JPH06216075A - 真空排気装置 - Google Patents
真空排気装置Info
- Publication number
- JPH06216075A JPH06216075A JP5023767A JP2376793A JPH06216075A JP H06216075 A JPH06216075 A JP H06216075A JP 5023767 A JP5023767 A JP 5023767A JP 2376793 A JP2376793 A JP 2376793A JP H06216075 A JPH06216075 A JP H06216075A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- exhaust
- exhaust pipe
- load lock
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空排気に伴うパーティクルの舞い上がりを
抑えて、真空処理の被処理体の歩留まりを向上させるこ
とにある。 【構成】 真空処理室１に接続されたロードロック室２
の底部に、搬送アーム２１の支持台２１ａを除いて全面
に亘って板状の多孔質体３を配置すると共に、多孔質体
３と底壁２０との間に、第１の排気管４１に連通する通
気室３１を形成し、また第２の排気管４２を直接ロード
ロック室２に接続する。ロードロック室２内を常圧から
真空排気するにあたって先ず第１の排気管４１により多
孔質体３を介して真空排気し、所定の圧力になった後第
２の排気管４２により直接真空排気する。
抑えて、真空処理の被処理体の歩留まりを向上させるこ
とにある。 【構成】 真空処理室１に接続されたロードロック室２
の底部に、搬送アーム２１の支持台２１ａを除いて全面
に亘って板状の多孔質体３を配置すると共に、多孔質体
３と底壁２０との間に、第１の排気管４１に連通する通
気室３１を形成し、また第２の排気管４２を直接ロード
ロック室２に接続する。ロードロック室２内を常圧から
真空排気するにあたって先ず第１の排気管４１により多
孔質体３を介して真空排気し、所定の圧力になった後第
２の排気管４２により直接真空排気する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空排気装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスでは、エッチング、
アッシング、スパッタリング、イオン注入あるいは減圧
ＣＶＤなど種々の真空処理が行われる。この種の真空処
理装置においては、真空処理室内を一旦大気圧に戻して
しまうと真空排気に長い時間を要するため、真空処理室
に比べて容積の小さいロードロック室（真空予備室）を
真空処理室に接続し、このロードロック室のみを大気圧
に戻し、あるいは真空排気することでスループットを向
上させるようにしている。
アッシング、スパッタリング、イオン注入あるいは減圧
ＣＶＤなど種々の真空処理が行われる。この種の真空処
理装置においては、真空処理室内を一旦大気圧に戻して
しまうと真空排気に長い時間を要するため、真空処理室
に比べて容積の小さいロードロック室（真空予備室）を
真空処理室に接続し、このロードロック室のみを大気圧
に戻し、あるいは真空排気することでスループットを向
上させるようにしている。
【０００３】図６は従来のエッチング装置、特にロード
ロック室の構成を示す図であり、この例では、例えばエ
ッチングを行うための真空処理室１に、搬送アーム２１
を備えたロードロック室２がゲートバルブＧ１を介して
接続されている。前記ロードロック室２の底壁には、真
空排気手段２２及びバルブＶが介挿された排気管２３を
接続すると共に、清浄な気体例えば窒素ガスを供給する
ためのガス供給管２４が接続されており、またロードロ
ック室２の側壁には外部（大気圧雰囲気）との間を開閉
するゲートバルブＧ２が設けられている。
ロック室の構成を示す図であり、この例では、例えばエ
ッチングを行うための真空処理室１に、搬送アーム２１
を備えたロードロック室２がゲートバルブＧ１を介して
接続されている。前記ロードロック室２の底壁には、真
空排気手段２２及びバルブＶが介挿された排気管２３を
接続すると共に、清浄な気体例えば窒素ガスを供給する
ためのガス供給管２４が接続されており、またロードロ
ック室２の側壁には外部（大気圧雰囲気）との間を開閉
するゲートバルブＧ２が設けられている。
【０００４】このような構成のエッチング装置では、真
空処理室１を予め所定の真空度に維持してゲートバルブ
Ｇ１を閉じておき、半導体ウエハ（以下「ウエハ」とい
う。）を装置内に搬入、搬出するにあたってはロードロ
ック室２を通して行われる。そしてロードロック室２を
外部に開放するときには窒素ガスをガス供給管２４より
ロードロック室２内に供給して大気の室内への侵入を防
ぐと共に、常時真空排気手段２２を作動させておき、ウ
エハＷを搬入してゲートバルブＧ２を閉じた後バルブＶ
を開いてロードロック室２内を真空排気するようにして
いる。
空処理室１を予め所定の真空度に維持してゲートバルブ
Ｇ１を閉じておき、半導体ウエハ（以下「ウエハ」とい
う。）を装置内に搬入、搬出するにあたってはロードロ
ック室２を通して行われる。そしてロードロック室２を
外部に開放するときには窒素ガスをガス供給管２４より
ロードロック室２内に供給して大気の室内への侵入を防
ぐと共に、常時真空排気手段２２を作動させておき、ウ
エハＷを搬入してゲートバルブＧ２を閉じた後バルブＶ
を開いてロードロック室２内を真空排気するようにして
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】ところでロードロ
ック室２内には、真空処理室１内でのエッチングで発生
した反応生成物や、ゲートバルブＧ１、Ｇ２や搬送アー
ム２１などの駆動部分から発生したパーティクルが多数
存在する。ここでロードロック室２の真空排気時には、
バルブＶの下流側（真空排気手段２２側）が減圧されて
いる状態でバルブＶを開くため、室内の気体が排気管２
３の接続端開口部に一気に引き寄せられて排気管２３内
に引き込まれ、しかもバルブＶの下流側と室内との圧力
差が大きいためバルブＶを開いた直後は図７に示すよう
に排気口を中心にして横に膨んだ曲面に沿って流れる大
きな乱気流が発生していた。この結果底面に堆積してい
るパーティクルＰが舞い上がってウエハに付着し、これ
により品質が低下して歩留まり低下の一要因になってい
た。
ック室２内には、真空処理室１内でのエッチングで発生
した反応生成物や、ゲートバルブＧ１、Ｇ２や搬送アー
ム２１などの駆動部分から発生したパーティクルが多数
存在する。ここでロードロック室２の真空排気時には、
バルブＶの下流側（真空排気手段２２側）が減圧されて
いる状態でバルブＶを開くため、室内の気体が排気管２
３の接続端開口部に一気に引き寄せられて排気管２３内
に引き込まれ、しかもバルブＶの下流側と室内との圧力
差が大きいためバルブＶを開いた直後は図７に示すよう
に排気口を中心にして横に膨んだ曲面に沿って流れる大
きな乱気流が発生していた。この結果底面に堆積してい
るパーティクルＰが舞い上がってウエハに付着し、これ
により品質が低下して歩留まり低下の一要因になってい
た。
【０００６】またこのような乱気流の発生を抑えるため
にゆっくり排気できる機能をもったスローバルブも使用
されているが、この場合どの程度のスロー排気に設定し
たらよいのかを試行錯誤的に検討しなければならないの
で、設計が難しく、またスロー排気によってもやはり底
壁に沿った乱気流が発生するので、サブミクロンオーダ
のパーティクルＰの舞い上がりを抑えることは難しく、
高集積化の増大に伴ってサブミクロンオーダの微細加工
が要求されるデバイスに対しては、パーティクルの付着
に伴う歩留まりの低下を避けることが困難である。
にゆっくり排気できる機能をもったスローバルブも使用
されているが、この場合どの程度のスロー排気に設定し
たらよいのかを試行錯誤的に検討しなければならないの
で、設計が難しく、またスロー排気によってもやはり底
壁に沿った乱気流が発生するので、サブミクロンオーダ
のパーティクルＰの舞い上がりを抑えることは難しく、
高集積化の増大に伴ってサブミクロンオーダの微細加工
が要求されるデバイスに対しては、パーティクルの付着
に伴う歩留まりの低下を避けることが困難である。
【０００７】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、真空排気に伴うパーティク
ルの舞い上がりを抑えて、真空処理の被処理体の歩留ま
りを向上させることのできる真空排気装置を提供するこ
とを目的としている。
たものであり、その目的は、真空排気に伴うパーティク
ルの舞い上がりを抑えて、真空処理の被処理体の歩留ま
りを向上させることのできる真空排気装置を提供するこ
とを目的としている。
【０００８】
【発明を解決するための手段】請求項１の発明は、真空
処理の被処理体が搬入される真空室内を排気管により真
空排気する装置において、前記排気管の吸引側に形成さ
れ、多数の微細な穴を備えた排気面を真空内に設けたこ
とを特徴とする。
処理の被処理体が搬入される真空室内を排気管により真
空排気する装置において、前記排気管の吸引側に形成さ
れ、多数の微細な穴を備えた排気面を真空内に設けたこ
とを特徴とする。
【０００９】請求項２の発明は、真空処理の被処理体が
搬入される真空室内を排気管により真空排気する装置に
おいて、多孔質体を前記真空室の雰囲気に接触するよう
に前記排気管の吸引側に設け、この多孔質体を介して真
空室を真空排気するように構成したことを特徴とする。
搬入される真空室内を排気管により真空排気する装置に
おいて、多孔質体を前記真空室の雰囲気に接触するよう
に前記排気管の吸引側に設け、この多孔質体を介して真
空室を真空排気するように構成したことを特徴とする。
【００１０】請求項３の発明は、真空処理の被処理体が
搬入される真空室内を排気管により真空排気する装置に
おいて、先端部に排気孔が形成されると共に、基端部側
が排気管に接続された多数の針状の排気細管を真空室内
に突出して設けたことを特徴とする。
搬入される真空室内を排気管により真空排気する装置に
おいて、先端部に排気孔が形成されると共に、基端部側
が排気管に接続された多数の針状の排気細管を真空室内
に突出して設けたことを特徴とする。
【００１１】
【作用】請求項１の発明において、排気面は多数の微細
な穴を有しているのでコンダクタンスが大きく、従って
排気管の管径に比べて排気面を広くとることにより気体
をこの排気面全体を通して排気することができる。そこ
で例えば請求項２の発明のように、多孔質体を真空室の
例えば底壁のほぼ全面に配置して、この多孔質体の裏面
側から排気管により真空排気すると、縦方向の流れが多
孔質体の表面全体に形成され、このためパーティクルの
舞い上がりが抑えられる。
な穴を有しているのでコンダクタンスが大きく、従って
排気管の管径に比べて排気面を広くとることにより気体
をこの排気面全体を通して排気することができる。そこ
で例えば請求項２の発明のように、多孔質体を真空室の
例えば底壁のほぼ全面に配置して、この多孔質体の裏面
側から排気管により真空排気すると、縦方向の流れが多
孔質体の表面全体に形成され、このためパーティクルの
舞い上がりが抑えられる。
【００１２】また請求項３の発明では、各排気細管毎に
気流が形成されて、大きな乱流が発生しない上、排気孔
が壁部から浮いた位置にあるので、パーティクルの舞い
上がりを一層効果的に抑えることができる。
気流が形成されて、大きな乱流が発生しない上、排気孔
が壁部から浮いた位置にあるので、パーティクルの舞い
上がりを一層効果的に抑えることができる。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明を半導体ウエハの枚葉式のエ
ッチング装置に適用した実施例を示す図、図２はこの実
施例の要部を示す図であり、図６と同符号のものは同一
部分を示している。このエッチング装置は、上部及び下
部に夫々上部電極をなす処理ガス供給部１１及び下部電
極をなすウエハ載置台１２を備えると共に底壁に排気管
１３が接続された真空処理室１に、例えば真空処理の被
処理体であるウエハを搬入、搬出するためのロードロッ
ク室２がゲートバルブＧ１を介して接続されている。ロ
ードロック室としては例えば搬入用のもの、搬出用のも
のを別体として２個用いられることもあるが、この例で
は搬入、搬出を兼用しているものとして説明している。
ッチング装置に適用した実施例を示す図、図２はこの実
施例の要部を示す図であり、図６と同符号のものは同一
部分を示している。このエッチング装置は、上部及び下
部に夫々上部電極をなす処理ガス供給部１１及び下部電
極をなすウエハ載置台１２を備えると共に底壁に排気管
１３が接続された真空処理室１に、例えば真空処理の被
処理体であるウエハを搬入、搬出するためのロードロッ
ク室２がゲートバルブＧ１を介して接続されている。ロ
ードロック室としては例えば搬入用のもの、搬出用のも
のを別体として２個用いられることもあるが、この例で
は搬入、搬出を兼用しているものとして説明している。
【００１４】前記ロードロック室２内には、例えば多関
節ロボットよりなる搬送アーム２１が配設されると共
に、ロードロック室２の底部には、搬送アーム２１の支
持台２１ａを除いて底面全体に亘って、底壁２０との間
に通気室３１をなす空間を介して板状の多孔質体３が配
置されている。そしてこの多孔質体３は、ロードロック
室２の側壁及び前記支持台２１ａの外周面に気密に接合
されており、従って通気室３１はこの多孔質体３を介し
てのみロードロック室２内の雰囲気と連通することにな
る。前記多孔質体３は、例えば焼結体やグラスウールな
どよりなり、通気したときのコンダクタンスが適切な大
きさとなるように適宜厚さが設定される。
節ロボットよりなる搬送アーム２１が配設されると共
に、ロードロック室２の底部には、搬送アーム２１の支
持台２１ａを除いて底面全体に亘って、底壁２０との間
に通気室３１をなす空間を介して板状の多孔質体３が配
置されている。そしてこの多孔質体３は、ロードロック
室２の側壁及び前記支持台２１ａの外周面に気密に接合
されており、従って通気室３１はこの多孔質体３を介し
てのみロードロック室２内の雰囲気と連通することにな
る。前記多孔質体３は、例えば焼結体やグラスウールな
どよりなり、通気したときのコンダクタンスが適切な大
きさとなるように適宜厚さが設定される。
【００１５】前記ロードロック室３の底壁２０には、第
１の排気管４１が前記通気室３１に連通するように接続
されると共に、例えばロードロック室３の側壁には、第
２の排気管４２がロードロック室３内の雰囲気と直接連
通するように接続されており、これら排気管４１、４２
は、夫々バルブＶ１、Ｖ２を介して共通の排気管４に接
続されている。この排気管４には、真空排気手段をなす
ターボポンプ４３及びロータリポンプ４４が介挿されて
おり、ターボポンプ４３の吸引側にはバルブＶ３が設け
られると共に、ターボポンプ４３の両端にはバルブＶ４
を備えた迂回配管４５が接続されている。なお２４は、
図６で詳述したように例えば窒素ガスを供給するガス供
給管である。
１の排気管４１が前記通気室３１に連通するように接続
されると共に、例えばロードロック室３の側壁には、第
２の排気管４２がロードロック室３内の雰囲気と直接連
通するように接続されており、これら排気管４１、４２
は、夫々バルブＶ１、Ｖ２を介して共通の排気管４に接
続されている。この排気管４には、真空排気手段をなす
ターボポンプ４３及びロータリポンプ４４が介挿されて
おり、ターボポンプ４３の吸引側にはバルブＶ３が設け
られると共に、ターボポンプ４３の両端にはバルブＶ４
を備えた迂回配管４５が接続されている。なお２４は、
図６で詳述したように例えば窒素ガスを供給するガス供
給管である。
【００１６】また前記バルブＶ１、Ｖ２の開閉制御を行
うための制御部５が設けられており、この制御部５は、
ロードロック室２内の圧力を検出する圧力検出部５１の
圧力検出値に応じて、バルブＶ１、Ｖ２の一方を選択し
て図示しないバルブの駆動部に開信号または閉信号を出
力する機能を有する。
うための制御部５が設けられており、この制御部５は、
ロードロック室２内の圧力を検出する圧力検出部５１の
圧力検出値に応じて、バルブＶ１、Ｖ２の一方を選択し
て図示しないバルブの駆動部に開信号または閉信号を出
力する機能を有する。
【００１７】次に上述実施例の作用について述べる。先
ずゲートバルブＧ１を閉じておいて、真空処理室１内を
排気管１３により所定の真空度例えば１０-6Ｔｏｒｒ程
度の圧力まで真空排気しておく。そしてガス供給管２４
から窒素ガスをロードロック室２内に供給して陽圧状態
にしながら、ロードロック室２の外部側のゲートバルブ
Ｇ２を開き、搬送アーム２１により外部から処理前のウ
エハＷを当該ロードロック室２内に搬入し、ゲートバル
ブＧ２を閉じる。
ずゲートバルブＧ１を閉じておいて、真空処理室１内を
排気管１３により所定の真空度例えば１０-6Ｔｏｒｒ程
度の圧力まで真空排気しておく。そしてガス供給管２４
から窒素ガスをロードロック室２内に供給して陽圧状態
にしながら、ロードロック室２の外部側のゲートバルブ
Ｇ２を開き、搬送アーム２１により外部から処理前のウ
エハＷを当該ロードロック室２内に搬入し、ゲートバル
ブＧ２を閉じる。
【００１８】次いでバルブＶ２、Ｖ３を閉状態、バルブ
Ｖ１、Ｖ４を開状態とすることにより第１の排気管４１
を介して通気室３１内の圧力が急激に低下し、これによ
りロードロック室２内の気体（この場合は窒素ガス）
が、排気面である多孔質体３の表面全体に亘って吸引さ
れ、多孔質体３のコンダクタンスの大きさに応じた遅れ
をもってロードロック室２内の圧力が低下する。この圧
力が所定の値例えば約１ｍＴｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒに
なると、圧力検出部５１よりの検出信号にもとずいて制
御部５がバルブＶ１を閉じ、バルブＶ２を開き、その後
は第２の排気管４２により直接ロードロック室２内が真
空排気され、所定の圧力例えば１０-4〜-5Ｔｏｒｒにな
ったときにゲートバルブＧ１を開いて、搬送アーム２１
によりウエハＷを真空処理室１の載置台１２に受け渡
す。なおロードロック室２内が所定の圧力例えば１０-3
ＴｏｒｒになったときにバルブＶ４を閉じ、バルブＶ３
を開いてターボポンプ４３による排気も行われる。
Ｖ１、Ｖ４を開状態とすることにより第１の排気管４１
を介して通気室３１内の圧力が急激に低下し、これによ
りロードロック室２内の気体（この場合は窒素ガス）
が、排気面である多孔質体３の表面全体に亘って吸引さ
れ、多孔質体３のコンダクタンスの大きさに応じた遅れ
をもってロードロック室２内の圧力が低下する。この圧
力が所定の値例えば約１ｍＴｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒに
なると、圧力検出部５１よりの検出信号にもとずいて制
御部５がバルブＶ１を閉じ、バルブＶ２を開き、その後
は第２の排気管４２により直接ロードロック室２内が真
空排気され、所定の圧力例えば１０-4〜-5Ｔｏｒｒにな
ったときにゲートバルブＧ１を開いて、搬送アーム２１
によりウエハＷを真空処理室１の載置台１２に受け渡
す。なおロードロック室２内が所定の圧力例えば１０-3
ＴｏｒｒになったときにバルブＶ４を閉じ、バルブＶ３
を開いてターボポンプ４３による排気も行われる。
【００１９】真空処理室１内では、処理ガス供給部（上
部電極）１１及び載置台１２（下部電極）間の電圧によ
り処理ガス供給部１１からの処理ガスをプラズマ化し、
このプラズマによりウエハＷの表面をエッチングする。
しかる後ゲートバルブＧ１を開いて、搬送アーム２１に
より処理後のウエハＷをロードロック室２内に搬入し、
ゲートバルブＧ１を閉じて、ガス供給管２３からの窒素
ガスによりロードロック室２内を常圧に戻した後当該ウ
エハＷが外部に搬出される。
部電極）１１及び載置台１２（下部電極）間の電圧によ
り処理ガス供給部１１からの処理ガスをプラズマ化し、
このプラズマによりウエハＷの表面をエッチングする。
しかる後ゲートバルブＧ１を開いて、搬送アーム２１に
より処理後のウエハＷをロードロック室２内に搬入し、
ゲートバルブＧ１を閉じて、ガス供給管２３からの窒素
ガスによりロードロック室２内を常圧に戻した後当該ウ
エハＷが外部に搬出される。
【００２０】このような実施例によれば、ロードロック
室２内の真空排気初期に排気管４１内の圧力は急激に下
がるが、当該排気管４１とロードロック室２内の雰囲気
とは、底壁に沿って配置された多孔質体３により区画さ
れているため、ロードロック室２内の気流は図３に示す
ように上から多孔質体３の表面全体に向かうように形成
され、その表面に沿った横方向の流れが少ないため、
「従来例」の項で説明した図７と比較してもわかるよう
に、底部に堆積した、実施例では多孔質体３の表面に堆
積したパーティクルの舞い上がりが抑えられる。
室２内の真空排気初期に排気管４１内の圧力は急激に下
がるが、当該排気管４１とロードロック室２内の雰囲気
とは、底壁に沿って配置された多孔質体３により区画さ
れているため、ロードロック室２内の気流は図３に示す
ように上から多孔質体３の表面全体に向かうように形成
され、その表面に沿った横方向の流れが少ないため、
「従来例」の項で説明した図７と比較してもわかるよう
に、底部に堆積した、実施例では多孔質体３の表面に堆
積したパーティクルの舞い上がりが抑えられる。
【００２１】また多孔質体３を介して真空排気を行う場
合には、多孔質体３のコンダクタンスの大きさに応じて
排気速度が小さくなるが、この実施例では真空排気の初
期段階においてのみ多孔質体３を通じて排気し、所定の
圧力になった後は第２の排気管４２を通して高速に排気
しているので、真空排気に要する時間はそれ程長くなら
ず、スループットの低下が抑えられる。なお本発明者
は、真空排気初期の急激な圧力低下時にパーティクルの
舞い上がりが起こり、ある程度まで真空排気した後はパ
ーティクルの舞い上がりが全くあるいはほとんど起こら
ないことを把握しているので、上述実施例ではウエハに
対するパーティクルの付着を効果的に抑えることができ
る。
合には、多孔質体３のコンダクタンスの大きさに応じて
排気速度が小さくなるが、この実施例では真空排気の初
期段階においてのみ多孔質体３を通じて排気し、所定の
圧力になった後は第２の排気管４２を通して高速に排気
しているので、真空排気に要する時間はそれ程長くなら
ず、スループットの低下が抑えられる。なお本発明者
は、真空排気初期の急激な圧力低下時にパーティクルの
舞い上がりが起こり、ある程度まで真空排気した後はパ
ーティクルの舞い上がりが全くあるいはほとんど起こら
ないことを把握しているので、上述実施例ではウエハに
対するパーティクルの付着を効果的に抑えることができ
る。
【００２２】以上において多孔質体３がロードロック室
３の底部を占める割合は、ロ−ドロック室の上面あるい
は壁面あるいは底部のそれぞれの全体でなくともよい
が、従来の排気管の開口面積よりは大きくすることが必
要である。具体的にはロードロック室３の形状やウエハ
上に形成されるデバイスの微細加工の程度などに応じて
適宜決定される。
３の底部を占める割合は、ロ−ドロック室の上面あるい
は壁面あるいは底部のそれぞれの全体でなくともよい
が、従来の排気管の開口面積よりは大きくすることが必
要である。具体的にはロードロック室３の形状やウエハ
上に形成されるデバイスの微細加工の程度などに応じて
適宜決定される。
【００２３】また上述の実施例では通気室３１を形成し
ているが、多孔質体３を直接底壁２０に接触させて、多
孔質体３の下面の例えば複数個所に排気管を直接接続し
てもよい。更にまた図４に示すように多孔質体３と通気
室３１とを備えた多孔質体ユニット７を、ロードロック
室２の底壁２０から上方に離れた位置にて、排気管４０
の端部に結合して設けてもよい。
ているが、多孔質体３を直接底壁２０に接触させて、多
孔質体３の下面の例えば複数個所に排気管を直接接続し
てもよい。更にまた図４に示すように多孔質体３と通気
室３１とを備えた多孔質体ユニット７を、ロードロック
室２の底壁２０から上方に離れた位置にて、排気管４０
の端部に結合して設けてもよい。
【００２４】そしてまた本発明では、多数の微細な穴
（上述実施例では多孔質体３の空隙部に相当する）を備
えた排気面が排気管の吸引側に形成されていればよいの
で、上述のように多孔質体を用いる代りに微細な穴を多
数備えた例えば金属板を用いてもよい。
（上述実施例では多孔質体３の空隙部に相当する）を備
えた排気面が排気管の吸引側に形成されていればよいの
で、上述のように多孔質体を用いる代りに微細な穴を多
数備えた例えば金属板を用いてもよい。
【００２５】ここで本発明は、図５に示すように、図示
しない真空排気手段に基端部側が接続された排気管６の
吸引側を例えば櫛歯状に複数分岐して、その分岐管６１
に針状の排気細管６２を多数植設し、この細管６２の先
端部を介してロードロック室２内を真空排気してもよ
い。このような構成では、排気口である微細な穴が多数
分散されているので、従来のように横に膨んだ曲面に沿
った大きな乱流の発生を抑えることができる上、排気細
管６２の先端がロードロック室２の底壁２０よりも高い
位置にあるので、真空排気時に形成される乱流が底壁か
ら離れ、従ってパーティクルの舞い上がりを効果的に抑
えることができる。
しない真空排気手段に基端部側が接続された排気管６の
吸引側を例えば櫛歯状に複数分岐して、その分岐管６１
に針状の排気細管６２を多数植設し、この細管６２の先
端部を介してロードロック室２内を真空排気してもよ
い。このような構成では、排気口である微細な穴が多数
分散されているので、従来のように横に膨んだ曲面に沿
った大きな乱流の発生を抑えることができる上、排気細
管６２の先端がロードロック室２の底壁２０よりも高い
位置にあるので、真空排気時に形成される乱流が底壁か
ら離れ、従ってパーティクルの舞い上がりを効果的に抑
えることができる。
【００２６】更にまた図１、図２の実施例における多孔
質体３の代りに例えば金属よりなる通常の板状体を設
け、この板状体に前記排気細管６２を植設するようにし
てもよいし、あるいは、図５の実施例において分岐管６
１に排気細管６２を植設せずに多数の穴を形成するよう
にしてもよい。
質体３の代りに例えば金属よりなる通常の板状体を設
け、この板状体に前記排気細管６２を植設するようにし
てもよいし、あるいは、図５の実施例において分岐管６
１に排気細管６２を植設せずに多数の穴を形成するよう
にしてもよい。
【００２７】そして本発明の真空排気装置はロードロッ
ク室でなくとも真空処理室などの真空室に適用してもよ
いし、上述のような多孔質体３や排気細管６２は、真空
室の底壁に限らず例えば側壁に設けてもよいし、あるい
はまた底壁及び側壁に設けてもよい。なお本発明が適用
される真空処理装置としては、エッチング装置に限ら
ず、減圧ＣＶＤ装置、アッシング装置、イオン注入装置
あるいはスパッタ装置などに適用することができる。
ク室でなくとも真空処理室などの真空室に適用してもよ
いし、上述のような多孔質体３や排気細管６２は、真空
室の底壁に限らず例えば側壁に設けてもよいし、あるい
はまた底壁及び側壁に設けてもよい。なお本発明が適用
される真空処理装置としては、エッチング装置に限ら
ず、減圧ＣＶＤ装置、アッシング装置、イオン注入装置
あるいはスパッタ装置などに適用することができる。
【００２８】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、排気面は多数
の微細な穴を有しているのでコンダクタンスが大きく、
従って排気管の管径に比べて排気面を広くとることによ
り気体をこの排気面全体を通して排気することができる
ため、排気面の面積を真空室の大きさに応じて設定する
ことにより、真空排気に伴う真空室内の乱流を抑えるこ
とができ、この結果パーティクルの舞い上がりを抑える
ことができ、被処理体の歩留まりを向上することができ
る。
の微細な穴を有しているのでコンダクタンスが大きく、
従って排気管の管径に比べて排気面を広くとることによ
り気体をこの排気面全体を通して排気することができる
ため、排気面の面積を真空室の大きさに応じて設定する
ことにより、真空排気に伴う真空室内の乱流を抑えるこ
とができ、この結果パーティクルの舞い上がりを抑える
ことができ、被処理体の歩留まりを向上することができ
る。
【００２９】請求項２の発明によれば、多孔質体を介し
て真空排気するようにしているため、多孔質体のコンダ
クタンスが大きいことから広い排気面に亘って均一に気
体を吸引することができ、従って真空室内の乱流を効果
的に抑えることができ、また請求項１の排気面の製作が
容易である。
て真空排気するようにしているため、多孔質体のコンダ
クタンスが大きいことから広い排気面に亘って均一に気
体を吸引することができ、従って真空室内の乱流を効果
的に抑えることができ、また請求項１の排気面の製作が
容易である。
【００３０】請求項３の発明によれば、多数の針状の排
気細管を突出して設けているため、請求項１と同様の作
用が得られる上、排気孔が壁部から浮いた位置にあるの
で、パーティクルの舞い上がりを一層効果的に抑えるこ
とができる。
気細管を突出して設けているため、請求項１と同様の作
用が得られる上、排気孔が壁部から浮いた位置にあるの
で、パーティクルの舞い上がりを一層効果的に抑えるこ
とができる。
【図１】本発明を真空処理装置に適用した実施例を示す
全体構成図である。
全体構成図である。
【図２】図１の実施例の要部を示す斜視図である。
【図３】図１の実施例の作用を示す説明図である。
【図４】本発明の他の実施例の要部を示す断面図であ
る。
る。
【図５】本発明の更に他の実施例の要部を示す斜視図で
ある。
ある。
【図６】従来の真空排気装置を適用した真空処理装置の
一例を示す縦断側面図である。
一例を示す縦断側面図である。
【図７】従来装置における真空排気の様子を示す説明図
である。
である。
１ 真空処理装置 ２ ロードロック室 ３ 多孔質体 ３１ 通気室 ４１、４２ 排気管 ４３ ターボポンプ ４４ ロータリポンプ ５ 制御部 ６１ 分岐管 ６２ 排気細管 ７ 多孔質体ユニット
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265
Claims (3)
- 【請求項１】 真空処理の被処理体が搬入される真空室
内を排気管により真空排気する装置において、 前記排気管の吸引側に形成され、多数の微細な穴を備え
た排気面を真空室内に設けたことを特徴とする真空排気
装置。 - 【請求項２】 真空処理の被処理体が搬入される真空室
内を排気管により真空排気する装置において、 多孔質体を前記真空室の雰囲気に接触するように前記排
気管の吸引側に設け、この多孔質体を介して真空室を真
空排気するように構成したことを特徴とする真空排気装
置。 - 【請求項３】 真空処理の被処理体が搬入される真空室
内を排気管により真空排気する装置において、 先端部に排気孔が形成されると共に、基端部側が排気管
に接続された多数の針状の排気細管を真空室内に突出し
て設けたことを特徴とする真空排気装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02376793A JP3173681B2 (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 真空排気装置及びその方法 |
| US08/154,563 US5433780A (en) | 1992-11-20 | 1993-11-19 | Vacuum processing apparatus and exhaust system that prevents particle contamination |
| KR1019930024820A KR100248562B1 (ko) | 1992-11-20 | 1993-11-20 | 진공처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02376793A JP3173681B2 (ja) | 1993-01-18 | 1993-01-18 | 真空排気装置及びその方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216075A true JPH06216075A (ja) | 1994-08-05 |
| JP3173681B2 JP3173681B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=12119501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02376793A Expired - Fee Related JP3173681B2 (ja) | 1992-11-20 | 1993-01-18 | 真空排気装置及びその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3173681B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007149948A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
| US7517429B2 (en) | 2006-04-04 | 2009-04-14 | Advanced Display Process Engineering Co., Ltd. | Plasma treatment apparatus |
| US8623457B2 (en) | 2005-11-28 | 2014-01-07 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing system |
| JP2016035086A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及びその真空排気方法 |
| CN113728421A (zh) * | 2019-04-19 | 2021-11-30 | 朗姆研究公司 | 四站式处理模块的前级管道组件 |
-
1993
- 1993-01-18 JP JP02376793A patent/JP3173681B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007149948A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
| US8623457B2 (en) | 2005-11-28 | 2014-01-07 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing system |
| US7517429B2 (en) | 2006-04-04 | 2009-04-14 | Advanced Display Process Engineering Co., Ltd. | Plasma treatment apparatus |
| JP2016035086A (ja) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | 株式会社アルバック | 真空処理装置及びその真空排気方法 |
| CN113728421A (zh) * | 2019-04-19 | 2021-11-30 | 朗姆研究公司 | 四站式处理模块的前级管道组件 |
| US12362206B2 (en) | 2019-04-19 | 2025-07-15 | Lam Research Corporation | Foreline assembly for quad station process module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3173681B2 (ja) | 2001-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3501524B2 (ja) | 処理装置の真空排気システム | |
| JP3486821B2 (ja) | 処理装置及び処理装置内の被処理体の搬送方法 | |
| US20030172508A1 (en) | Rapid cycle chamber having a top vent with nitrogen purge | |
| KR100248562B1 (ko) | 진공처리장치 | |
| JPH0864578A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造装置のクリーニング方法 | |
| KR20030067468A (ko) | 반응과 이송 섹션으로 구분된 챔버를 포함하는 반도체가공장치 | |
| JPH1140549A (ja) | 排気コンダクタンスを漸増させる高速ソフト排気方法及び排気装置 | |
| JPH1174335A (ja) | 半導体ウエハ処理装置のための裏面ガス急速放出装置 | |
| JP3173681B2 (ja) | 真空排気装置及びその方法 | |
| US20060065194A1 (en) | Diffuser and semiconductor device manufacturing equipment having the same | |
| JP2772835B2 (ja) | 基板処理装置及び真空処理方法 | |
| JP2002231783A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3472456B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2566308B2 (ja) | ロードロック装置を備えた処理装置 | |
| JP3483591B2 (ja) | 排気装置 | |
| CN101777487B (zh) | 气密模块以及该气密模块的排气方法 | |
| JPH0362944A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3084834B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2918004B2 (ja) | 半導体処理装置 | |
| KR20030001095A (ko) | 챔버 설비의 압력 조절 장치 | |
| JP2002025911A (ja) | 熱処理装置及びそのシール方法 | |
| JP2000015198A (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2000271469A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2002198411A (ja) | 圧力制御方法、搬送装置およびクラスタツール | |
| JPH05335278A (ja) | 真空処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |