JPH06216218A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体製造装置により加工処理されるガラス
ウェハのチッピング、クラック、傷等の損傷を防止す
る。 【構成】 ガラス基板上に半導体薄膜が形成されたガラ
スウェハを加工処理する半導体製造装置において、ガラ
スウェハのハンドリング又は保持に用いる治具の接触部
位に、所定の弾性及び剛性を有する樹脂からなる緩衝部
材を装着する。例えば、この治具は緩衝部材６が取り付
けられたストッパー５からなり、回転テーブル２に載置
され遠心力を受けるガラスウェハ４に当接してこれを保
持する。回転テーブル２及びストッパー５は一体として
イオン注入用真空チャンバ１に搭載されている。なお、
回転テーブル２とガラスウェハ４の間に介在するペデス
タル３として、フラットな表面を有する熱伝導性ラバー
を用いる事により、ガラスウェハの損傷を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ガラス基板上に半導体
薄膜が形成されたガラスウェハを加工処理する半導体製
造装置に関する。より詳しくは、ガラスウェハの損傷防
止構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】ガラス基板上に半導体薄膜が形成された
ガラスウェハは、例えばアクティブマトリクス型液晶表
示素子等の製造に用いられている。通常の半導体素子製
造に利用されるシリコンウェハと異なり、ガラスウェハ
は透明であり画像表示素子として好適である。ガラス基
板上に成膜された半導体薄膜に対して通常のＩＣプロセ
スを適用し微細な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を集積形
成できる。従って、従来から、ガラスウェハのＩＣプロ
セスは、通常のシリコンウェハと略同様な半導体製造装
置を利用して行なわれていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ガラスウェハが通常の
シリコンウェハと異なる点は、ハンドリングや加工処理
の過程でガラス基板に傷、クラック、チッピング等の損
傷が生じ易い事である。従来の半導体製造装置ではこの
対策が十分に行なわれておらず、製造歩留りを低下させ
る原因になっているという課題がある。

【０００４】上述した従来の課題につき、具体例を挙げ
て説明する。ガラスウェハのＩＣプロセスに使用される
半導体製造装置には、例えばバッチ処理方式の高電流イ
オン注入装置が含まれている。このイオン注入装置は、
例えばガラス基板上の半導体薄膜に不純物を導入しＴＦ
Ｔを形成する為に用いられる。イオン注入装置は真空チ
ャンバ内に回転テーブルを備えている。ガラスウェハを
回転テーブルにセットした後、高速回転させながらイオ
ン注入を行なう。この際、ガラスウェハには大きな遠心
力が作用する。この為、回転テーブルの外周に沿ってス
トッパーが取り付けられている。このストッパーは一般
にアルミニウム等の金属により構成されている。ガラス
ウェハには、遠心力に加えて、回転テーブルのバランス
ずれに伴ない回転中に発生する振動等のストレスが加わ
る。さらに、ガラスウェハは回転テーブルの表面に設け
られたペデスタルに固定載置されるが、このペデスタル
は所定の曲率を持った熱伝導性ラバーで構成されてお
り、ガラスウェハはさらに曲げ応力等のストレスを受け
る。加えて、回転テーブルの加速もしくは減速制御に伴
なう衝撃力や曲げ応力もガラスウェハに加わる。この結
果、金属ストッパーに接触するガラスウェハの部分にチ
ッピングやクラックが偶発的に発生する。この様な損傷
を受けると、イオン注入工程以後の洗浄工程や拡散等の
熱処理工程でガラスウェハ割れを引き起す原因になる。

【０００５】引き続き別の具体例を挙げる。半導体製造
装置には、一般にガラスウェハの搬送機構も含まれる。
例えば、上述したバッチ処理方式の高電流イオン注入装
置にガラスウェハを供給する場合、大気搬送方式が行な
われ、真空吸着アームが用いられる。この真空吸着アー
ムはアルミニウム等の金属で構成されているとともに、
その表面にはテフロン等の薄いコーティングが施されて
いる。金属に代えてセラミックが材料に用いられる場合
もある。ガラスウェハを所定のキャリアからイオン注入
装置の回転テーブルに供給する場合、真空吸着アームと
接触するガラスウェハ表面に微細な傷がある程度の割合
で発生する。かかる損傷原因としては、真空吸着アーム
によるガラスウェハの受け渡し位置がずれたり、搬送シ
ーケンスにトラブルが発生したり、アーム表面のコーテ
ィングが剥離した場合等が考えられる。コーティングが
比較的薄く且つ材質的に弾性力が不足している為、下地
のアーム材質の硬さが悪影響を及ぼし、ガラスウェハ表
面に作用して傷が生じる。従来から用いられているテフ
ロン等のコーティングは重金属等の汚染に対して有効で
あるが、ガラスウェハの傷を防止する為には不十分であ
る。即ち、損傷の原因になる衝撃力や摩擦力に対して、
所望の弾力性や緩衝性が十分に得られない。

【０００６】さらに別の具体例を挙げる。前述した様
に、石英等からなるガラスウェハ上にＴＦＴ等の半導体
デバイスを作製する際、その製造装置の大半はシリコン
ウェハ対応のものをそのまま応用している為様々な問題
が生じている。イオン注入装置においても例外ではな
く、特にメカニカル・スキャン型イオン注入装置につい
ては以下の課題が生じている。シリコンウェハ対応のメ
カニカル・スキャン型イオン注入装置には、回転テーブ
ルのシリコンウェハ装着部に熱伝導性ラバーが接着され
ているものがある。この熱伝導性ラバーはシリコンウェ
ハと回転テーブルとの間の熱伝導率を高める為に介在し
ている。シリコンウェハのローディングをスムースに行
なう為、熱伝導性ラバーは凸状の丸味を帯びた形状を有
している。この凸形状はシリコンウェハ対応である為、
そのままガラスウェハを装着すると不都合が生じる。即
ち、シリコンウェハとガラスウェハの機械的特性の相異
により、ガラスウェハと熱伝導性ラバーとの密着が悪く
なり、ガラスウェハの周辺部に間隙が生じる。この状態
でテーブルを回転しイオン注入を行なうと、ストッパー
とガラスウェハの接触部でチッピングあるいはクラック
が発生する。又、ガラスウェハと熱伝導性ラバーとの密
着が悪い部分では、冷却効率が低下する為ガラスウェハ
の温度が上昇しプロセス上問題となる。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題に鑑み、本発明はガラスウェハの加工処理中発生する
可能性のあるチッピング、クラック、傷等の損傷を防止
する事を目的とする。かかる目的を達成する為に二通り
の手段を講じた。第１の手段は、ガラス基板上に半導体
薄膜が形成されたガラスウェハを加工処理する半導体製
造装置において、ガラスウェハのハンドリング又は保持
に用いる治具の接触部位に、所定の弾性及び剛性を有す
る樹脂からなる緩衝部材を装着した事を特徴とする。前
記緩衝部材の装着される治具としては、例えば回転テー
ブルに載置された遠心力を受けるガラスウェハに当接し
てこれを保持するストッパーが挙げられる。この回転テ
ーブル及びストッパーは一体として、例えばイオン注入
用真空チャンバに搭載される。前記ストッパーに装着さ
れる緩衝部材は、好ましくはポリイミド樹脂、ポリフェ
ニレンオキサイド樹脂又はフッ素樹脂からなる。前記緩
衝部材の装着された治具の他の例としては、ガラスウェ
ハの搬送に用いられる真空吸着アームが挙げられる。こ
の真空吸着アームに装着される緩衝部材は、好ましくは
ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はフッ素樹脂からな
る。

【０００８】第２の手段は、ガラス基板上に半導体薄膜
が形成されたガラスウェハを回転テーブルに載置してイ
オン注入処理を行なう半導体製造装置において、前記ガ
ラスウェハをフラットな表面を有する熱伝導性ラバーを
介して密接した状態で該回転テーブル上に支持固定する
事を特徴とする。

【０００９】

【作用】本発明の第１の手段は、例えば回転テーブルを
備えたバッチ方式イオン注入装置に適用できる。この回
転テーブルはメカニカルな回転スキャン機構を構成す
る。回転テーブル上に設けられたストッパーのガラスウ
ェハと当接する部分に樹脂からなる衝撃緩衝部材を取り
付ける事により、チッピング及びクラック等の損傷を効
果的に防止できる。なお、このストッパーはガラスウェ
ハに作用する遠心力に対向する為回転テーブルの外周に
沿って配置されている。又、樹脂からなる衝撃部材は、
例えばモールディング法によってストッパーと一体的に
形成される。あるいは、別体の緩衝部材をねじ等により
ストッパーに固定しても良い。

【００１０】又、真空吸着方式でガラスウェハをイオン
注入装置に搬送する際、真空吸着アームのガラスウェハ
と接触する部分に、物理的な衝撃や摩擦の低減を目的と
した緩衝部材を取り付ける事によりガラスウェハの傷を
有効に防止している。この緩衝部材としては少なくとも
１mm以上の厚みを有する樹脂板を用いる事が好ましい。
なお、アームに緩衝部材を取り付ける時には、真空リー
ク防止の為接着で行なう事が好ましい。以上、イオン注
入装置を例にして説明を行なったが、本発明の第１の手
段は他の半導体製造装置にも適用可能である。例えば、
光学式外観検査機、ステッパー、ＣＶＤ装置、拡散装
置、スパッタ装置、洗浄装置、液晶パネル組み立て装置
等に適用可能である。

【００１１】本発明の第２の手段によれば、例えばメカ
ニカル・スキャン型イオン注入装置において、回転テー
ブルのガラスウェハ装着部に設けられている熱伝導性ラ
バーがフラットな形状を有している。従ってガラスウェ
ハの周辺部と熱伝導性ラバーの間隙がなくなり、イオン
注入時高速回転中ガラスウェハが安定な姿勢に保持され
る為、ガラスウェハ端部とストッパーの接触部で生じる
惧れのあるチッピングあるいはクラックを有効に防止で
きる。又、ガラスウェハと熱伝導性ラバーの密着が良好
になる為、冷却効率が向上しイオン注入時におけるガラ
スウェハの温度上昇を抑制可能である。

【００１２】

【実施例】以下図面を参照して本発明の好適な実施例を
詳細に説明する。図１は、ガラスウェハのチッピング及
びクラックを防止する為、樹脂からなる緩衝部材をスト
ッパーに取り付けた実施例を示す模式図である。図示す
る様に、半導体製造装置の一種であるバッチ処理方式高
電流イオン注入装置を構成する真空チャンバ１には、回
転テーブル２が備えられている。図示では、回転テーブ
ル２の断面形状の一部のみが示されている。この回転テ
ーブル２は例えば金属アルミニウムで作成されている。
回転テーブル２の表面にはペデスタル３が設けられてお
り、イオン注入の対象となるガラスウェハ４を載置す
る。図示しないが、ペデスタル３には所定の固定手段が
設けられており、載置されたガラスウェハ４を保持固定
する。回転テーブル２の外周部にはストッパー５が取り
付けられている。このストッパー５は、回転テーブル２
に載置され遠心力を受けるガラスウェハ４に当接して保
持する治具として機能する。このストッパー５にはガラ
スウェハ４が接触する部位に、所定の弾性及び剛性を有
する樹脂からなる緩衝部材６が装着されている。

【００１３】図２は、図１に示したストッパー５の拡大
斜視図である。ストッパー５はアルミニウム等の金属か
らなる。一方、緩衝部材６はガラスウェハ（図示せず）
に当接する部位に設けられ、その材質は樹脂が適当であ
る。但し、大きな遠心力を受けるので塑性変形を考慮す
ると硬度が高めの材質が良い。又、イオン注入時ガラス
ウェハの基板温度が１００℃〜１５０℃程度まで上昇す
るので、ある程度の耐熱性も必要とされる。具体的な樹
脂材料としては、ベスペル（Ｖｅｓｐｅｌ）が挙げられ
る。この樹脂は米国デュポン社が開発した材料でポリイ
ミド系である。分子構造にエーテル結合を有するので耐
薬品性、耐候性、耐熱性に優れた高分子である。この他
の樹脂材料として、同様に耐熱性高分子からなるポリフ
ェニレンオキサイドも選択可能である。又上記樹脂に準
ずる材料としては、フッ素樹脂（ポリ４フッ化エチレ
ン）等を用いる事も可能である。フッ素樹脂は特に摩擦
係数が極めて低い点に特徴がある。

【００１４】図３は、ストッパーの機能もしくは作用を
説明する為の模式図である。なお、図示するＡ−Ａ線は
図１に示した断面構造の切断線を表わしている。ガラス
ウェハ４は回転テーブル２上のペデスタルにセットされ
ている。この状態で回転テーブル２を高速回転させなが
ら真空中でイオン注入を行なう。この時、ガラスウェハ
４には大きな遠心力が加わる。例えば、回転テーブル２
の中心からストッパー５までの距離を０．５ｍとし、テ
ーブル２の回転数を１２００rpm とした場合、ガラスウ
ェハ４には２５０Ｎ程度の遠心力が生じる。この遠心力
及びテーブル回転中の振動、あるいはペデスタルが曲率
を持つ凸型になっている事に起因する曲げ応力、さらに
は回転テーブルの加速もしくは減速時に発生する衝撃力
等により、ストッパー５の接触部位には極めて大きな力
が働く。仮に、この部分に緩衝部材を設けないとガラス
ウェハ４の端部にチッピングやクラックが発生する。ス
トッパー５のガラスウェハ４と接触する部分に樹脂から
なる緩衝部材を取り付ける事で、樹脂の弾力性がイオン
注入時に発生する衝撃や曲げ応力に対する緩衝作用を生
み、チッピングやクラックの発生を有効に防ぐ事ができ
る。

【００１５】図４は、参考の為本発明にかかる緩衝部材
を用いない場合に多発するガラスウェハの損傷例を示
す。（Ａ）はガラスウェハ４の端面部に発生したチッピ
ング７を表わしている。又、（Ｂ）は、同じくガラスウ
ェハ４の周辺部に発生したクラック８を示している。こ
れらのチッピングやクラックが発生すると、製造歩留り
が著しく悪くなる。

【００１６】図５は本発明の他の実施例を示しており、
ガラスウェハ搬送機構に用いられるアームに緩衝部材を
取り付けたものである。図５の（Ａ）はアームの平面形
状を表わしており、（Ｂ）は同じく側面形状を表わして
いる。アーム１１はアルミニウム等の金属からなり、ガ
ラスウェハの搬送に用いる治具として機能する。アーム
１１の先端には樹脂からなる緩衝部材１２が取り付けら
れている。又、搬送するガラスウェハ（図示せず）を保
持する為の真空吸着口１３も設けられている。

【００１７】アーム１１に取り付けられる緩衝部材１２
を構成する樹脂には、以下の特性が要求される。即ち、
ガラスウェハはアームからアームへ受け渡されるので、
緩衝部材としてしなる程度の弾力性と復元力が必要にな
る。又、真空吸着を繰り返し行なうので塑性変形や経時
変化の極めて少ない事が必要であり真空リークを防止で
きるものでなければならない。耐摩耗性が良くダスト等
の異物発生が少ないものである必要がある。金属汚染対
策上、含有不純物が少ない樹脂である必要がある。ガラ
スウェハをアームに搭載した時ウェハが傾くと搬送でき
ないので、ガラスウェハを支える為に十分な硬度が必要
となる。例えば、６インチガラスウェハの重量は３０ｇ
程度である。最後に、耐薬品性に優れている必要があ
る。上述した諸条件を満たす樹脂材料としては、例えば
ポリエーテルエーテルケトンが挙げられる。これは比較
的高い硬度あるいは剛性を有しており、加えて分子構造
にエーテル結合を有するので耐薬品性及び耐候性に特に
優れている。又フッ素樹脂を用いる事も可能である。テ
フロンの場合は所望の強度を得る為に金属材料等で裏打
ち補強しても良い。但し、フッ素樹脂を用いる場合コー
ティングの様に薄膜では緩衝材としての効果が期待でき
ないので、少なくとも１mm程度の厚みが必要である。

【００１８】図６は、上述したアームを用いてガラスウ
ェハをイオン注入装置の回転テーブルに搬送する工程を
示した模式図である。キャリア１４には予めイオン注入
処理の対象となるガラスウェハ４が重ねられた状態で準
備されている。第１のアーム１１ａは直線移動可能であ
り、キャリア１４からガラスウェハ４を１枚ずつ取り出
す。第２のアーム１１ｂは回転駆動可能であり、第１の
アーム１１ａからガラスウェハ４を受け取る。第３のア
ーム１１ｃは直線移動可能であり、第２のアーム１１ｂ
からガラスウェハ４を受け取り、回転テーブル２に供給
する。これらのアーム１１ａ，１１ｂ，１１ｃは金属ア
ルミニウムやセラミック等からなる。大気搬送において
はガラスウェハの受け渡しは真空吸着方式により行なわ
れる。本実施例によれば、真空吸着アーム１１ａ，１１
ｂ，１１ｃのガラスウェハと接触する部分に、十分な厚
みを有する樹脂板からなる緩衝部材を取り付けている。
アームによりガラスウェハの受け渡しを行なう際、樹脂
の弾力性が衝撃に対する緩衝作用を生み、傷の発生を防
ぐ事ができる。又、傷によるパーティクルの発生を防ぐ
事にもなる。

【００１９】図７は、緩衝部材を用いない場合に発生す
る傷の例を示す模式図である。ガラスウェハ４の表面に
は溝状の傷９が発生している。この傷の部分を拡大する
と、多数のパーティクルが付着している事が観察でき
る。

【００２０】図８はイオン注入装置及びガラスウェハ搬
送装置を組み合わせた半導体製造装置の具体的な構成例
を示す模式的な平面図である。回転テーブル２の周方向
に沿って合計１７個のペデスタル３が設けられており、
バッチ処理方式でガラスウェハのイオン注入プロセスが
行なえる。各ペデスタル３の径方向外端部には一対のス
トッパー５が設けられており、夫々樹脂からなる緩衝部
材が取り付けられている。この回転テーブル２に対して
ガラスウェハ４を供給する為に、２台の搬送装置が用い
られている。左側及び右側の搬送装置は、夫々３本の真
空吸着アーム１１ａ，１１ｂ，１１ｃからなり、キャリ
ア１４からガラスウェハ４を取り出し回転テーブル２の
ペデスタル３に供給及び回収する。

【００２１】次に、本発明の別の実施例の説明に入る。
この実施例では、ガラスウェハを回転テーブルに載置し
てイオン注入処理を行なう半導体製造装置において、ガ
ラスウェハはフラットな表面を有する熱伝導性ラバーを
介して密接した状態で該回転テーブル上に支持固定され
ている事を特徴とする。以下、図９ないし図１４を参照
して本実施例の目的、構造、作用等につき順を追って説
明を加える。図９は、メカニカル・スキャン型イオン注
入装置の回転テーブルを表わしており、（Ａ）は平面図
であり、（Ｂ）は断面図である。図示する様に、回転テ
ーブル２１は周方向に沿って所定の間隔で配列したペデ
スタル２２を有しており、処理対象となるウェハ（図示
せず）が装着される。イオン注入時、回転テーブル２１
はシャフト２３を中心として高速回転（例えば１０００
rpm 程度）するとともに、図面上上下方向に往復移動す
る。この結果、個々のペデスタル２２に装着されたウェ
ハはイオンビームに対して相対的にメカニカル・スキャ
ンされ、均一なイオン注入が行なえる。なお、ペデスタ
ル２２が配列した回転テーブル２１の周辺部は水平方向
に対して若干傾斜（傾斜角は７°程度）しており、注入
されたイオンのチャネリングを防止する構造となってい
る。

【００２２】図１０は、図９に示したペデスタル２２周
辺の拡大平面図である。図示する様に、ペデスタル２２
の中央部には熱伝導性ラバー２４が設けられており、ウ
ェハの裏面と接触して冷却効率を高める構造となってい
る。熱伝導性ラバー２４の周端に沿って、径方向外側に
は一対のストッパー２５が植設されている。又、熱伝導
性ラバー２４の周端部に接して半径方向内側には一対の
ウェハ支持ピン２６が植設されている。熱伝導性ラバー
２４に載置されたウェハ（図示せず）はこれらストッパ
ー２５及び支持ピン２６により位置決め固定される。

【００２３】図１１は、回転テーブルにウェハを載置し
た状態を示す断面図である。説明の都合上、シリコンウ
ェハのイオン注入に用いられる一般的な構造を表わして
いる。この場合には、熱伝導性ラバー２４はその表面が
凸型の丸味を帯びた形状となっており、シリコンウェハ
２７のローディングをスムースに行なえる様にしてい
る。前述した様に、回転テーブル２１の周辺部は水平面
に対して所定角度θだけ傾斜している。この構造で、イ
オン注入時テーブル２１を高速回転させると、ストッパ
ー２５と当接しているウェハ２７の外端部には相当程度
の遠心力Ｔが作用する。この遠心力Ｔをベクトル分解す
ると、ウェハ２７の接触部位にはストッパー２５の当接
面に沿って下方にＴｓｉｎθ分の応力が発生する。これ
により、ウェハ２７の保持姿勢が不安定になる。

【００２４】図１２はウェハの保持姿勢を示した模式図
である。（Ａ）は静止状態を表わしており、（Ｂ）は回
転状態を表わしている。静止状態では、ウェハ２７は回
転テーブル２１に対して略平行に保持されており、ウェ
ハ２７の端面はストッパー２５の側壁に対して平行に接
触している。又、熱伝導性ラバー２４の表面は凸型の丸
味を有している為、ウェハ２７の底面との間に隙間Ｇが
生じている。一方、高速回転中では、前述した様にウェ
ハ２７に下方向の応力Ｔｓｉｎθが作用する為、ウェハ
２７は径方向外側に向かって傾き保持姿勢が不安定にな
る。この結果、ウェハ２７の外端面はストッパー２５の
側壁に対して面接触とならず点接触の状態となる。

【００２５】図１３は、図１２の（Ｂ）に示したＸ部を
拡大図示したものである。前述した様に、テーブルを高
速回転させると、ガラスウェハ２７には下方に向かって
応力Ｔｓｉｎθが作用し、ガラスウェハ２７の上端部と
ストッパー２５の側壁との当接が点接触となる。この結
果、ガラスウェハ２７の上端部に応力が集中しチッピン
グＣが発生する。

【００２６】そこで、本発明では図１４に示す様に、熱
伝導性ラバー２４の表面形状をフラットにし、高速回転
中ガラスウェハ２７の端面とストッパー２５との接触を
安定な状態に保つ様にしている。この結果、チッピング
等ガラスウェハ２７の損傷を防ぐ事が可能である。又、
前述した様に熱伝導性ラバー２４の表面が凸型の丸味を
有している場合にはウェハ底面との間に隙間が生じる
為、イオン注入処理中ウェハ冷却効率が低下する。これ
に対して、本発明では熱伝導性ラバーの表面がフラット
化されている為ガラスウェハと熱伝導性ラバーの密着性
が改善できる為、イオン注入時におけるウェハ冷却効率
を向上させる結果となる。

【００２７】上述した実施例はメカニカル・スキャン型
イオン注入装置に関するものであったが、本発明はこれ
に限られるものではない。例えば、大型基板用として特
に設計されたイオン注入装置にも適用可能であり、その
例を図１５に示す。大型基板用イオン注入装置では、テ
ーブル回転数はメカニカル・スキャン型程高くはないが
ウェハサイズが大型化する為遠心力が増大し、チッピン
グの発生する確率が高くなる。又、ウェハの大型化に伴
ない冷却効率を高める必要がある為、本発明は有効であ
る。図示する様に、大型基板用イオン注入装置は、ウェ
ハセット台３１、ロードロック室３２、処理室３３、イ
オン源３４等から構成されている。大型ウェハ３４は搬
送フォーク３５により搬入搬出が自動的に行なわれる。
処理室３３の内部には回転テーブル３６が組み込まれて
おり、その上にはフラットな表面を有する熱伝導性ラバ
ー３７を介してウェハ３８が固定される。なお、回転テ
ーブル３６の内部には空洞が設けられており、冷却水が
循環できる様になっている。

【００２８】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明の第１側面に
よれば、ストッパーのガラスウェハと接触する部分に、
十分厚い樹脂板からなる緩衝部材を取り付ける事によ
り、真空雰囲気下で高速回転中のガラスウェハとストッ
パーとの間において、樹脂板の弾力性が衝撃や曲げ応力
に対する緩衝作用を生み出し、ガラスウェハのチッピン
グやクラックを防止する事ができるという効果がある。
歩留り低下の原因となるチッピングやクラックを防ぐ事
により生産性が向上するという効果が得られる。又、真
空吸着アームのガラスウェハと接触する部分に十分厚い
樹脂板からなる緩衝部材を取り付ける事により、ガラス
ウェハを搬送する際、樹脂板の弾力性が衝撃に対する緩
衝作用を生み、ガラスウェハの傷発生を有効に防止する
事ができるという効果がある。歩留り低下の原因となる
ガラスウェハの傷を防ぐ事により生産性が向上するとい
う効果がある。又、ガラスウェハを液晶パネルに利用す
る場合、光透過に対し散乱原因となる傷を防止できるの
で表示品質を損なう事がないという効果がある。

【００２９】本発明の第２側面によれば、イオン注入装
置の回転テーブルに固着される熱伝導性ラバーの形状が
フラットである為、ガラスウェハの周辺部と熱伝導性ラ
バーの間隙がなくなり、イオン注入時高速回転中ガラス
ウェハが安定な姿勢で保持される。従って、ガラスウェ
ハとストッパーの接触部位で発生する惧れのあるチッピ
ングあるいはクラックを有効に防止する事ができるとい
う効果がある。又、ガラスウェハ底面と熱伝導性ラバー
表面の密着性が良好になる為冷却効率が向上しイオン注
入時におけるガラスウェハの基板温度上昇を抑制する事
ができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる半導体製造装置の第１実施例を
示す模式図である。

【図２】第１実施例に組み込まれるストッパーの拡大斜
視図である。

【図３】第１実施例の動作説明図である。

【図４】ガラスウェハに発生するチッピングやクラック
を示す模式図である。

【図５】本発明の第２実施例を示す模式図である。

【図６】本発明にかかる第２実施例の動作説明図であ
る。

【図７】ガラスウェハに発生する傷を示す模式図であ
る。

【図８】本発明にかかる半導体製造装置の具体的な構成
例を示す模式的な平面図である。

【図９】本発明の第３実施例にかかるイオン注入装置の
回転テーブルを示す平面図並びに断面図である。

【図１０】図９に示した回転テーブルのウェハ載置部を
示す拡大部分平面図である。

【図１１】同じくウェハ載置部を示す部分断面図であ
る。

【図１２】ウェハの保持姿勢を表わす模式図である。

【図１３】図１２の（Ｂ）に示したＸ部の拡大図であ
る。

【図１４】本発明にかかる第３実施例の要部拡大断面図
である。

【図１５】本発明の第４実施例にかかるイオン注入装置
を示す模式図である。

【符号の説明】

１ 真空チャンバ ２ 回転テーブル ３ ペデスタル ４ ガラスウェハ ５ ストッパー ６ 緩衝部材 ７ チッピング ８ クラック ９ 傷 １１ アーム １２ 緩衝部材 １３ 真空吸着口 １４ キャリア ２１ 回転テーブル ２２ ペデスタル ２３ シャフト ２４ 熱伝導性ラバー ２５ ストッパー ２６ 支持ピン ２７ ウェハ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガラス基板上に半導体薄膜が形成された
   ガラスウェハを加工処理する半導体製造装置において、 ガラスウェハのハンドリング又は保持に用いる治具の接
   触部位に、所定の弾性及び剛性を有する樹脂からなる緩
   衝部材を装着した事を特徴とする半導体製造装置。
2. 【請求項２】 前記緩衝部材の装着された治具は、回転
   テーブルに載置され遠心力を受けるガラスウェハに当接
   して保持するストッパーである事を特徴とする請求項１
   記載の半導体製造装置。
3. 【請求項３】 前記回転テーブル及びストッパーは一体
   としてイオン注入用真空チャンバに搭載されている事を
   特徴とする請求項２記載の半導体製造装置。
4. 【請求項４】 前記ストッパーに装着される緩衝部材
   は、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂又
   はフッ素樹脂からなる事を特徴とする請求項２記載の半
   導体製造装置。
5. 【請求項５】 前記緩衝部材の装着された治具は、ガラ
   スウェハの搬送に用いられる真空吸着アームである事を
   特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
6. 【請求項６】 前記真空吸着アームに装着される緩衝部
   材は、ポリエーテルエーテルケトン樹脂又はフッ素樹脂
   からなる事を特徴とする請求項５記載の半導体製造装
   置。
7. 【請求項７】 ガラス基板上に半導体薄膜が形成された
   ガラスウェハを回転テーブルに載置してイオン注入処理
   を行なう半導体製造装置において、 前記ガラスウェハは、フラットな表面を有する熱伝導性
   ラバーを介して密接した状態で該回転テーブル上に支持
   固定されている事を特徴とする半導体製造装置。