JPH09130103A - 多層基板内層型トラップ付きバンドパスフィルタ - Google Patents
多層基板内層型トラップ付きバンドパスフィルタInfo
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- JPH09130103A JPH09130103A JP28301795A JP28301795A JPH09130103A JP H09130103 A JPH09130103 A JP H09130103A JP 28301795 A JP28301795 A JP 28301795A JP 28301795 A JP28301795 A JP 28301795A JP H09130103 A JPH09130103 A JP H09130103A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 25
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 標準的な有機系多層基板と市販のコンデンサ
チップを使用して、安価で小型の８００ＭＨｚ〜２ＧＨ
ｚ帯のトラップ付きバンドパスフィルタを提供する。 【解決手段】 導体層５〜８と有機系誘電体層１６と多
層基板と、該多層基板の上に表面実装されたコンデンサ
チップ９とを含み、該コンデンサ９と入出力端子１１以
外のフィルタの構成要素を内部の導体層に設けた、８０
０ＭＨｚ〜２ＧＨｚ帯のトラップ付きバンドパスフィル
タを提供する。さらに、このトラップ付きバンドパスフ
ィルタにおいて、フィルタを構成する導体層５〜８を貫
通スルーホール１２〜１４により電気的に接続したフィ
ルタを提供する。
チップを使用して、安価で小型の８００ＭＨｚ〜２ＧＨ
ｚ帯のトラップ付きバンドパスフィルタを提供する。 【解決手段】 導体層５〜８と有機系誘電体層１６と多
層基板と、該多層基板の上に表面実装されたコンデンサ
チップ９とを含み、該コンデンサ９と入出力端子１１以
外のフィルタの構成要素を内部の導体層に設けた、８０
０ＭＨｚ〜２ＧＨｚ帯のトラップ付きバンドパスフィル
タを提供する。さらに、このトラップ付きバンドパスフ
ィルタにおいて、フィルタを構成する導体層５〜８を貫
通スルーホール１２〜１４により電気的に接続したフィ
ルタを提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話や、ＰＨ
Ｓ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｈａｎｄｙ ｐｈｏｎｅｓｙｓ
ｔｅｍ）用の携帯用無線機等に用いられる８００ＭＨｚ
〜２ＧＨｚ帯の高周波バンドパスフィルタに関し、より
具体的には、有機系多層基板の内層に構成した多層基板
内層型トラップ付きバンドパスフィルタに関する。
Ｓ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｈａｎｄｙ ｐｈｏｎｅｓｙｓ
ｔｅｍ）用の携帯用無線機等に用いられる８００ＭＨｚ
〜２ＧＨｚ帯の高周波バンドパスフィルタに関し、より
具体的には、有機系多層基板の内層に構成した多層基板
内層型トラップ付きバンドパスフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話や、ＰＨＳの急速な普及によ
り、携帯用無線機の性能の向上と小型化が強く求められ
ている。一般的な電子回路については、より多くの回路
素子がワンチップに納められるなどして小型化が進む
中、特に８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ帯の高周波バンドパス
フィルタの小型化が強く望まれている。また、製造コス
トの引き下げ、全体的な製造工程の簡略化などの既存の
課題に対する解決がより緊急に求められている。
り、携帯用無線機の性能の向上と小型化が強く求められ
ている。一般的な電子回路については、より多くの回路
素子がワンチップに納められるなどして小型化が進む
中、特に８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ帯の高周波バンドパス
フィルタの小型化が強く望まれている。また、製造コス
トの引き下げ、全体的な製造工程の簡略化などの既存の
課題に対する解決がより緊急に求められている。
【０００３】従来、コンデンサやコイルなどのバンドパ
スフィルタの構成要素をセラミックスの多層基板に作り
込む技術はよく知られている。このようなバンドパスフ
ィルタは、他の回路要素と一緒にセラミックス基板内に
納めることができるので、バンドパスフィルタだけのた
めの別個の製造工程を必要とせず、回路の小型化も可能
であるという利点を有していた。
スフィルタの構成要素をセラミックスの多層基板に作り
込む技術はよく知られている。このようなバンドパスフ
ィルタは、他の回路要素と一緒にセラミックス基板内に
納めることができるので、バンドパスフィルタだけのた
めの別個の製造工程を必要とせず、回路の小型化も可能
であるという利点を有していた。
【０００４】しかし、セラミックス製の多層基板は、一
般的に、（１）強度が低く割れやすいため、取り扱いが
難しく、（２）誘電率が高いため、設計が難しい、
（３）焼成という工程が必要なため、製造コストが大変
高く、また、納期に時間がかかる、といった問題があ
り、未だに製品としては少ない例しかない。セラミック
スを使用したバンドパスフィルタは、フィルタチップと
して携帯電話用に既に販売されているが、このようなチ
ップ部品の実装領域の大きさは相当なものであり、それ
を使用した回路全体の小型化の妨げとなっている。そし
て、上記のような、セラミックス多層基板が一般に有す
る問題点を持っている。
般的に、（１）強度が低く割れやすいため、取り扱いが
難しく、（２）誘電率が高いため、設計が難しい、
（３）焼成という工程が必要なため、製造コストが大変
高く、また、納期に時間がかかる、といった問題があ
り、未だに製品としては少ない例しかない。セラミック
スを使用したバンドパスフィルタは、フィルタチップと
して携帯電話用に既に販売されているが、このようなチ
ップ部品の実装領域の大きさは相当なものであり、それ
を使用した回路全体の小型化の妨げとなっている。そし
て、上記のような、セラミックス多層基板が一般に有す
る問題点を持っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、標準
的な有機系多層基板と市販のコンデンサチップを使用し
て、安価で小型の８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ帯のトラップ
付きバンドパスフィルタを提供することを目的とする。
的な有機系多層基板と市販のコンデンサチップを使用し
て、安価で小型の８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ帯のトラップ
付きバンドパスフィルタを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の導体層
と複数の有機系誘電体層とを含む多層基板と、該多層基
板の上に表面実装されたコンデンサチップとからなり、
該コンデンサと入出力端子以外のフィルタの構成要素を
内部の導体層に設けた、８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ帯のト
ラップ付きバンドパスフィルタを提供する。さらに、本
発明は、上記トラップ付きバンドパスフィルタにおい
て、フィルタを構成する導体層を貫通スルーホールによ
り電気的に接続したフィルタを提供する。
と複数の有機系誘電体層とを含む多層基板と、該多層基
板の上に表面実装されたコンデンサチップとからなり、
該コンデンサと入出力端子以外のフィルタの構成要素を
内部の導体層に設けた、８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ帯のト
ラップ付きバンドパスフィルタを提供する。さらに、本
発明は、上記トラップ付きバンドパスフィルタにおい
て、フィルタを構成する導体層を貫通スルーホールによ
り電気的に接続したフィルタを提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明において用いられるコンデ
ンサチップは、広く市販されているコンデンサチップを
使用することができる。コンデンサの容量としては、約
０．５ｐＦから約３ｐＦ程度である。現在市販されてい
るコンデンサチップの大きさは、約１ｍｍから約２ｍｍ
程度の大きさである。このように、コンデンサチップ自
体の大きさが小さいので、バンドパスフィルタ全体の大
きさも小さいものとすることができ、回路の小型化が図
れる利点が本発明にはある。また、コンデンサチップを
使用したことにより、有機系基板材料の誘電損失の影響
が少なくなるという利点がある。
ンサチップは、広く市販されているコンデンサチップを
使用することができる。コンデンサの容量としては、約
０．５ｐＦから約３ｐＦ程度である。現在市販されてい
るコンデンサチップの大きさは、約１ｍｍから約２ｍｍ
程度の大きさである。このように、コンデンサチップ自
体の大きさが小さいので、バンドパスフィルタ全体の大
きさも小さいものとすることができ、回路の小型化が図
れる利点が本発明にはある。また、コンデンサチップを
使用したことにより、有機系基板材料の誘電損失の影響
が少なくなるという利点がある。
【０００８】本発明における導体層は、チップコンデン
サを表面実装するための導体部分を１層と数えて、フィ
ルタ回路の要部を構成するストリップラインとあわせて
最低でも２層必要である。通常は、２層のシールド用導
体膜とあわせて、少なくとも４層必要である。しかし、
誘電体層の数も同様であるが、それ以上の任意の数の導
体層があってよい。
サを表面実装するための導体部分を１層と数えて、フィ
ルタ回路の要部を構成するストリップラインとあわせて
最低でも２層必要である。通常は、２層のシールド用導
体膜とあわせて、少なくとも４層必要である。しかし、
誘電体層の数も同様であるが、それ以上の任意の数の導
体層があってよい。
【０００９】本発明のバンドパスフィルタにおいて用い
られる基板用の有機系誘電体としては、特に限定はされ
ないが、ガラスエポキシ樹脂などを好適に用いることが
できる。また誘電体層の数は、特に限定されない。上記
のようにシールド層２層を加えて４層の導体層がある場
合には、誘電体層の数は、３以上であればよく、上限は
特にない。
られる基板用の有機系誘電体としては、特に限定はされ
ないが、ガラスエポキシ樹脂などを好適に用いることが
できる。また誘電体層の数は、特に限定されない。上記
のようにシールド層２層を加えて４層の導体層がある場
合には、誘電体層の数は、３以上であればよく、上限は
特にない。
【００１０】特に、本発明のバンドパスフィルタは、一
般的に広く利用されている有機系誘電体を基板材料とし
て使用しているので、フィルタ以外の、例えば、ローノ
イズアンプやミキサ回路とともに一つの多層基板中に構
成することができることを特徴としている。このような
場合には、４以上の誘電体層を用いることが有利な場合
がある。
般的に広く利用されている有機系誘電体を基板材料とし
て使用しているので、フィルタ以外の、例えば、ローノ
イズアンプやミキサ回路とともに一つの多層基板中に構
成することができることを特徴としている。このような
場合には、４以上の誘電体層を用いることが有利な場合
がある。
【００１１】入出力のためのＩ／Ｏ端子を構成する部分
は、例えば、チップコンデンサが表面実装される表面に
設けることができるが、その他の構成も可能である。例
えば、他の回路と同一の多層基板に本発明のバンドパス
フィルタを設ける場合には、入出力を多層基板の表面で
はなく、その内部で行うことが好ましい場合がある。ま
た、導体層間の電気的な接続は、スルーホールにより行
うことができるが、本発明の場合には、層構成が簡素化
できるので、ブラインドスルーホールではなく、貫通ス
ルーホールによりこの接続を行うことができる。貫通ス
ルーホールにより電気的接続を行う場合には、導体層と
誘電体各層を貫通する穴を開けて、その後メッキ処理等
によりその穴を導体で満たすことにより、ブラインドス
ルーホールの場合に較べて製造工程がより簡易になる。
は、例えば、チップコンデンサが表面実装される表面に
設けることができるが、その他の構成も可能である。例
えば、他の回路と同一の多層基板に本発明のバンドパス
フィルタを設ける場合には、入出力を多層基板の表面で
はなく、その内部で行うことが好ましい場合がある。ま
た、導体層間の電気的な接続は、スルーホールにより行
うことができるが、本発明の場合には、層構成が簡素化
できるので、ブラインドスルーホールではなく、貫通ス
ルーホールによりこの接続を行うことができる。貫通ス
ルーホールにより電気的接続を行う場合には、導体層と
誘電体各層を貫通する穴を開けて、その後メッキ処理等
によりその穴を導体で満たすことにより、ブラインドス
ルーホールの場合に較べて製造工程がより簡易になる。
【００１２】
【実施例】以下に具体的な回路構成を参照しながら、本
発明のバンドパスフィルタの構成と特性をより詳細に説
明する。しかし、下記の実施例は、単に例として示した
ものであり、特許請求の範囲に記載された発明の範囲を
限定するものではない。図１には、本発明の一実施例で
ある通過帯域の上下にトラップを入れたバンドパスフィ
ルタの回路構成を示す。この回路は、ＰＨＳ用に設計さ
れたものである。本実施例においては、コンデンサ１の
容量Ｃｍを、１ｐＦとし、１００５チップとして広く市
販されているものを用いた。主要なストリップライン
２、３が示されており、ストリップライン３同士の結合
定数はＭである。入出力用の端子４がある。
発明のバンドパスフィルタの構成と特性をより詳細に説
明する。しかし、下記の実施例は、単に例として示した
ものであり、特許請求の範囲に記載された発明の範囲を
限定するものではない。図１には、本発明の一実施例で
ある通過帯域の上下にトラップを入れたバンドパスフィ
ルタの回路構成を示す。この回路は、ＰＨＳ用に設計さ
れたものである。本実施例においては、コンデンサ１の
容量Ｃｍを、１ｐＦとし、１００５チップとして広く市
販されているものを用いた。主要なストリップライン
２、３が示されており、ストリップライン３同士の結合
定数はＭである。入出力用の端子４がある。
【００１３】また、図２には、図１の回路構成を実現す
るための導体層５〜８のパターンを示す。図２におい
て、導体層４層５〜８のパターンとそれを電気的に接続
するための貫通スルーホール１２〜１４のみが示されて
いる。表面を構成する第１層５には、チップコンデンサ
９が置かれ、このコンデンサ接続用の端子部分１０と入
出力用の導体部分１１が設けられている。この第１層５
の表面にはすべてのスルーホール１２〜１４が見える。
第２層６はグラウンドのシールド層をなす内層であり、
コンデンサチップ用端子１０と入出力用端子１１にそれ
ぞれ接続するスルーホール１３と１４は、このシールド
層とは電気的に接続していない。しかし、グラウンド用
のスルーホール１２が、この第２層６に電気的に接続し
ている。さらに、もう一つの内層である第３層７には、
本発明のフィルタのコンデンサ以外の回路要素となるス
トリップライン１５が導体膜により形成されている。３
組６本のスルーホール１２〜１４のすべてが、この第３
層の導体と何らかの形で電気的に接続している。第４層
８の導体は、裏面に当たるシールド層を形成している。
このシールド用導体膜に電気的に接続しているのは、グ
ラウンド用スルーホール１２のみであり、他のスルーホ
ール１３、１４は、裏面の表面に出ているものの、この
シールド用導体膜に電気的に接続していない。
るための導体層５〜８のパターンを示す。図２におい
て、導体層４層５〜８のパターンとそれを電気的に接続
するための貫通スルーホール１２〜１４のみが示されて
いる。表面を構成する第１層５には、チップコンデンサ
９が置かれ、このコンデンサ接続用の端子部分１０と入
出力用の導体部分１１が設けられている。この第１層５
の表面にはすべてのスルーホール１２〜１４が見える。
第２層６はグラウンドのシールド層をなす内層であり、
コンデンサチップ用端子１０と入出力用端子１１にそれ
ぞれ接続するスルーホール１３と１４は、このシールド
層とは電気的に接続していない。しかし、グラウンド用
のスルーホール１２が、この第２層６に電気的に接続し
ている。さらに、もう一つの内層である第３層７には、
本発明のフィルタのコンデンサ以外の回路要素となるス
トリップライン１５が導体膜により形成されている。３
組６本のスルーホール１２〜１４のすべてが、この第３
層の導体と何らかの形で電気的に接続している。第４層
８の導体は、裏面に当たるシールド層を形成している。
このシールド用導体膜に電気的に接続しているのは、グ
ラウンド用スルーホール１２のみであり、他のスルーホ
ール１３、１４は、裏面の表面に出ているものの、この
シールド用導体膜に電気的に接続していない。
【００１４】なお、図２においては導体のパターンとス
ルーホールのみを示した。現実の回路を構成するために
は、この導体層間に有機系誘電体の層を配置する。この
誘電体層の材質としては、本実施例においては、三菱ガ
ス化学製ＥＬ２４０を用い、層厚としては、１層当たり
約０．３ｍｍを採用した。導体層の厚さは約１８μｍで
あった。
ルーホールのみを示した。現実の回路を構成するために
は、この導体層間に有機系誘電体の層を配置する。この
誘電体層の材質としては、本実施例においては、三菱ガ
ス化学製ＥＬ２４０を用い、層厚としては、１層当たり
約０．３ｍｍを採用した。導体層の厚さは約１８μｍで
あった。
【００１５】図３には、この導体パターンの平面図とそ
の大きさを示す。パターンの縦と横の大きさは、それぞ
れ、約５．５ｍｍと約９ｍｍとした。パターン中の各要
素大きさは、縦横の辺の長さにほぼ縮尺して示してあ
る。
の大きさを示す。パターンの縦と横の大きさは、それぞ
れ、約５．５ｍｍと約９ｍｍとした。パターン中の各要
素大きさは、縦横の辺の長さにほぼ縮尺して示してあ
る。
【００１６】図４には、積層した誘電体層１６と導体層
の断面を模式的に示す。この図においては、貫通スルー
ホール１２と１３が貫通して表面と裏面に出ている様子
が看取できる。
の断面を模式的に示す。この図においては、貫通スルー
ホール１２と１３が貫通して表面と裏面に出ている様子
が看取できる。
【００１７】図５と図６には、本実施例のトラップ付き
バンドパスフィルタの特性について、実際に測定した結
果を示す。図５には、通過特性を周波数の関数として示
す。図６には、リターンロス特性を同じく周波数の関数
として示す。
バンドパスフィルタの特性について、実際に測定した結
果を示す。図５には、通過特性を周波数の関数として示
す。図６には、リターンロス特性を同じく周波数の関数
として示す。
【００１８】
【発明の効果】上述のように、本発明によれば、導体層
の構成を簡素化できる。したがって、例えば、４層の導
体と貫通スルーホールのみでトラップ付きバンドパスフ
ィルタを構成することができる。また、チップコンデン
サを用いるため、フィルタ回路の小型化を図ることがで
きる。さらに、一般的な回路に用いられる有機系多層基
板を使用しているので、他の回路、アンプ回路やミキサ
ー回路などを本発明のフィルタと同じ基板中に構成でき
るので、通信機に必要な回路全体の小型化に役立つ。
の構成を簡素化できる。したがって、例えば、４層の導
体と貫通スルーホールのみでトラップ付きバンドパスフ
ィルタを構成することができる。また、チップコンデン
サを用いるため、フィルタ回路の小型化を図ることがで
きる。さらに、一般的な回路に用いられる有機系多層基
板を使用しているので、他の回路、アンプ回路やミキサ
ー回路などを本発明のフィルタと同じ基板中に構成でき
るので、通信機に必要な回路全体の小型化に役立つ。
【図１】本発明の実施例の回路図を示す。
【図２】図１の実施例の回路を実現するための導体層の
パターンと貫通スルーホールを示す。
パターンと貫通スルーホールを示す。
【図３】図１の実施例の回路を実現するための導体層の
パターンを示す。
パターンを示す。
【図４】積層した上記実施例にかかるフィルタの断面の
模式図を示す。
模式図を示す。
【図５】上記実施例のフィルタの周波数通過特性を示
す。
す。
【図６】上記実施例のフィルタの周波数リターンロス特
性を示す。
性を示す。
１ コンデンサ ２、３ ストリップライン ４ 入出力端子 ５ 第１導体層（表面） ６ 第２導体層 ７ 第３導体層 ８ 第４導体層（裏面） ９ コンデンサチップ １０ コンデンサチップ用導体 １１ 入出力端子導体 １２ グラウンド用貫通スルーホール １３、１４ 貫通スルーホール １５ ストリップライン導体 １６ 誘電体層
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の導体層と複数の有機系誘電体層と
を含む多層基板と、該多層基板の上に表面実装されたコ
ンデンサチップとからなり、該コンデンサと入出力端子
以外のフィルタの構成要素を該多層基板内部の導体層に
設けた、８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ帯のトラップ付きバン
ドパスフィルタ。 - 【請求項２】 フィルタを構成する導体層を貫通スルー
ホールにより電気的に接続したことを特徴とする請求項
１記載の８００ＭＨｚ〜２ＧＨｚ帯のトラップ付きバン
ドパスフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28301795A JPH09130103A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 多層基板内層型トラップ付きバンドパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28301795A JPH09130103A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 多層基板内層型トラップ付きバンドパスフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09130103A true JPH09130103A (ja) | 1997-05-16 |
Family
ID=17660155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28301795A Pending JPH09130103A (ja) | 1995-10-31 | 1995-10-31 | 多層基板内層型トラップ付きバンドパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09130103A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030073586A (ko) * | 2002-03-12 | 2003-09-19 | 삼성전기주식회사 | 고주파 필터 회로 및 적층 세라믹 필터 |
| WO2004006384A1 (ja) * | 2002-07-05 | 2004-01-15 | Yokowo Co., Ltd. | フィルタ内蔵アンテナ |
| US6900708B2 (en) * | 2002-06-26 | 2005-05-31 | Georgia Tech Research Corporation | Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates |
| US6987307B2 (en) | 2002-06-26 | 2006-01-17 | Georgia Tech Research Corporation | Stand-alone organic-based passive devices |
| US7260890B2 (en) | 2002-06-26 | 2007-08-28 | Georgia Tech Research Corporation | Methods for fabricating three-dimensional all organic interconnect structures |
| US7439840B2 (en) | 2006-06-27 | 2008-10-21 | Jacket Micro Devices, Inc. | Methods and apparatuses for high-performing multi-layer inductors |
| US7489914B2 (en) | 2003-03-28 | 2009-02-10 | Georgia Tech Research Corporation | Multi-band RF transceiver with passive reuse in organic substrates |
| JP4513082B2 (ja) * | 2000-03-15 | 2010-07-28 | パナソニック株式会社 | 積層電子部品、積層共用器、通信機器、及び高周波無線機器 |
-
1995
- 1995-10-31 JP JP28301795A patent/JPH09130103A/ja active Pending
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