JPH06215964A - 高周波用電源トランス - Google Patents
高周波用電源トランスInfo
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- JPH06215964A JPH06215964A JP5007193A JP719393A JPH06215964A JP H06215964 A JPH06215964 A JP H06215964A JP 5007193 A JP5007193 A JP 5007193A JP 719393 A JP719393 A JP 719393A JP H06215964 A JPH06215964 A JP H06215964A
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- conductor
- foil strip
- thickness
- insulating layer
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2823—Wires
- H01F2027/2833—Wires using coaxial cable as wire
Landscapes
- Coils Of Transformers For General Uses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 出力が数ワット以上のトランスを対象とし
た、薄形・低損失の高周波用電源トランスを提供する。 【構成】 中心部導体1に絶縁層2を介して外周部導体
箔帯3を巻き、この外周部導体箔帯3上に絶縁層4を介
して磁性箔帯5を巻いた構造とする。このような同軸構
造のトランスをU字形に形成し、中心部導体1をトラン
スの1次側あるいは2次側の巻線とし、外周部導体箔帯
3をトランスの2次側あるいは1次側の巻線とする。こ
のように1次側および2次側の導体と磁性箔帯を同軸状
に配置することにより、1次側・2次側導体間の結合を
高くしトランスの特性を向上させると共に、漏れ磁束を
大幅に減少させ、トランスの損失を低減させる。さら
に、トランスの厚さを導体厚さ、導体箔体厚さ、絶縁層
厚さ、磁性箔厚さの和として、薄膜技術を用いず薄型化
を図ることにより、高出力を実現する。
た、薄形・低損失の高周波用電源トランスを提供する。 【構成】 中心部導体1に絶縁層2を介して外周部導体
箔帯3を巻き、この外周部導体箔帯3上に絶縁層4を介
して磁性箔帯5を巻いた構造とする。このような同軸構
造のトランスをU字形に形成し、中心部導体1をトラン
スの1次側あるいは2次側の巻線とし、外周部導体箔帯
3をトランスの2次側あるいは1次側の巻線とする。こ
のように1次側および2次側の導体と磁性箔帯を同軸状
に配置することにより、1次側・2次側導体間の結合を
高くしトランスの特性を向上させると共に、漏れ磁束を
大幅に減少させ、トランスの損失を低減させる。さら
に、トランスの厚さを導体厚さ、導体箔体厚さ、絶縁層
厚さ、磁性箔厚さの和として、薄膜技術を用いず薄型化
を図ることにより、高出力を実現する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、コンバータやスイッチ
ング電源等に好適で小形・薄形に構成された高周波特性
に優れる高周波用電源トランスに関するものである。
ング電源等に好適で小形・薄形に構成された高周波特性
に優れる高周波用電源トランスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器構成部品の小形化・薄形
化の要請は厳しく、高品質な電力を供給するスイッチン
グ電源においても小形・薄形化は必須の課題であり、ス
イッチング周波数の高周波化により、トランス、コンデ
ンサ等の部品を小さくすることで小形化が進められてき
た。半導体部品やコンデンサ部品では、LSIや積層セ
ラミックコンデンサに代表されるように、早くから薄膜
技術が用いられ、構成部品小形化の要請に十分応えてき
た。一方、トランス等の磁性部品は、これまでのところ
小形化しにくく、とりわけ携帯機器においては、薄形化
を妨げる第一の要因であった。このため、低背丈化をね
らいとした偏平コアやシートコイル導体等に代表され
る、従来のコア成形技術、巻線技術の改良を主とした方
法で検討が進められていた。
化の要請は厳しく、高品質な電力を供給するスイッチン
グ電源においても小形・薄形化は必須の課題であり、ス
イッチング周波数の高周波化により、トランス、コンデ
ンサ等の部品を小さくすることで小形化が進められてき
た。半導体部品やコンデンサ部品では、LSIや積層セ
ラミックコンデンサに代表されるように、早くから薄膜
技術が用いられ、構成部品小形化の要請に十分応えてき
た。一方、トランス等の磁性部品は、これまでのところ
小形化しにくく、とりわけ携帯機器においては、薄形化
を妨げる第一の要因であった。このため、低背丈化をね
らいとした偏平コアやシートコイル導体等に代表され
る、従来のコア成形技術、巻線技術の改良を主とした方
法で検討が進められていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の改良した技術によるコアの窓枠部分に巻線を施すポッ
トコア、Eコア等の従来のバルクコアトランスでも、構
造上の制約から薄形化には限界がある。また、薄膜形成
技術を用いた極薄の薄膜トランスが検討されているが
(例えば、T.YACHI,M.MINO,A.TAG
O,and K.YANAGISAWA,PESC’9
1 RECORDS,pp.20−26,1991.
や、山口,大沼,今川,鳥生,電気学会研究会資料,M
AG−91−62,1991.)、薄膜導体の断面積に
よって電流量が制約されるため、扱える電力は約1W以
下と比較的小さい。
の改良した技術によるコアの窓枠部分に巻線を施すポッ
トコア、Eコア等の従来のバルクコアトランスでも、構
造上の制約から薄形化には限界がある。また、薄膜形成
技術を用いた極薄の薄膜トランスが検討されているが
(例えば、T.YACHI,M.MINO,A.TAG
O,and K.YANAGISAWA,PESC’9
1 RECORDS,pp.20−26,1991.
や、山口,大沼,今川,鳥生,電気学会研究会資料,M
AG−91−62,1991.)、薄膜導体の断面積に
よって電流量が制約されるため、扱える電力は約1W以
下と比較的小さい。
【0004】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的は、出力が数W以上のトラ
ンスを対象とした、薄形・低損失のトランスを提供する
ことにある。
されたものであり、その目的は、出力が数W以上のトラ
ンスを対象とした、薄形・低損失のトランスを提供する
ことにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の高周波用電源トランスにおいては、導体に
絶縁層を介して導体箔帯を巻き、該導体箔帯上に絶縁層
を介して磁性箔帯を巻いた構造を有し、該導体および導
体箔帯の片方を1次側導体あるいは2次側導体とし、他
方を2次側導体あるいは1次側導体とすることを特徴と
している。
め、本発明の高周波用電源トランスにおいては、導体に
絶縁層を介して導体箔帯を巻き、該導体箔帯上に絶縁層
を介して磁性箔帯を巻いた構造を有し、該導体および導
体箔帯の片方を1次側導体あるいは2次側導体とし、他
方を2次側導体あるいは1次側導体とすることを特徴と
している。
【0006】
【作用】本発明の高周波用電源トランスでは、1次側導
体および2次側導体と磁性箔帯を同軸状に配置した構造
とすることにより、1次側・2次側導体間の結合を高く
しトランスの特性を向上させるとともに、従来技術によ
る偏平コアで問題となる漏れ磁束を大幅に減少させ、ト
ランスの損失の低減を図る。さらに、トランスの厚さを
導体厚さならびに導体箔体厚さ、絶縁層厚さ、磁性箔厚
さの和となるようにし、所望の出力に合わせて必要最低
限の厚さのトランスを簡便に作製できるようにし、薄型
化を図る。このように、薄膜技術を使用しないで薄型化
を図ることにより、高出力を実現する。
体および2次側導体と磁性箔帯を同軸状に配置した構造
とすることにより、1次側・2次側導体間の結合を高く
しトランスの特性を向上させるとともに、従来技術によ
る偏平コアで問題となる漏れ磁束を大幅に減少させ、ト
ランスの損失の低減を図る。さらに、トランスの厚さを
導体厚さならびに導体箔体厚さ、絶縁層厚さ、磁性箔厚
さの和となるようにし、所望の出力に合わせて必要最低
限の厚さのトランスを簡便に作製できるようにし、薄型
化を図る。このように、薄膜技術を使用しないで薄型化
を図ることにより、高出力を実現する。
【0007】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
【0008】〔実施例1〕図1(a),(b)は本発明
の第1の実施例を示す高周波用電源トランスの断面模式
図(a)と鳥瞰模式図(b)である。各図において、1
は中心部導体、2は絶縁層、3は外周部導体箔帯、4は
絶縁層、5は磁性箔帯である。
の第1の実施例を示す高周波用電源トランスの断面模式
図(a)と鳥瞰模式図(b)である。各図において、1
は中心部導体、2は絶縁層、3は外周部導体箔帯、4は
絶縁層、5は磁性箔帯である。
【0009】本実施例の高周波用電源トランスにおいて
は、中心部導体1に絶縁層2を介して外周部導体箔帯3
を巻き、この外周部導体箔帯3上に絶縁層4を介して磁
性箔帯5を巻いた構造とする。このような同軸構造のト
ランスを図1(b)に示すように例えばU字形に形成
し、中心部導体1をトランスの1次側あるいは2次側の
巻線(導体)とし、外周部導体箔体3を2次側あるいは
1次側の巻線(導体)とし、外部に接続して使用する。
以下に本実施例の高周波用電源トランスの製作方法を具
体例で示す。
は、中心部導体1に絶縁層2を介して外周部導体箔帯3
を巻き、この外周部導体箔帯3上に絶縁層4を介して磁
性箔帯5を巻いた構造とする。このような同軸構造のト
ランスを図1(b)に示すように例えばU字形に形成
し、中心部導体1をトランスの1次側あるいは2次側の
巻線(導体)とし、外周部導体箔体3を2次側あるいは
1次側の巻線(導体)とし、外部に接続して使用する。
以下に本実施例の高周波用電源トランスの製作方法を具
体例で示す。
【0010】初めに、中心部導体1として直径300μ
mφの心線を持つ外皮付き導線(外皮が絶縁層2とな
る)に、外周部導体箔帯3として厚さ100μmの銅箔
を螺旋状に巻き付ける。次に、外周部導体箔帯3上に例
えば厚さ7.5μmのポリイミドシートを絶縁層4とし
て巻き付け、その上に磁性箔帯5として、表面に絶縁層
を形成した例えば厚さ20μmのCo基アモルファス箔
帯を螺旋状に複数回巻き付ける。この後、図1(b)に
示すようにU字形状曲げる。もちろん、先に中心部導体
1をU字形状に曲げ、そこに絶縁層2、外周部導体箔体
3等を巻き付けて作製しても良い。
mφの心線を持つ外皮付き導線(外皮が絶縁層2とな
る)に、外周部導体箔帯3として厚さ100μmの銅箔
を螺旋状に巻き付ける。次に、外周部導体箔帯3上に例
えば厚さ7.5μmのポリイミドシートを絶縁層4とし
て巻き付け、その上に磁性箔帯5として、表面に絶縁層
を形成した例えば厚さ20μmのCo基アモルファス箔
帯を螺旋状に複数回巻き付ける。この後、図1(b)に
示すようにU字形状曲げる。もちろん、先に中心部導体
1をU字形状に曲げ、そこに絶縁層2、外周部導体箔体
3等を巻き付けて作製しても良い。
【0011】こうして作製されたトランスは、厚さ約2
mm、長さ約10cmのU字形の形状を持った、1次側
1ターン、2次側1ターンの巻線比1対1の高周波用電
源トランスである。このトランスを例えば3Wの1石フ
ォワードコンバータに実装し特性を評価した結果、従来
の偏平コア(高さ約8mm)を用いたコンバータに比
べ、厚さで約半分に薄形化され、同等以上の効率を得る
ことができた。また、このとき、トランスの温度上昇
は、従来構造のトランスに比べ、2/3以下であった。
このように本実施例のトランスは薄形・高効率で、かつ
局所的な発熱をともなわず、放熱にも優れているため、
高密度実装が可能となる特徴を有している。
mm、長さ約10cmのU字形の形状を持った、1次側
1ターン、2次側1ターンの巻線比1対1の高周波用電
源トランスである。このトランスを例えば3Wの1石フ
ォワードコンバータに実装し特性を評価した結果、従来
の偏平コア(高さ約8mm)を用いたコンバータに比
べ、厚さで約半分に薄形化され、同等以上の効率を得る
ことができた。また、このとき、トランスの温度上昇
は、従来構造のトランスに比べ、2/3以下であった。
このように本実施例のトランスは薄形・高効率で、かつ
局所的な発熱をともなわず、放熱にも優れているため、
高密度実装が可能となる特徴を有している。
【0012】〔実施例2〕次に、本発明の第2の実施例
を示す。図2(a),(b)は、本第2の実施例により
製作した基本トランス部分を示す高周波用電源トランス
の断面模試図(a)と鳥瞰模式図(b)である。各図に
おいて、11は中心部導体群、12は絶縁層、13は外
周部導体箔体群、14は絶縁層、15は磁性箔帯であ
る。第1の実施例との差異は、中心部および外周部の各
導体を複数の導体群とすることにより多数巻線としてい
ることである。
を示す。図2(a),(b)は、本第2の実施例により
製作した基本トランス部分を示す高周波用電源トランス
の断面模試図(a)と鳥瞰模式図(b)である。各図に
おいて、11は中心部導体群、12は絶縁層、13は外
周部導体箔体群、14は絶縁層、15は磁性箔帯であ
る。第1の実施例との差異は、中心部および外周部の各
導体を複数の導体群とすることにより多数巻線としてい
ることである。
【0013】図2(b)において、中心部導体群11を
トランスの1次側あるいは2次側の巻線とし、外周部導
体箔体群13をトランスの2次側あるいは1次側の巻線
として、外部に接続して使用する。以下に本実施例の基
本トランス部分の製作方法を具体例で示す。
トランスの1次側あるいは2次側の巻線とし、外周部導
体箔体群13をトランスの2次側あるいは1次側の巻線
として、外部に接続して使用する。以下に本実施例の基
本トランス部分の製作方法を具体例で示す。
【0014】初めに、中心部導体群11として直径10
0μmφの心線を持つ外皮付きより線20本(リッツ
線)を製作する。続いて、図3(a)に示す様に例えば
厚さ25μmのポリイミドシート7で裏打ちされた銅箔
(厚さ100μm)6のシートを、ケミカルエッチング
により図3(b),(c)に示す様にパターン加工し、
絶縁用の溝で分離された複数本の導体箔体群6′を形成
する。このようなポリイミドシート7を内側にして、導
体箔体群6′を前記20本の外皮付きより線を束ねた中
心部導体群11に巻き付ける。エッチングされた銅箔に
よる図3の導体箔体群6′が図2の外周部導体群13と
なる。また、図3のポリイミドシート7が図2の絶縁層
12に相当する。さらに上記に続いて、導体箔体群6′
の外側に例えば厚さ7.5μmのポリイミドシートを絶
縁層14として巻き付けたのち、磁性箔帯15として、
表面に絶縁層を形成した例えば厚さ20μmのCo基ア
モルファス箔帯を螺旋状に複数回巻き付ける。この後、
全体をU字形状に曲げる。もちろん、先に中心部導体群
11をU字形状に曲げておいて、そこに外周部導体箔体
群13や磁性箔体15等を巻き付けてもよい。こうして
製作したトランスは中心部導体として20端子、外周部
導体として16端子を有している。
0μmφの心線を持つ外皮付きより線20本(リッツ
線)を製作する。続いて、図3(a)に示す様に例えば
厚さ25μmのポリイミドシート7で裏打ちされた銅箔
(厚さ100μm)6のシートを、ケミカルエッチング
により図3(b),(c)に示す様にパターン加工し、
絶縁用の溝で分離された複数本の導体箔体群6′を形成
する。このようなポリイミドシート7を内側にして、導
体箔体群6′を前記20本の外皮付きより線を束ねた中
心部導体群11に巻き付ける。エッチングされた銅箔に
よる図3の導体箔体群6′が図2の外周部導体群13と
なる。また、図3のポリイミドシート7が図2の絶縁層
12に相当する。さらに上記に続いて、導体箔体群6′
の外側に例えば厚さ7.5μmのポリイミドシートを絶
縁層14として巻き付けたのち、磁性箔帯15として、
表面に絶縁層を形成した例えば厚さ20μmのCo基ア
モルファス箔帯を螺旋状に複数回巻き付ける。この後、
全体をU字形状に曲げる。もちろん、先に中心部導体群
11をU字形状に曲げておいて、そこに外周部導体箔体
群13や磁性箔体15等を巻き付けてもよい。こうして
製作したトランスは中心部導体として20端子、外周部
導体として16端子を有している。
【0015】次に、このような基本トランスを用いて巻
線比4ターン対2ターンの高周波用電源トランスを作製
する例を示す。図4(a),(b)は、本実施例の高周
波用電源トランス両端の断面模式図であり、図5はその
鳥瞰模式図である。これらの図では、基本構成が図2と
同じなので、各導体のみに符号を付して示している。図
4(a),(b)の断面模式図を用いて本実施例の巻線
の接続方法を示す。ただし記号の付け方として、例えば
導体の一方端をalやA1とした場合、同導体の他方端
はa’lやA’1としている。中心部導体群11を1次
側巻線、外周部導体箔体群13を2次側巻線とした場
合、中心部導体群11の巻線のうちal〜a5をそれぞ
れ接続して一本の導体aとし、各導体の他端a’1〜
a’5を同様に接続して一本の導体a’とする。同様に
b1〜b5を接続して導体bとし、b’1〜b’5を接
続して導体b’とする。また、c1〜c5を接続して導
体cとし、c’1〜c’5を接続して導体c’とし、d
1〜d5を接続して導体dとし、d1〜d’5を接続し
て導体d’とする。こうして作製された導体a〜dおよ
びa’〜d’は、図5に示すようにa’とb、b’と
c、c’とdをそれぞれ接続することにより、4ターン
の巻線(a〜d’)となる。同様に、外周部導体箔体群
13の巻線は、導体A1〜A8とB1〜B8とA’1〜
A’8とB’1〜B’8の各々にまとめて接続して、導
体A,B,A’,B’を作製する。そして、導体A’と
Bとを接続することにより、2ターンの巻線(A〜
B’)となる。この様な接続により1次側巻線が4巻
線、2次側巻線が2巻線となり、巻線比が4対2のトラ
ンスとなる。本実施例による作製例では、巻線比が4対
2であるが、他の巻線比をとることも可能である。
線比4ターン対2ターンの高周波用電源トランスを作製
する例を示す。図4(a),(b)は、本実施例の高周
波用電源トランス両端の断面模式図であり、図5はその
鳥瞰模式図である。これらの図では、基本構成が図2と
同じなので、各導体のみに符号を付して示している。図
4(a),(b)の断面模式図を用いて本実施例の巻線
の接続方法を示す。ただし記号の付け方として、例えば
導体の一方端をalやA1とした場合、同導体の他方端
はa’lやA’1としている。中心部導体群11を1次
側巻線、外周部導体箔体群13を2次側巻線とした場
合、中心部導体群11の巻線のうちal〜a5をそれぞ
れ接続して一本の導体aとし、各導体の他端a’1〜
a’5を同様に接続して一本の導体a’とする。同様に
b1〜b5を接続して導体bとし、b’1〜b’5を接
続して導体b’とする。また、c1〜c5を接続して導
体cとし、c’1〜c’5を接続して導体c’とし、d
1〜d5を接続して導体dとし、d1〜d’5を接続し
て導体d’とする。こうして作製された導体a〜dおよ
びa’〜d’は、図5に示すようにa’とb、b’と
c、c’とdをそれぞれ接続することにより、4ターン
の巻線(a〜d’)となる。同様に、外周部導体箔体群
13の巻線は、導体A1〜A8とB1〜B8とA’1〜
A’8とB’1〜B’8の各々にまとめて接続して、導
体A,B,A’,B’を作製する。そして、導体A’と
Bとを接続することにより、2ターンの巻線(A〜
B’)となる。この様な接続により1次側巻線が4巻
線、2次側巻線が2巻線となり、巻線比が4対2のトラ
ンスとなる。本実施例による作製例では、巻線比が4対
2であるが、他の巻線比をとることも可能である。
【0016】こうして作成されたトランスは、厚さ約4
mm、長さ約10cmのU字形の形状を持つ。このトラ
ンスを例えば出力6Wの一石フォワードコンバータで動
作させた場合、本発明のトランスでは薄形・高効率で、
かつ局所的な発熱をともなわず、放熱にも優れているた
め、従来と同等以上のコンバータ性能を得ることができ
る。
mm、長さ約10cmのU字形の形状を持つ。このトラ
ンスを例えば出力6Wの一石フォワードコンバータで動
作させた場合、本発明のトランスでは薄形・高効率で、
かつ局所的な発熱をともなわず、放熱にも優れているた
め、従来と同等以上のコンバータ性能を得ることができ
る。
【0017】〔実施例3〕次に、本発明による第3の実
施例を示す。この実施例は、多出力の高周波用電源トラ
ンスの例であり、具体例として、上記第2の実施例の基
本トランスを用い、1次側4ターンならびに2次側5タ
ーン、5ターン、6ターンからなる3出力トランスを作
製する例について示す。
施例を示す。この実施例は、多出力の高周波用電源トラ
ンスの例であり、具体例として、上記第2の実施例の基
本トランスを用い、1次側4ターンならびに2次側5タ
ーン、5ターン、6ターンからなる3出力トランスを作
製する例について示す。
【0018】図6(a),(b)は本実施例の高周波用
電源トランス両端の断面模式図である。この図でも、基
本構成が図2と同じであるので、各導体のみに符号を付
して示してある。中心部導体11を1次側巻線、外周部
導体箔体群13を2次側巻線とし、上記ターン数を得る
ために、1次側は第2の実施例と同様の結線を行い4タ
ーンとし、2次側については3出力のための結線を以下
のように行う。まず、図6(a),(b)中のA1〜A
5、A’1〜A’5をAグループとして、A’1とA
2、A’2とA3、A’3とA4、A’4とA5とそれ
ぞれ結線して5ターン(A1〜A’5)の巻線とする。
同様に図中のB1〜B5、B’1〜B’5をBグループ
として、B’1とB2,B’2とB3,B’3とB4,
B’4とB5とをそれぞれ結線して5ターン(B1〜
B’5)の巻線とする。さらに、C1〜C5、C’1〜
C’5をCグループとしてC’1とC2、C’2とC
3、C’3とC4、C’4とC5、C’5とC6とをそ
れぞれ結線して6ターン(C1〜C’6)の巻線とす
る。
電源トランス両端の断面模式図である。この図でも、基
本構成が図2と同じであるので、各導体のみに符号を付
して示してある。中心部導体11を1次側巻線、外周部
導体箔体群13を2次側巻線とし、上記ターン数を得る
ために、1次側は第2の実施例と同様の結線を行い4タ
ーンとし、2次側については3出力のための結線を以下
のように行う。まず、図6(a),(b)中のA1〜A
5、A’1〜A’5をAグループとして、A’1とA
2、A’2とA3、A’3とA4、A’4とA5とそれ
ぞれ結線して5ターン(A1〜A’5)の巻線とする。
同様に図中のB1〜B5、B’1〜B’5をBグループ
として、B’1とB2,B’2とB3,B’3とB4,
B’4とB5とをそれぞれ結線して5ターン(B1〜
B’5)の巻線とする。さらに、C1〜C5、C’1〜
C’5をCグループとしてC’1とC2、C’2とC
3、C’3とC4、C’4とC5、C’5とC6とをそ
れぞれ結線して6ターン(C1〜C’6)の巻線とす
る。
【0019】この様な方法で製作したトランスは1次側
に4ターン、2次側には5ターンが2出力と6ターンが
1出力の全部で3出力を取り出すことができる。この様
に巻線の接続方法を変えることにより、本実施例の高周
波用電源トランスでは、複数の出力を得ることが可能で
ある。
に4ターン、2次側には5ターンが2出力と6ターンが
1出力の全部で3出力を取り出すことができる。この様
に巻線の接続方法を変えることにより、本実施例の高周
波用電源トランスでは、複数の出力を得ることが可能で
ある。
【0020】こうして作製されたトランスは厚さ約4m
m、長さ約10cmのU字形の形状を持つ。このトラン
スを例えば出力6Wの一石フォワードコンバータで動作
させた場合、本発明の高周波用電源トランスでは薄形・
高効率で、かつ局所的な発熱をともなわず、放熱にも優
れているため、従来と同等以上のコンバータ性能を得る
ことができる。
m、長さ約10cmのU字形の形状を持つ。このトラン
スを例えば出力6Wの一石フォワードコンバータで動作
させた場合、本発明の高周波用電源トランスでは薄形・
高効率で、かつ局所的な発熱をともなわず、放熱にも優
れているため、従来と同等以上のコンバータ性能を得る
ことができる。
【0021】なお、第1の実施例では中心部導体断面を
円形とする図例を示したが、楕円形や偏平状としたり、
第2および第3の実施例では中心部導体群を円形に束ね
た図例を示したが、楕円形や偏平状に束ねたりすること
により、一層薄形に形成することもできる。さらに、外
周部導体箔体群を構成するエッチングされた銅箔間には
絶縁材を充填することもできる。さらに、上記各実施例
では、トランス形状をU字形状とする例を示したが、任
意に曲げた形状のトランスを作製することが可能であ
る。このため、実装基板上の空隙を利用して、実装密度
を向上させることが可能となる。このように本発明は、
その主旨に沿って種々に応用され、種々の実施態様を取
り得るものである。
円形とする図例を示したが、楕円形や偏平状としたり、
第2および第3の実施例では中心部導体群を円形に束ね
た図例を示したが、楕円形や偏平状に束ねたりすること
により、一層薄形に形成することもできる。さらに、外
周部導体箔体群を構成するエッチングされた銅箔間には
絶縁材を充填することもできる。さらに、上記各実施例
では、トランス形状をU字形状とする例を示したが、任
意に曲げた形状のトランスを作製することが可能であ
る。このため、実装基板上の空隙を利用して、実装密度
を向上させることが可能となる。このように本発明は、
その主旨に沿って種々に応用され、種々の実施態様を取
り得るものである。
【0022】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
高周波用電源トランスによれば、これまでのバルクコア
を用いた場合に比べ、大幅な薄形化と同時に、トランス
特性の向上と低損失化が実現できる。また、薄膜トラン
スに比べ、導体断面積が大きくとれるため、出力が大き
くとれる。また、任意の形状にすることが可能となるた
め、基板上の空隙部を有効に利用することができ、実装
密度を向上させることができる。さらに、同軸線状に作
製される本発明のトランスは、従来のトランスで生じる
局所的な発熱が無く、放熱性にも優れているため、高密
度実装に最適なトランスである。
高周波用電源トランスによれば、これまでのバルクコア
を用いた場合に比べ、大幅な薄形化と同時に、トランス
特性の向上と低損失化が実現できる。また、薄膜トラン
スに比べ、導体断面積が大きくとれるため、出力が大き
くとれる。また、任意の形状にすることが可能となるた
め、基板上の空隙部を有効に利用することができ、実装
密度を向上させることができる。さらに、同軸線状に作
製される本発明のトランスは、従来のトランスで生じる
局所的な発熱が無く、放熱性にも優れているため、高密
度実装に最適なトランスである。
【図1】(a)は本発明の第1の実施例を示す断面模式
図、(b)はその鳥瞰模式図
図、(b)はその鳥瞰模式図
【図2】(a)は本発明の第2の実施例に使用する基本
トランスの断面模式図、(b)はその鳥瞰模式図
トランスの断面模式図、(b)はその鳥瞰模式図
【図3】(a)は上記第2の実施例に用いる銅箔シート
側面図、(b)は上記第2の実施例に用いるケミカルエ
ッチングにより作製した外周部導体箔体群の鳥瞰模式
図、(c)は上記第2の実施例に用いるケミカルエッチ
ングにより作製した外周部導体箔体群の断面模式図
側面図、(b)は上記第2の実施例に用いるケミカルエ
ッチングにより作製した外周部導体箔体群の鳥瞰模式
図、(c)は上記第2の実施例に用いるケミカルエッチ
ングにより作製した外周部導体箔体群の断面模式図
【図4】(a),(b)は本発明の第2の実施例を示す
高周波用電源トランス両端の断面模式図
高周波用電源トランス両端の断面模式図
【図5】上記第2の実施例の鳥瞰模式図
【図6】(a),(b)は本発明の第3の実施例を示す
高周波用電源トランス両端の断面模式図
高周波用電源トランス両端の断面模式図
1…中心部導体 2…絶縁層 3…外周部導体箔帯 4…絶縁層 5…磁性箔帯 6…銅箔 6′…導体箔体群 7…ポリイミドシート 11…中心部導体群 12…絶縁層 13…外周部導体箔帯群 14…絶縁層 15…磁性箔帯
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷内 利明 東京都千代田区内幸町1丁目1番6号 日 本電信電話株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】 導体に絶縁層を介して導体箔帯を巻き、
該導体箔帯上に絶縁層を介して磁性箔帯を巻いた構造を
有し、該導体および導体箔帯の片方を1次側導体あるい
は2次側導体とし、他方を2次側導体あるいは1次側導
体とすることを特徴とする高周波用電源トランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5007193A JPH06215964A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | 高周波用電源トランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5007193A JPH06215964A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | 高周波用電源トランス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06215964A true JPH06215964A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11659205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5007193A Pending JPH06215964A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | 高周波用電源トランス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06215964A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014025643A1 (en) * | 2012-08-06 | 2014-02-13 | The Trustees Of Dartmouth College | Systems and methods for promoting low loss in parallel conductors at high frequencies |
| JP2016051556A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 株式会社島津製作所 | 高周波電源装置 |
| CN107895640A (zh) * | 2017-10-23 | 2018-04-10 | 华北电力大学 | 一种降低高频变压器绕组损耗的方法 |
| JP2019503074A (ja) * | 2015-12-22 | 2019-01-31 | スーパーグリッド インスティテュート | 遠隔高電圧装置のための変圧器 |
-
1993
- 1993-01-20 JP JP5007193A patent/JPH06215964A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014025643A1 (en) * | 2012-08-06 | 2014-02-13 | The Trustees Of Dartmouth College | Systems and methods for promoting low loss in parallel conductors at high frequencies |
| JP2016051556A (ja) * | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 株式会社島津製作所 | 高周波電源装置 |
| JP2019503074A (ja) * | 2015-12-22 | 2019-01-31 | スーパーグリッド インスティテュート | 遠隔高電圧装置のための変圧器 |
| CN107895640A (zh) * | 2017-10-23 | 2018-04-10 | 华北电力大学 | 一种降低高频变压器绕组损耗的方法 |
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