JPH06213460A - Heating cooker - Google Patents

Heating cooker

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Publication number
JPH06213460A
JPH06213460A JP4251493A JP4251493A JPH06213460A JP H06213460 A JPH06213460 A JP H06213460A JP 4251493 A JP4251493 A JP 4251493A JP 4251493 A JP4251493 A JP 4251493A JP H06213460 A JPH06213460 A JP H06213460A
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JP
Japan
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temperature
sensor
heater
gas
heating
Prior art date
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Pending
Application number
JP4251493A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Aoki
政幸 青木
Yoshitoshi Hirate
慶歳 平手
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH06213460A publication Critical patent/JPH06213460A/en
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 電源投入時にセンサ素子を特性安定温度に加
熱するまでの所要時間を短縮し、加熱室から熱を受けて
もセンサ素子が高温にならないようにする。 【構成】 第1のトランジスタ40のベースに接続した
第1ないし第3のツェナーダイオード42ないし44の
ツェナー電圧を同順に高、中、低に設定する。温度セン
サ12により検出されるセンサ素子14,15の雰囲気
温度が低いとき、第2,第3のトランジスタ45,46
をオフし、或る温度を越えると、第2のトランジスタ4
5をオンし、高温度になると、第3のトランジスタ46
をオンする。これによりヒータ16の印加電圧が、高、
中、低に変化するので、センサ素子14,15を特性安
定温度まで短時間で加熱でき、オーブン調理時に加熱室
から熱を受けても、検出素子14,15がそれ程高温に
ならないようにする。
(57) [Abstract] [Purpose] To shorten the time required to heat the sensor element to the characteristic stable temperature when the power is turned on so that the sensor element does not become high temperature even if it receives heat from the heating chamber. The zener voltages of the first to third zener diodes 42 to 44 connected to the base of the first transistor 40 are set to high, medium and low in the same order. When the ambient temperature of the sensor elements 14, 15 detected by the temperature sensor 12 is low, the second and third transistors 45, 46
Is turned off, and when a certain temperature is exceeded, the second transistor 4
5 is turned on, and when the temperature becomes high, the third transistor 46
Turn on. As a result, the voltage applied to the heater 16 is high,
Since it changes to middle and low, the sensor elements 14 and 15 can be heated to the characteristic stable temperature in a short time, and even if the sensor elements 14 and 15 receive heat from the heating chamber during oven cooking, the detection elements 14 and 15 do not become so high in temperature.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は被調理物から発生する水
蒸気或いはアルコール等のガスを検出するガスセンサを
備えた加熱調理器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heating cooker equipped with a gas sensor for detecting gas such as water vapor or alcohol generated from an object to be cooked.

【0002】[0002]

【従来の技術】加熱調理器、例えば電子レンジでは、被
調理物から発生する水蒸気或いはアルコール等のガスを
検出するガスセンサを設け、このガスセンサの出力に基
づいて調理を制御するようにしたものが実用化されてい
る。
2. Description of the Related Art A heating cooker, for example, a microwave oven, is equipped with a gas sensor for detecting gas such as steam or alcohol generated from an object to be cooked, and cooking is controlled based on the output of the gas sensor. Has been converted.

【0003】この種の電子レンジに使用されるガスセン
サは、ガス濃度に応じた抵抗値を示すセンサ素子と、こ
のセンサ素子を加熱するヒータを備え、ヒータの加熱に
より、センサ素子に付着したガスを発散させるようにし
て常に安定した検出特性が得られるようにしている。
A gas sensor used in this type of microwave oven is provided with a sensor element showing a resistance value according to the gas concentration and a heater for heating the sensor element, and the gas attached to the sensor element is heated by the heater. It is made to diverge so that stable detection characteristics can always be obtained.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、電子レンジ
にあっては、電源プラグが商用電源のコンセントに接続
されると、ガスセンサのヒータが通電されてセンサ素子
を付着ガスの発散に必要な一定温度(特性安定温度;例
えば50℃程度)まで加熱し、以後、ヒータは常時通電
状態となってセンサ素子をその温度に加熱保持する。こ
れにより、ガスセンサはヒータの通電開始に伴う温度上
昇過程での不安定状態から、定温度維持による安定状態
に移行し、加熱調理が何時開始されても、安定した検出
特性を発揮し得る待機状態となる。
By the way, in the microwave oven, when the power plug is connected to the outlet of the commercial power source, the heater of the gas sensor is energized to cause the sensor element to have a constant temperature necessary to diffuse the adhering gas. (Characteristic stable temperature; for example, about 50 ° C.), and thereafter, the heater is always energized to keep the sensor element heated to that temperature. As a result, the gas sensor shifts from an unstable state in the temperature rise process accompanying the start of energization of the heater to a stable state by maintaining a constant temperature, and in a standby state where stable detection characteristics can be exhibited no matter what time cooking starts. Becomes

【0005】しかしながら、ヒータの出力(発熱量)と
しては、待機状態においてセンサ素子を一定温度に維持
できる程度であれば良いので、それ程大きくはない。こ
のため、電源プラグを商用電源のコンセントに接続した
電源投入時にあっては、センサ素子の温度上昇が緩慢
で、センサ素子が一定温度に加熱されるまでの不安定期
間が長くなるという問題があった。
However, the output (heat generation amount) of the heater is not so large because it is sufficient if the sensor element can be maintained at a constant temperature in the standby state. For this reason, when the power is turned on with the power plug connected to a commercial power outlet, the temperature of the sensor element rises slowly, and the unstable period until the sensor element is heated to a constant temperature becomes long. It was

【0006】一方、図12はガスセンサの雰囲気のガス
濃度を変えないで、その雰囲気温度を変化させた場合に
おけるセンサ素子の抵抗変化率を示したものである。同
図から理解されるように、センサ素子は温度が高くなる
と、ガス濃度に変化がなくとも、抵抗値が低下し、ガス
濃度に変化があったと同一の状態を呈する。
On the other hand, FIG. 12 shows the rate of resistance change of the sensor element when the temperature of the atmosphere is changed without changing the gas concentration of the atmosphere of the gas sensor. As can be seen from the figure, when the temperature of the sensor element rises, the resistance value decreases even if there is no change in the gas concentration, and the same state is exhibited as if the gas concentration had changed.

【0007】このため、例えばオーブン機能付きの電子
レンジにあっては、オーブン調理時に、その加熱室内の
高温雰囲気の影響を受けてセンサ素子の温度が上昇する
ようになると、ガスセンサの出力(電圧)とガス濃度と
の相関関係が変化してしまい、正常な調理制御ができな
くなってしまう。
Therefore, for example, in a microwave oven with an oven function, when the temperature of the sensor element rises due to the influence of the high temperature atmosphere in the heating chamber during cooking in the oven, the output (voltage) of the gas sensor The correlation between the gas concentration and the gas concentration changes, and normal cooking control cannot be performed.

【0008】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、電源投入時にセンサ素子が特性安定温
度に達するまでの所要時間を短縮できると共に、例えば
加熱室から熱的影響を受けてもセンサ素子がそれ程高温
にならないようにすることができる加熱調理器を提供す
るにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to shorten the time required for the sensor element to reach the characteristic stable temperature when the power is turned on, and to be thermally influenced by the heating chamber, for example. However, it is an object of the present invention to provide a heating cooker capable of preventing the sensor element from becoming so high in temperature.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明の加熱調理器は、
被調理物から発生する水蒸気或いはアルコール等のガス
を検出するセンサ素子と、このセンサ素子を加熱するた
めのヒータとを有するガスセンサを備えたものにおい
て、前記センサ素子の雰囲気温度を検出し、その検出温
度に基づいて前記ヒータの発熱量を制御する構成とした
ことを特徴とするものである。
The cooking device according to the present invention comprises:
A sensor equipped with a gas sensor having a sensor element for detecting a gas such as water vapor or alcohol generated from an object to be cooked, and a heater for heating the sensor element, detecting the ambient temperature of the sensor element, and detecting the ambient temperature. The heat generation amount of the heater is controlled based on the temperature.

【0010】この場合、前記センサ素子の雰囲気温度を
検出するための温度センサを設け、この温度センサの検
出温度に基づいて前記ヒータの発熱量を制御する制御手
段を設ける構成とすることができる。また、温度に応じ
て抵抗値が変化する抵抗体を前記センサ素子の雰囲気温
度を検出するための温度センサとし、この温度センサ
を、前記ヒータに対し、該ヒータに印加される電圧が温
度センサの抵抗値変化に応じて変化するように接続する
構成としても良い。
In this case, a temperature sensor for detecting the ambient temperature of the sensor element may be provided, and control means for controlling the amount of heat generated by the heater based on the temperature detected by the temperature sensor may be provided. Further, a resistor whose resistance value changes according to temperature is used as a temperature sensor for detecting the ambient temperature of the sensor element, and this temperature sensor is used with respect to the heater when the voltage applied to the heater is The connection may be changed so as to change according to the change in resistance value.

【0011】[0011]

【作用】電源投入時には、ガスセンサの雰囲気温度は低
いため、ヒータの発熱量は大きくなり、センサ素子は短
時間で温度上昇して安定状態となる。また、オーブン調
理時を行う等して、ガスセンサの雰囲気温度が上昇した
場合には、ヒータの発熱量は小さくなり、センサ素子の
温度上昇程度を少なくする。
When the power is turned on, the ambient temperature of the gas sensor is low, so the amount of heat generated by the heater increases, and the temperature of the sensor element rises in a short time to reach a stable state. Further, when the atmospheric temperature of the gas sensor rises, for example, when cooking in an oven, the amount of heat generated by the heater decreases, and the temperature rise of the sensor element is reduced.

【0012】[0012]

【実施例】以下、本発明の第1の実施例をオーブン機能
付き電子レンジに適用して図1ないし図4を参照しなが
ら説明する。図4は電子レンジの概略構成を示すもの
で、同図において、加熱室1には導波管2が接続されて
おり、レンジ調理時には、機械室3内に設けられたマグ
ネトロン4から放射されるマイクロ波が導波管2を通じ
て加熱室1内に供給される。上記マグネトロン4の動作
時には、機械室3内に設けられた冷却ファン5が駆動さ
れ、この冷却ファン5から送風される風によりマグネト
ロン4が冷却されると共に、その風の一部は加熱室1内
に取り入れられて排気ダクト6から外部に排出されるよ
うになっている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 4 by applying it to a microwave oven with an oven function. FIG. 4 shows a schematic configuration of a microwave oven. In FIG. 4, a waveguide 2 is connected to the heating chamber 1 and is radiated from a magnetron 4 provided in a machine chamber 3 during cooking in a microwave oven. Microwaves are supplied into the heating chamber 1 through the waveguide 2. During the operation of the magnetron 4, the cooling fan 5 provided in the machine room 3 is driven, and the wind blown from the cooling fan 5 cools the magnetron 4, and a part of the wind is in the heating chamber 1. It is taken in and is discharged from the exhaust duct 6 to the outside.

【0013】また、加熱室1の後側にはオーブン用ヒー
タ7および循環ファン8が設けられており、オーブン調
理時には、ヒータ7により加熱された空気が循環ファン
8により加熱室1の背面の小孔1a群を通じて循環され
る。なお、加熱室1の底部にはモータ9により回転され
るターンテーブル10が配設されている。
Further, an oven heater 7 and a circulation fan 8 are provided on the rear side of the heating chamber 1, and during heating in the oven, the air heated by the heater 7 is circulated by the circulation fan 8 on the back side of the heating chamber 1. It is circulated through the group of holes 1a. A turntable 10 rotated by a motor 9 is arranged at the bottom of the heating chamber 1.

【0014】上記排気ダクト6内には被調理物から発生
するガス、例えば水蒸気およびアルコールを検出するた
めのガスセンサ11が配設されていると共に、このガス
センサ11の近傍に該ガスセンサ11の雰囲気温度を検
出するためのサーミスタからなる温度センサ12が配設
されている。
A gas sensor 11 for detecting the gas generated from the food, such as water vapor and alcohol, is arranged in the exhaust duct 6, and the ambient temperature of the gas sensor 11 is provided in the vicinity of the gas sensor 11. A temperature sensor 12 including a thermistor for detecting is provided.

【0015】ガスセンサ11は、図3に示すように、セ
ラミックスからなるベース13に水蒸気を検出するセン
サ素子14と、アルコールを検出するセンサ素子15
と、これら両センサ素子14および15を加熱して該セ
ンサ素子14,15に付着したガスを発散させるための
ヒータ16とを実装して構成されている。この実施例で
は、両センサ素子14および15は一体化されて円筒状
に形成され、その内側にヒータ16が設けられている。
そして、それらセンサ素子14,15およびヒータ16
は保護ネット17により覆われている。なお、センサ素
子14および15はそれぞれ水蒸気濃度およびアルコー
ル濃度に応じて抵抗値が変化するものである。
As shown in FIG. 3, the gas sensor 11 has a sensor element 14 for detecting water vapor and a sensor element 15 for detecting alcohol on a base 13 made of ceramics.
And a heater 16 for heating both of these sensor elements 14 and 15 to diffuse gas attached to the sensor elements 14 and 15. In this embodiment, both sensor elements 14 and 15 are integrally formed into a cylindrical shape, and a heater 16 is provided inside thereof.
Then, the sensor elements 14 and 15 and the heater 16
Is covered by a protective net 17. The sensor elements 14 and 15 have resistance values that change according to the water vapor concentration and the alcohol concentration, respectively.

【0016】図1は上記ガスセンサ11に関する制御回
路構成を示すもので、同図において、制御回路18は制
御手段としてのマイクロコンピュータ19を含んで構成
されている。そして、ガスセンサ11の各センサ素子1
4,15の一方の端子は正電源端子+Vccに接続され、
他方の端子は並列接続された複数の抵抗20ないし2
5,26ないし31をそれぞれ介してマイクロコンピュ
ータ19の出力ポートO1 ないしO6 ,O7 ないしO12
に接続されている。上記抵抗20ないし25群,抵抗2
6ないし31群は、センサ素子14,15とで分圧回路
を構成するもので、その共通接続点は抵抗32,33お
よびコンデンサ34,35からなるフィルタ回路を介し
てマイクロコンピュータ19のポートI1 およびI2 に
接続されている。
FIG. 1 shows the configuration of a control circuit relating to the gas sensor 11. In FIG. 1, the control circuit 18 includes a microcomputer 19 as a control means. Then, each sensor element 1 of the gas sensor 11
One of terminals 4 and 15 is connected to the positive power supply terminal + Vcc,
The other terminal has a plurality of resistors 20 to 2 connected in parallel.
Output ports O1 to O6, O7 to O12 of the microcomputer 19 via 5, 26 to 31, respectively.
It is connected to the. The resistors 20 to 25 group, the resistor 2
The groups 6 to 31 constitute a voltage dividing circuit together with the sensor elements 14 and 15, and the common connection point is the port I1 of the microcomputer 19 and the port I1 of the microcomputer 19 via the filter circuit composed of the resistors 32 and 33 and the capacitors 34 and 35. It is connected to I2.

【0017】マイクロコンピュータ19は、調理開始時
点で、ポートO1 ないしO6 ,O7ないしO12を適宜ロ
ーレベルに落として抵抗20ないし25群、抵抗26な
いし31群のうちから、実際に分圧回路を構成する抵抗
を選択し、センサ素子14,15との関係で最適な合成
抵抗値が得られるようにする。すなわち、センサ素子1
4,15は、製品毎に特性が僅かに異なっていると共
に、その使用環境によっても特性が変動するので、これ
を最適な合成抵抗値を選択設定することによって補正す
るようにしているのである。
At the start of cooking, the microcomputer 19 actually drops the ports O1 to O6 and O7 to O12 to a low level to actually form a voltage dividing circuit from the resistors 20 to 25 and the resistors 26 to 31. The resistance to be selected is selected so that the optimum combined resistance value can be obtained in relation to the sensor elements 14 and 15. That is, the sensor element 1
The characteristics of Nos. 4 and 15 are slightly different for each product, and the characteristics also change depending on the environment in which they are used. Therefore, this is corrected by selectively setting an optimum combined resistance value.

【0018】また、温度センサ12の一方の端子は電源
端子+Vccに接続され、他方の端子は抵抗36を介して
アースされている。この抵抗36は温度センサ12とで
分圧回路を構成するもので、その共通接続点は抵抗37
およびコンデンサ38からなるフィルタ回路を介してマ
イクロコンピュータ19の入力ポートI3 に接続されて
いる。
Further, one terminal of the temperature sensor 12 is connected to the power supply terminal + Vcc, and the other terminal is grounded via the resistor 36. The resistor 36 constitutes a voltage dividing circuit together with the temperature sensor 12, and its common connection point is the resistor 37.
It is connected to the input port I3 of the microcomputer 19 through a filter circuit composed of a capacitor 38 and a capacitor 38.

【0019】なお、入力ポートI1 ないしI3 はA/D
コンバータの入力ポートとなっており、各ポートに入力
された電圧信号はデジタル値に変換されてマイクロコン
ピュータ19により信号処理される。
The input ports I1 to I3 are A / D
It serves as an input port of the converter, and the voltage signal input to each port is converted into a digital value and processed by the microcomputer 19.

【0020】一方、ガスセンサ11のヒータ16は、印
加電圧制御回路39を介して電力の供給を受ける。この
印加電圧制御回路39において、第1のトランジスタ4
0のコレクタは正電源端子+V1 に接続され、エミッタ
はヒータ16を介してアースされている。また、第1の
トランジスタ40のベースは、抵抗41を介して正電源
端子+V1 に接続されていると共に、第1ないし第3の
ツェナーダイオード42ないし44のカソードに接続さ
れている。第1のツェナーダイオード42のアノードは
アースされ、第2および第3のツェナーダイオード43
および44のアノードはそれぞれ第2および第3のトラ
ンジスタ45および46のコレクタに接続されている。
そして、第2および第3のトランジスタ45および46
のエミッタはアースされ、ベースはマイクロコンピュー
タ19の出力ポートO13およびO14に接続されている。
On the other hand, the heater 16 of the gas sensor 11 is supplied with electric power via the applied voltage control circuit 39. In the applied voltage control circuit 39, the first transistor 4
The collector of 0 is connected to the positive power supply terminal + V1, and the emitter is grounded via the heater 16. The base of the first transistor 40 is connected to the positive power supply terminal + V1 via the resistor 41 and the cathodes of the first to third Zener diodes 42 to 44. The anode of the first Zener diode 42 is grounded, and the second and third Zener diodes 43 are
The anodes of and 44 are connected to the collectors of the second and third transistors 45 and 46, respectively.
Then, the second and third transistors 45 and 46
Is grounded and the base is connected to the output ports O13 and O14 of the microcomputer 19.

【0021】ここで、上記第1ないし第3のツェナーダ
イオード42ないし44のツェナー電圧は、第1のツェ
ナーダイオード42が最も高く、第3のツェナーダイオ
ード44が最も低く、第2のツェナーダイオード43は
それらの中間に設定されている。そして、第1のトラン
ジスタ40のエミッタ電圧、ひいてはヒータ16の印加
電圧は、第1ないし第3のツェナーダイオード42ない
し44のいずれが機能するかによって、高、中、低の3
段階に制御される。
Here, the Zener voltages of the first to third Zener diodes 42 to 44 are highest in the first Zener diode 42, lowest in the third Zener diode 44, and second Zener diode 43. It is set in the middle of them. Then, the emitter voltage of the first transistor 40, and hence the applied voltage of the heater 16, is set to high, medium, or low depending on which of the first to third Zener diodes 42 to 44 functions.
Controlled in stages.

【0022】すなわち、第1のトランジスタ40のエミ
ッタ電圧は、ベース電圧からベース・エミッタ間の電圧
を差し引いた電圧となる。そして、第2および第3のト
ランジスタ45および46が共にオフしている場合に
は、第1のツェナーダイオード42が機能する状態にな
るので、第1のトランジスタ40のベース電圧は第1の
ツェナーダイオード42のツェナー電圧となり、このと
きのヒータ16の印加電圧は図2の(d)にVH で示す
高電圧となる。第2のトランジスタ45がオンすると、
第2のツェナーダイオード43が機能する状態になるの
で、第1のトランジスタ40のベース電圧は、一段低い
第2のツェナーダイオード43のツェナー電圧となり、
このときのヒータ16の印加電圧は図2の(b)にVM
で示す中程度の標準電圧となり、更に第2および第3の
トランジスタ45および46が共にオンした場合には、
第3のツェナーダイオード44が機能する状態になるの
で、第1のトランジスタ40のベース電圧は第3のツェ
ナーダイオード44のツェナー電圧となり、このときの
ヒータ16の印加電圧は更に低いVL で示す低電圧とな
る。
That is, the emitter voltage of the first transistor 40 is a voltage obtained by subtracting the voltage between the base and the emitter from the base voltage. When the second and third transistors 45 and 46 are both off, the first Zener diode 42 is in a functional state, so that the base voltage of the first transistor 40 is the first Zener diode 42. The zener voltage is 42, and the voltage applied to the heater 16 at this time is a high voltage indicated by VH in FIG. When the second transistor 45 turns on,
Since the second Zener diode 43 becomes functional, the base voltage of the first transistor 40 becomes the Zener voltage of the second Zener diode 43 which is one step lower,
The applied voltage of the heater 16 at this time is VM in FIG.
When the second and third transistors 45 and 46 are both turned on, the voltage becomes a medium standard voltage shown by
Since the third Zener diode 44 is in a functioning state, the base voltage of the first transistor 40 becomes the Zener voltage of the third Zener diode 44, and the voltage applied to the heater 16 at this time is a low voltage indicated by VL. Becomes

【0023】次に上記構成の作用を説明する。今、図2
にt1 で示す時点で電子レンジの図示しない電源プラグ
が商用電源のコンセントに接続されたとする。すると、
電源が投入された状態となり、マイクロコンピュータ1
9は初期化されて所定のプログラムに従って動作を開始
し、一定時間ごとに温度センサ12の検出温度を読み込
んで、これを図2の(a)に示す第1の基準温度T1,
第2の基準温度T2 (T1 <T2 )と比較するようにな
る。また、電源投入により、第1のトランジスタ40が
オンされてガスセンサ11のヒータ16を通電状態にす
る。
Next, the operation of the above configuration will be described. Figure 2 now
It is assumed that the power plug (not shown) of the microwave oven is connected to the outlet of the commercial power source at the time indicated by t1. Then,
The power is turned on and the microcomputer 1
9 is initialized and starts to operate according to a predetermined program, reads the temperature detected by the temperature sensor 12 at regular intervals, and reads the detected temperature from the first reference temperature T1, shown in FIG.
The second reference temperature T2 (T1 <T2) is compared. Further, when the power is turned on, the first transistor 40 is turned on and the heater 16 of the gas sensor 11 is turned on.

【0024】さて、電源投入時はガスセンサ11のヒー
タ16の温度はまだ低いので、温度センサ12の検出温
度は図2の(a)に示すように上記第1の基準温度T1
よりも低く、このときには、マイクロコンピュータ19
はポートO13およびO14をローレベルにして第2および
第3のトランジスタ45および46をオフ状態にする。
このため、第2および第3のツェナーダイオード43お
よび44は機能停止状態にされ、第1のトランジスタ4
0のベース電圧は、第1のツェナーダイオード42のツ
ェナー電圧に保持される。この結果、ヒータ16には、
図2の(d)に示すように高電圧TM が印加されること
となり、ヒータ16は大きな電力の供給を受けて大発熱
量となる。
Since the temperature of the heater 16 of the gas sensor 11 is still low when the power is turned on, the temperature detected by the temperature sensor 12 is the first reference temperature T1 as shown in FIG. 2 (a).
Lower than that of the microcomputer 19
Causes the ports O13 and O14 to go low, turning off the second and third transistors 45 and 46.
Therefore, the second and third Zener diodes 43 and 44 are deactivated and the first transistor 4
The base voltage of 0 is held at the Zener voltage of the first Zener diode 42. As a result, the heater 16 is
As shown in FIG. 2D, the high voltage TM is applied, and the heater 16 receives a large amount of electric power to generate a large amount of heat.

【0025】このように、電源投入時には、ヒータ16
の発熱量が大きいため、センサ素子14,15は強加熱
されて短時間で付着ガスを発散させ得る特性安定温度ま
で加熱され、待機状態となる。
Thus, when the power is turned on, the heater 16
Since the amount of heat generated is large, the sensor elements 14 and 15 are heated strongly to a characteristic stable temperature at which the adhering gas can be released in a short time, and the sensor elements 14 and 15 are in a standby state.

【0026】一方、ヒータ16の発熱により、ガスセン
サ11の雰囲気温度も次第に上昇する。そして、温度セ
ンサ12の検出温度が図2の(a)に示す第1の基準温
度T1 に達すると(この時点を同図にt2 で示す)、マ
イクロコンピュータ19は出力ポートO13をハイレベル
に切り替えて同図の(b)に示すように第2のトランジ
スタ45をオンさせる。すると、第1のツェナーダイオ
ード42に代って第2のツェナーダイオード43が機能
するようになるため、第1のトランジスタ40のベース
電圧は第2のツェナーダイオード43のツェナー電圧と
なる。この結果、ヒータ16には図2の(d)に示すよ
うに中程度の標準電圧VM が印加されることとなり、該
ヒータ16は中程度の発熱量となってセンサ素子14,
15を一定温度に保持し、該センサ素子14,15を安
定状態に保持する。
On the other hand, the heat generated by the heater 16 causes the ambient temperature of the gas sensor 11 to gradually rise. When the temperature detected by the temperature sensor 12 reaches the first reference temperature T1 shown in FIG. 2 (a) (this time is shown by t2), the microcomputer 19 switches the output port O13 to the high level. Then, the second transistor 45 is turned on as shown in FIG. Then, the second Zener diode 43 operates in place of the first Zener diode 42, so that the base voltage of the first transistor 40 becomes the Zener voltage of the second Zener diode 43. As a result, the medium standard voltage VM is applied to the heater 16 as shown in (d) of FIG.
15 is kept at a constant temperature, and the sensor elements 14 and 15 are kept in a stable state.

【0027】さて、センサ素子14,15が特性安定温
度まで加熱されて待機状態となった後、図2にt3 で示
す時点でオーブン調理がスタートしたとする。すると、
加熱室1内がオーブン用ヒータ7および循環ファン8に
より高温度に加熱されるため、その熱的影響がセンサ素
子14,15に及ぶようになる。このようになると、当
然にガスセンサ11の雰囲気温度も上昇し、温度センサ
12の検出温度が第2の基準温度T2 に達すると(この
時点を図2にt4 で示す)、マイクロコンピュータ19
は出力ポートO14をハイレベル状態に切り替えて第3の
トランジスタ46をオンする。すると、第2のツェナー
ダイオード43に代って第3のツェナーダイオード44
が機能するようになるため、第1のトランジスタ40の
ベース電圧は第3のツェナーダイオード44のツェナー
電圧となる。この結果、ヒータ16には図2の(d)に
示すように低電圧VL が印加されることとなり、該ヒー
タ16の発熱量は低下して、加熱室1からの熱的影響が
あっても、センサ素子14,15の温度がそれ程高くな
らないようにする。
Now, suppose that after the sensor elements 14 and 15 are heated to the characteristic stable temperature and are in the standby state, the oven cooking is started at the time indicated by t3 in FIG. Then,
Since the inside of the heating chamber 1 is heated to a high temperature by the heater 7 for the oven and the circulating fan 8, the thermal influence thereof reaches the sensor elements 14 and 15. When this happens, the ambient temperature of the gas sensor 11 naturally rises, and when the temperature detected by the temperature sensor 12 reaches the second reference temperature T2 (this point is shown by t4 in FIG. 2), the microcomputer 19
Switches the output port O14 to the high level state and turns on the third transistor 46. Then, instead of the second Zener diode 43, the third Zener diode 44
Becomes functional, the base voltage of the first transistor 40 becomes the Zener voltage of the third Zener diode 44. As a result, the low voltage VL is applied to the heater 16 as shown in FIG. 2 (d), the amount of heat generated by the heater 16 decreases, and even if there is a thermal influence from the heating chamber 1. The temperature of the sensor elements 14 and 15 should not be so high.

【0028】このように本実施例によれば、ガスセンサ
11の雰囲気温度に応じてヒータ16の発熱量を制御す
るようにしたので、雰囲気温度の低い電源投入時にはヒ
ータ16の発熱量が大きくなり、センサ素子14,15
が安定状態となるまでの所要時間を短縮できる。また、
オーブン調理時にガスセンサ11が加熱室1内の熱的影
響を受けるようになると、ヒータ16の発熱量が低下し
てセンサ素子14,15の温度がそれ程高くならないよ
うにするので、センサ素子14,15の特性が変化する
おそれはなく、マイクロコンピュータ19による調理制
御が正常に行われるようになる。
As described above, according to this embodiment, the heat generation amount of the heater 16 is controlled according to the ambient temperature of the gas sensor 11, so that the heat generation amount of the heater 16 becomes large when the power source is turned on at a low ambient temperature. Sensor element 14, 15
The time required to reach a stable state can be shortened. Also,
When the gas sensor 11 becomes thermally affected in the heating chamber 1 during cooking in the oven, the calorific value of the heater 16 decreases and the temperature of the sensor elements 14 and 15 is prevented from increasing so much. There is no possibility that the characteristics of the above will change, and the cooking control by the microcomputer 19 will be performed normally.

【0029】ちなみに、図2の(e)はマイクロコンピ
ュータ19の入力ポートI1 に入力される一方のセンサ
素子14の検出信号(電圧)の変化を示したもので、実
線が本実施例の場合、破線がヒータ16の印加電圧を電
源投入時から常時中程度の標準電圧VM に設定した場合
を示す。なお、同図でのオーブン調理は加熱室1内に被
調理物を置かず、単にオーブン用ヒータ7および循環用
ファン8によって加熱室1内を高温度に加熱した場合
(空焼き)の例である。
Incidentally, FIG. 2 (e) shows a change in the detection signal (voltage) of one sensor element 14 input to the input port I1 of the microcomputer 19, and the solid line in this embodiment shows The broken line shows the case where the voltage applied to the heater 16 is set to the standard voltage VM which is always medium after the power is turned on. In the case of the oven cooking shown in the figure, an object to be cooked is not placed in the heating chamber 1, but the inside of the heating chamber 1 is simply heated to a high temperature by the heater 7 for the oven and the circulation fan 8 (idling). is there.

【0030】この図2の(e)から明らかなように、ヒ
ータ16に常時標準電圧VM を印加する場合には(従来
に相当)、電源投入時のセンサ素子14,15の温度上
昇が緩慢となることから、その検出特性が安定するまで
に要する時間が長くなり、しかもオーブン調理が開始さ
れると、加熱室1からの熱的影響を受けるため、空焼き
であるにもかかわらず、検出信号が変化し、センサ素子
14,15の特性が変動することが理解される。これに
対し、本実施例では、電源投入時において、センサ素子
14,15が安定状態になるまでに要する時間が短く、
また空焼きの場合でも、検出信号は安定していてセンサ
素子14,15の特性に変動がないことが分かる。
As is apparent from FIG. 2 (e), when the standard voltage VM is constantly applied to the heater 16 (corresponding to the prior art), the temperature rise of the sensor elements 14 and 15 when the power is turned on is slow. Therefore, the time required for the detection characteristics to stabilize becomes longer, and when the oven cooking is started, it is affected by the heat from the heating chamber 1. It is understood that the characteristics of the sensor elements 14 and 15 change due to the change of On the other hand, in this embodiment, when the power is turned on, the time required for the sensor elements 14 and 15 to reach a stable state is short,
Further, it can be seen that the detection signal is stable and the characteristics of the sensor elements 14 and 15 do not change even in the case of baking.

【0031】図5は本発明の第2の実施例を示すもの
で、前記第1の実施例との相違は、温度センサ12をガ
スセンサ11に設けたところにある。具体的には、温度
センサ12をベース13に搭載し、センサ素子14,1
5およびヒータ16と共に保護ネット17により覆った
ものである。このように温度センサ12をガスセンサ1
1に設ければ、よりセンサ素子14,15に近い部分の
温度を検出することができる。
FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention. The difference from the first embodiment is that the temperature sensor 12 is provided in the gas sensor 11. Specifically, the temperature sensor 12 is mounted on the base 13, and the sensor elements 14, 1
5 and the heater 16 are covered with a protective net 17. In this way, the temperature sensor 12 is replaced by the gas sensor 1
If it is provided in No. 1, the temperature of the portion closer to the sensor elements 14 and 15 can be detected.

【0032】図6は本発明の第3の実施例を示すもの
で、前記第1の実施例との相違は、ガスセンサのヒータ
の発熱量制御構成にある。すなわち、同図に示すよう
に、ガスセンサ11のヒータ47は3個の抵抗発熱素子
48ないし50から構成されている。これら抵抗発熱素
子48ないし50の一方の端子は定電圧回路51のトラ
ンジスタ52のエミッタに接続され、他方の端子はそれ
ぞれトランジスタ53ないし55のコレクタに接続され
ている。そして、各トランジスタ53ないし55のエミ
ッタはアースされていると共に、ベースはマイクロコン
ピュータ19の出力ポートO15ないしO17に接続されて
いる。
FIG. 6 shows a third embodiment of the present invention. The difference from the first embodiment is the heat generation control structure of the heater of the gas sensor. That is, as shown in the figure, the heater 47 of the gas sensor 11 is composed of three resistance heating elements 48 to 50. One terminal of these resistance heating elements 48 to 50 is connected to the emitter of the transistor 52 of the constant voltage circuit 51, and the other terminal is connected to the collectors of the transistors 53 to 55, respectively. The emitters of the transistors 53 to 55 are grounded, and the bases are connected to the output ports O15 to O17 of the microcomputer 19.

【0033】一方、上記定電圧回路51において、トラ
ンジスタ52のコレクタは正電源端子+V1 に接続さ
れ、ベースはツェナーダイオード56のカソードに接続
されていると共に正電源端子+V1 に抵抗57を介して
接続されている。なお、ツェナーダイオード56のアノ
ードはアースされている。従って、電源が投入される
と、各抵抗発熱素子48ないし50には、ツェナーダイ
オード56のツェナー電圧からトランジスタ52のベー
ス・エミッタ間の電圧を差し引いた一定の電圧が印加さ
れる。
On the other hand, in the constant voltage circuit 51, the collector of the transistor 52 is connected to the positive power supply terminal + V1, the base is connected to the cathode of the Zener diode 56 and the positive power supply terminal + V1 via the resistor 57. ing. The anode of the Zener diode 56 is grounded. Therefore, when the power is turned on, a constant voltage obtained by subtracting the voltage between the base and emitter of the transistor 52 from the Zener voltage of the Zener diode 56 is applied to each of the resistance heating elements 48 to 50.

【0034】そして、温度センサ12の検出温度が第1
の基準温度T1 以下の場合(電源投入時等)、マイクロ
コンピュータ19は1個の出力ポートO15をハイレベル
にしてトランジスタ53をオンさせ、温度センサ12の
検出温度が第1の基準温度T1 を越えると、出力ポート
O15に加えてポートO16もハイレベルにしてトランジス
タ54もオンさせ、更に温度センサ12の検出温度が第
2の基準温度を越えると(オーブン調理時等)、出力ポ
ートO17もハイレベルにして3個のトランジスタ53な
いし55を全てオンさせる。
The temperature detected by the temperature sensor 12 is the first
When the temperature is lower than the reference temperature T1 of (1) when the power is turned on, the microcomputer 19 sets one output port O15 to the high level to turn on the transistor 53, and the temperature detected by the temperature sensor 12 exceeds the first reference temperature T1. Then, in addition to the output port O15, the port O16 is set to the high level to turn on the transistor 54, and when the temperature detected by the temperature sensor 12 exceeds the second reference temperature (during oven cooking, etc.), the output port O17 is also set to the high level. Then, all the three transistors 53 to 55 are turned on.

【0035】従って、温度センサ12の検出温度によ
り、1個の抵抗発熱素子48のみが通電されたり(大発
熱量)、2個の抵抗発熱素子48および49が通電され
たり(中発熱量)、或いは3個の抵抗発熱素子48ない
し50の全てが通電されたりする状態(小発熱量)が得
られるので、前述した第1の実施例と同様の効果を得る
ことができる。
Therefore, depending on the temperature detected by the temperature sensor 12, only one resistance heating element 48 is energized (large heat generation amount), or two resistance heating elements 48 and 49 are energized (medium heat generation amount). Alternatively, a state in which all of the three resistance heating elements 48 to 50 are energized (small heat generation amount) can be obtained, so that the same effect as that of the first embodiment described above can be obtained.

【0036】図7は本発明の第4の実施例を示すもの
で、第1の実施例との相違はガスセンサの具体的構成に
ある。すなわち、ガスセンサ58のベース59には、セ
ラミックス製の基板60が搭載されている。この基板6
0の上面には、その左右両側に位置して、水蒸気を検出
するセンサ素子61およびアルコールを検出するセンサ
素子62が設けられ、これらセンサ素子61,62の中
間にヒータ63が設けられている。
FIG. 7 shows a fourth embodiment of the present invention. The difference from the first embodiment is the specific construction of the gas sensor. That is, a ceramic substrate 60 is mounted on the base 59 of the gas sensor 58. This board 6
On the upper surface of 0, sensor elements 61 for detecting water vapor and sensor elements 62 for detecting alcohol are provided on the left and right sides thereof, and a heater 63 is provided between these sensor elements 61, 62.

【0037】ここで、上記センサ素子61および62
は、例えば酸化亜鉛を基材としてこれに異なる添加剤を
加えた焼結粉を基板60の上面に周知の印刷手段により
付着させて焼成したものであり、またヒータ63はカー
ボン粉を同じく印刷手段により基板60上に付着させて
その上を剥離防止剤64で覆い焼成したものである。こ
のように構成すれば、両センサ素子61,62をヒータ
63で効率良く加熱でき、またガスセンサ58を全体と
して薄く構成することができる。なお、基板60に温度
センサを実装するようにしても良い。
Here, the sensor elements 61 and 62 are
Is, for example, a sintered powder obtained by adding a different additive to zinc oxide as a base material on the upper surface of the substrate 60 by a known printing means and firing it. The heater 63 uses carbon powder as the printing means. It is adhered onto the substrate 60 by the above method and is covered with a peeling preventive agent 64 and baked. With this configuration, both sensor elements 61 and 62 can be efficiently heated by the heater 63, and the gas sensor 58 can be made thin as a whole. A temperature sensor may be mounted on the board 60.

【0038】センサ素子61,62およびヒータ63を
基板59に印刷手段により設ける場合、本発明の第5の
実施例を示す図8のように、基板65の裏面にヒータ6
3を設け、基板65の上面にセンサ素子61,62を設
けるようにすれば、基板65を幅方向に小形にできるの
で、ガスセンサを更に小形に構成できる。
When the sensor elements 61, 62 and the heater 63 are provided on the substrate 59 by the printing means, the heater 6 is provided on the back surface of the substrate 65 as shown in FIG. 8 showing the fifth embodiment of the present invention.
3 is provided and the sensor elements 61 and 62 are provided on the upper surface of the substrate 65, the substrate 65 can be made small in the width direction, so that the gas sensor can be made even smaller.

【0039】図9および図10は本発明の第6の実施例
を示すもので、前記第1の実施例を示す図1と同一部分
には同一符号を付して異なる部分のみ説明する。この実
施例では、温度センサとして図9に示す抵抗体66が用
いられており、この抵抗体66はセンサ素子14,15
の雰囲気温度を検出するために、図4に示す温度センサ
12と同じ位置に設けられている。
9 and 10 show a sixth embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG. 1 showing the first embodiment are designated by the same reference numerals and only different parts will be described. In this embodiment, the resistor 66 shown in FIG. 9 is used as the temperature sensor, and the resistor 66 is used for the sensor elements 14 and 15.
4 is provided at the same position as the temperature sensor 12 shown in FIG.

【0040】そして、抵抗体66の一端はガスセンサ1
1のヒータ16を直列に介してアースされ、他端は定電
圧回路67に接続されている。なお、定電圧回路67は
図6に示された前記第3の実施例における低電圧回路5
1と同一構成であるので、その構成部分については図6
と同一符号を付して詳細な説明を省略する。かかる抵抗
体66は、温度が高くなると抵抗値が高くなる正の温度
特性を有するもので、例えばニッケルにより形成されて
いる。
One end of the resistor 66 is connected to the gas sensor 1
The first heater 16 is grounded in series, and the other end is connected to the constant voltage circuit 67. The constant voltage circuit 67 is the low voltage circuit 5 in the third embodiment shown in FIG.
6 has the same configuration as that of FIG.
The same reference numeral is given to omit detailed description. The resistor 66 has a positive temperature characteristic that the resistance value increases as the temperature rises, and is made of nickel, for example.

【0041】この抵抗体66の温度係数は6900×1
−6程度で、例えばニクロム製のヒータ16の抵抗の
温度係数は20×10−6程度である。そして、このヒ
ータ16との大なる温度係数の相違により、抵抗体66
の抵抗値は、常温ではヒータ16の抵抗値よりも大幅に
小さく、ガスセンサ11がヒータ16により加熱されて
特性安定温度になった状態ではヒータ16の抵抗値と略
同等となり、オーブン調理の熱的影響を受けて高温にな
った状態ではヒータ16の抵抗値より大幅に大きくなる
ように構成されている。
The temperature coefficient of the resistor 66 is 6900 × 1.
At about 0 -6, for example, a temperature coefficient of resistance of the nichrome heater made of 16 is about 20 × 10 -6. Due to the large difference in temperature coefficient from the heater 16, the resistor 66
The resistance value of is substantially smaller than the resistance value of the heater 16 at room temperature, and is substantially the same as the resistance value of the heater 16 when the gas sensor 11 is heated by the heater 16 and reaches a characteristic stable temperature. The resistance value of the heater 16 is significantly larger than the resistance value of the heater 16 when the temperature is high due to the influence.

【0042】このように構成した本実施例において、図
10にt1 で示す時点で電子レンジの電源プラグがコン
セントに差し込まれ、電源投入状態になったとする。こ
のときには、抵抗体66の抵抗値は図10(b)に示す
ようにヒータ16の抵抗値よりも小さいので、図10
(c)に示すようにヒータ16に印加される電圧は高く
り、従ってヒータ16は大きな電力の供給を受けて大発
熱量となり、ガスセンサ11の温度は図10(a)に示
すように速やかに特性安定温度まで上昇する。
In this embodiment thus constructed, it is assumed that the power plug of the microwave oven is plugged into the outlet at the time t1 in FIG. 10 and the power is turned on. At this time, the resistance value of the resistor 66 is smaller than the resistance value of the heater 16 as shown in FIG.
As shown in (c), the voltage applied to the heater 16 is high, so that the heater 16 is supplied with a large amount of electric power to generate a large amount of heat and the temperature of the gas sensor 11 rapidly increases as shown in FIG. The temperature rises to the characteristic stable temperature.

【0043】ガスセンサ11が特性安定温度まで加熱さ
れると(この時点を図10にt2 で示す)、抵抗体66
の抵抗値はヒータ16の抵抗値と略等しくなるため、ヒ
ータ16の印加電圧は中程度となり、ヒータ16の発熱
量も中程度となってガスセンサ11が特性安定温度に維
持されるようになる。
When the gas sensor 11 is heated to the characteristic stable temperature (this time is indicated by t2 in FIG. 10), the resistor 66
Since the resistance value of is substantially equal to the resistance value of the heater 16, the voltage applied to the heater 16 is medium, the amount of heat generated by the heater 16 is medium, and the gas sensor 11 is maintained at the characteristic stable temperature.

【0044】図10にt3 で示す時点でオーブン調理が
スタートしたとする。すると、ガスセンサ11の雰囲気
温度が上昇するため、抵抗体66の抵抗値がヒータ16
の抵抗値より大幅に上昇する。すると、ヒータ16の印
加電圧が低くなり、ヒータ16の発熱量も小さくなって
ガスセンサ11の温度がそれ程高くならないようにす
る。
It is assumed that the oven cooking is started at the time indicated by t3 in FIG. Then, the ambient temperature of the gas sensor 11 rises, so that the resistance value of the resistor 66 changes to the heater 16
Significantly higher than the resistance value of. Then, the applied voltage of the heater 16 becomes low, the heat generation amount of the heater 16 becomes small, and the temperature of the gas sensor 11 is prevented from rising so much.

【0045】図10(d)は図2(e)と同様にマイク
ロコンピュータ19に入力されるセンサ素子14の検出
信号の変化を示したもので、実線が本実施例の場合、破
線がヒータ16の印加電圧を電源投入時から常時中程度
の標準電圧、すなわち図10(c)に示すヒータ16の
印加電圧のうち、時点t2 からt3 までの間の印加電圧
に相当する電圧に設定した場合を示す。この図10から
明らかなように、本実施例のように構成しても、電源投
入時にはセンサ素子14,15が特性安定状態になるの
までの所要時間が短く、またオーブン調理等が行われた
場合にはセンサ素子14,15の温度がそれ程上昇しな
いようにすることができる。
FIG. 10 (d) shows changes in the detection signal of the sensor element 14 input to the microcomputer 19, as in FIG. 2 (e). In the case of the present embodiment, the solid line shows the heater 16 and the broken line shows it. The applied voltage of is set to a standard voltage which is always medium after the power is turned on, that is, a voltage corresponding to the applied voltage from time t2 to time t3 among the applied voltages of the heater 16 shown in FIG. Show. As is apparent from FIG. 10, even with the configuration of the present embodiment, the time required for the sensor elements 14 and 15 to reach a stable characteristic state when the power is turned on is short, and oven cooking or the like is performed. In this case, the temperature of the sensor elements 14 and 15 can be prevented from rising so much.

【0046】図11は本発明の第7の実施例を示すもの
で、前記第6の実施例との相違は、温度センサとして用
いられる抵抗体68を負の温度特性を有する低抗体とし
たところにある。そして、この実施例では、抵抗体68
はヒータ16と並列に接続され、このヒータ16と抵抗
体68との並列回路の一端は抵抗69を介して定電圧回
路67に接続され、他端はアースされている。
FIG. 11 shows a seventh embodiment of the present invention. The difference from the sixth embodiment is that the resistor 68 used as a temperature sensor is a low antibody having a negative temperature characteristic. It is in. In this embodiment, the resistor 68
Is connected in parallel to the heater 16, one end of a parallel circuit of the heater 16 and the resistor 68 is connected to the constant voltage circuit 67 via the resistor 69, and the other end is grounded.

【0047】このように構成した場合には、ガスセンサ
11の雰囲気温度が上昇するにつれて、ヒータ16、抵
抗体68の並列回路の合成抵抗値が高くなるため、該並
列回路に印加される電圧(ヒータ16の印加電圧)はガ
スセンサ11の雰囲気温度の上昇につれて次第に低くな
る。このため、ヒータ16は、電源投入時には高い印加
電圧を受けて高発熱状態となり、ガスセンサ11が特性
安定温度に上昇すると中程度の印加電圧を受けて中発熱
状態となり、オーブン調理等が行われると印加電圧が低
くなって低発熱状態となる。従って、本実施例のように
構成しても、前記第6の実施例と同様の効果を得ること
ができる。
In such a configuration, as the ambient temperature of the gas sensor 11 rises, the combined resistance value of the parallel circuit of the heater 16 and the resistor 68 increases, so the voltage applied to the parallel circuit (heater). 16 applied voltage) becomes gradually lower as the ambient temperature of the gas sensor 11 rises. For this reason, the heater 16 receives a high applied voltage when the power is turned on and is in a high heat generation state, and when the gas sensor 11 rises to a characteristic stable temperature, it receives a medium applied voltage and is in a medium heat generation state, and when oven cooking or the like is performed. The applied voltage is lowered and the heat generation is low. Therefore, even if it is configured as in the present embodiment, it is possible to obtain the same effect as that of the sixth embodiment.

【0048】なお、前記第6および第7の実施例におい
て、抵抗体66,68は図5に示す温度センサ12と同
様にガスセンサ11に設けるようにしても良いし、ガス
センサとしては図7および図8に示す構成のものを使用
しても良い。
In the sixth and seventh embodiments, the resistors 66 and 68 may be provided in the gas sensor 11 as in the temperature sensor 12 shown in FIG. 5, and the gas sensors shown in FIGS. You may use the thing of the structure shown in FIG.

【0049】その他、本発明は上記し且つ図面に示す実
施例に限定されるものではなく、例えばガスセンサはセ
ンサ素子を1個だけ備えて1種類のガスを検出するもの
であっても良く、またガスセンサのヒータの発熱量制御
方式としては、デューティ比制御、PWM制御など他に
種々考えられる。更には、本発明は電子レンジのガスセ
ンサに限られず、加熱調理器一般のガスセンサに広く適
用できる等、要旨を逸脱しない範囲で種々変更して実施
できるものである。
Besides, the present invention is not limited to the embodiments described above and shown in the drawings. For example, a gas sensor may be provided with only one sensor element to detect one kind of gas, and There are various conceivable methods for controlling the heat generation amount of the heater of the gas sensor, such as duty ratio control and PWM control. Furthermore, the present invention is not limited to gas sensors for microwave ovens, but can be widely applied to gas sensors for general heating cookers, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、セ
ンサ素子の雰囲気温度を検出し、その検出温度に基づい
てセンサ素子を加熱するヒータの発熱量を制御する構成
としたことにより、電源投入時にはヒータの発熱量を多
くしてガスセンサが特性安定温度に達するまでの時間を
短くすることができると共に、オーブン調理等が行われ
た場合には、ヒータの発熱量を小さくしてセンサ素子が
それ程温度上昇しないようにして安定した検出特性を発
揮させることができるという優れた効果を奏するもので
ある。
As described above, according to the present invention, the ambient temperature of the sensor element is detected, and the heat generation amount of the heater for heating the sensor element is controlled based on the detected temperature. When the heater is turned on, the amount of heat generated by the heater can be increased to shorten the time required for the gas sensor to reach the characteristic stable temperature, and when cooking in an oven, the amount of heat generated by the heater can be reduced to reduce the sensor element. This has an excellent effect that stable detection characteristics can be exhibited without increasing the temperature so much.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す制御回路構成図FIG. 1 is a control circuit configuration diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】電源投入後の各部の信号発生状態を示す図FIG. 2 is a diagram showing a signal generation state of each unit after power is turned on.

【図3】一部破断して示すガスセンサの斜視図FIG. 3 is a perspective view of the gas sensor shown partially broken away.

【図4】電子レンジの概略構成を示す縦断正面図FIG. 4 is a vertical sectional front view showing a schematic configuration of a microwave oven.

【図5】本発明の第2の実施例を示す図3相当図FIG. 5 is a view corresponding to FIG. 3 showing a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3の実施例を示す要部の回路構成図FIG. 6 is a circuit configuration diagram of a main part showing a third embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第4の実施例を示すガスセンサの斜視
FIG. 7 is a perspective view of a gas sensor showing a fourth embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第5の実施例を示すガスセンサの要部
の斜視図
FIG. 8 is a perspective view of a main part of a gas sensor showing a fifth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第6の実施例を示す要部の回路構成図FIG. 9 is a circuit configuration diagram of essential parts showing a sixth embodiment of the present invention.

【図10】図2相当図FIG. 10 is a view corresponding to FIG.

【図11】本発明の第7の実施例を示す要部の回路構成
FIG. 11 is a circuit configuration diagram of a main part showing a seventh embodiment of the present invention.

【図12】従来のガスセンサの欠点を説明するための特
性図
FIG. 12 is a characteristic diagram for explaining a defect of a conventional gas sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1は加熱室、11はガスセンサ、12は温度センサ、1
4,15はセンサ素子、16はヒータ、18は制御回
路、19はマイクロコンピュータ(制御手段)、39は
印加電圧制御回路、47はヒータ、48ないし50は抵
抗発熱素子、51は定電圧回路、58はガスセンサ、6
0は基板、61,62はセンサ素子、63はヒータ、6
5は基板、66,68は低抗体(温度センサ)である。
1 is a heating chamber, 11 is a gas sensor, 12 is a temperature sensor, 1
Reference numerals 4 and 15 are sensor elements, 16 is a heater, 18 is a control circuit, 19 is a microcomputer (control means), 39 is an applied voltage control circuit, 47 is a heater, 48 to 50 are resistance heating elements, 51 is a constant voltage circuit, 58 is a gas sensor, 6
0 is a substrate, 61 and 62 are sensor elements, 63 is a heater, 6
Reference numeral 5 is a substrate, and 66 and 68 are low antibodies (temperature sensors).

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被調理物から発生する水蒸気或いはアル
コール等のガスを検出するセンサ素子と、このセンサ素
子を加熱するためのヒータとを有するガスセンサを備え
たものにおいて、前記センサ素子の雰囲気温度を検出
し、その検出温度に基づいて前記ヒータの発熱量を制御
する構成としたことを特徴とする加熱調理器。
1. A gas sensor having a sensor element for detecting a gas such as water vapor or alcohol generated from an object to be cooked, and a heater for heating the sensor element. A heating cooker characterized by being configured to detect and control the amount of heat generated by the heater based on the detected temperature.
【請求項2】 被調理物から発生する水蒸気或いはアル
コール等のガスを検出するセンサ素子と、このセンサ素
子を加熱するためのヒータとを有するガスセンサを備え
たものにおいて、前記センサ素子の雰囲気温度を検出す
るための温度センサと、この温度センサの検出温度に基
づいて前記ヒータの発熱量を制御する制御手段とを設け
たことを特徴とする加熱調理器。
2. A gas sensor having a sensor element for detecting a gas such as water vapor or alcohol generated from an object to be cooked and a heater for heating the sensor element, wherein the ambient temperature of the sensor element is A heating cooker comprising a temperature sensor for detecting and a control means for controlling the amount of heat generated by the heater based on the temperature detected by the temperature sensor.
【請求項3】 ヒータは複数の抵抗発熱素子から構成さ
れ、制御手段は通電する抵抗発熱素子を選択することに
より、ヒータの発熱量を制御する構成であることを特徴
とする請求項2記載の加熱調理器。
3. The heater according to claim 2, wherein the heater comprises a plurality of resistance heating elements, and the control means controls the heating value of the heater by selecting a resistance heating element to be energized. Heating cooker.
【請求項4】 被調理物から発生する水蒸気或いはアル
コール等のガスを検出するセンサ素子と、このセンサ素
子を加熱するためのヒータとを有するガスセンサを備え
たものにおいて、温度に応じて抵抗値が変化する抵抗体
を前記センサ素子の雰囲気温度を検出するための温度セ
ンサとし、この温度センサを、前記ヒータに対し、該ヒ
ータに印加される電圧が温度センサの抵抗値変化に応じ
て変化するように接続したことを特徴とする加熱調理
器。
4. A gas sensor having a sensor element for detecting a gas such as water vapor or alcohol generated from an object to be cooked and a heater for heating the sensor element, wherein a resistance value changes depending on temperature. The changing resistor is used as a temperature sensor for detecting the ambient temperature of the sensor element, and this temperature sensor is used for the heater so that the voltage applied to the heater changes according to the change in the resistance value of the temperature sensor. A cooker characterized by being connected to.
【請求項5】 温度センサは、ガスセンサに設けられて
いることを特徴とする請求項2ないし4のいずれかに記
載の加熱調理器。
5. The cooking device according to claim 2, wherein the temperature sensor is provided on the gas sensor.
【請求項6】 ガスセンサは、それぞれ異なるガスを検
出するための複数のセンサ素子と、このセンサ素子を加
熱するヒータとを、1個の基板に印刷手段により設けて
構成されていることを特徴とする請求項1ないし5のい
ずれかに記載の加熱調理器。
6. The gas sensor is characterized in that a plurality of sensor elements for detecting different gases and a heater for heating the sensor elements are provided on one substrate by a printing means. The cooking device according to any one of claims 1 to 5.
JP4251493A 1992-11-25 1993-03-03 Heating cooker Pending JPH06213460A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31478792 1992-11-25
JP4-314787 1992-11-25
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