JPH0621701A - 誘電体共振器を含むフィルタ装置 - Google Patents
誘電体共振器を含むフィルタ装置Info
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- JPH0621701A JPH0621701A JP4197541A JP19754192A JPH0621701A JP H0621701 A JPH0621701 A JP H0621701A JP 4197541 A JP4197541 A JP 4197541A JP 19754192 A JP19754192 A JP 19754192A JP H0621701 A JPH0621701 A JP H0621701A
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- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2053—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities the coaxial cavity resonators being disposed parall to each other
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- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 入力端子と出力端子との間のアイソレーショ
ンの良いフィルタを提供する。 【構成】 複数の誘電体共振器１〜４を交互に方向を変
えて並置する。これにより、複数の誘電体共振器１〜４
の端子２６〜２９の相互間隔が大きくなる。複数の誘電
体共振器１〜４の相互間の結合コンデンサは多層基板５
の中に埋設する。これにより、フィルタの小型化が達成
される。
ンの良いフィルタを提供する。 【構成】 複数の誘電体共振器１〜４を交互に方向を変
えて並置する。これにより、複数の誘電体共振器１〜４
の端子２６〜２９の相互間隔が大きくなる。複数の誘電
体共振器１〜４の相互間の結合コンデンサは多層基板５
の中に埋設する。これにより、フィルタの小型化が達成
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は自動車電話、携帯電話等
の高周波回路装置に使用するためのフィルタ装置に関す
る。
の高周波回路装置に使用するためのフィルタ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】複数の同軸型誘電体共振器を組み合せて
バンドパスフィルタ（帯域通過フィルタ）又はバンドス
トップフィルタ（帯域消去フィルタ）を構成することは
公知である。この種のフィルタにおいて、複数の同軸型
誘電体共振器はキャパシタンス又はマイクロストリップ
ライン又はトランス等の結合素子によって相互に結合さ
れる。
バンドパスフィルタ（帯域通過フィルタ）又はバンドス
トップフィルタ（帯域消去フィルタ）を構成することは
公知である。この種のフィルタにおいて、複数の同軸型
誘電体共振器はキャパシタンス又はマイクロストリップ
ライン又はトランス等の結合素子によって相互に結合さ
れる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、複数個の同
軸型誘電体共振器から成るフィルタの小型化を図るため
に複数個の誘電体共振器を互いに接近させて並置する
と、入力段の誘電体共振器の端子と出力段の誘電体共振
器の端子との間の電気的アイソレーションが悪くなり、
フィルタで減衰させる必要のある周波数成分が入力側端
子から出力側端子に洩れることがある。この種の現象は
信号の空中伝播に基づくものと考えられる。フィルタの
入力側端子と出力側端子のアイソレーションはシールド
ケースを設けることにより改善することができる。しか
し、シールドケースのみに頼ってアイソレーションを高
めようとすれば、シールドケースに対する負担が大きく
なり、設計の自由度の低下及びコストの上昇を招く。
軸型誘電体共振器から成るフィルタの小型化を図るため
に複数個の誘電体共振器を互いに接近させて並置する
と、入力段の誘電体共振器の端子と出力段の誘電体共振
器の端子との間の電気的アイソレーションが悪くなり、
フィルタで減衰させる必要のある周波数成分が入力側端
子から出力側端子に洩れることがある。この種の現象は
信号の空中伝播に基づくものと考えられる。フィルタの
入力側端子と出力側端子のアイソレーションはシールド
ケースを設けることにより改善することができる。しか
し、シールドケースのみに頼ってアイソレーションを高
めようとすれば、シールドケースに対する負担が大きく
なり、設計の自由度の低下及びコストの上昇を招く。
【０００４】そこで、本発明の目的は複数の誘電体共振
器の相互間のアイソレーションの向上を容易に達成する
ことができるフィルタ装置を提供することにある。
器の相互間のアイソレーションの向上を容易に達成する
ことができるフィルタ装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、互いに対向する第１及び第２の端面と側面
とを有し、且つ前記第１の端面から前記第２の端面に貫
通する共振孔を有する柱状誘電体と、前記共振孔の中に
設けられた内導体と、前記誘電体の前記側面に設けられ
た外導体と、前記内導体と前記外導体とを接続するよう
に前記誘電体の前記第２の端面に設けられた短絡導体
と、前記内導体に接続された端子とを夫々備えた複数の
誘電体共振器と、前記複数の誘電体共振器の前記端子を
相互に結合するための結合素子とを含むフィルタ装置に
おいて、前記複数の誘電体共振器の前記共振孔が互いに
平行になり、且つ前記複数の誘電体共振器の内の一部の
誘電体共振器の前記第１の端面から前記第２の端面への
方向が前記複数の誘電体共振器の内の前記一部以外の誘
電体共振器の前記第１の端面から前記第２の端面への方
向と逆になるように前記複数の誘電体共振器が並置され
ていることを特徴とするフィルタ装置に係わるものであ
る。なお、請求項２に示すように、支持基板にコンデン
サ又はストリップライン等の結合素子を埋設して小型化
を図ることが望ましい。また、請求項３に示すように絶
縁性基板上に複数の導体層を設け、ここに誘電体共振器
の外導体及び内導体を接続して小型化を図ることができ
る。また、請求項４に示すように、支持基板に入力及び
出力端子導体層を設け、更に入力結合コンデンサ及び出
力結合コンデンサを設けることができる。また、請求項
５に示すように、誘電体共振器の端子として誘電体の外
周面に接続端子導体層を設けることができる。また、請
求項６に示すように誘電体共振器に直列に共振用コンデ
ンサを接続することができる。また、請求項７に示すよ
うに第１のフィルタと第２のフィルタとを含む場合に、
第１のフィルタの誘電体共振器と第２のフィルタの誘電
体共振器とを交互に配置することができる。
の本発明は、互いに対向する第１及び第２の端面と側面
とを有し、且つ前記第１の端面から前記第２の端面に貫
通する共振孔を有する柱状誘電体と、前記共振孔の中に
設けられた内導体と、前記誘電体の前記側面に設けられ
た外導体と、前記内導体と前記外導体とを接続するよう
に前記誘電体の前記第２の端面に設けられた短絡導体
と、前記内導体に接続された端子とを夫々備えた複数の
誘電体共振器と、前記複数の誘電体共振器の前記端子を
相互に結合するための結合素子とを含むフィルタ装置に
おいて、前記複数の誘電体共振器の前記共振孔が互いに
平行になり、且つ前記複数の誘電体共振器の内の一部の
誘電体共振器の前記第１の端面から前記第２の端面への
方向が前記複数の誘電体共振器の内の前記一部以外の誘
電体共振器の前記第１の端面から前記第２の端面への方
向と逆になるように前記複数の誘電体共振器が並置され
ていることを特徴とするフィルタ装置に係わるものであ
る。なお、請求項２に示すように、支持基板にコンデン
サ又はストリップライン等の結合素子を埋設して小型化
を図ることが望ましい。また、請求項３に示すように絶
縁性基板上に複数の導体層を設け、ここに誘電体共振器
の外導体及び内導体を接続して小型化を図ることができ
る。また、請求項４に示すように、支持基板に入力及び
出力端子導体層を設け、更に入力結合コンデンサ及び出
力結合コンデンサを設けることができる。また、請求項
５に示すように、誘電体共振器の端子として誘電体の外
周面に接続端子導体層を設けることができる。また、請
求項６に示すように誘電体共振器に直列に共振用コンデ
ンサを接続することができる。また、請求項７に示すよ
うに第１のフィルタと第２のフィルタとを含む場合に、
第１のフィルタの誘電体共振器と第２のフィルタの誘電
体共振器とを交互に配置することができる。
【０００６】
【発明の作用及び効果】請求項１〜７の発明によれば、
誘電体共振器の相互間隔を広げたと等価な効果が得られ
る。この結果、小型であるにも拘らず誘電体共振器の相
互間の不要な周波数成分の洩れが少ないフィルタ装置を
提供することができる。また、アイソレーションが良く
なるので、場合によってはシールドケースを省いて小型
化且つ低コスト化を図ることができる。請求項２、３、
４、５によれば一層の小型化を図ることができる。請求
項６の構成にすると、誘電体共振器と共振用コンデンサ
との直列共振が生じ、バンドストップフィルタを提供す
ることができる。請求項７に示すように、第１及び第２
のフィルタの誘電体共振器を交互に配置しても相互間の
アイソレーションを高めることができる。
誘電体共振器の相互間隔を広げたと等価な効果が得られ
る。この結果、小型であるにも拘らず誘電体共振器の相
互間の不要な周波数成分の洩れが少ないフィルタ装置を
提供することができる。また、アイソレーションが良く
なるので、場合によってはシールドケースを省いて小型
化且つ低コスト化を図ることができる。請求項２、３、
４、５によれば一層の小型化を図ることができる。請求
項６の構成にすると、誘電体共振器と共振用コンデンサ
との直列共振が生じ、バンドストップフィルタを提供す
ることができる。請求項７に示すように、第１及び第２
のフィルタの誘電体共振器を交互に配置しても相互間の
アイソレーションを高めることができる。
【０００７】
【第１の実施例】次に、図２〜図８を参照して本発明の
第１の実施例のＴＥＭモード同軸型誘電体共振器を使用
したチェビシェフ（chebyschev）型バンドパスフィルタ
を説明する。
第１の実施例のＴＥＭモード同軸型誘電体共振器を使用
したチェビシェフ（chebyschev）型バンドパスフィルタ
を説明する。
【０００８】このバンドパスフィルタは、図１及び図２
に示すように第１、第２、第３及び第４の誘電体共振器
１、２、３、４と、コンデンサのための導体層及びグラ
ンド導体層等を有する誘電体基板５との組み合せによっ
て構成されている。第１〜第４の誘電体共振器１〜４
は、比誘電率が８８の四角柱状又は筒状磁器から成る第
１及び第２の誘電体６、７、８、９と、各誘電体６、
７、８、９の第１の端面６ａ、７ａ、８ａ、９ａから第
２の端面６ｂ、７ｂ、８ｂ、９ｂに貫通する共振孔１
０、１１、１２、１３の壁面に設けられた内導体１４、
１５、１６、１７と、各誘電体６、７、８、９の各４側
面に設けられた外導体１８、１９、２０、２１と、各内
導体１４〜１７と各外導体１８〜２１とを接続するよう
に各第２の端面６ｂ、７ｂ、８ｂ、９ｂに設けられた短
絡導体２２、２３、２４、２５と、第１の端面６ａ、７
ａ、８ａ、９ａ側から各共振孔１０、１１、１２、１３
に挿入され、各内導体１４、１５、１６、１７に接続さ
れた端子２６、２７、２８、２９とから成る。なお、内
導体１４〜１７、外導体１８〜２１、及び短絡導体２２
〜２５は銀ペーストを塗布して焼付けて形成された導体
膜である。第１〜第４の誘電体共振器１〜４は同一形状
であるので、図２のＡ−Ａ線に対応する部分の断面図を
図３に共通に示した。金属片から成る端子２６、２７、
２８、２９は各内導体１４、１５、１６、１７に半田３
０で固着され、第１の端面６ａ。７ａ、８ａ、９ａから
外に突出している。なお、誘電体共振器１〜４は基本波
の波長の1/4の長さに形成されている。
に示すように第１、第２、第３及び第４の誘電体共振器
１、２、３、４と、コンデンサのための導体層及びグラ
ンド導体層等を有する誘電体基板５との組み合せによっ
て構成されている。第１〜第４の誘電体共振器１〜４
は、比誘電率が８８の四角柱状又は筒状磁器から成る第
１及び第２の誘電体６、７、８、９と、各誘電体６、
７、８、９の第１の端面６ａ、７ａ、８ａ、９ａから第
２の端面６ｂ、７ｂ、８ｂ、９ｂに貫通する共振孔１
０、１１、１２、１３の壁面に設けられた内導体１４、
１５、１６、１７と、各誘電体６、７、８、９の各４側
面に設けられた外導体１８、１９、２０、２１と、各内
導体１４〜１７と各外導体１８〜２１とを接続するよう
に各第２の端面６ｂ、７ｂ、８ｂ、９ｂに設けられた短
絡導体２２、２３、２４、２５と、第１の端面６ａ、７
ａ、８ａ、９ａ側から各共振孔１０、１１、１２、１３
に挿入され、各内導体１４、１５、１６、１７に接続さ
れた端子２６、２７、２８、２９とから成る。なお、内
導体１４〜１７、外導体１８〜２１、及び短絡導体２２
〜２５は銀ペーストを塗布して焼付けて形成された導体
膜である。第１〜第４の誘電体共振器１〜４は同一形状
であるので、図２のＡ−Ａ線に対応する部分の断面図を
図３に共通に示した。金属片から成る端子２６、２７、
２８、２９は各内導体１４、１５、１６、１７に半田３
０で固着され、第１の端面６ａ。７ａ、８ａ、９ａから
外に突出している。なお、誘電体共振器１〜４は基本波
の波長の1/4の長さに形成されている。
【０００９】第１〜第４の誘電体共振器１〜４を支持し
ている基板５は多層セラミック基板であり、この表面３
１には図２及び図５に示すように第１の導体層（グラン
ド導体層）３２と、第１〜第４の誘電体共振器１〜４の
端子２６〜２９を接続するための第１、第２、第３及び
第４の導体層（共振器接続導体層）３３、３４、３５、
３６とが設けられている。この基板５の裏面３７には図
６に示すようにグランド導体層３８と、入力端子導体層
３９と、出力端子導体層４０とが設けられている。
ている基板５は多層セラミック基板であり、この表面３
１には図２及び図５に示すように第１の導体層（グラン
ド導体層）３２と、第１〜第４の誘電体共振器１〜４の
端子２６〜２９を接続するための第１、第２、第３及び
第４の導体層（共振器接続導体層）３３、３４、３５、
３６とが設けられている。この基板５の裏面３７には図
６に示すようにグランド導体層３８と、入力端子導体層
３９と、出力端子導体層４０とが設けられている。
【００１０】第１〜第４の誘電体共振器１〜４は、基板
５に設けられた回路を伴なって図７の等価回路のバンド
パスフィルタを構成する。図７において第１〜第４の誘
電体共振器１〜４の端子２６〜２９の間には相互結合素
子として相互結合コンデンサＣ2 、Ｃ3 、Ｃ4 が接続さ
れている。また入力端子３９ａと第１の誘電体共振器１
の端子２６との間に入力結合コンデンサＣ1 が接続さ
れ、出力段の第４の誘電体共振器４の端子３０と出力端
子４０ａとの間に出力結合コンデンサＣ5 が接続されて
いる。各誘電体共振器１〜４の外導体１８〜２１はグラ
ンド端子３８ａに接続されている。なお、Ｃ1 〜Ｃ5 の
容量は一般にＣ1 ＝Ｃ5 、Ｃ2 ＝Ｃ4 に設定され且つＣ
3 ＜Ｃ2 ＝Ｃ4 及びＣ2 ＝Ｃ4 ＜Ｃ1 ＝Ｃ5 に設定され
る。
５に設けられた回路を伴なって図７の等価回路のバンド
パスフィルタを構成する。図７において第１〜第４の誘
電体共振器１〜４の端子２６〜２９の間には相互結合素
子として相互結合コンデンサＣ2 、Ｃ3 、Ｃ4 が接続さ
れている。また入力端子３９ａと第１の誘電体共振器１
の端子２６との間に入力結合コンデンサＣ1 が接続さ
れ、出力段の第４の誘電体共振器４の端子３０と出力端
子４０ａとの間に出力結合コンデンサＣ5 が接続されて
いる。各誘電体共振器１〜４の外導体１８〜２１はグラ
ンド端子３８ａに接続されている。なお、Ｃ1 〜Ｃ5 の
容量は一般にＣ1 ＝Ｃ5 、Ｃ2 ＝Ｃ4 に設定され且つＣ
3 ＜Ｃ2 ＝Ｃ4 及びＣ2 ＝Ｃ4 ＜Ｃ1 ＝Ｃ5 に設定され
る。
【００１１】図７のコンデンサＣ1 〜Ｃ5 及びこれ等と
誘電体共振器１〜４を接続する回路は基板５に埋設され
ている。図５は基板５を積層前の状態に分解して示す斜
視図である。この図５から明らかなように基板５は第
１、第２、第３及び第４の基板５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ
の積層体から成る。基板５を形成する時には、第１〜第
４の基板５ａ〜５ｄに対応するアルミナ系の未焼成セラ
ミックシート（グリーンシート）に銀ペースト（導電ペ
ースト）を所定パターンに塗布したものを積層し、圧着
し、焼成する。
誘電体共振器１〜４を接続する回路は基板５に埋設され
ている。図５は基板５を積層前の状態に分解して示す斜
視図である。この図５から明らかなように基板５は第
１、第２、第３及び第４の基板５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ
の積層体から成る。基板５を形成する時には、第１〜第
４の基板５ａ〜５ｄに対応するアルミナ系の未焼成セラ
ミックシート（グリーンシート）に銀ペースト（導電ペ
ースト）を所定パターンに塗布したものを積層し、圧着
し、焼成する。
【００１２】図５の第１の基板５ａの表面は図２の基板
５の表面３１と同一であり、比較的面積の大きい第１の
導体層３２と面積の小さい第２〜第５の導体層３３〜３
６を有する。導体層３３、３４、３５、３６は図７の端
子３３ａ、３４ａ、３５ａ、３６ａに対応している。第
２の基板５ｂには、第６、第７、第８及び第９の導体層
４１、４２、４３、４４と、３つのグランド導体層４
５、４６、４７が設けられている。第３の基板５ｃには
第１０、第１１、第１２及び第１３の導体層４８、４
９、５０、５１と２つのグランド導体層５２、５３が設
けられている。第４の基板５ｄには第１４及び第１５の
導体層５４、５５と２つのグランド導体層５６、５７が
設けられている。図６に示す第４の基板５ｄの裏面の入
力端子導体層３９はヴィア（via)ホール５８の導体を介
して表面側の第１４の導体層５４に接続され、更に第３
の基板５ｃのヴィアホール５９の導体を介して第１０の
導体層４８に接続されている。第２の基板５ｂの第６の
導体層４１は第１の基板５ａのヴィアホール６０の導体
６０によって第１の基板５ａの第２の導体層３３に接続
されている。第２の基板５ｂの第６の導体層４１と第３
の基板５ｃの第１０の導体層４８は誘電体磁器から成る
第２の基板５ｂを介して対向しているので、破線で示す
入力結合コンデンサＣ1 を構成する。
５の表面３１と同一であり、比較的面積の大きい第１の
導体層３２と面積の小さい第２〜第５の導体層３３〜３
６を有する。導体層３３、３４、３５、３６は図７の端
子３３ａ、３４ａ、３５ａ、３６ａに対応している。第
２の基板５ｂには、第６、第７、第８及び第９の導体層
４１、４２、４３、４４と、３つのグランド導体層４
５、４６、４７が設けられている。第３の基板５ｃには
第１０、第１１、第１２及び第１３の導体層４８、４
９、５０、５１と２つのグランド導体層５２、５３が設
けられている。第４の基板５ｄには第１４及び第１５の
導体層５４、５５と２つのグランド導体層５６、５７が
設けられている。図６に示す第４の基板５ｄの裏面の入
力端子導体層３９はヴィア（via)ホール５８の導体を介
して表面側の第１４の導体層５４に接続され、更に第３
の基板５ｃのヴィアホール５９の導体を介して第１０の
導体層４８に接続されている。第２の基板５ｂの第６の
導体層４１は第１の基板５ａのヴィアホール６０の導体
６０によって第１の基板５ａの第２の導体層３３に接続
されている。第２の基板５ｂの第６の導体層４１と第３
の基板５ｃの第１０の導体層４８は誘電体磁器から成る
第２の基板５ｂを介して対向しているので、破線で示す
入力結合コンデンサＣ1 を構成する。
【００１３】第２の基板５ｂにおいて互いに対向してい
る第６及び第７の導体層４１、４２は相互結合コンデン
サＣ2 を形成する。第７の導体層４２は第１の基板５ａ
のヴィアホール６１の導体によって第３の導体層３４に
接続され、且つ第２の基板５ｂのヴィアホール６２を介
して第３の基板５ｃの第１１の導体層４９に接続されて
いる。第３の基板５ｃにおいて互いに対向している第１
１及び第１２の導体層４９、５０は相互結合コンデンサ
Ｃ3 を形成する。第１２の導体層５０は第２の基板５ｂ
のヴィアホール６３の導体によって第８の導体層４３に
接続され、且つ第１の基板５ａのヴィアホール６４の導
体によって第４の導体層３５に接続されている。第２の
基板５ｂにおいて互いに対向している第８及び第９の導
体層４３、４４は相互結合コンデンサＣ4 を形成する。
第９の導体層４４は第１の基板５ａのヴィアホール６５
の導体によって第５の導体層３６に接続されている。第
９の導体層４４は第２の基板５ｂを介して第３の基板５
ｃの第１３の導体層５１に対向して出力結合コンデンサ
Ｃ5 を形成する。
る第６及び第７の導体層４１、４２は相互結合コンデン
サＣ2 を形成する。第７の導体層４２は第１の基板５ａ
のヴィアホール６１の導体によって第３の導体層３４に
接続され、且つ第２の基板５ｂのヴィアホール６２を介
して第３の基板５ｃの第１１の導体層４９に接続されて
いる。第３の基板５ｃにおいて互いに対向している第１
１及び第１２の導体層４９、５０は相互結合コンデンサ
Ｃ3 を形成する。第１２の導体層５０は第２の基板５ｂ
のヴィアホール６３の導体によって第８の導体層４３に
接続され、且つ第１の基板５ａのヴィアホール６４の導
体によって第４の導体層３５に接続されている。第２の
基板５ｂにおいて互いに対向している第８及び第９の導
体層４３、４４は相互結合コンデンサＣ4 を形成する。
第９の導体層４４は第１の基板５ａのヴィアホール６５
の導体によって第５の導体層３６に接続されている。第
９の導体層４４は第２の基板５ｂを介して第３の基板５
ｃの第１３の導体層５１に対向して出力結合コンデンサ
Ｃ5 を形成する。
【００１４】第１３の導体層５１は第３の基板５ｃのヴ
ィアホール６７の導体によって第４の基板５ｄの第１５
の導体５５に接続され、更に第４の基板５ｄのヴィアホ
ール６８を介して第４の基板５ｄの裏面の図６に示す出
力端子導体層４０に接続されている。第１の基板５ａの
第１の導体層３２は第１の基板５ａのヴィアホール６
９、７０、７１、７２と、第２の基板５ｂのヴィアホー
ル７３、７４、７５、７６と、第３の基板５ｃのヴィア
ホール７７、７８、７９、８０と、第４の基板５ｄのヴ
ィアホール８１、８２、８３、８４との導体を介して図
６に示す第４の基板５ｄの裏面側のグランド導体層３８
に接続されている。図６のグランド導体層３８、入力端
子導体層３９及び出力端子導体層４０は図７のグランド
端子３８、入力端子３９及び出力端子４０に対応してい
る。
ィアホール６７の導体によって第４の基板５ｄの第１５
の導体５５に接続され、更に第４の基板５ｄのヴィアホ
ール６８を介して第４の基板５ｄの裏面の図６に示す出
力端子導体層４０に接続されている。第１の基板５ａの
第１の導体層３２は第１の基板５ａのヴィアホール６
９、７０、７１、７２と、第２の基板５ｂのヴィアホー
ル７３、７４、７５、７６と、第３の基板５ｃのヴィア
ホール７７、７８、７９、８０と、第４の基板５ｄのヴ
ィアホール８１、８２、８３、８４との導体を介して図
６に示す第４の基板５ｄの裏面側のグランド導体層３８
に接続されている。図６のグランド導体層３８、入力端
子導体層３９及び出力端子導体層４０は図７のグランド
端子３８、入力端子３９及び出力端子４０に対応してい
る。
【００１５】図１及び図２に示すフィルタを組み立てる
時は、図４及び図５に示すように積層構造とされた多層
基板５の第１の導体層３２の上に図４に示すように半田
８５によって第１〜第４の誘電体共振器１〜４の外導体
１８〜２１を固着し、且つ端子２６〜２９を第２〜第５
の導体層３３〜３６に半田８６によって夫々固着する。
これにより、図７に示す回路構成のフィルタが完成す
る。
時は、図４及び図５に示すように積層構造とされた多層
基板５の第１の導体層３２の上に図４に示すように半田
８５によって第１〜第４の誘電体共振器１〜４の外導体
１８〜２１を固着し、且つ端子２６〜２９を第２〜第５
の導体層３３〜３６に半田８６によって夫々固着する。
これにより、図７に示す回路構成のフィルタが完成す
る。
【００１６】図８の実線は図１のフィルタの周波数特性
を示す。この実線の特性では中心周波数ｆ0 を有する通
過帯域の両側において十分な減衰が得られている。図８
の破線は、図１のフィルタにおいて第１〜第４の誘電体
共振器１〜４の向きを同一にした従来のフィルタの特性
を示す。なお、図８の実線と破線のいずれもシールドケ
ースを設けない状態での特性を示す。第１〜第４の誘電
体共振器１〜４を同一方向に揃えた従来のフィルタにお
いて最適なシールドケースを設けると、図８の実線とほ
ぼ同一の特性が得られる。これは、図１の本実施例の構
成にすればシールドケースを省いても従来のフィルタと
ほぼ同等の特性を得ることができることを意味する。従
って、本実施例のフィルタはシールドケースを伴なわな
いで使用することができる。勿論、フィルタ特性（アイ
ソレーション）を更に良くすることが要求された時に
は、図１のフィルタにシールドケースを付加する。
を示す。この実線の特性では中心周波数ｆ0 を有する通
過帯域の両側において十分な減衰が得られている。図８
の破線は、図１のフィルタにおいて第１〜第４の誘電体
共振器１〜４の向きを同一にした従来のフィルタの特性
を示す。なお、図８の実線と破線のいずれもシールドケ
ースを設けない状態での特性を示す。第１〜第４の誘電
体共振器１〜４を同一方向に揃えた従来のフィルタにお
いて最適なシールドケースを設けると、図８の実線とほ
ぼ同一の特性が得られる。これは、図１の本実施例の構
成にすればシールドケースを省いても従来のフィルタと
ほぼ同等の特性を得ることができることを意味する。従
って、本実施例のフィルタはシールドケースを伴なわな
いで使用することができる。勿論、フィルタ特性（アイ
ソレーション）を更に良くすることが要求された時に
は、図１のフィルタにシールドケースを付加する。
【００１７】図８の実線で示すように通過帯域の両側の
周波数成分の減衰量を大きくすることができるのは、こ
れ等の周波数成分の洩れが誘電体共振器１〜４の端子２
６〜２９及び端子導体層３３〜３６の相互間において少
ないためである。即ち、第１〜第４の誘電体共振器１〜
４の方向を交互に変えたために、隣接する２つの誘電体
共振器の端子の相互間距離及び入力段の第１の誘電体共
振器１の端子２６から出力段の第４の誘電体共振器４の
端子２９までの距離が長くなり、不要な信号成分（周波
数成分）の洩れが少なくなるためである。
周波数成分の減衰量を大きくすることができるのは、こ
れ等の周波数成分の洩れが誘電体共振器１〜４の端子２
６〜２９及び端子導体層３３〜３６の相互間において少
ないためである。即ち、第１〜第４の誘電体共振器１〜
４の方向を交互に変えたために、隣接する２つの誘電体
共振器の端子の相互間距離及び入力段の第１の誘電体共
振器１の端子２６から出力段の第４の誘電体共振器４の
端子２９までの距離が長くなり、不要な信号成分（周波
数成分）の洩れが少なくなるためである。
【００１８】第１〜第４の誘電体共振器１〜４の方向を
交互に変えると、これ等の相互間の結合素子の配置スペ
ースの増大を招くおそれがあるが、本実施例では基板５
を積層構造としてこの中に結合コンデンサＣ1 〜Ｃ5 を
埋設することによって小型化を図っている。なお、コン
デンサＣ1 〜Ｃ5 のための導体層は表面と裏面のグラン
ド導体層３２、３８で挟まれているので、外部ノイズの
影響を受けにくい。
交互に変えると、これ等の相互間の結合素子の配置スペ
ースの増大を招くおそれがあるが、本実施例では基板５
を積層構造としてこの中に結合コンデンサＣ1 〜Ｃ5 を
埋設することによって小型化を図っている。なお、コン
デンサＣ1 〜Ｃ5 のための導体層は表面と裏面のグラン
ド導体層３２、３８で挟まれているので、外部ノイズの
影響を受けにくい。
【００１９】
【第２の実施例】次に、図９〜図１３を参照して第２の
実施例のバンドパスフィルタを説明する。但し、図９〜
図１３及び後述する図１４、図１５及び図１７〜図１９
において図１〜図７と実質的に同一の部分には同一の符
号を付してその説明を省略する。図９〜図１３の実施例
では、第１及び第２の誘電体共振器１、２が互いに反対
の方向性を有するように並置されている。第１の誘電体
共振器１は、図１１及び図１２に示すように円筒状誘電
体６に内導体１４と外導体１８と短絡導体２２とを設け
ることによって構成され、且つ内導体１４を外部回路に
接続するための端子導体層２６ａが誘電体６の外周面
（側面）に設けられている。この端子導体層２６ａは図
２の端子２６と同一の機能を有するものである。従っ
て、第２の実施例によれば個別の端子２６を用意しない
で誘電体共振器１を外部回路に接続することができる。
第２の誘電体共振器２も第１の誘電体共振器１と同一に
構成されている。この実施例ではシ−ルド兼共振器取付
部材１５０が設けられている。この取付部材１５０は金
属板から成り、図１１に示すように断面形状Ｅ形に形成
され、両側部１５１、１５２と中間部１５３と上面部１
５４とを有し、第１及び第２の誘電体共振器１、２の外
導体１８、１９を覆うように配置されている。中間部１
５３は第１及び第２の誘電体共振器１、２の間に挿入さ
れ、両者のスペ−サとして機能し、誘電体共振器１、２
の一方の接続端子導体層２６ａ、２７ａが他方の外導体
１８、１９に接触することを防いでいる。なお取付部材
１５０は半田１５５によってグランド導体層３２に固着
されている。
実施例のバンドパスフィルタを説明する。但し、図９〜
図１３及び後述する図１４、図１５及び図１７〜図１９
において図１〜図７と実質的に同一の部分には同一の符
号を付してその説明を省略する。図９〜図１３の実施例
では、第１及び第２の誘電体共振器１、２が互いに反対
の方向性を有するように並置されている。第１の誘電体
共振器１は、図１１及び図１２に示すように円筒状誘電
体６に内導体１４と外導体１８と短絡導体２２とを設け
ることによって構成され、且つ内導体１４を外部回路に
接続するための端子導体層２６ａが誘電体６の外周面
（側面）に設けられている。この端子導体層２６ａは図
２の端子２６と同一の機能を有するものである。従っ
て、第２の実施例によれば個別の端子２６を用意しない
で誘電体共振器１を外部回路に接続することができる。
第２の誘電体共振器２も第１の誘電体共振器１と同一に
構成されている。この実施例ではシ−ルド兼共振器取付
部材１５０が設けられている。この取付部材１５０は金
属板から成り、図１１に示すように断面形状Ｅ形に形成
され、両側部１５１、１５２と中間部１５３と上面部１
５４とを有し、第１及び第２の誘電体共振器１、２の外
導体１８、１９を覆うように配置されている。中間部１
５３は第１及び第２の誘電体共振器１、２の間に挿入さ
れ、両者のスペ−サとして機能し、誘電体共振器１、２
の一方の接続端子導体層２６ａ、２７ａが他方の外導体
１８、１９に接触することを防いでいる。なお取付部材
１５０は半田１５５によってグランド導体層３２に固着
されている。
【００２０】図９〜図１１の２つの誘電体共振器１、２
は図１３の等価回路に示すように接続される。図１３の
コンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 は第１の実施例と同様に基
板５に埋設されている。この第２の実施例ではコンデン
サがＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 の３個のみであるので、基板５が
２層構造である。コンデンサＣ1 は図１２に示すように
基板５内の導体層９０と基板５の裏面の入力端子導体層
３９とを対向させることによって形成されている。導体
層９０は基板５の表面の導体層３３にヴィアホールを通
して接続されている。コンデンサＣ2 は基板５内の導体
層９０とこれに対向する導体層９１によって形成されて
いる。コンデンサＣ3 は導体層９１の延長部と図９に示
す出力端子導体層４０とによって形成されている。な
お、導体層９１はヴィアホールによって基板５の表面の
導体層３４に接続されている。また、基板５の表面側の
グランド導体層３２はヴィアホールを介して裏面側のグ
ランド端子導体層３８に接続されている。なお、図１３
の端子３３ａ、３４ａ、３８ａ、３９ａ、４０ａは図９
〜図１２の導体層３３、３４、３８、３９、４０に対応
している。
は図１３の等価回路に示すように接続される。図１３の
コンデンサＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 は第１の実施例と同様に基
板５に埋設されている。この第２の実施例ではコンデン
サがＣ1 、Ｃ2 、Ｃ3 の３個のみであるので、基板５が
２層構造である。コンデンサＣ1 は図１２に示すように
基板５内の導体層９０と基板５の裏面の入力端子導体層
３９とを対向させることによって形成されている。導体
層９０は基板５の表面の導体層３３にヴィアホールを通
して接続されている。コンデンサＣ2 は基板５内の導体
層９０とこれに対向する導体層９１によって形成されて
いる。コンデンサＣ3 は導体層９１の延長部と図９に示
す出力端子導体層４０とによって形成されている。な
お、導体層９１はヴィアホールによって基板５の表面の
導体層３４に接続されている。また、基板５の表面側の
グランド導体層３２はヴィアホールを介して裏面側のグ
ランド端子導体層３８に接続されている。なお、図１３
の端子３３ａ、３４ａ、３８ａ、３９ａ、４０ａは図９
〜図１２の導体層３３、３４、３８、３９、４０に対応
している。
【００２１】第２の実施例でも第１及び第２の誘電体共
振器１、２の端子導体層２６ａ、２７ａの相互間、導体
層３３、３４の相互間及び入力端子導体層３９と出力端
子導体層４０の相互間の距離が長くなっているためにア
イソレーションが良くなり、第１の実施例と同様な作用
効果が得られる。
振器１、２の端子導体層２６ａ、２７ａの相互間、導体
層３３、３４の相互間及び入力端子導体層３９と出力端
子導体層４０の相互間の距離が長くなっているためにア
イソレーションが良くなり、第１の実施例と同様な作用
効果が得られる。
【００２２】
【第３の実施例】図１４及び図１５は第３の実施例のバ
ンドストップフィルタ（帯域消去フィルタ）を示す。こ
のフィルタは３個の誘電体共振器１、２、３を基板５上
に並置することによって構成されている。３個の誘電体
共振器１、２、３は図１の場合と同様に方向性を交互に
変えて配置されている。図１４において図１と異なる点
は、第１の方向（奇数番目）の誘電体共振器１、３と第
２の方向（偶数番目）の誘電体共振器２とを軸方向に少
しずらして配置して基板５のスペースを有効に利用した
ことである。第１〜第３の誘電体共振器１〜３の内部構
造は図３と同一である。
ンドストップフィルタ（帯域消去フィルタ）を示す。こ
のフィルタは３個の誘電体共振器１、２、３を基板５上
に並置することによって構成されている。３個の誘電体
共振器１、２、３は図１の場合と同様に方向性を交互に
変えて配置されている。図１４において図１と異なる点
は、第１の方向（奇数番目）の誘電体共振器１、３と第
２の方向（偶数番目）の誘電体共振器２とを軸方向に少
しずらして配置して基板５のスペースを有効に利用した
ことである。第１〜第３の誘電体共振器１〜３の内部構
造は図３と同一である。
【００２３】図１４のフィルタの等価回路は図１５に示
す通りである。第１〜第３の誘電体共振器１〜３の端子
２６〜２８は共振用コンデンサＣa 、Ｃb 、Ｃc に接続
されている。コンデンサＣa 、Ｃb 、Ｃc の相互間には
結合素子として５０ΩのストリップラインＬ1 、Ｌ2 が
設けられている。入力端子導体層３９に対応する入力端
子３９ａはコンデンサＣa とストリップラインＬ1 とに
接続されている。出力端子導体層４０に対応する出力端
子４０ａはコンデンサＣc とストリップラインＬ2 とに
接続されている。グランド導体層３８に対応するグラン
ド端子３８ａは第１〜第３の誘電体共振器１〜３の外導
体１８、１９、２０に接続されている。端子３３ａ、３
４ａ、３５ａは図１４の導体層３３、３４、３５に対応
している。図１５におけるコンデンサＣa 、Ｃb 、Ｃc
とストリップラインＬ1 、Ｌ2 とは図１４の基板５の内
に埋設されている。
す通りである。第１〜第３の誘電体共振器１〜３の端子
２６〜２８は共振用コンデンサＣa 、Ｃb 、Ｃc に接続
されている。コンデンサＣa 、Ｃb 、Ｃc の相互間には
結合素子として５０ΩのストリップラインＬ1 、Ｌ2 が
設けられている。入力端子導体層３９に対応する入力端
子３９ａはコンデンサＣa とストリップラインＬ1 とに
接続されている。出力端子導体層４０に対応する出力端
子４０ａはコンデンサＣc とストリップラインＬ2 とに
接続されている。グランド導体層３８に対応するグラン
ド端子３８ａは第１〜第３の誘電体共振器１〜３の外導
体１８、１９、２０に接続されている。端子３３ａ、３
４ａ、３５ａは図１４の導体層３３、３４、３５に対応
している。図１５におけるコンデンサＣa 、Ｃb 、Ｃc
とストリップラインＬ1 、Ｌ2 とは図１４の基板５の内
に埋設されている。
【００２４】第３の実施例のフィルタの周波数特性は図
１６の実線で示す通りである。一方、第１〜第３の誘電
体共振器１〜３の方向性を揃えた従来のフィルタにおい
ては破線で示す特性を示し、ｆ0 を中心にした消去帯域
（阻止帯域）において信号の洩れが生じる。従って、第
３の実施例のフィルタによっても第１の実施例と同様に
不要な周波数成分の洩れを防ぐことができる。
１６の実線で示す通りである。一方、第１〜第３の誘電
体共振器１〜３の方向性を揃えた従来のフィルタにおい
ては破線で示す特性を示し、ｆ0 を中心にした消去帯域
（阻止帯域）において信号の洩れが生じる。従って、第
３の実施例のフィルタによっても第１の実施例と同様に
不要な周波数成分の洩れを防ぐことができる。
【００２５】
【第４の実施例】図１７〜図１９は第４の実施例の一般
にデュプレクサ（duplexer）と呼ばれている送受信用フ
ィルタ装置を示す。このフィルタ装置は基板１００上に
第１〜第９の誘電体共振器１０１、１０２、１０３、１
０４、１０５、１０６、１０７、１０８、１０９を並置
することによって構成されている。各誘電体共振器１０
１〜１０９は図１〜図４の誘電体共振器１〜４と同一に
構成されている。
にデュプレクサ（duplexer）と呼ばれている送受信用フ
ィルタ装置を示す。このフィルタ装置は基板１００上に
第１〜第９の誘電体共振器１０１、１０２、１０３、１
０４、１０５、１０６、１０７、１０８、１０９を並置
することによって構成されている。各誘電体共振器１０
１〜１０９は図１〜図４の誘電体共振器１〜４と同一に
構成されている。
【００２６】図１９は図１５のフィルタ装置の等価回路
を示す。このフィルタ装置は受信フィルタ回路１１０と
送信フィルタ回路１１１とこれ等を結合するストリップ
ライン１１２、１１３とを含む。受信フィルタ回路１１
０は第１、第３、第５、第７及び第９の誘電体共振器１
０１、１０３、１０５、１０７、１０９とコンデンサＣ
11、Ｃ12、Ｃ13、Ｃ14、Ｃ15、Ｃ16、Ｃ17、Ｃ18とから
成る。コンデンサＣ11〜Ｃ16はアンテナ接続端子１１４
と受信出力端子１１５との間の信号伝送ラインに直列に
接続されている。各誘電体共振器１０１、１０３、１０
５、１０７、１０９はコンデンサＣ11〜Ｃ16の相互間の
ブランチラインとグランドとの間に接続されている。但
し、誘電体共振器１０３、１０７には直列にコンデンサ
Ｃ17、Ｃ18が接続されている。
を示す。このフィルタ装置は受信フィルタ回路１１０と
送信フィルタ回路１１１とこれ等を結合するストリップ
ライン１１２、１１３とを含む。受信フィルタ回路１１
０は第１、第３、第５、第７及び第９の誘電体共振器１
０１、１０３、１０５、１０７、１０９とコンデンサＣ
11、Ｃ12、Ｃ13、Ｃ14、Ｃ15、Ｃ16、Ｃ17、Ｃ18とから
成る。コンデンサＣ11〜Ｃ16はアンテナ接続端子１１４
と受信出力端子１１５との間の信号伝送ラインに直列に
接続されている。各誘電体共振器１０１、１０３、１０
５、１０７、１０９はコンデンサＣ11〜Ｃ16の相互間の
ブランチラインとグランドとの間に接続されている。但
し、誘電体共振器１０３、１０７には直列にコンデンサ
Ｃ17、Ｃ18が接続されている。
【００２７】送信フィルタ回路１１１は、第２、第４、
第６及び第８の誘電体共振器１０２、１０４、１０６、
１０８と、ストリップラインＬ11、Ｌ12、Ｌ13と、コン
デンサＣ19、Ｃ20、Ｃ21、Ｃ22とから成る。ストリップ
ラインＬ11、Ｌ12、Ｌ13は送信入力端子１１６とアンテ
ナ端子１１４との間の信号伝送路に直列に接続されてい
る。誘電体共振器１０２、１０４、１０６、１０８はス
トリップラインＬ11、Ｌ12、Ｌ13の相互間及び前後の４
つのブランチラインとグランドとの間にコンデンサＣ1
9、Ｃ20、Ｃ21、Ｃ22を介して接続されている。図１９
の１２個のコンデンサＣ11〜Ｃ22と、５つのストリップ
ラインＬ11、Ｌ12、Ｌ13、１１２、１１３は基板１００
の中に埋設されている。これ等の埋設は第１の実施例と
同様な積層構造によって達成されている。なお、図１９
の９個の端子ａ〜ｉは図１８の導体層１１７〜１２５に
対応している。各誘電体共振器１０１〜１０９の端子１
２９は半田１３０によってそれぞれの導体層１１７〜１
２５に接続されている。
第６及び第８の誘電体共振器１０２、１０４、１０６、
１０８と、ストリップラインＬ11、Ｌ12、Ｌ13と、コン
デンサＣ19、Ｃ20、Ｃ21、Ｃ22とから成る。ストリップ
ラインＬ11、Ｌ12、Ｌ13は送信入力端子１１６とアンテ
ナ端子１１４との間の信号伝送路に直列に接続されてい
る。誘電体共振器１０２、１０４、１０６、１０８はス
トリップラインＬ11、Ｌ12、Ｌ13の相互間及び前後の４
つのブランチラインとグランドとの間にコンデンサＣ1
9、Ｃ20、Ｃ21、Ｃ22を介して接続されている。図１９
の１２個のコンデンサＣ11〜Ｃ22と、５つのストリップ
ラインＬ11、Ｌ12、Ｌ13、１１２、１１３は基板１００
の中に埋設されている。これ等の埋設は第１の実施例と
同様な積層構造によって達成されている。なお、図１９
の９個の端子ａ〜ｉは図１８の導体層１１７〜１２５に
対応している。各誘電体共振器１０１〜１０９の端子１
２９は半田１３０によってそれぞれの導体層１１７〜１
２５に接続されている。
【００２８】図１７及び図１８から明らかなように受信
フィルタ回路１１０の誘電体共振器１０１、１０３、１
０５、１０７、１０９と送信回路１１１の誘電体共振器
１０２、１０４、１０６、１０８は交互に配置され且つ
反対の方向性を有する。従って、受信用誘電体共振器１
０１、１０３、１０５、１０７、１０９の接続端子導体
層１１７、１１８、１１９、１２０、１２１は図１８に
おいて基板５の上側に配置され、送信用誘電体共振器１
０２、１０４、１０６、１０８の接続端子導体層１２
２、１２３、１２４、１２５は図１８において基板５の
下側に配置されている。基板５の表面には誘電体共振器
１０１〜１０９の外導体を接続するためのグランド導体
層１２６が設けられ、裏面には図１５に示すようにグラ
ンド導体層１２７、アンテナ端子導体層１２８、受信出
力端子導体層（図示せず）及び送信入力端子導体層（図
示せず）が設けられている。
フィルタ回路１１０の誘電体共振器１０１、１０３、１
０５、１０７、１０９と送信回路１１１の誘電体共振器
１０２、１０４、１０６、１０８は交互に配置され且つ
反対の方向性を有する。従って、受信用誘電体共振器１
０１、１０３、１０５、１０７、１０９の接続端子導体
層１１７、１１８、１１９、１２０、１２１は図１８に
おいて基板５の上側に配置され、送信用誘電体共振器１
０２、１０４、１０６、１０８の接続端子導体層１２
２、１２３、１２４、１２５は図１８において基板５の
下側に配置されている。基板５の表面には誘電体共振器
１０１〜１０９の外導体を接続するためのグランド導体
層１２６が設けられ、裏面には図１５に示すようにグラ
ンド導体層１２７、アンテナ端子導体層１２８、受信出
力端子導体層（図示せず）及び送信入力端子導体層（図
示せず）が設けられている。
【００２９】この第４の実施例では受信用誘電体共振器
１０１、１０３、１０５、１０７、１０９と送信用誘電
体共振器１０２、１０４、１０６、１０８とが交互に配
置されていることにより、夫々の端子間における信号の
洩れが防止される。従って、第１の実施例と同様な作用
効果を得ることができる。
１０１、１０３、１０５、１０７、１０９と送信用誘電
体共振器１０２、１０４、１０６、１０８とが交互に配
置されていることにより、夫々の端子間における信号の
洩れが防止される。従って、第１の実施例と同様な作用
効果を得ることができる。
【００３０】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図１の誘電体共振器１〜４を図１２の端子導体
層２６ａを有する形式のものに置き換えることができ
る。 （２） 多層基板５の代りにプリント配線基板を使用し
てフィルタを構成することができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 図１の誘電体共振器１〜４を図１２の端子導体
層２６ａを有する形式のものに置き換えることができ
る。 （２） 多層基板５の代りにプリント配線基板を使用し
てフィルタを構成することができる。
【図１】第１の実施例のフィルタを示す斜視図である。
【図２】図１のフィルタの平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線に対応する部分の誘電体共振器
の断面図である。
の断面図である。
【図４】図２のフィルタのＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】図１の基板の分解斜視図である。
【図６】図５の第４の基板を裏面側から見て示す斜視図
である。
である。
【図７】図１のフィルタの等価回路図である。
【図８】図１のフィルタの特性図である。
【図９】第２の実施例のフィルタを示す斜視図である。
【図１０】図９のフィルタにシ−ルド兼取付部材を装着
した状態の平面図である。
した状態の平面図である。
【図１１】図１０のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１２】図１０のフィルタのＤ−Ｄ線断面図である。
【図１３】図９のフィルタの等価回路図である。
【図１４】第３の実施例のフィルタを示す斜視図であ
る。
る。
【図１５】図１４のフィルタの等価回路図である。
【図１６】図１４のフィルタの特性図である。
【図１７】第４の実施例のフィルタ装置を示す斜視図で
ある。
ある。
【図１８】図１７のフィルタ装置の平面図である。
【図１９】図１７のフィルタ装置の等価回路図である。
１〜４ 誘電体共振器 ５ 基板
Claims (7)
- 【請求項１】 互いに対向する第１及び第２の端面と側
面とを有し、且つ前記第１の端面から前記第２の端面に
貫通する共振孔を有する柱状誘電体と、前記共振孔の中
に設けられた内導体と、前記誘電体の前記側面に設けら
れた外導体と、前記内導体と前記外導体とを接続するよ
うに前記誘電体の前記第２の端面に設けられた短絡導体
と、前記内導体に接続された端子とを夫々備えた複数の
誘電体共振器と、前記複数の誘電体共振器の前記端子を
相互に結合するための結合素子とを含むフィルタ装置に
おいて、 前記複数の誘電体共振器の前記共振孔が互いに平行にな
り、且つ前記複数の誘電体共振器の内の一部の誘電体共
振器の前記第１の端面から前記第２の端面への方向が前
記複数の誘電体共振器の内の前記一部以外の誘電体共振
器の前記第１の端面から前記第２の端面への方向と逆に
なるように前記複数の誘電体共振器が並置されているこ
とを特徴とするフィルタ装置。 - 【請求項２】 更に、前記複数の誘電体共振器を支持す
る支持基板を有し、前記結合素子が前記支持基板に埋設
されていることを特徴とする請求項１記載のフィルタ装
置。 - 【請求項３】 前記支持基板は第１及び第２の主面を有
する絶縁性基板であり、前記絶縁性基板の前記第１の主
面上には前記複数の誘電体共振器の外導体を接続するた
めのグランド導体層と前記内導体を接続するための複数
の共振器接続導体層とが設けられており、前記結合素子
は前記複数の共振器接続導体層に接続されていることを
特徴とする請求項２記載のフィルタ装置。 - 【請求項４】 更に、前記支持基板が、入力端子導体層
と、出力端子導体層と、前記入力端子導体層と前記複数
の共振器接続導体層の内の１つとの間に設けられた入力
結合コンデンサと、前記出力端子導体層と前記複数の共
振器接続導体層の別の１つとの間に設けられた出力結合
コンデンサとを備えていることを特徴とする請求項３記
載のフィルタ装置。 - 【請求項５】 前記誘電体共振器の前記端子は、前記誘
電体の前記側面に設けられ且つ前記内導体に接続されて
いる外部接続用端子導体層であり、前記外部接続用端子
導体層が前記共振器接続導体層に接続されていることを
特徴とする請求項３又は４記載のフィルタ装置。 - 【請求項６】 更に、前記複数の誘電体共振器に直列に
夫々接続された共振用コンデンサを備えていることを特
徴とする請求項３又は４又は５記載のフィルタ装置。 - 【請求項７】 複数個の第１の誘電体共振器から成る第
１のフィルタと、複数個の第２の誘電体共振器から成る
第２のフィルタとを含むフィルタ装置において、前記第
１のフィルタの前記第１の誘電体共振器と前記第２のフ
ィルタの前記第２の誘電体共振器とが平行に配置されて
いると共に交互に配置されており、且つ前記第１の誘電
体共振器の前記第１の端面が前記第２の誘電体共振器の
前記第２の端面と反対側に配置されていることを特徴と
するフィルタ装置。
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