JPH06215939A - 薄膜磁性材料 - Google Patents
薄膜磁性材料Info
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- JPH06215939A JPH06215939A JP2347193A JP2347193A JPH06215939A JP H06215939 A JPH06215939 A JP H06215939A JP 2347193 A JP2347193 A JP 2347193A JP 2347193 A JP2347193 A JP 2347193A JP H06215939 A JPH06215939 A JP H06215939A
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- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/14—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel
- H01F10/142—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel containing Si
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁性薄膜の内部応力の変化、特に焼鈍前後の
変化を抑える。これにより、膜付着強度の向上を図り歩
留まりを向上させる。 【構成】 センダスト等の金属磁性膜２の上、下あるい
は途中に単層あるいは多層にしてＣｒあるいはＨｆ，Ｒ
ｕ等の白金属元素から成る比較的拡散が容易な添加金属
膜３を成膜してから焼鈍することによって、添加金属膜
３を金属磁性膜２中に拡散させ、金属磁性材料の膜の結
晶が成長し体積収縮した隙間を拡散元素によって充填し
て内部応力を抑制するようにしている。
変化を抑える。これにより、膜付着強度の向上を図り歩
留まりを向上させる。 【構成】 センダスト等の金属磁性膜２の上、下あるい
は途中に単層あるいは多層にしてＣｒあるいはＨｆ，Ｒ
ｕ等の白金属元素から成る比較的拡散が容易な添加金属
膜３を成膜してから焼鈍することによって、添加金属膜
３を金属磁性膜２中に拡散させ、金属磁性材料の膜の結
晶が成長し体積収縮した隙間を拡散元素によって充填し
て内部応力を抑制するようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板の上に薄膜形成技術
によって形成される薄膜磁性材料に関する。更に詳述す
ると、本発明は、焼鈍により内部応力が変化するような
薄膜磁性材料に関する。
によって形成される薄膜磁性材料に関する。更に詳述す
ると、本発明は、焼鈍により内部応力が変化するような
薄膜磁性材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ヘッドは、記録媒体の高保磁
力化等に伴って、より高飽和密度の材料を用いることが
強く要求されている。例えば、図９に示すＭＩＧヘッド
に代表されるように、コアの大部分を酸化物磁性材料１
０２のブロックで構成し、ヘッド磁路の飽和し易いギャ
ップ・ディプス周辺にのみより飽和磁束密度の大きい金
属磁性材料１０１を配置したタイプのヘッド、あるいは
更に金属磁性材料の欠点である渦電流損失による高周波
帯域での透磁率の低下を改善すべく金属磁性材料２０１
を積層構造化して非磁性材料２０２で狭持した図１０に
示すようなラミネートタイプのヘッドが開発されてい
る。尚、図中、１０３，２０３は充填ガラスである。
力化等に伴って、より高飽和密度の材料を用いることが
強く要求されている。例えば、図９に示すＭＩＧヘッド
に代表されるように、コアの大部分を酸化物磁性材料１
０２のブロックで構成し、ヘッド磁路の飽和し易いギャ
ップ・ディプス周辺にのみより飽和磁束密度の大きい金
属磁性材料１０１を配置したタイプのヘッド、あるいは
更に金属磁性材料の欠点である渦電流損失による高周波
帯域での透磁率の低下を改善すべく金属磁性材料２０１
を積層構造化して非磁性材料２０２で狭持した図１０に
示すようなラミネートタイプのヘッドが開発されてい
る。尚、図中、１０３，２０３は充填ガラスである。
【０００３】このようなヘッドにおいて用いられる金属
磁性材料は、磁気ヘッドに要求される寸法の小型化及び
寸法精度の高精度化に伴い、バルク材料から削り出され
るよりむしろ、スパッタリング、蒸着、メッキ等の薄膜
形成技術を用いて酸化物磁性材料基板あるいは非磁性材
料基板に薄膜として直接形成されるのが通常である。
磁性材料は、磁気ヘッドに要求される寸法の小型化及び
寸法精度の高精度化に伴い、バルク材料から削り出され
るよりむしろ、スパッタリング、蒸着、メッキ等の薄膜
形成技術を用いて酸化物磁性材料基板あるいは非磁性材
料基板に薄膜として直接形成されるのが通常である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、センダ
スト等の金属磁性材料を、酸化物磁性材料や非磁性材料
等の基板にスパッタリングや真空蒸着等の薄膜形成技術
を用いて直接成膜しようとすると、基板材料と金属磁性
材料との熱膨張係数の不一致並びに不純物、スパッタガ
スの取込み等により、基板上の金属磁性材料の膜は内部
応力を持つことになる。しかも、この応力状態は、焼鈍
による薄膜中の空孔、ボイドの膜表面への拡散、結晶成
長等により変化する。加えて、この内部応力またその応
力状態の変化は、成膜条件のわずかなずれで大きく変化
し、封着ガラス・ボンディングガラスを流し込む際の封
着ガラスクラックの発生等の原因となってヘッドの製造
工程での歩留まりを著しく低下させる。
スト等の金属磁性材料を、酸化物磁性材料や非磁性材料
等の基板にスパッタリングや真空蒸着等の薄膜形成技術
を用いて直接成膜しようとすると、基板材料と金属磁性
材料との熱膨張係数の不一致並びに不純物、スパッタガ
スの取込み等により、基板上の金属磁性材料の膜は内部
応力を持つことになる。しかも、この応力状態は、焼鈍
による薄膜中の空孔、ボイドの膜表面への拡散、結晶成
長等により変化する。加えて、この内部応力またその応
力状態の変化は、成膜条件のわずかなずれで大きく変化
し、封着ガラス・ボンディングガラスを流し込む際の封
着ガラスクラックの発生等の原因となってヘッドの製造
工程での歩留まりを著しく低下させる。
【０００５】また、内部応力を持った膜は、基板への付
着強度が弱く、製造工程中に膜剥離等の不良を発生する
原因ともなる。
着強度が弱く、製造工程中に膜剥離等の不良を発生する
原因ともなる。
【０００６】更に、センダスト等の合金材料を成膜する
ときには、通常、スパッタリングや真空蒸着等の成膜法
では、ターゲットの組成に対して実際に成膜された組成
とではずれを起こす。この組成ずれは成膜条件で変化す
る。特に金属磁性膜に耐蝕性が要求される時は従来では
そのターゲット中にＣｒ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｈｆ等元素を添
加し、成膜するのが通常（特開昭５８−８２５０７号）
であるが、例えばセンダストであればセンダストを構成
するＦｅ，Ａｌ，Ｓｉの三元合金以外に添加元素１種か
ら３種についてその膜組成を厳しく制御する必要がある
が、これは至難の技に近い。組成がずれれば薄膜の磁気
特性が劣化するのはもとより、要求される耐蝕性さえ満
足することができない。むしろ例えばセンダストの場合
であればその主元素たるＦｅ，Ａｌ，Ｓｉの組成ずれに
よる磁気特性変動よりも添加元素の変動による耐蝕性の
変動のほうが問題となる。
ときには、通常、スパッタリングや真空蒸着等の成膜法
では、ターゲットの組成に対して実際に成膜された組成
とではずれを起こす。この組成ずれは成膜条件で変化す
る。特に金属磁性膜に耐蝕性が要求される時は従来では
そのターゲット中にＣｒ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｈｆ等元素を添
加し、成膜するのが通常（特開昭５８−８２５０７号）
であるが、例えばセンダストであればセンダストを構成
するＦｅ，Ａｌ，Ｓｉの三元合金以外に添加元素１種か
ら３種についてその膜組成を厳しく制御する必要がある
が、これは至難の技に近い。組成がずれれば薄膜の磁気
特性が劣化するのはもとより、要求される耐蝕性さえ満
足することができない。むしろ例えばセンダストの場合
であればその主元素たるＦｅ，Ａｌ，Ｓｉの組成ずれに
よる磁気特性変動よりも添加元素の変動による耐蝕性の
変動のほうが問題となる。
【０００７】以上の三点の問題により、従来、ＭＩＧヘ
ッド、ラミネートヘッドは製造工程における歩留まりを
上げることができなかった。
ッド、ラミネートヘッドは製造工程における歩留まりを
上げることができなかった。
【０００８】本発明は、磁性薄膜の内部応力の変化、特
に焼鈍前後の変化を抑えることによりヘッド製作工程の
歩留まりを向上させることを目的とする。また、本発明
は膜付着強度の向上を図ることを目的とする。更に、本
発明は、複数元素合金ターゲットによる膜の組成コント
ロールの困難さの改善による耐蝕性の安定化を図ること
を目的とする。
に焼鈍前後の変化を抑えることによりヘッド製作工程の
歩留まりを向上させることを目的とする。また、本発明
は膜付着強度の向上を図ることを目的とする。更に、本
発明は、複数元素合金ターゲットによる膜の組成コント
ロールの困難さの改善による耐蝕性の安定化を図ること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、本発明は、基板に成膜される薄膜磁性材料におい
て、金属磁性膜とクロムもしくは白金属元素から成る添
加金属膜とを成膜し、添加金属膜を金属磁性膜中に焼鈍
により拡散させるようにしている。ここで、焼鈍は、５
００℃〜８００℃で１時間〜２時間加熱した後１℃／分
〜２℃／分の速度でゆるやかに常温まで冷却すること、
好ましくは６００℃〜７００℃で１時間〜２時間加熱し
た後１℃／分〜２℃／分の速度でゆるやかに常温まで冷
却すること、より好ましくは６４０℃〜６５０℃で１時
間〜２時間加熱した後１℃／分〜２℃／分の速度でゆる
やかに常温まで冷却することによって行われる。
め、本発明は、基板に成膜される薄膜磁性材料におい
て、金属磁性膜とクロムもしくは白金属元素から成る添
加金属膜とを成膜し、添加金属膜を金属磁性膜中に焼鈍
により拡散させるようにしている。ここで、焼鈍は、５
００℃〜８００℃で１時間〜２時間加熱した後１℃／分
〜２℃／分の速度でゆるやかに常温まで冷却すること、
好ましくは６００℃〜７００℃で１時間〜２時間加熱し
た後１℃／分〜２℃／分の速度でゆるやかに常温まで冷
却すること、より好ましくは６４０℃〜６５０℃で１時
間〜２時間加熱した後１℃／分〜２℃／分の速度でゆる
やかに常温まで冷却することによって行われる。
【００１０】
【作用】焼鈍により金属磁性材料の膜の結晶が成長し体
積収縮した隙間を拡散元素により充填でき、内部応力を
抑制できる。
積収縮した隙間を拡散元素により充填でき、内部応力を
抑制できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の構成を図面に示す実施例に基
づいて詳細に説明する。
づいて詳細に説明する。
【００１２】図１に本発明の薄膜磁性材料を得る製造過
程の一例を示す。この薄膜磁性材料は、フエライトなど
の基板１の上にセンダストなどの磁性材料の膜２のみを
スパッタリングや蒸着、メッキ等の薄膜形成技術を用い
て成膜し、その上にクロム及びＨｆ，Ｒｕ，Ｐｔ等の白
金族元素の少なくともいずれかを添加金属膜３として成
膜している。主金属材料たる磁性材料と、添加金属とは
別々に制御されて基板１上に成膜される。したがって、
磁性材料と添加金属との間では各々組成がずれることな
く基板１上に成膜される。そして、その後の焼鈍によっ
て金属磁性膜２中に添加金属膜３が拡散して、磁性材料
の組成に添加金属を加えた組成の１つの膜となる。
程の一例を示す。この薄膜磁性材料は、フエライトなど
の基板１の上にセンダストなどの磁性材料の膜２のみを
スパッタリングや蒸着、メッキ等の薄膜形成技術を用い
て成膜し、その上にクロム及びＨｆ，Ｒｕ，Ｐｔ等の白
金族元素の少なくともいずれかを添加金属膜３として成
膜している。主金属材料たる磁性材料と、添加金属とは
別々に制御されて基板１上に成膜される。したがって、
磁性材料と添加金属との間では各々組成がずれることな
く基板１上に成膜される。そして、その後の焼鈍によっ
て金属磁性膜２中に添加金属膜３が拡散して、磁性材料
の組成に添加金属を加えた組成の１つの膜となる。
【００１３】ここで、薄膜磁性材料としては、本実施例
の場合、センダストを例に挙げているが、これに特に限
定されるものではなく、パーマロイ、スーパーセンダス
トなどの磁性材料を使用する場合にも本発明は成立す
る。また、添加元素としては、本実施例の場合、Ｃｒ，
Ｈｆ，Ｒｕ等の比較的拡散し易い白金族元素を採用して
いるがこれに特に限定されるものではなく、その他の耐
蝕性元素やその他の特性を発揮する元素を採用しても良
い。
の場合、センダストを例に挙げているが、これに特に限
定されるものではなく、パーマロイ、スーパーセンダス
トなどの磁性材料を使用する場合にも本発明は成立す
る。また、添加元素としては、本実施例の場合、Ｃｒ，
Ｈｆ，Ｒｕ等の比較的拡散し易い白金族元素を採用して
いるがこれに特に限定されるものではなく、その他の耐
蝕性元素やその他の特性を発揮する元素を採用しても良
い。
【００１４】添加金属膜３は、図１の如くセンダスト等
の金属磁性膜２のトップコートとして成膜する場合に特
に限定されず、図２に示す如く金属磁性膜２の下地とし
て、あるいは図３に示す如く金属磁性膜２と金属磁性膜
２との中間層として成膜することも可能である。いずれ
の場合においても、その後の焼鈍によって金属磁性膜２
中に拡散する。また、図示していないが添加金属膜３は
単層でも、また多層によっても形成可能である。
の金属磁性膜２のトップコートとして成膜する場合に特
に限定されず、図２に示す如く金属磁性膜２の下地とし
て、あるいは図３に示す如く金属磁性膜２と金属磁性膜
２との中間層として成膜することも可能である。いずれ
の場合においても、その後の焼鈍によって金属磁性膜２
中に拡散する。また、図示していないが添加金属膜３は
単層でも、また多層によっても形成可能である。
【００１５】金属磁性膜２と添加金属膜３との成膜後の
焼鈍は、例えばこの薄膜磁性材料を磁気ヘッドに用いる
場合には、磁気コア半体を溶融ガラスで接合する際のガ
ラス充填と同時に行われる。焼鈍は、５００℃〜８００
℃で１時間〜２時間加熱した後１℃／分〜２℃／分の速
度でゆるやかに常温まで冷却すること、好ましくは６０
０℃〜７００℃で１時間〜２時間加熱した後１℃／分〜
２℃／分の速度でゆるやかに常温まで冷却すること、よ
り好ましくは６４０℃〜６５０℃で１時間〜２時間加熱
した後１℃／分〜２℃／分の速度でゆるやかに常温まで
冷却することによって行われる。
焼鈍は、例えばこの薄膜磁性材料を磁気ヘッドに用いる
場合には、磁気コア半体を溶融ガラスで接合する際のガ
ラス充填と同時に行われる。焼鈍は、５００℃〜８００
℃で１時間〜２時間加熱した後１℃／分〜２℃／分の速
度でゆるやかに常温まで冷却すること、好ましくは６０
０℃〜７００℃で１時間〜２時間加熱した後１℃／分〜
２℃／分の速度でゆるやかに常温まで冷却すること、よ
り好ましくは６４０℃〜６５０℃で１時間〜２時間加熱
した後１℃／分〜２℃／分の速度でゆるやかに常温まで
冷却することによって行われる。
【００１６】尚、添加金属膜３の金属磁性膜２中への拡
散を確実に得るには、金属磁性膜２の成膜条件を最適化
する必要がある。その条件が満たされないと拡散が不十
分となり偏析することを本発明者等は知見するに至っ
た。即ち、図４の（Ａ）に示すように、基板１の上に厚
さ２μｍのセンダスト（金属磁性膜２）更にその上に厚
さ２００オングストロームのＣｒの膜（添加金属膜）を
成膜して、その後６４０℃で１時間加熱した後、１℃／
分の速度でゆるやかに常温まで冷却する焼鈍を行うと、
図４の（Ｂ）に示すように、センダスト中にＣｒが拡散
したＣｒ拡散センダストの一層になる。このときの、Ｃ
ｒ拡散センダストのＡ点におけるＣｒの拡散量とＢ点に
おけるＣｒの拡散量とはセンダスト膜のスパッタリング
条件に左右される。例えば、図５に示すように、センダ
ストのスパッタリング時のパワーが約０．３ｋｗ以上に
おいてＡ点とＢ点でのＣｒ拡散量がほぼ等しくなる理想
的成膜条件となる。また、図６に示すように、センダス
トのスパッタリング時のガス圧が約４ｍｍｔｏｒｒ以上
のときに、Ａ点とＢ点でのＣｒ拡散量がほぼ等しくなる
理想的成膜条件となる。そこで、これら両条件を満たす
スパッタリング出力とガス圧とで金属磁性膜２のスパッ
タリングを行う。
散を確実に得るには、金属磁性膜２の成膜条件を最適化
する必要がある。その条件が満たされないと拡散が不十
分となり偏析することを本発明者等は知見するに至っ
た。即ち、図４の（Ａ）に示すように、基板１の上に厚
さ２μｍのセンダスト（金属磁性膜２）更にその上に厚
さ２００オングストロームのＣｒの膜（添加金属膜）を
成膜して、その後６４０℃で１時間加熱した後、１℃／
分の速度でゆるやかに常温まで冷却する焼鈍を行うと、
図４の（Ｂ）に示すように、センダスト中にＣｒが拡散
したＣｒ拡散センダストの一層になる。このときの、Ｃ
ｒ拡散センダストのＡ点におけるＣｒの拡散量とＢ点に
おけるＣｒの拡散量とはセンダスト膜のスパッタリング
条件に左右される。例えば、図５に示すように、センダ
ストのスパッタリング時のパワーが約０．３ｋｗ以上に
おいてＡ点とＢ点でのＣｒ拡散量がほぼ等しくなる理想
的成膜条件となる。また、図６に示すように、センダス
トのスパッタリング時のガス圧が約４ｍｍｔｏｒｒ以上
のときに、Ａ点とＢ点でのＣｒ拡散量がほぼ等しくなる
理想的成膜条件となる。そこで、これら両条件を満たす
スパッタリング出力とガス圧とで金属磁性膜２のスパッ
タリングを行う。
【００１７】以上のようにして得られる金属磁性膜２
は、例えばセンダストとＣｒをターゲットから同時放出
する従来のスパッタリングの場合の比べて、図７に示す
ように、焼鈍後における残留内部応力の大きさが小さく
かつそのばらつきの幅も狭い。即ち、従来品によると焼
鈍温度が高くなるに従って応力が大きくなっていたが、
本発明の金属磁性膜の場合、焼鈍温度を高くしても、残
留する内部応力は小さくかつほとんど６００〜７００℃
において変化しない。しかも、従来品は焼鈍温度が高く
なるに伴って残留応力の大きさの幅が広がるが、本発明
によると、残留応力の幅は狭い。また、図８に示すよう
に、金属磁性膜２の中にこれとは別の膜として成膜され
た添加金属・Ｃｒを焼鈍により拡散させる場合、従来品
に比べてＣｒ含有量を多くして耐蝕性を上げても保持力
を小さく抑えて磁気特性を良い状態に保つことができ
る。
は、例えばセンダストとＣｒをターゲットから同時放出
する従来のスパッタリングの場合の比べて、図７に示す
ように、焼鈍後における残留内部応力の大きさが小さく
かつそのばらつきの幅も狭い。即ち、従来品によると焼
鈍温度が高くなるに従って応力が大きくなっていたが、
本発明の金属磁性膜の場合、焼鈍温度を高くしても、残
留する内部応力は小さくかつほとんど６００〜７００℃
において変化しない。しかも、従来品は焼鈍温度が高く
なるに伴って残留応力の大きさの幅が広がるが、本発明
によると、残留応力の幅は狭い。また、図８に示すよう
に、金属磁性膜２の中にこれとは別の膜として成膜され
た添加金属・Ｃｒを焼鈍により拡散させる場合、従来品
に比べてＣｒ含有量を多くして耐蝕性を上げても保持力
を小さく抑えて磁気特性を良い状態に保つことができ
る。
【００１８】尚、上述の実施例は本発明の好適な実施の
一例ではあるがこれに限定されるものではなく本発明の
要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能であ
る。例えば、発明は特に磁性膜に限らず内部応力が熱焼
鈍により変化するような薄膜の応力コントロール及び耐
蝕性などを向上させるための添加金属の添加拡散に効果
がある。スパッタリングや真空蒸着等の薄膜形成手法に
より成膜する場合、一般的にその膜は何らかの応力を有
する。特に成膜後何らかの理由により焼鈍する必要があ
るような膜についてはその応力状態が変化することが多
く、中でも金属膜は相転移等により大きく変化する。こ
ういった現象が製品等の歩留り等を著しく悪化させるよ
うな場合でかつある程度の不純物等の含有が許されるよ
うな薄膜については本発明が有効に適用できる。また、
添加金属の膜は、金属磁性材料の膜と交互に成膜した多
層構造としても良い。
一例ではあるがこれに限定されるものではなく本発明の
要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能であ
る。例えば、発明は特に磁性膜に限らず内部応力が熱焼
鈍により変化するような薄膜の応力コントロール及び耐
蝕性などを向上させるための添加金属の添加拡散に効果
がある。スパッタリングや真空蒸着等の薄膜形成手法に
より成膜する場合、一般的にその膜は何らかの応力を有
する。特に成膜後何らかの理由により焼鈍する必要があ
るような膜についてはその応力状態が変化することが多
く、中でも金属膜は相転移等により大きく変化する。こ
ういった現象が製品等の歩留り等を著しく悪化させるよ
うな場合でかつある程度の不純物等の含有が許されるよ
うな薄膜については本発明が有効に適用できる。また、
添加金属の膜は、金属磁性材料の膜と交互に成膜した多
層構造としても良い。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
は、センダスト等の金属磁性膜の上、下あるいは途中に
単層あるいは多層にしてＣｒあるいはＨｆ，Ｒｕ等の白
金属元素から成る比較的拡散が容易な添加金属膜を成膜
してから焼鈍することによって、添加金属膜を金属磁性
膜中に拡散させるようにしたので、金属磁性材料の膜の
結晶が成長し体積収縮した隙間を拡散元素によって充填
でき、内部応力を抑制できる。この効果を図７に示す。
内部応力の焼鈍前後での変化を小さくできることによ
り、応力コントロールが容易になりヘッドの充填ガラス
クラック等の残留応力による不良を減らせる。
は、センダスト等の金属磁性膜の上、下あるいは途中に
単層あるいは多層にしてＣｒあるいはＨｆ，Ｒｕ等の白
金属元素から成る比較的拡散が容易な添加金属膜を成膜
してから焼鈍することによって、添加金属膜を金属磁性
膜中に拡散させるようにしたので、金属磁性材料の膜の
結晶が成長し体積収縮した隙間を拡散元素によって充填
でき、内部応力を抑制できる。この効果を図７に示す。
内部応力の焼鈍前後での変化を小さくできることによ
り、応力コントロールが容易になりヘッドの充填ガラス
クラック等の残留応力による不良を減らせる。
【００２０】また、内部応力が減った磁性膜は基板との
付着強度が強く、ヘッド製作工程中での膜剥離等の不良
を減らせる。
付着強度が強く、ヘッド製作工程中での膜剥離等の不良
を減らせる。
【００２１】更に、耐蝕性が要求される用途の金属磁性
薄膜にはその添加物として例えばＣｒまたはＨｆ，Ｒ
ｕ，Ｐｔ等の白金族元素、さらにＴｉ，Ｗ等の元素を１
種以上成膜して拡散させることによって、スパッタリン
グ、真空蒸着、イオンプレーティング等のターゲットに
同元素を金属磁性材料と共に混ぜて膜付けするより次の
点で有利である。
薄膜にはその添加物として例えばＣｒまたはＨｆ，Ｒ
ｕ，Ｐｔ等の白金族元素、さらにＴｉ，Ｗ等の元素を１
種以上成膜して拡散させることによって、スパッタリン
グ、真空蒸着、イオンプレーティング等のターゲットに
同元素を金属磁性材料と共に混ぜて膜付けするより次の
点で有利である。
【００２２】ターゲット中にＣｒ等の元素を種々混入
させるとターゲットそのものの割れ等が発生し製作が困
難になる。本発明の薄膜磁性材料の場合、添加元素をタ
ーゲット中に混入させる必要がなく、その心配がない。 ターゲット中に耐蝕性元素を混入させて成膜する従来
法より高い含有率で、耐蝕性元素を添加しても磁気特性
の劣化が少ない。 耐蝕性元素の含有率を、耐蝕性元素の膜厚と金属磁性
膜の膜厚との比で成膜コントロールすることができるた
め、ターゲットと実際に成膜される膜との間に組成ずれ
というようなことが起こらず耐蝕性が所望する組成比に
し易い。
させるとターゲットそのものの割れ等が発生し製作が困
難になる。本発明の薄膜磁性材料の場合、添加元素をタ
ーゲット中に混入させる必要がなく、その心配がない。 ターゲット中に耐蝕性元素を混入させて成膜する従来
法より高い含有率で、耐蝕性元素を添加しても磁気特性
の劣化が少ない。 耐蝕性元素の含有率を、耐蝕性元素の膜厚と金属磁性
膜の膜厚との比で成膜コントロールすることができるた
め、ターゲットと実際に成膜される膜との間に組成ずれ
というようなことが起こらず耐蝕性が所望する組成比に
し易い。
【図１】焼鈍前の本発明の薄膜磁性材料の一例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】焼鈍前の本発明の薄膜磁性材料の他の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】焼鈍前の本発明の薄膜磁性材料の更に他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図４】本発明の薄膜磁性材料の一例として、センダス
トと添加金属Ｃｒとの状況を示す図で、（Ａ）は焼鈍前
の状況を、（Ｂ）は焼鈍後の状況を各々示す。
トと添加金属Ｃｒとの状況を示す図で、（Ａ）は焼鈍前
の状況を、（Ｂ）は焼鈍後の状況を各々示す。
【図５】図４のセンダストにおけるＣｒ拡散状況とセン
ダストスパッタパワーとの関係を示すグラフである。
ダストスパッタパワーとの関係を示すグラフである。
【図６】図４のセンダストにおけるＣｒの拡散状況とセ
ンダストスパッタガス圧との関係を示すグラフである。
ンダストスパッタガス圧との関係を示すグラフである。
【図７】Ｃｒの拡散による焼鈍後の応力変化率の改善を
本発明と従来とを比較して示すグラフである。
本発明と従来とを比較して示すグラフである。
【図８】センダスト膜のＣｒ含有量と保磁力との関係を
本発明品と従来品とで比較して示すグラフである。
本発明品と従来品とで比較して示すグラフである。
【図９】Ｍ１Ｇヘッドの一例を示す斜視図である。
【図１０】ラミネートヘッドの一例を示す斜視図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 金属磁性材料の膜 ３ 添加金属膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１２月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】焼鈍前の本発明の薄膜磁性材料の一例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】焼鈍前の本発明の薄膜磁性材料の他の実施例を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】 焼鈍前の本発明の薄膜磁性材料の更に他の実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図４】本発明の薄膜磁性材料の一例として、センダス
トと添加金属Ｃｒとの状況を示す図で、（Ａ）は焼鈍前
の状況を、（Ｂ）は焼鈍後の状況を各々示す。
トと添加金属Ｃｒとの状況を示す図で、（Ａ）は焼鈍前
の状況を、（Ｂ）は焼鈍後の状況を各々示す。
【図５】図４のセンダストにおけるＣｒ拡散状況とセン
ダストスパッタパワーとの関係を示すグラフである。
ダストスパッタパワーとの関係を示すグラフである。
【図６】図４のセンダストにおけるＣｒの拡散状況とセ
ンダストスパッタガス圧との関係を示すグラフである。
ンダストスパッタガス圧との関係を示すグラフである。
【図７】Ｃｒの拡散による焼鈍後の応力変化率の改善を
本発明と従来とを比較して示すグラフである。
本発明と従来とを比較して示すグラフである。
【図８】センダスト膜のＣｒ含有量と保磁力との関係を
本発明品と従来品とで比較して示すグラフである。
本発明品と従来品とで比較して示すグラフである。
【図９】Ｍ１Ｇヘッドの一例を示す斜視図である。
【図１０】ラミネートヘッドの一例を示す斜視図であ
る。
る。
【符号の説明】 １ 基板 ２ 金属磁性材料の膜 ３ 添加金属膜
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 5/31 Ｃ 8947−5Ｄ Ｈ０１Ｆ 41/22
Claims (1)
- 【請求項１】 基板に成膜される薄膜磁性材料におい
て、金属磁性膜とクロムもしくは白金属元素から成る添
加金属膜とを成膜し、前記添加金属膜を前記金属磁性膜
中に焼鈍により拡散させてなることを特徴とする薄膜磁
性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2347193A JPH06215939A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | 薄膜磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2347193A JPH06215939A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | 薄膜磁性材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06215939A true JPH06215939A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=12111452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2347193A Pending JPH06215939A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | 薄膜磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06215939A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019534562A (ja) * | 2016-10-27 | 2019-11-28 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティ オブ アラバマ | Ｆｅ−Ａｌ系合金磁性薄膜 |
-
1993
- 1993-01-20 JP JP2347193A patent/JPH06215939A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019534562A (ja) * | 2016-10-27 | 2019-11-28 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティ オブ アラバマ | Ｆｅ−Ａｌ系合金磁性薄膜 |
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