JPH06216162A - Ｈｃｃｄ - Google Patents
ＨｃｃｄInfo
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- JPH06216162A JPH06216162A JP4095351A JP9535192A JPH06216162A JP H06216162 A JPH06216162 A JP H06216162A JP 4095351 A JP4095351 A JP 4095351A JP 9535192 A JP9535192 A JP 9535192A JP H06216162 A JPH06216162 A JP H06216162A
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- JP
- Japan
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- dummy
- hccd
- gate electrode
- voltage
- region
- Prior art date
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/152—One-dimensional array CCD image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D44/00—Charge transfer devices
- H10D44/40—Charge-coupled devices [CCD]
- H10D44/45—Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes
- H10D44/462—Buried-channel CCD
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
れ印加される第１のゲート電極（１）と第２のゲート電
極（２）とを交互に連続して複数個配列してなるＨＣＣ
Ｄにおいて、ＨＣＣＤの出力端側のＢＣＣＤ領域（５）
に配列した第２のゲート電極（２）間に形成され、か
つ、接地された（または一定の電圧が印加される）ダミ
ー・ゲート電極（３）と、出力端と反対側の領域に形成
され、電源（ＶD）の電圧が印加されるダミー・ドレイ
ン領域（４）とを設けた構成。 【効果】暗電流の発生を防止することができ、また、ダ
ミー・ドレイン領域に所定の電圧を印加するので、ＨＣ
ＣＤの基準電位を正確に保持することができる。さら
に、ダミー・ドレイン領域に電圧を印加する電源の電流
量を測定することにより、ノイズ電荷の量を検出するこ
とができる。
Description
ル チャージ カプルド デバイス(HorizontalCharge Cou
pled Device)）の構造に関する。
面図、図４は、図３のＢ−Ｂ′線断面における電位分布
を示す図である。
晶シリコンからなり、それぞれ一部重ね合わせて連続的
に複数個配列・形成された第１のゲート電極、第２のゲ
ート電極、５は第１のゲート電極１と第２のゲート電極
２のチャネルであるＢＣＣＤ（埋込チャネル(buried ch
annel) ＣＣＤ）領域、７はチャネル・ストップ領域、
８はセンス増幅器、Ｈφ1、Ｈφ2は第１のゲート電極
１、第２のゲート電極２に印加されるクロック信号であ
る。
送された映像信号電荷が２相からなるクロック信号Ｈφ
1、Ｈφ2によって矢印方向に転送される。ＨＣＣＤの出
力端に到達した映像信号電荷は図示しない出力ゲート電
極を介して図示しないフローティング拡散領域に転送さ
れる。次いで、上記フローティング拡散領域に蓄積され
た映像信号電荷量がセンス増幅器８により感知され、そ
れに相応する所定の電圧情報に変換されて出力される。
図３に示すように、第１のゲート電極１と第２のゲート
電極２が一部重ね合わせて連続的に複数個配列・形成さ
れ、かつ、チャネルストップ領域７が常に接地されてい
るので、図４に示すように、チャネルストップ領域７の
電位が高く、ＢＣＣＤ（埋込チャネル(buried channel)
ＣＣＤ）領域５の電位は第１のゲート電極１、第２の
ゲート電極２に印加されるクロック信号Ｈφ1、Ｈφ2の
電圧によって変化する。したがって、チャネルストップ
領域７および図示しないｐ型ウェルにおいて発生したノ
イズ電荷が、ＨＣＣＤのチャネルであるＢＣＣＤ領域５
の方へ流れて、センス増幅器８において発生する暗電流
が増加する問題がある。
できるＨＣＣＤを提供することにある。
めに、本発明は、所定のクロック信号がそれぞれ印加さ
れる複数のゲート電極を交互に連続して複数個配列して
なるＨＣＣＤにおいて、上記ＨＣＣＤの出力端側の領域
に形成され、かつ、接地され、または所定の電圧が印加
されるダミー・ゲート電極と、上記出力端と反対側の領
域に形成され、所定の電圧が印加されるダミー・ドレイ
ン領域とを設けたＨＣＣＤを提供する。
の両側に隣接して配列された２個の上記ゲート電極に、
それぞれ異なるクロック信号を印加するＨＣＣＤを提供
する。
イン領域に電源電圧を印加するとともに、ダミー・ゲー
ト電極によってノイズ電荷を映像信号電荷の転送方向と
反対方向に流し、ＨＣＣＤの出力端側のＢＣＣＤ領域の
ノイズ電荷はダミー・ドレイン領域に抜き出される。し
たがって、ノイズ電荷がＨＣＣＤの出力端側のＢＣＣＤ
領域に流入するのをダミー電極によって防止することが
でき、暗電流の発生を防止することができる。また、ダ
ミー・ドレイン領域に所定の電圧を印加するので、ＨＣ
ＣＤの基準電位を正確に保持することができる。さら
に、ダミー・ドレイン領域に電圧を印加する電源の電流
量を測定することにより、ノイズ電荷の量を検出するこ
とができる。
を示す平面図、図２は、図１のＡ−Ａ′線断面における
電位分布を示す図である。
結晶シリコンからなる第１のゲート電極１と第２のゲー
ト電極２を一部重ね合わせて連続的に複数個配列・形成
し、これらの第１のゲート電極１と第２のゲート電極２
にクロック信号Ｈφ1、Ｈφ2を印加することができるよ
うに構成したＨＣＣＤにおいて、ＨＣＣＤの出力端側の
ＢＣＣＤ領域に形成した第２のゲート電極２と第２のゲ
ート電極２ａとの間に、接地された（または一定の電圧
を印加される）ダミー・ゲート電極３をその両側に隣接
する２個の第２のゲート電極２、２ａと一部重ね合わせ
て形成し、かつ、ＨＣＣＤの出力端と反対側の領域には
電源ＶDがコンタクト部６を介して接続された高濃度ｎ
型不純物ドープ層からなるダミー・ドレイン領域４を形
成してある。
おいては、ダミー・ドレイン領域４にコンタクト部６を
介して電源ＶDの電圧を印加するとともに、第１のゲー
ト電極１と第２のゲート電極２にクロック信号Ｈφ1、
Ｈφ2を印加してＨＣＣＤを動作させると、ダミー・ゲ
ート電極３とダミー・ドレイン領域４を含んで構成され
るダミーＨＣＣＤは、ダミー・ゲート電極３によってチ
ャネル・ストップ領域７または図示しないｐ型ウェルに
おいて発生したノイズ電荷を、矢印で示す通常の映像信
号電荷の転送方向と反対方向に流し、図２に示すよう
に、ＨＣＣＤの出力端側のＢＣＣＤ領域のノイズ電荷は
すべてダミー・ドレイン領域４に抜き出される。すなわ
ち、第１のゲート電極１、第２のゲート電極２へのクロ
ック信号Ｈφ1、Ｈφ2として、高電圧、低電圧を印加
し、その後、逆に、低電圧、高電圧を印加するときごと
に、電位のレベルは、図２に示すように、実線から点線
に、さらに、点線から実線へと変化する。したがって、
本実施例のＨＣＣＤは、チャネルストップ領域７および
図示しないｐ型ウェルにおいて発生したノイズ電荷がＨ
ＣＣＤの出力端側のＢＣＣＤ領域に流入するのをダミー
電極３によって防止することができ、暗電流の発生を防
止することができる。また、ＨＣＣＤの出力端と反対側
の領域に設けたダミー・ドレイン領域４に電源ＶDの電
圧を印加するので、ＨＣＣＤの基準電位を正確に保持す
ることができるのみならず、電源ＶDの電流量を測定す
ることにより、ノイズ電荷の量を検出することができ
る。
に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可
能であることは勿論である。
によれば、暗電流の発生を防止することができる。ま
た、ダミー・ドレイン領域に所定の電圧を印加するの
で、ＨＣＣＤの基準電位を正確に保持することができ
る。さらに、ダミー・ドレイン領域に電圧を印加する電
源の電流量を測定することにより、ノイズ電荷の量を検
出することができる。
図である。
図である。
図である。
３…ダミー・ゲート電極、４…ダミー・ドレイン領域
（高濃度ｎ型不純物ドープ層）、５…ＢＣＣＤ領域、６
…コンタクト部、７…チャネル・ストップ領域、８…セ
ンス増幅器、Ｈφ1、Ｈφ2…クロック信号、ＶD…電
源。
Claims (2)
- 【請求項１】所定のクロック信号がそれぞれ印加される
複数のゲート電極を交互に連続して複数個配列してなる
ＨＣＣＤにおいて、上記ＨＣＣＤの出力端側の領域に形
成され、かつ、接地され、または所定の電圧が印加され
るダミー・ゲート電極と、上記出力端と反対側の領域に
形成され、所定の電圧が印加されるダミー・ドレイン領
域とを設けたことを特徴とするＨＣＣＤ。 - 【請求項２】上記ダミー・ゲート電極の両側に隣接して
配列された２個の上記ゲート電極に、それぞれ異なるク
ロック信号を印加することを特徴とする請求項１記載の
ＨＣＣＤ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910006020A KR940001404B1 (ko) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | 더미 hccd구조 |
| KR1991-6020 | 1991-04-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216162A true JPH06216162A (ja) | 1994-08-05 |
| JP2708115B2 JP2708115B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=19313293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4095351A Expired - Lifetime JP2708115B2 (ja) | 1991-04-15 | 1992-04-15 | Ｈｃｃｄ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2708115B2 (ja) |
| KR (1) | KR940001404B1 (ja) |
| DE (1) | DE4212511C2 (ja) |
| TW (1) | TW239902B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100529562B1 (ko) * | 1998-04-30 | 2006-02-08 | 삼성전자주식회사 | 다수개의 수리 선을 갖는 액정 표시 장치 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2508668B2 (ja) * | 1986-11-10 | 1996-06-19 | ソニー株式会社 | 電荷転送装置 |
-
1991
- 1991-04-15 KR KR1019910006020A patent/KR940001404B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-16 TW TW080109833A patent/TW239902B/zh not_active IP Right Cessation
-
1992
- 1992-04-14 DE DE4212511A patent/DE4212511C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-04-15 JP JP4095351A patent/JP2708115B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2708115B2 (ja) | 1998-02-04 |
| KR920020745A (ko) | 1992-11-21 |
| KR940001404B1 (ko) | 1994-02-21 |
| DE4212511C2 (de) | 1997-07-03 |
| TW239902B (ja) | 1995-02-01 |
| DE4212511A1 (de) | 1992-10-22 |
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