。この
膜厚計測システムは、加熱されたシリコン基板の表面上
から放射される赤外光を導くための導波路と赤外光の強
度を検出する検出器とで構成されている。加熱された反
応槽内で、シリコン基板上に形成される薄膜の化学成分
は、二酸化硅素(ＳｉＯ2），多結晶シリコン（Ｐ−Ｓ
ｉ），窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）やホスホシリケードガ
ラス（Ｐ2Ｏ5・ＳｉＯ2 ）などである。これらの薄膜成
分は、高温下での気相反応でシリコン基板上に生成す
る。この薄膜形成工程の開始時点では、シリコン基板表
面からの放射赤外光が導波路を通して検出されている。
シリコン基板表面からの放射光はＳｉ−Ｓｉ結合に由来
した６００cm-1近傍の波数である。このシリコン基板上
に、例えばＳｉＯ2膜を形成する場合、ＳｉＯ2膜成長に
伴い、シリコン基板から放出する６００cm-1の光は、徐
々に減衰すると同時にＳｉ−Ｏ結合に由来した1110cm-1
近傍の放射光が強くなる。加熱した物質から放射される
赤外光は、物質特有のものであり、薄膜から放射される
光量（又は強度）を検出することによって、シリコン基
板上に形成される薄膜の厚さを計測できる。高温下で形
成される薄膜の厚さをその場で直接計測することは、技
術的に困難で、まだ確立された方法はない。そのため、
膜の計測は、ＣＶＤ装置で薄膜を形成後、反応槽外に取
り出して行なわれている。この一般的な膜厚の計測法に
は、光の干渉を利用した方法や表面粗さ計などが用いら
れている。現状でのＣＶＤ装置における薄膜の厚さは、
定められた成膜条件下での時間で管理されている。
【０００６】
【実施例】本発明の有効性について、図１の実施例に基
づいて説明する。図１における実施例でのＣＶＤ装置
は、加熱炉１，発熱体２，反応槽３，反応ガス供給部
９，排気ガス無害化装置１１及び放射光検出器８で構成
されている。図１においてシリコン基板５は、シリコン
カーバイト（ＳｉＣ）製の黒体４に設置され、反応槽の
開閉口１０より出し入れされる。実施例に基づいたＣＶ
Ｄ装置は、装置が稼働している間、反応槽に窒素
（Ｎ2 ）が常時供給されている仕組になっている。成膜
に際して、シリコン基板は黒体４と共に反応槽に設置さ
れるが、この操作に伴う反応槽内への空気の混入は、常
時供給されているＮ2 によって清掃される。加熱炉１
は、シリコン基板を反応槽に設定後、電源部１２より通
電され昇温する。加熱炉の温度は、シリコン基板上に成
膜する膜の化学成分に適した温度に任意に設定できる。
例えば、シリコン基板上に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を
析出させる場合は、温度を４５０℃に設定し、反応ガス
として、モノシランガス（ＳｉＨ4 ）と酸素（Ｏ2）と
を反応槽に供給する。このＳｉＯ2を析出させる工程で
の膜厚は、図１に示した実施例における導波路６及び７
を通して、反射光検出器８によって測定される。すなわ
ちシリコン基板上にＳｉＯ2 の薄膜を形成する際は、ま
ず窒素ガス雰囲気中で４５０℃に加熱されたシリコン基
板上からＳｉ−Ｓｉ結合の熱エネルギーによる振動に由
来した６００cm-1近傍を最大強度とする放射光帯が、導
波路６及び７を通して、放射光検出器８によって測定さ
れる。ＳｉＯ2 薄膜を形成する工程が次の反応ガス（Ｓ
ｉＨ4，Ｏ2）を供給し、ＳｉＯ2 が徐々に析出する段階
から、６００cm-1の放射光は弱まり、Ｓｉ−Ｏの結合に
由来した1100cm-1近傍の放射光がしだいに強く検出され
るようになる。この様子を図２に示す。図２において、
横軸は波数を示し、縦軸は放射光の強度を示す。図２で
の実線で示す放射光強度は、ＳｉＯ2 薄膜を形成する工
程での初期の段階を示し、点線で示す放射光強度は徐々
にＳｉＯ2 がシリコン基板上に析出した状態を示し、二
点破線での放射強度はＳｉＯ2 膜がしだいに厚さを増し
ていることを示す。放射光強度と物質量（膜厚）との関
係は、図３に示す。図３において、横軸は物質量に相当
する析出膜の厚さを示し、縦軸は放射光強度を示す。図
３で、実線は膜厚がある高さまでは、放射強度は厚さに
比例する傾向を示すが、膜の厚さが増すにしたがい、放
射光強度は飽和する。この放射光強度が飽和する傾向
は、膜の内層部分から放射される光が表層部の膜によっ
て自己吸収が起るためと説明されている。しかし、放射
光強度の飽和現象は、他の測定手段によって、あらかじ
め補正しておくことで、実用上この問題を回避すること
ができる。本発明でのＣＶＤ装置は上記したような装置
構成で成り立っており、加熱された反応槽内で、成膜さ
れる膜の厚さをその場で計測が可能である。ここでは、
ＳｉＯ2 の成膜についてのみ説明したが、ＳｉＯ2 の場
合と同様に窒化シリコン膜の形成やホスホシリケートガ
ラス膜の形成の場合も膜厚の測定が可能である。
づいて説明する。図１における実施例でのＣＶＤ装置
は、加熱炉１，発熱体２，反応槽３，反応ガス供給部
９，排気ガス無害化装置１１及び放射光検出器８で構成
されている。図１においてシリコン基板５は、シリコン
カーバイト（ＳｉＣ）製の黒体４に設置され、反応槽の
開閉口１０より出し入れされる。実施例に基づいたＣＶ
Ｄ装置は、装置が稼働している間、反応槽に窒素
（Ｎ2 ）が常時供給されている仕組になっている。成膜
に際して、シリコン基板は黒体４と共に反応槽に設置さ
れるが、この操作に伴う反応槽内への空気の混入は、常
時供給されているＮ2 によって清掃される。加熱炉１
は、シリコン基板を反応槽に設定後、電源部１２より通
電され昇温する。加熱炉の温度は、シリコン基板上に成
膜する膜の化学成分に適した温度に任意に設定できる。
例えば、シリコン基板上に酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）を
析出させる場合は、温度を４５０℃に設定し、反応ガス
として、モノシランガス（ＳｉＨ4 ）と酸素（Ｏ2）と
を反応槽に供給する。このＳｉＯ2を析出させる工程で
の膜厚は、図１に示した実施例における導波路６及び７
を通して、反射光検出器８によって測定される。すなわ
ちシリコン基板上にＳｉＯ2 の薄膜を形成する際は、ま
ず窒素ガス雰囲気中で４５０℃に加熱されたシリコン基
板上からＳｉ−Ｓｉ結合の熱エネルギーによる振動に由
来した６００cm-1近傍を最大強度とする放射光帯が、導
波路６及び７を通して、放射光検出器８によって測定さ
れる。ＳｉＯ2 薄膜を形成する工程が次の反応ガス（Ｓ
ｉＨ4，Ｏ2）を供給し、ＳｉＯ2 が徐々に析出する段階
から、６００cm-1の放射光は弱まり、Ｓｉ−Ｏの結合に
由来した1100cm-1近傍の放射光がしだいに強く検出され
るようになる。この様子を図２に示す。図２において、
横軸は波数を示し、縦軸は放射光の強度を示す。図２で
の実線で示す放射光強度は、ＳｉＯ2 薄膜を形成する工
程での初期の段階を示し、点線で示す放射光強度は徐々
にＳｉＯ2 がシリコン基板上に析出した状態を示し、二
点破線での放射強度はＳｉＯ2 膜がしだいに厚さを増し
ていることを示す。放射光強度と物質量（膜厚）との関
係は、図３に示す。図３において、横軸は物質量に相当
する析出膜の厚さを示し、縦軸は放射光強度を示す。図
３で、実線は膜厚がある高さまでは、放射強度は厚さに
比例する傾向を示すが、膜の厚さが増すにしたがい、放
射光強度は飽和する。この放射光強度が飽和する傾向
は、膜の内層部分から放射される光が表層部の膜によっ
て自己吸収が起るためと説明されている。しかし、放射
光強度の飽和現象は、他の測定手段によって、あらかじ
め補正しておくことで、実用上この問題を回避すること
ができる。本発明でのＣＶＤ装置は上記したような装置
構成で成り立っており、加熱された反応槽内で、成膜さ
れる膜の厚さをその場で計測が可能である。ここでは、
ＳｉＯ2 の成膜についてのみ説明したが、ＳｉＯ2 の場
合と同様に窒化シリコン膜の形成やホスホシリケートガ
ラス膜の形成の場合も膜厚の測定が可能である。
【０００７】
【発明の効果】本発明に基づいたＣＶＤ装置は、高温下
で成膜されるＳｉＯ2 ，Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ2・Ｐ2Ｏ5及
びＳｉＯ2・Ｂ2Ｏ3などの膜厚を、高温に加熱された反
応槽内で測定できる。このことは、成膜過程を逐次追跡
することができ、成膜工程管理をより確かなものにする
効果が得られる。
で成膜されるＳｉＯ2 ，Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ2・Ｐ2Ｏ5及
びＳｉＯ2・Ｂ2Ｏ3などの膜厚を、高温に加熱された反
応槽内で測定できる。このことは、成膜過程を逐次追跡
することができ、成膜工程管理をより確かなものにする
効果が得られる。
【図１】本発明によるＣＶＤ装置の基本構成を示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明によるＣＶＤ装置における成膜時の膜厚
測定に伴う放射光強度の推移を説明する図である。
測定に伴う放射光強度の推移を説明する図である。
【図３】本発明によるＣＶＤ装置で成膜に伴って発生す
る放射光と膜厚との関係を表す図である。
る放射光と膜厚との関係を表す図である。
１…加熱炉、２…発熱体、３…黒体、５…シリコン基
板、６…導波路、７…放射光検出器、９…反応ガス供給
部、１０…反応槽開閉口、１１…排ガス除害装置、１２
…加熱電源。
板、６…導波路、７…放射光検出器、９…反応ガス供給
部、１０…反応槽開閉口、１１…排ガス除害装置、１２
…加熱電源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高堀 栄 茨城県勝田市市毛1040番地 株式会社日立 サイエンスシステムズ内
Claims (1)
- 【請求項１】反応槽と反応槽を加熱するための炉及び反
応槽に気体である化学成分を導入するための導入口とを
備え、気相での化学反応を利用して、膜厚を形成する化
学蒸着装置において、反応槽内で形成される膜厚である
物質から発生する光を、反応槽に付随した導波路を通し
て、反応槽外部に設置した光の強度及び波長を検出する
検出器に導き、反応槽内において薄膜が形成される厚さ
及び速度などの、薄膜に関する物理量を計測できる検出
器を備えたことを特徴とする化学蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP733893A JPH06212432A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | 化学蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP733893A JPH06212432A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | 化学蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06212432A true JPH06212432A (ja) | 1994-08-02 |
Family
ID=11663162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP733893A Pending JPH06212432A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | 化学蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06212432A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163182A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置およびそれに使用可能な膜厚測定装置 |
| JP2009252967A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜被覆装置 |
-
1993
- 1993-01-20 JP JP733893A patent/JPH06212432A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163182A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置およびそれに使用可能な膜厚測定装置 |
| JP2009252967A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保護膜被覆装置 |
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