JPH06213460A - 加熱調理器 - Google Patents
加熱調理器Info
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- JPH06213460A JPH06213460A JP4251493A JP4251493A JPH06213460A JP H06213460 A JPH06213460 A JP H06213460A JP 4251493 A JP4251493 A JP 4251493A JP 4251493 A JP4251493 A JP 4251493A JP H06213460 A JPH06213460 A JP H06213460A
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- temperature
- sensor
- heater
- gas
- heating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電源投入時にセンサ素子を特性安定温度に加
熱するまでの所要時間を短縮し、加熱室から熱を受けて
もセンサ素子が高温にならないようにする。 【構成】 第1のトランジスタ40のベースに接続した
第1ないし第3のツェナーダイオード42ないし44の
ツェナー電圧を同順に高、中、低に設定する。温度セン
サ12により検出されるセンサ素子14,15の雰囲気
温度が低いとき、第2,第3のトランジスタ45,46
をオフし、或る温度を越えると、第2のトランジスタ4
5をオンし、高温度になると、第3のトランジスタ46
をオンする。これによりヒータ16の印加電圧が、高、
中、低に変化するので、センサ素子14,15を特性安
定温度まで短時間で加熱でき、オーブン調理時に加熱室
から熱を受けても、検出素子14,15がそれ程高温に
ならないようにする。
熱するまでの所要時間を短縮し、加熱室から熱を受けて
もセンサ素子が高温にならないようにする。 【構成】 第1のトランジスタ40のベースに接続した
第1ないし第3のツェナーダイオード42ないし44の
ツェナー電圧を同順に高、中、低に設定する。温度セン
サ12により検出されるセンサ素子14,15の雰囲気
温度が低いとき、第2,第3のトランジスタ45,46
をオフし、或る温度を越えると、第2のトランジスタ4
5をオンし、高温度になると、第3のトランジスタ46
をオンする。これによりヒータ16の印加電圧が、高、
中、低に変化するので、センサ素子14,15を特性安
定温度まで短時間で加熱でき、オーブン調理時に加熱室
から熱を受けても、検出素子14,15がそれ程高温に
ならないようにする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は被調理物から発生する水
蒸気或いはアルコール等のガスを検出するガスセンサを
備えた加熱調理器に関する。
蒸気或いはアルコール等のガスを検出するガスセンサを
備えた加熱調理器に関する。
【0002】
【従来の技術】加熱調理器、例えば電子レンジでは、被
調理物から発生する水蒸気或いはアルコール等のガスを
検出するガスセンサを設け、このガスセンサの出力に基
づいて調理を制御するようにしたものが実用化されてい
る。
調理物から発生する水蒸気或いはアルコール等のガスを
検出するガスセンサを設け、このガスセンサの出力に基
づいて調理を制御するようにしたものが実用化されてい
る。
【0003】この種の電子レンジに使用されるガスセン
サは、ガス濃度に応じた抵抗値を示すセンサ素子と、こ
のセンサ素子を加熱するヒータを備え、ヒータの加熱に
より、センサ素子に付着したガスを発散させるようにし
て常に安定した検出特性が得られるようにしている。
サは、ガス濃度に応じた抵抗値を示すセンサ素子と、こ
のセンサ素子を加熱するヒータを備え、ヒータの加熱に
より、センサ素子に付着したガスを発散させるようにし
て常に安定した検出特性が得られるようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電子レンジ
にあっては、電源プラグが商用電源のコンセントに接続
されると、ガスセンサのヒータが通電されてセンサ素子
を付着ガスの発散に必要な一定温度(特性安定温度;例
えば50℃程度)まで加熱し、以後、ヒータは常時通電
状態となってセンサ素子をその温度に加熱保持する。こ
れにより、ガスセンサはヒータの通電開始に伴う温度上
昇過程での不安定状態から、定温度維持による安定状態
に移行し、加熱調理が何時開始されても、安定した検出
特性を発揮し得る待機状態となる。
にあっては、電源プラグが商用電源のコンセントに接続
されると、ガスセンサのヒータが通電されてセンサ素子
を付着ガスの発散に必要な一定温度(特性安定温度;例
えば50℃程度)まで加熱し、以後、ヒータは常時通電
状態となってセンサ素子をその温度に加熱保持する。こ
れにより、ガスセンサはヒータの通電開始に伴う温度上
昇過程での不安定状態から、定温度維持による安定状態
に移行し、加熱調理が何時開始されても、安定した検出
特性を発揮し得る待機状態となる。
【0005】しかしながら、ヒータの出力(発熱量)と
しては、待機状態においてセンサ素子を一定温度に維持
できる程度であれば良いので、それ程大きくはない。こ
のため、電源プラグを商用電源のコンセントに接続した
電源投入時にあっては、センサ素子の温度上昇が緩慢
で、センサ素子が一定温度に加熱されるまでの不安定期
間が長くなるという問題があった。
しては、待機状態においてセンサ素子を一定温度に維持
できる程度であれば良いので、それ程大きくはない。こ
のため、電源プラグを商用電源のコンセントに接続した
電源投入時にあっては、センサ素子の温度上昇が緩慢
で、センサ素子が一定温度に加熱されるまでの不安定期
間が長くなるという問題があった。
【0006】一方、図12はガスセンサの雰囲気のガス
濃度を変えないで、その雰囲気温度を変化させた場合に
おけるセンサ素子の抵抗変化率を示したものである。同
図から理解されるように、センサ素子は温度が高くなる
と、ガス濃度に変化がなくとも、抵抗値が低下し、ガス
濃度に変化があったと同一の状態を呈する。
濃度を変えないで、その雰囲気温度を変化させた場合に
おけるセンサ素子の抵抗変化率を示したものである。同
図から理解されるように、センサ素子は温度が高くなる
と、ガス濃度に変化がなくとも、抵抗値が低下し、ガス
濃度に変化があったと同一の状態を呈する。
【0007】このため、例えばオーブン機能付きの電子
レンジにあっては、オーブン調理時に、その加熱室内の
高温雰囲気の影響を受けてセンサ素子の温度が上昇する
ようになると、ガスセンサの出力(電圧)とガス濃度と
の相関関係が変化してしまい、正常な調理制御ができな
くなってしまう。
レンジにあっては、オーブン調理時に、その加熱室内の
高温雰囲気の影響を受けてセンサ素子の温度が上昇する
ようになると、ガスセンサの出力(電圧)とガス濃度と
の相関関係が変化してしまい、正常な調理制御ができな
くなってしまう。
【0008】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、電源投入時にセンサ素子が特性安定温
度に達するまでの所要時間を短縮できると共に、例えば
加熱室から熱的影響を受けてもセンサ素子がそれ程高温
にならないようにすることができる加熱調理器を提供す
るにある。
で、その目的は、電源投入時にセンサ素子が特性安定温
度に達するまでの所要時間を短縮できると共に、例えば
加熱室から熱的影響を受けてもセンサ素子がそれ程高温
にならないようにすることができる加熱調理器を提供す
るにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の加熱調理器は、
被調理物から発生する水蒸気或いはアルコール等のガス
を検出するセンサ素子と、このセンサ素子を加熱するた
めのヒータとを有するガスセンサを備えたものにおい
て、前記センサ素子の雰囲気温度を検出し、その検出温
度に基づいて前記ヒータの発熱量を制御する構成とした
ことを特徴とするものである。
被調理物から発生する水蒸気或いはアルコール等のガス
を検出するセンサ素子と、このセンサ素子を加熱するた
めのヒータとを有するガスセンサを備えたものにおい
て、前記センサ素子の雰囲気温度を検出し、その検出温
度に基づいて前記ヒータの発熱量を制御する構成とした
ことを特徴とするものである。
【0010】この場合、前記センサ素子の雰囲気温度を
検出するための温度センサを設け、この温度センサの検
出温度に基づいて前記ヒータの発熱量を制御する制御手
段を設ける構成とすることができる。また、温度に応じ
て抵抗値が変化する抵抗体を前記センサ素子の雰囲気温
度を検出するための温度センサとし、この温度センサ
を、前記ヒータに対し、該ヒータに印加される電圧が温
度センサの抵抗値変化に応じて変化するように接続する
構成としても良い。
検出するための温度センサを設け、この温度センサの検
出温度に基づいて前記ヒータの発熱量を制御する制御手
段を設ける構成とすることができる。また、温度に応じ
て抵抗値が変化する抵抗体を前記センサ素子の雰囲気温
度を検出するための温度センサとし、この温度センサ
を、前記ヒータに対し、該ヒータに印加される電圧が温
度センサの抵抗値変化に応じて変化するように接続する
構成としても良い。
【0011】
【作用】電源投入時には、ガスセンサの雰囲気温度は低
いため、ヒータの発熱量は大きくなり、センサ素子は短
時間で温度上昇して安定状態となる。また、オーブン調
理時を行う等して、ガスセンサの雰囲気温度が上昇した
場合には、ヒータの発熱量は小さくなり、センサ素子の
温度上昇程度を少なくする。
いため、ヒータの発熱量は大きくなり、センサ素子は短
時間で温度上昇して安定状態となる。また、オーブン調
理時を行う等して、ガスセンサの雰囲気温度が上昇した
場合には、ヒータの発熱量は小さくなり、センサ素子の
温度上昇程度を少なくする。
【0012】
【実施例】以下、本発明の第1の実施例をオーブン機能
付き電子レンジに適用して図1ないし図4を参照しなが
ら説明する。図4は電子レンジの概略構成を示すもの
で、同図において、加熱室1には導波管2が接続されて
おり、レンジ調理時には、機械室3内に設けられたマグ
ネトロン4から放射されるマイクロ波が導波管2を通じ
て加熱室1内に供給される。上記マグネトロン4の動作
時には、機械室3内に設けられた冷却ファン5が駆動さ
れ、この冷却ファン5から送風される風によりマグネト
ロン4が冷却されると共に、その風の一部は加熱室1内
に取り入れられて排気ダクト6から外部に排出されるよ
うになっている。
付き電子レンジに適用して図1ないし図4を参照しなが
ら説明する。図4は電子レンジの概略構成を示すもの
で、同図において、加熱室1には導波管2が接続されて
おり、レンジ調理時には、機械室3内に設けられたマグ
ネトロン4から放射されるマイクロ波が導波管2を通じ
て加熱室1内に供給される。上記マグネトロン4の動作
時には、機械室3内に設けられた冷却ファン5が駆動さ
れ、この冷却ファン5から送風される風によりマグネト
ロン4が冷却されると共に、その風の一部は加熱室1内
に取り入れられて排気ダクト6から外部に排出されるよ
うになっている。
【0013】また、加熱室1の後側にはオーブン用ヒー
タ7および循環ファン8が設けられており、オーブン調
理時には、ヒータ7により加熱された空気が循環ファン
8により加熱室1の背面の小孔1a群を通じて循環され
る。なお、加熱室1の底部にはモータ9により回転され
るターンテーブル10が配設されている。
タ7および循環ファン8が設けられており、オーブン調
理時には、ヒータ7により加熱された空気が循環ファン
8により加熱室1の背面の小孔1a群を通じて循環され
る。なお、加熱室1の底部にはモータ9により回転され
るターンテーブル10が配設されている。
【0014】上記排気ダクト6内には被調理物から発生
するガス、例えば水蒸気およびアルコールを検出するた
めのガスセンサ11が配設されていると共に、このガス
センサ11の近傍に該ガスセンサ11の雰囲気温度を検
出するためのサーミスタからなる温度センサ12が配設
されている。
するガス、例えば水蒸気およびアルコールを検出するた
めのガスセンサ11が配設されていると共に、このガス
センサ11の近傍に該ガスセンサ11の雰囲気温度を検
出するためのサーミスタからなる温度センサ12が配設
されている。
【0015】ガスセンサ11は、図3に示すように、セ
ラミックスからなるベース13に水蒸気を検出するセン
サ素子14と、アルコールを検出するセンサ素子15
と、これら両センサ素子14および15を加熱して該セ
ンサ素子14,15に付着したガスを発散させるための
ヒータ16とを実装して構成されている。この実施例で
は、両センサ素子14および15は一体化されて円筒状
に形成され、その内側にヒータ16が設けられている。
そして、それらセンサ素子14,15およびヒータ16
は保護ネット17により覆われている。なお、センサ素
子14および15はそれぞれ水蒸気濃度およびアルコー
ル濃度に応じて抵抗値が変化するものである。
ラミックスからなるベース13に水蒸気を検出するセン
サ素子14と、アルコールを検出するセンサ素子15
と、これら両センサ素子14および15を加熱して該セ
ンサ素子14,15に付着したガスを発散させるための
ヒータ16とを実装して構成されている。この実施例で
は、両センサ素子14および15は一体化されて円筒状
に形成され、その内側にヒータ16が設けられている。
そして、それらセンサ素子14,15およびヒータ16
は保護ネット17により覆われている。なお、センサ素
子14および15はそれぞれ水蒸気濃度およびアルコー
ル濃度に応じて抵抗値が変化するものである。
【0016】図1は上記ガスセンサ11に関する制御回
路構成を示すもので、同図において、制御回路18は制
御手段としてのマイクロコンピュータ19を含んで構成
されている。そして、ガスセンサ11の各センサ素子1
4,15の一方の端子は正電源端子+Vccに接続され、
他方の端子は並列接続された複数の抵抗20ないし2
5,26ないし31をそれぞれ介してマイクロコンピュ
ータ19の出力ポートO1 ないしO6 ,O7 ないしO12
に接続されている。上記抵抗20ないし25群,抵抗2
6ないし31群は、センサ素子14,15とで分圧回路
を構成するもので、その共通接続点は抵抗32,33お
よびコンデンサ34,35からなるフィルタ回路を介し
てマイクロコンピュータ19のポートI1 およびI2 に
接続されている。
路構成を示すもので、同図において、制御回路18は制
御手段としてのマイクロコンピュータ19を含んで構成
されている。そして、ガスセンサ11の各センサ素子1
4,15の一方の端子は正電源端子+Vccに接続され、
他方の端子は並列接続された複数の抵抗20ないし2
5,26ないし31をそれぞれ介してマイクロコンピュ
ータ19の出力ポートO1 ないしO6 ,O7 ないしO12
に接続されている。上記抵抗20ないし25群,抵抗2
6ないし31群は、センサ素子14,15とで分圧回路
を構成するもので、その共通接続点は抵抗32,33お
よびコンデンサ34,35からなるフィルタ回路を介し
てマイクロコンピュータ19のポートI1 およびI2 に
接続されている。
【0017】マイクロコンピュータ19は、調理開始時
点で、ポートO1 ないしO6 ,O7ないしO12を適宜ロ
ーレベルに落として抵抗20ないし25群、抵抗26な
いし31群のうちから、実際に分圧回路を構成する抵抗
を選択し、センサ素子14,15との関係で最適な合成
抵抗値が得られるようにする。すなわち、センサ素子1
4,15は、製品毎に特性が僅かに異なっていると共
に、その使用環境によっても特性が変動するので、これ
を最適な合成抵抗値を選択設定することによって補正す
るようにしているのである。
点で、ポートO1 ないしO6 ,O7ないしO12を適宜ロ
ーレベルに落として抵抗20ないし25群、抵抗26な
いし31群のうちから、実際に分圧回路を構成する抵抗
を選択し、センサ素子14,15との関係で最適な合成
抵抗値が得られるようにする。すなわち、センサ素子1
4,15は、製品毎に特性が僅かに異なっていると共
に、その使用環境によっても特性が変動するので、これ
を最適な合成抵抗値を選択設定することによって補正す
るようにしているのである。
【0018】また、温度センサ12の一方の端子は電源
端子+Vccに接続され、他方の端子は抵抗36を介して
アースされている。この抵抗36は温度センサ12とで
分圧回路を構成するもので、その共通接続点は抵抗37
およびコンデンサ38からなるフィルタ回路を介してマ
イクロコンピュータ19の入力ポートI3 に接続されて
いる。
端子+Vccに接続され、他方の端子は抵抗36を介して
アースされている。この抵抗36は温度センサ12とで
分圧回路を構成するもので、その共通接続点は抵抗37
およびコンデンサ38からなるフィルタ回路を介してマ
イクロコンピュータ19の入力ポートI3 に接続されて
いる。
【0019】なお、入力ポートI1 ないしI3 はA/D
コンバータの入力ポートとなっており、各ポートに入力
された電圧信号はデジタル値に変換されてマイクロコン
ピュータ19により信号処理される。
コンバータの入力ポートとなっており、各ポートに入力
された電圧信号はデジタル値に変換されてマイクロコン
ピュータ19により信号処理される。
【0020】一方、ガスセンサ11のヒータ16は、印
加電圧制御回路39を介して電力の供給を受ける。この
印加電圧制御回路39において、第1のトランジスタ4
0のコレクタは正電源端子+V1 に接続され、エミッタ
はヒータ16を介してアースされている。また、第1の
トランジスタ40のベースは、抵抗41を介して正電源
端子+V1 に接続されていると共に、第1ないし第3の
ツェナーダイオード42ないし44のカソードに接続さ
れている。第1のツェナーダイオード42のアノードは
アースされ、第2および第3のツェナーダイオード43
および44のアノードはそれぞれ第2および第3のトラ
ンジスタ45および46のコレクタに接続されている。
そして、第2および第3のトランジスタ45および46
のエミッタはアースされ、ベースはマイクロコンピュー
タ19の出力ポートO13およびO14に接続されている。
加電圧制御回路39を介して電力の供給を受ける。この
印加電圧制御回路39において、第1のトランジスタ4
0のコレクタは正電源端子+V1 に接続され、エミッタ
はヒータ16を介してアースされている。また、第1の
トランジスタ40のベースは、抵抗41を介して正電源
端子+V1 に接続されていると共に、第1ないし第3の
ツェナーダイオード42ないし44のカソードに接続さ
れている。第1のツェナーダイオード42のアノードは
アースされ、第2および第3のツェナーダイオード43
および44のアノードはそれぞれ第2および第3のトラ
ンジスタ45および46のコレクタに接続されている。
そして、第2および第3のトランジスタ45および46
のエミッタはアースされ、ベースはマイクロコンピュー
タ19の出力ポートO13およびO14に接続されている。
【0021】ここで、上記第1ないし第3のツェナーダ
イオード42ないし44のツェナー電圧は、第1のツェ
ナーダイオード42が最も高く、第3のツェナーダイオ
ード44が最も低く、第2のツェナーダイオード43は
それらの中間に設定されている。そして、第1のトラン
ジスタ40のエミッタ電圧、ひいてはヒータ16の印加
電圧は、第1ないし第3のツェナーダイオード42ない
し44のいずれが機能するかによって、高、中、低の3
段階に制御される。
イオード42ないし44のツェナー電圧は、第1のツェ
ナーダイオード42が最も高く、第3のツェナーダイオ
ード44が最も低く、第2のツェナーダイオード43は
それらの中間に設定されている。そして、第1のトラン
ジスタ40のエミッタ電圧、ひいてはヒータ16の印加
電圧は、第1ないし第3のツェナーダイオード42ない
し44のいずれが機能するかによって、高、中、低の3
段階に制御される。
【0022】すなわち、第1のトランジスタ40のエミ
ッタ電圧は、ベース電圧からベース・エミッタ間の電圧
を差し引いた電圧となる。そして、第2および第3のト
ランジスタ45および46が共にオフしている場合に
は、第1のツェナーダイオード42が機能する状態にな
るので、第1のトランジスタ40のベース電圧は第1の
ツェナーダイオード42のツェナー電圧となり、このと
きのヒータ16の印加電圧は図2の(d)にVH で示す
高電圧となる。第2のトランジスタ45がオンすると、
第2のツェナーダイオード43が機能する状態になるの
で、第1のトランジスタ40のベース電圧は、一段低い
第2のツェナーダイオード43のツェナー電圧となり、
このときのヒータ16の印加電圧は図2の(b)にVM
で示す中程度の標準電圧となり、更に第2および第3の
トランジスタ45および46が共にオンした場合には、
第3のツェナーダイオード44が機能する状態になるの
で、第1のトランジスタ40のベース電圧は第3のツェ
ナーダイオード44のツェナー電圧となり、このときの
ヒータ16の印加電圧は更に低いVL で示す低電圧とな
る。
ッタ電圧は、ベース電圧からベース・エミッタ間の電圧
を差し引いた電圧となる。そして、第2および第3のト
ランジスタ45および46が共にオフしている場合に
は、第1のツェナーダイオード42が機能する状態にな
るので、第1のトランジスタ40のベース電圧は第1の
ツェナーダイオード42のツェナー電圧となり、このと
きのヒータ16の印加電圧は図2の(d)にVH で示す
高電圧となる。第2のトランジスタ45がオンすると、
第2のツェナーダイオード43が機能する状態になるの
で、第1のトランジスタ40のベース電圧は、一段低い
第2のツェナーダイオード43のツェナー電圧となり、
このときのヒータ16の印加電圧は図2の(b)にVM
で示す中程度の標準電圧となり、更に第2および第3の
トランジスタ45および46が共にオンした場合には、
第3のツェナーダイオード44が機能する状態になるの
で、第1のトランジスタ40のベース電圧は第3のツェ
ナーダイオード44のツェナー電圧となり、このときの
ヒータ16の印加電圧は更に低いVL で示す低電圧とな
る。
【0023】次に上記構成の作用を説明する。今、図2
にt1 で示す時点で電子レンジの図示しない電源プラグ
が商用電源のコンセントに接続されたとする。すると、
電源が投入された状態となり、マイクロコンピュータ1
9は初期化されて所定のプログラムに従って動作を開始
し、一定時間ごとに温度センサ12の検出温度を読み込
んで、これを図2の(a)に示す第1の基準温度T1,
第2の基準温度T2 (T1 <T2 )と比較するようにな
る。また、電源投入により、第1のトランジスタ40が
オンされてガスセンサ11のヒータ16を通電状態にす
る。
にt1 で示す時点で電子レンジの図示しない電源プラグ
が商用電源のコンセントに接続されたとする。すると、
電源が投入された状態となり、マイクロコンピュータ1
9は初期化されて所定のプログラムに従って動作を開始
し、一定時間ごとに温度センサ12の検出温度を読み込
んで、これを図2の(a)に示す第1の基準温度T1,
第2の基準温度T2 (T1 <T2 )と比較するようにな
る。また、電源投入により、第1のトランジスタ40が
オンされてガスセンサ11のヒータ16を通電状態にす
る。
【0024】さて、電源投入時はガスセンサ11のヒー
タ16の温度はまだ低いので、温度センサ12の検出温
度は図2の(a)に示すように上記第1の基準温度T1
よりも低く、このときには、マイクロコンピュータ19
はポートO13およびO14をローレベルにして第2および
第3のトランジスタ45および46をオフ状態にする。
このため、第2および第3のツェナーダイオード43お
よび44は機能停止状態にされ、第1のトランジスタ4
0のベース電圧は、第1のツェナーダイオード42のツ
ェナー電圧に保持される。この結果、ヒータ16には、
図2の(d)に示すように高電圧TM が印加されること
となり、ヒータ16は大きな電力の供給を受けて大発熱
量となる。
タ16の温度はまだ低いので、温度センサ12の検出温
度は図2の(a)に示すように上記第1の基準温度T1
よりも低く、このときには、マイクロコンピュータ19
はポートO13およびO14をローレベルにして第2および
第3のトランジスタ45および46をオフ状態にする。
このため、第2および第3のツェナーダイオード43お
よび44は機能停止状態にされ、第1のトランジスタ4
0のベース電圧は、第1のツェナーダイオード42のツ
ェナー電圧に保持される。この結果、ヒータ16には、
図2の(d)に示すように高電圧TM が印加されること
となり、ヒータ16は大きな電力の供給を受けて大発熱
量となる。
【0025】このように、電源投入時には、ヒータ16
の発熱量が大きいため、センサ素子14,15は強加熱
されて短時間で付着ガスを発散させ得る特性安定温度ま
で加熱され、待機状態となる。
の発熱量が大きいため、センサ素子14,15は強加熱
されて短時間で付着ガスを発散させ得る特性安定温度ま
で加熱され、待機状態となる。
【0026】一方、ヒータ16の発熱により、ガスセン
サ11の雰囲気温度も次第に上昇する。そして、温度セ
ンサ12の検出温度が図2の(a)に示す第1の基準温
度T1 に達すると(この時点を同図にt2 で示す)、マ
イクロコンピュータ19は出力ポートO13をハイレベル
に切り替えて同図の(b)に示すように第2のトランジ
スタ45をオンさせる。すると、第1のツェナーダイオ
ード42に代って第2のツェナーダイオード43が機能
するようになるため、第1のトランジスタ40のベース
電圧は第2のツェナーダイオード43のツェナー電圧と
なる。この結果、ヒータ16には図2の(d)に示すよ
うに中程度の標準電圧VM が印加されることとなり、該
ヒータ16は中程度の発熱量となってセンサ素子14,
15を一定温度に保持し、該センサ素子14,15を安
定状態に保持する。
サ11の雰囲気温度も次第に上昇する。そして、温度セ
ンサ12の検出温度が図2の(a)に示す第1の基準温
度T1 に達すると(この時点を同図にt2 で示す)、マ
イクロコンピュータ19は出力ポートO13をハイレベル
に切り替えて同図の(b)に示すように第2のトランジ
スタ45をオンさせる。すると、第1のツェナーダイオ
ード42に代って第2のツェナーダイオード43が機能
するようになるため、第1のトランジスタ40のベース
電圧は第2のツェナーダイオード43のツェナー電圧と
なる。この結果、ヒータ16には図2の(d)に示すよ
うに中程度の標準電圧VM が印加されることとなり、該
ヒータ16は中程度の発熱量となってセンサ素子14,
15を一定温度に保持し、該センサ素子14,15を安
定状態に保持する。
【0027】さて、センサ素子14,15が特性安定温
度まで加熱されて待機状態となった後、図2にt3 で示
す時点でオーブン調理がスタートしたとする。すると、
加熱室1内がオーブン用ヒータ7および循環ファン8に
より高温度に加熱されるため、その熱的影響がセンサ素
子14,15に及ぶようになる。このようになると、当
然にガスセンサ11の雰囲気温度も上昇し、温度センサ
12の検出温度が第2の基準温度T2 に達すると(この
時点を図2にt4 で示す)、マイクロコンピュータ19
は出力ポートO14をハイレベル状態に切り替えて第3の
トランジスタ46をオンする。すると、第2のツェナー
ダイオード43に代って第3のツェナーダイオード44
が機能するようになるため、第1のトランジスタ40の
ベース電圧は第3のツェナーダイオード44のツェナー
電圧となる。この結果、ヒータ16には図2の(d)に
示すように低電圧VL が印加されることとなり、該ヒー
タ16の発熱量は低下して、加熱室1からの熱的影響が
あっても、センサ素子14,15の温度がそれ程高くな
らないようにする。
度まで加熱されて待機状態となった後、図2にt3 で示
す時点でオーブン調理がスタートしたとする。すると、
加熱室1内がオーブン用ヒータ7および循環ファン8に
より高温度に加熱されるため、その熱的影響がセンサ素
子14,15に及ぶようになる。このようになると、当
然にガスセンサ11の雰囲気温度も上昇し、温度センサ
12の検出温度が第2の基準温度T2 に達すると(この
時点を図2にt4 で示す)、マイクロコンピュータ19
は出力ポートO14をハイレベル状態に切り替えて第3の
トランジスタ46をオンする。すると、第2のツェナー
ダイオード43に代って第3のツェナーダイオード44
が機能するようになるため、第1のトランジスタ40の
ベース電圧は第3のツェナーダイオード44のツェナー
電圧となる。この結果、ヒータ16には図2の(d)に
示すように低電圧VL が印加されることとなり、該ヒー
タ16の発熱量は低下して、加熱室1からの熱的影響が
あっても、センサ素子14,15の温度がそれ程高くな
らないようにする。
【0028】このように本実施例によれば、ガスセンサ
11の雰囲気温度に応じてヒータ16の発熱量を制御す
るようにしたので、雰囲気温度の低い電源投入時にはヒ
ータ16の発熱量が大きくなり、センサ素子14,15
が安定状態となるまでの所要時間を短縮できる。また、
オーブン調理時にガスセンサ11が加熱室1内の熱的影
響を受けるようになると、ヒータ16の発熱量が低下し
てセンサ素子14,15の温度がそれ程高くならないよ
うにするので、センサ素子14,15の特性が変化する
おそれはなく、マイクロコンピュータ19による調理制
御が正常に行われるようになる。
11の雰囲気温度に応じてヒータ16の発熱量を制御す
るようにしたので、雰囲気温度の低い電源投入時にはヒ
ータ16の発熱量が大きくなり、センサ素子14,15
が安定状態となるまでの所要時間を短縮できる。また、
オーブン調理時にガスセンサ11が加熱室1内の熱的影
響を受けるようになると、ヒータ16の発熱量が低下し
てセンサ素子14,15の温度がそれ程高くならないよ
うにするので、センサ素子14,15の特性が変化する
おそれはなく、マイクロコンピュータ19による調理制
御が正常に行われるようになる。
【0029】ちなみに、図2の(e)はマイクロコンピ
ュータ19の入力ポートI1 に入力される一方のセンサ
素子14の検出信号(電圧)の変化を示したもので、実
線が本実施例の場合、破線がヒータ16の印加電圧を電
源投入時から常時中程度の標準電圧VM に設定した場合
を示す。なお、同図でのオーブン調理は加熱室1内に被
調理物を置かず、単にオーブン用ヒータ7および循環用
ファン8によって加熱室1内を高温度に加熱した場合
(空焼き)の例である。
ュータ19の入力ポートI1 に入力される一方のセンサ
素子14の検出信号(電圧)の変化を示したもので、実
線が本実施例の場合、破線がヒータ16の印加電圧を電
源投入時から常時中程度の標準電圧VM に設定した場合
を示す。なお、同図でのオーブン調理は加熱室1内に被
調理物を置かず、単にオーブン用ヒータ7および循環用
ファン8によって加熱室1内を高温度に加熱した場合
(空焼き)の例である。
【0030】この図2の(e)から明らかなように、ヒ
ータ16に常時標準電圧VM を印加する場合には(従来
に相当)、電源投入時のセンサ素子14,15の温度上
昇が緩慢となることから、その検出特性が安定するまで
に要する時間が長くなり、しかもオーブン調理が開始さ
れると、加熱室1からの熱的影響を受けるため、空焼き
であるにもかかわらず、検出信号が変化し、センサ素子
14,15の特性が変動することが理解される。これに
対し、本実施例では、電源投入時において、センサ素子
14,15が安定状態になるまでに要する時間が短く、
また空焼きの場合でも、検出信号は安定していてセンサ
素子14,15の特性に変動がないことが分かる。
ータ16に常時標準電圧VM を印加する場合には(従来
に相当)、電源投入時のセンサ素子14,15の温度上
昇が緩慢となることから、その検出特性が安定するまで
に要する時間が長くなり、しかもオーブン調理が開始さ
れると、加熱室1からの熱的影響を受けるため、空焼き
であるにもかかわらず、検出信号が変化し、センサ素子
14,15の特性が変動することが理解される。これに
対し、本実施例では、電源投入時において、センサ素子
14,15が安定状態になるまでに要する時間が短く、
また空焼きの場合でも、検出信号は安定していてセンサ
素子14,15の特性に変動がないことが分かる。
【0031】図5は本発明の第2の実施例を示すもの
で、前記第1の実施例との相違は、温度センサ12をガ
スセンサ11に設けたところにある。具体的には、温度
センサ12をベース13に搭載し、センサ素子14,1
5およびヒータ16と共に保護ネット17により覆った
ものである。このように温度センサ12をガスセンサ1
1に設ければ、よりセンサ素子14,15に近い部分の
温度を検出することができる。
で、前記第1の実施例との相違は、温度センサ12をガ
スセンサ11に設けたところにある。具体的には、温度
センサ12をベース13に搭載し、センサ素子14,1
5およびヒータ16と共に保護ネット17により覆った
ものである。このように温度センサ12をガスセンサ1
1に設ければ、よりセンサ素子14,15に近い部分の
温度を検出することができる。
【0032】図6は本発明の第3の実施例を示すもの
で、前記第1の実施例との相違は、ガスセンサのヒータ
の発熱量制御構成にある。すなわち、同図に示すよう
に、ガスセンサ11のヒータ47は3個の抵抗発熱素子
48ないし50から構成されている。これら抵抗発熱素
子48ないし50の一方の端子は定電圧回路51のトラ
ンジスタ52のエミッタに接続され、他方の端子はそれ
ぞれトランジスタ53ないし55のコレクタに接続され
ている。そして、各トランジスタ53ないし55のエミ
ッタはアースされていると共に、ベースはマイクロコン
ピュータ19の出力ポートO15ないしO17に接続されて
いる。
で、前記第1の実施例との相違は、ガスセンサのヒータ
の発熱量制御構成にある。すなわち、同図に示すよう
に、ガスセンサ11のヒータ47は3個の抵抗発熱素子
48ないし50から構成されている。これら抵抗発熱素
子48ないし50の一方の端子は定電圧回路51のトラ
ンジスタ52のエミッタに接続され、他方の端子はそれ
ぞれトランジスタ53ないし55のコレクタに接続され
ている。そして、各トランジスタ53ないし55のエミ
ッタはアースされていると共に、ベースはマイクロコン
ピュータ19の出力ポートO15ないしO17に接続されて
いる。
【0033】一方、上記定電圧回路51において、トラ
ンジスタ52のコレクタは正電源端子+V1 に接続さ
れ、ベースはツェナーダイオード56のカソードに接続
されていると共に正電源端子+V1 に抵抗57を介して
接続されている。なお、ツェナーダイオード56のアノ
ードはアースされている。従って、電源が投入される
と、各抵抗発熱素子48ないし50には、ツェナーダイ
オード56のツェナー電圧からトランジスタ52のベー
ス・エミッタ間の電圧を差し引いた一定の電圧が印加さ
れる。
ンジスタ52のコレクタは正電源端子+V1 に接続さ
れ、ベースはツェナーダイオード56のカソードに接続
されていると共に正電源端子+V1 に抵抗57を介して
接続されている。なお、ツェナーダイオード56のアノ
ードはアースされている。従って、電源が投入される
と、各抵抗発熱素子48ないし50には、ツェナーダイ
オード56のツェナー電圧からトランジスタ52のベー
ス・エミッタ間の電圧を差し引いた一定の電圧が印加さ
れる。
【0034】そして、温度センサ12の検出温度が第1
の基準温度T1 以下の場合(電源投入時等)、マイクロ
コンピュータ19は1個の出力ポートO15をハイレベル
にしてトランジスタ53をオンさせ、温度センサ12の
検出温度が第1の基準温度T1 を越えると、出力ポート
O15に加えてポートO16もハイレベルにしてトランジス
タ54もオンさせ、更に温度センサ12の検出温度が第
2の基準温度を越えると(オーブン調理時等)、出力ポ
ートO17もハイレベルにして3個のトランジスタ53な
いし55を全てオンさせる。
の基準温度T1 以下の場合(電源投入時等)、マイクロ
コンピュータ19は1個の出力ポートO15をハイレベル
にしてトランジスタ53をオンさせ、温度センサ12の
検出温度が第1の基準温度T1 を越えると、出力ポート
O15に加えてポートO16もハイレベルにしてトランジス
タ54もオンさせ、更に温度センサ12の検出温度が第
2の基準温度を越えると(オーブン調理時等)、出力ポ
ートO17もハイレベルにして3個のトランジスタ53な
いし55を全てオンさせる。
【0035】従って、温度センサ12の検出温度によ
り、1個の抵抗発熱素子48のみが通電されたり(大発
熱量)、2個の抵抗発熱素子48および49が通電され
たり(中発熱量)、或いは3個の抵抗発熱素子48ない
し50の全てが通電されたりする状態(小発熱量)が得
られるので、前述した第1の実施例と同様の効果を得る
ことができる。
り、1個の抵抗発熱素子48のみが通電されたり(大発
熱量)、2個の抵抗発熱素子48および49が通電され
たり(中発熱量)、或いは3個の抵抗発熱素子48ない
し50の全てが通電されたりする状態(小発熱量)が得
られるので、前述した第1の実施例と同様の効果を得る
ことができる。
【0036】図7は本発明の第4の実施例を示すもの
で、第1の実施例との相違はガスセンサの具体的構成に
ある。すなわち、ガスセンサ58のベース59には、セ
ラミックス製の基板60が搭載されている。この基板6
0の上面には、その左右両側に位置して、水蒸気を検出
するセンサ素子61およびアルコールを検出するセンサ
素子62が設けられ、これらセンサ素子61,62の中
間にヒータ63が設けられている。
で、第1の実施例との相違はガスセンサの具体的構成に
ある。すなわち、ガスセンサ58のベース59には、セ
ラミックス製の基板60が搭載されている。この基板6
0の上面には、その左右両側に位置して、水蒸気を検出
するセンサ素子61およびアルコールを検出するセンサ
素子62が設けられ、これらセンサ素子61,62の中
間にヒータ63が設けられている。
【0037】ここで、上記センサ素子61および62
は、例えば酸化亜鉛を基材としてこれに異なる添加剤を
加えた焼結粉を基板60の上面に周知の印刷手段により
付着させて焼成したものであり、またヒータ63はカー
ボン粉を同じく印刷手段により基板60上に付着させて
その上を剥離防止剤64で覆い焼成したものである。こ
のように構成すれば、両センサ素子61,62をヒータ
63で効率良く加熱でき、またガスセンサ58を全体と
して薄く構成することができる。なお、基板60に温度
センサを実装するようにしても良い。
は、例えば酸化亜鉛を基材としてこれに異なる添加剤を
加えた焼結粉を基板60の上面に周知の印刷手段により
付着させて焼成したものであり、またヒータ63はカー
ボン粉を同じく印刷手段により基板60上に付着させて
その上を剥離防止剤64で覆い焼成したものである。こ
のように構成すれば、両センサ素子61,62をヒータ
63で効率良く加熱でき、またガスセンサ58を全体と
して薄く構成することができる。なお、基板60に温度
センサを実装するようにしても良い。
【0038】センサ素子61,62およびヒータ63を
基板59に印刷手段により設ける場合、本発明の第5の
実施例を示す図8のように、基板65の裏面にヒータ6
3を設け、基板65の上面にセンサ素子61,62を設
けるようにすれば、基板65を幅方向に小形にできるの
で、ガスセンサを更に小形に構成できる。
基板59に印刷手段により設ける場合、本発明の第5の
実施例を示す図8のように、基板65の裏面にヒータ6
3を設け、基板65の上面にセンサ素子61,62を設
けるようにすれば、基板65を幅方向に小形にできるの
で、ガスセンサを更に小形に構成できる。
【0039】図9および図10は本発明の第6の実施例
を示すもので、前記第1の実施例を示す図1と同一部分
には同一符号を付して異なる部分のみ説明する。この実
施例では、温度センサとして図9に示す抵抗体66が用
いられており、この抵抗体66はセンサ素子14,15
の雰囲気温度を検出するために、図4に示す温度センサ
12と同じ位置に設けられている。
を示すもので、前記第1の実施例を示す図1と同一部分
には同一符号を付して異なる部分のみ説明する。この実
施例では、温度センサとして図9に示す抵抗体66が用
いられており、この抵抗体66はセンサ素子14,15
の雰囲気温度を検出するために、図4に示す温度センサ
12と同じ位置に設けられている。
【0040】そして、抵抗体66の一端はガスセンサ1
1のヒータ16を直列に介してアースされ、他端は定電
圧回路67に接続されている。なお、定電圧回路67は
図6に示された前記第3の実施例における低電圧回路5
1と同一構成であるので、その構成部分については図6
と同一符号を付して詳細な説明を省略する。かかる抵抗
体66は、温度が高くなると抵抗値が高くなる正の温度
特性を有するもので、例えばニッケルにより形成されて
いる。
1のヒータ16を直列に介してアースされ、他端は定電
圧回路67に接続されている。なお、定電圧回路67は
図6に示された前記第3の実施例における低電圧回路5
1と同一構成であるので、その構成部分については図6
と同一符号を付して詳細な説明を省略する。かかる抵抗
体66は、温度が高くなると抵抗値が高くなる正の温度
特性を有するもので、例えばニッケルにより形成されて
いる。
【0041】この抵抗体66の温度係数は6900×1
0−6程度で、例えばニクロム製のヒータ16の抵抗の
温度係数は20×10−6程度である。そして、このヒ
ータ16との大なる温度係数の相違により、抵抗体66
の抵抗値は、常温ではヒータ16の抵抗値よりも大幅に
小さく、ガスセンサ11がヒータ16により加熱されて
特性安定温度になった状態ではヒータ16の抵抗値と略
同等となり、オーブン調理の熱的影響を受けて高温にな
った状態ではヒータ16の抵抗値より大幅に大きくなる
ように構成されている。
0−6程度で、例えばニクロム製のヒータ16の抵抗の
温度係数は20×10−6程度である。そして、このヒ
ータ16との大なる温度係数の相違により、抵抗体66
の抵抗値は、常温ではヒータ16の抵抗値よりも大幅に
小さく、ガスセンサ11がヒータ16により加熱されて
特性安定温度になった状態ではヒータ16の抵抗値と略
同等となり、オーブン調理の熱的影響を受けて高温にな
った状態ではヒータ16の抵抗値より大幅に大きくなる
ように構成されている。
【0042】このように構成した本実施例において、図
10にt1 で示す時点で電子レンジの電源プラグがコン
セントに差し込まれ、電源投入状態になったとする。こ
のときには、抵抗体66の抵抗値は図10(b)に示す
ようにヒータ16の抵抗値よりも小さいので、図10
(c)に示すようにヒータ16に印加される電圧は高く
り、従ってヒータ16は大きな電力の供給を受けて大発
熱量となり、ガスセンサ11の温度は図10(a)に示
すように速やかに特性安定温度まで上昇する。
10にt1 で示す時点で電子レンジの電源プラグがコン
セントに差し込まれ、電源投入状態になったとする。こ
のときには、抵抗体66の抵抗値は図10(b)に示す
ようにヒータ16の抵抗値よりも小さいので、図10
(c)に示すようにヒータ16に印加される電圧は高く
り、従ってヒータ16は大きな電力の供給を受けて大発
熱量となり、ガスセンサ11の温度は図10(a)に示
すように速やかに特性安定温度まで上昇する。
【0043】ガスセンサ11が特性安定温度まで加熱さ
れると(この時点を図10にt2 で示す)、抵抗体66
の抵抗値はヒータ16の抵抗値と略等しくなるため、ヒ
ータ16の印加電圧は中程度となり、ヒータ16の発熱
量も中程度となってガスセンサ11が特性安定温度に維
持されるようになる。
れると(この時点を図10にt2 で示す)、抵抗体66
の抵抗値はヒータ16の抵抗値と略等しくなるため、ヒ
ータ16の印加電圧は中程度となり、ヒータ16の発熱
量も中程度となってガスセンサ11が特性安定温度に維
持されるようになる。
【0044】図10にt3 で示す時点でオーブン調理が
スタートしたとする。すると、ガスセンサ11の雰囲気
温度が上昇するため、抵抗体66の抵抗値がヒータ16
の抵抗値より大幅に上昇する。すると、ヒータ16の印
加電圧が低くなり、ヒータ16の発熱量も小さくなって
ガスセンサ11の温度がそれ程高くならないようにす
る。
スタートしたとする。すると、ガスセンサ11の雰囲気
温度が上昇するため、抵抗体66の抵抗値がヒータ16
の抵抗値より大幅に上昇する。すると、ヒータ16の印
加電圧が低くなり、ヒータ16の発熱量も小さくなって
ガスセンサ11の温度がそれ程高くならないようにす
る。
【0045】図10(d)は図2(e)と同様にマイク
ロコンピュータ19に入力されるセンサ素子14の検出
信号の変化を示したもので、実線が本実施例の場合、破
線がヒータ16の印加電圧を電源投入時から常時中程度
の標準電圧、すなわち図10(c)に示すヒータ16の
印加電圧のうち、時点t2 からt3 までの間の印加電圧
に相当する電圧に設定した場合を示す。この図10から
明らかなように、本実施例のように構成しても、電源投
入時にはセンサ素子14,15が特性安定状態になるの
までの所要時間が短く、またオーブン調理等が行われた
場合にはセンサ素子14,15の温度がそれ程上昇しな
いようにすることができる。
ロコンピュータ19に入力されるセンサ素子14の検出
信号の変化を示したもので、実線が本実施例の場合、破
線がヒータ16の印加電圧を電源投入時から常時中程度
の標準電圧、すなわち図10(c)に示すヒータ16の
印加電圧のうち、時点t2 からt3 までの間の印加電圧
に相当する電圧に設定した場合を示す。この図10から
明らかなように、本実施例のように構成しても、電源投
入時にはセンサ素子14,15が特性安定状態になるの
までの所要時間が短く、またオーブン調理等が行われた
場合にはセンサ素子14,15の温度がそれ程上昇しな
いようにすることができる。
【0046】図11は本発明の第7の実施例を示すもの
で、前記第6の実施例との相違は、温度センサとして用
いられる抵抗体68を負の温度特性を有する低抗体とし
たところにある。そして、この実施例では、抵抗体68
はヒータ16と並列に接続され、このヒータ16と抵抗
体68との並列回路の一端は抵抗69を介して定電圧回
路67に接続され、他端はアースされている。
で、前記第6の実施例との相違は、温度センサとして用
いられる抵抗体68を負の温度特性を有する低抗体とし
たところにある。そして、この実施例では、抵抗体68
はヒータ16と並列に接続され、このヒータ16と抵抗
体68との並列回路の一端は抵抗69を介して定電圧回
路67に接続され、他端はアースされている。
【0047】このように構成した場合には、ガスセンサ
11の雰囲気温度が上昇するにつれて、ヒータ16、抵
抗体68の並列回路の合成抵抗値が高くなるため、該並
列回路に印加される電圧(ヒータ16の印加電圧)はガ
スセンサ11の雰囲気温度の上昇につれて次第に低くな
る。このため、ヒータ16は、電源投入時には高い印加
電圧を受けて高発熱状態となり、ガスセンサ11が特性
安定温度に上昇すると中程度の印加電圧を受けて中発熱
状態となり、オーブン調理等が行われると印加電圧が低
くなって低発熱状態となる。従って、本実施例のように
構成しても、前記第6の実施例と同様の効果を得ること
ができる。
11の雰囲気温度が上昇するにつれて、ヒータ16、抵
抗体68の並列回路の合成抵抗値が高くなるため、該並
列回路に印加される電圧(ヒータ16の印加電圧)はガ
スセンサ11の雰囲気温度の上昇につれて次第に低くな
る。このため、ヒータ16は、電源投入時には高い印加
電圧を受けて高発熱状態となり、ガスセンサ11が特性
安定温度に上昇すると中程度の印加電圧を受けて中発熱
状態となり、オーブン調理等が行われると印加電圧が低
くなって低発熱状態となる。従って、本実施例のように
構成しても、前記第6の実施例と同様の効果を得ること
ができる。
【0048】なお、前記第6および第7の実施例におい
て、抵抗体66,68は図5に示す温度センサ12と同
様にガスセンサ11に設けるようにしても良いし、ガス
センサとしては図7および図8に示す構成のものを使用
しても良い。
て、抵抗体66,68は図5に示す温度センサ12と同
様にガスセンサ11に設けるようにしても良いし、ガス
センサとしては図7および図8に示す構成のものを使用
しても良い。
【0049】その他、本発明は上記し且つ図面に示す実
施例に限定されるものではなく、例えばガスセンサはセ
ンサ素子を1個だけ備えて1種類のガスを検出するもの
であっても良く、またガスセンサのヒータの発熱量制御
方式としては、デューティ比制御、PWM制御など他に
種々考えられる。更には、本発明は電子レンジのガスセ
ンサに限られず、加熱調理器一般のガスセンサに広く適
用できる等、要旨を逸脱しない範囲で種々変更して実施
できるものである。
施例に限定されるものではなく、例えばガスセンサはセ
ンサ素子を1個だけ備えて1種類のガスを検出するもの
であっても良く、またガスセンサのヒータの発熱量制御
方式としては、デューティ比制御、PWM制御など他に
種々考えられる。更には、本発明は電子レンジのガスセ
ンサに限られず、加熱調理器一般のガスセンサに広く適
用できる等、要旨を逸脱しない範囲で種々変更して実施
できるものである。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、セ
ンサ素子の雰囲気温度を検出し、その検出温度に基づい
てセンサ素子を加熱するヒータの発熱量を制御する構成
としたことにより、電源投入時にはヒータの発熱量を多
くしてガスセンサが特性安定温度に達するまでの時間を
短くすることができると共に、オーブン調理等が行われ
た場合には、ヒータの発熱量を小さくしてセンサ素子が
それ程温度上昇しないようにして安定した検出特性を発
揮させることができるという優れた効果を奏するもので
ある。
ンサ素子の雰囲気温度を検出し、その検出温度に基づい
てセンサ素子を加熱するヒータの発熱量を制御する構成
としたことにより、電源投入時にはヒータの発熱量を多
くしてガスセンサが特性安定温度に達するまでの時間を
短くすることができると共に、オーブン調理等が行われ
た場合には、ヒータの発熱量を小さくしてセンサ素子が
それ程温度上昇しないようにして安定した検出特性を発
揮させることができるという優れた効果を奏するもので
ある。
【図1】本発明の第1の実施例を示す制御回路構成図
【図2】電源投入後の各部の信号発生状態を示す図
【図3】一部破断して示すガスセンサの斜視図
【図4】電子レンジの概略構成を示す縦断正面図
【図5】本発明の第2の実施例を示す図3相当図
【図6】本発明の第3の実施例を示す要部の回路構成図
【図7】本発明の第4の実施例を示すガスセンサの斜視
図
図
【図8】本発明の第5の実施例を示すガスセンサの要部
の斜視図
の斜視図
【図9】本発明の第6の実施例を示す要部の回路構成図
【図10】図2相当図
【図11】本発明の第7の実施例を示す要部の回路構成
図
図
【図12】従来のガスセンサの欠点を説明するための特
性図
性図
1は加熱室、11はガスセンサ、12は温度センサ、1
4,15はセンサ素子、16はヒータ、18は制御回
路、19はマイクロコンピュータ(制御手段)、39は
印加電圧制御回路、47はヒータ、48ないし50は抵
抗発熱素子、51は定電圧回路、58はガスセンサ、6
0は基板、61,62はセンサ素子、63はヒータ、6
5は基板、66,68は低抗体(温度センサ)である。
4,15はセンサ素子、16はヒータ、18は制御回
路、19はマイクロコンピュータ(制御手段)、39は
印加電圧制御回路、47はヒータ、48ないし50は抵
抗発熱素子、51は定電圧回路、58はガスセンサ、6
0は基板、61,62はセンサ素子、63はヒータ、6
5は基板、66,68は低抗体(温度センサ)である。
Claims (6)
- 【請求項1】 被調理物から発生する水蒸気或いはアル
コール等のガスを検出するセンサ素子と、このセンサ素
子を加熱するためのヒータとを有するガスセンサを備え
たものにおいて、前記センサ素子の雰囲気温度を検出
し、その検出温度に基づいて前記ヒータの発熱量を制御
する構成としたことを特徴とする加熱調理器。 - 【請求項2】 被調理物から発生する水蒸気或いはアル
コール等のガスを検出するセンサ素子と、このセンサ素
子を加熱するためのヒータとを有するガスセンサを備え
たものにおいて、前記センサ素子の雰囲気温度を検出す
るための温度センサと、この温度センサの検出温度に基
づいて前記ヒータの発熱量を制御する制御手段とを設け
たことを特徴とする加熱調理器。 - 【請求項3】 ヒータは複数の抵抗発熱素子から構成さ
れ、制御手段は通電する抵抗発熱素子を選択することに
より、ヒータの発熱量を制御する構成であることを特徴
とする請求項2記載の加熱調理器。 - 【請求項4】 被調理物から発生する水蒸気或いはアル
コール等のガスを検出するセンサ素子と、このセンサ素
子を加熱するためのヒータとを有するガスセンサを備え
たものにおいて、温度に応じて抵抗値が変化する抵抗体
を前記センサ素子の雰囲気温度を検出するための温度セ
ンサとし、この温度センサを、前記ヒータに対し、該ヒ
ータに印加される電圧が温度センサの抵抗値変化に応じ
て変化するように接続したことを特徴とする加熱調理
器。 - 【請求項5】 温度センサは、ガスセンサに設けられて
いることを特徴とする請求項2ないし4のいずれかに記
載の加熱調理器。 - 【請求項6】 ガスセンサは、それぞれ異なるガスを検
出するための複数のセンサ素子と、このセンサ素子を加
熱するヒータとを、1個の基板に印刷手段により設けて
構成されていることを特徴とする請求項1ないし5のい
ずれかに記載の加熱調理器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4251493A JPH06213460A (ja) | 1992-11-25 | 1993-03-03 | 加熱調理器 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-314787 | 1992-11-25 | ||
| JP31478792 | 1992-11-25 | ||
| JP4251493A JPH06213460A (ja) | 1992-11-25 | 1993-03-03 | 加熱調理器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06213460A true JPH06213460A (ja) | 1994-08-02 |
Family
ID=26382224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4251493A Pending JPH06213460A (ja) | 1992-11-25 | 1993-03-03 | 加熱調理器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06213460A (ja) |
-
1993
- 1993-03-03 JP JP4251493A patent/JPH06213460A/ja active Pending
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