JPH06219840A - 窒化珪素焼結体及びその製造方法 - Google Patents
窒化珪素焼結体及びその製造方法Info
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Abstract
ストダウンできる肉薄及び肉厚の窒化珪素焼結体及びそ
の製造方法を提供することにある。 【構成】 窒化珪素と希土類元素化合物とから実質的
に構成される窒化珪素焼結体である。焼成後そのままの
焼結体表面と、焼成後に研削加工した焼結体表面とにお
ける抗折強度の差が小さい。窒化珪素原料のα−Si3
N4とβ−Si3N4とを、所定の割合で混合し、焼成し
て製造する。 【効果】 焼成後、後加工することなく、焼結体表面
をそのまま製品に適用できる。
Description
体に関し、更に詳細には、焼成面の強度が高い窒化珪素
焼結体及びその製造方法に関する。
度、化学的安定性等の理由から注目されている材料であ
り、ディーゼル、ガスタービン等の熱機関用構造材料へ
の適用が種々研究されている。一般に、窒化珪素は難焼
結体であるため、窒化珪素焼結体は、窒化珪素粉末にY
2O3等の希土類元素酸化物を焼結助剤として添加して成
形用粉末を得、この成形用粉末を所望形状に成形し、得
られた成形体をガス加圧焼成等することにより得られ
る。
料粉末としては、その焼結性等を考慮して、α−Si3
N4が90%以上含まれる原料が用いられていた。この
α−Si3N4は、焼結に際しβ−Si3N4に相転移し柱
状晶を生成することが知られている。ところが、このよ
うなα−Si3N4含有率の大きな原料を用いて焼結体を
焼成すると、上記相転移の際に結晶粒の粗大化等を招
き、得られる焼結体が緻密なものとならず強度等が十分
でないとして、特開昭62−297269号公報、特公
平2−50076号公報及び特開平2−255573号
公報には、原料粉末に多量のβ−Si3N4を添加する窒
化珪素焼結体の製造方法が開示されている。
α−Si3N4を原料粉末の主成分とする製造方法、及び
多量のβ−Si3N4を添加する製造方法双方により得ら
れる窒化珪素焼結体にあっては、焼成直後(未加工)の
焼結体表面(以下、「焼成面」という。)に存在する気
孔のサイズがかなり大きく、この部分に応力が集中する
ため焼成面の強度が未だ十分とはいえないという課題が
あった。従って、上記2種の焼結体においては、焼成面
を後加工して所望強度の加工面を発現させて最終製品を
作製しなければならず、後加工工程に労力を要し、最終
製品の製造に時間を要するのみならず、コスト的にも高
くなるという課題があった。
は、上述の如く肉薄体は勿論、肉厚体においても、焼成
面の強度が十分とはいえないという課題があった。本発
明は、このような従来技術の有する課題に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、焼成面の強度
に優れ、最終製品の製造をコストダウンできる肉薄及び
肉厚の窒化珪素焼結体及びその製造方法を提供すること
にある。
達成すべく、窒化珪素焼結体の焼成面の気孔サイズ、強
度等の特性に着目し鋭意研究した結果、β−Si3N4の
原料粉末への配合比率を特定の値にすることにより、上
記目的が達成できることを見出し、本発明を完成するに
至った。従って、本発明の窒化珪素焼結体は、窒化珪素
と希土類元素化合物から実質的に成る窒化珪素焼結体に
おいて、引張面の表面粗さを0.8sに加工したときの
室温での抗折強度に対する、焼成面をそのまま引張面に
したときの室温での抗折強度の強度比が0.7以上であ
り、且つこの強度比が、0.8sに加工する引張面を焼
成面以外の任意の部分でとった場合にも満足されること
を特徴とする。
は、窒化珪素と希土類元素化合物を含有する窒化珪素焼
結体を製造するに当たり、α−Si3N4粉末とβ−Si
3N4粉末とが、次式 β/α+β=0.05〜0.50 (式中のαは、α−Si3N4の重量、βは、β−Si3
N4の重量を示す。)で表される関係を満足する原料粉
末を焼結助剤と混合し、次いで、得られた成形用粉末を
成形し、しかる後、得られた成形体を1気圧以上の窒素
雰囲気下1800〜2000℃で焼成することを特徴と
する。
N4との配合比率を制御すること等により、焼成面強度
と、焼成面を後加工して発現させた面(以下、「加工
面」という。)の強度との強度差が少ないSi3N4焼結
体を得ることができる。従って、常法の如く、得られた
焼結体を後加工して製品に必要とされる強度を付与しな
くてもよく、成形体を、加工代を見込まないニアネット
シェイプで作成した場合には、該焼結体の後加工が不要
となる。このように、β−Si3N4の配合比率を上記の
値にすることにより、気孔サイズが縮小し、焼成面強度
が向上することの詳細は現時点では明きらかではない
が、以下のように推察できる。
は、焼成過程において、まず、Si3N4粉末の表面に存
在するSiO2とY2O3等の焼結助剤とが溶融・反応し
て液相を生ずる。この液相の生成につれて、もともとラ
ンダムに配列していたα−及びβ−Si3N4が再配列す
る。次に、α−Si3N4(及びβ−Si3N4の一部)が
溶解して、結晶成長の核となるβ−Si3N4(比較的大
きなβ−Si3N4)の近傍にβ−Si3N4の柱状晶とし
て析出・成長することにより、Si3N4焼結体が焼結す
ると考えられる。
N4が原料粉末に多量に含まれる場合には、β−Si3N
4へ転移するα−Si3N4の量が多く、また、結晶成長
の核となるβ−Si3N4が少ないため、β−Si3N4の
分布が不均一になり、気孔サイズがかなり大きくなって
焼成面強度が低下するものと考えられる。これに対し、
β−Si3N4が多量に含まれる場合には、β−Si3N4
へ転移するα−Si3N4の量は少なく、結晶成長の核と
なるβ−Si3N4は多く存在するが、この場合には、焼
結後のβ−Si3N4の粒径が小さくなりすぎるととも
に、焼結前に成形体表面に存在する気孔を小さくするこ
とができず、結果として気孔サイズが大きくなり、同様
の弊害を生ずると考えられる。従って、原料粉末に含ま
れるβ−Si3N4の量を本発明の方法のように制御する
ことにより、上記α→β転移の度合を適切なものとし、
気孔サイズを低減し焼成面強度を向上するものと推定で
きる。
明する。本発明の焼結体は、焼成面の強度と加工面の強
度との差異が少ないことを特徴とする。例えば、本発明
の焼結体を、セラミックス製品の表面仕上げに一般的に
用いられる#800の砥粒で加工した場合には、表面粗
さが0.8s程度になるが、この加工面を引張面とした
ときの室温における4点曲げ強度(抗折強度)に対する
焼成面を引張面としたときの室温における4点曲げ強度
の強度比は、0.7以上の値を示す。
いて、上記加工面を焼成面以外の任意の部分でとった場
合であっても満足される。即ち、この加工面を、本発明
の焼結体の焼成面近傍や該焼結体内部の中心近傍で発現
させても、上記の強度比が満足されることになる。この
強度比が0.7未満の場合には、焼成面強度が十分では
なく、この焼成面を最終製品の製品表面に供することは
実用上好ましくない。また、焼成面自体の室温強度は、
650MPaより大きいのが好ましく、700MPaが
更に好ましい。
孔サイズは、50×50μm以下であるのが好ましい。
ここで、「気孔サイズ」とは、窒化珪素焼結体に外力を
負荷して破壊した場合に、その破壊の起点部分に存在す
る気孔の大きさをいい、楕円状をなす気孔の場合には長
軸長をaとし、短軸長をbとし、「a×b」で表すもの
とする。また、開口した欠陥の場合には、開口した部分
の長さをa、深さ方向の長さをbとして「a×b」で表
すものとする。これは、焼成面を引張面とする焼結体が
破壊された際には、このような気孔から亀裂や割れを生
じていることに基づくものである。気孔サイズが50×
50μmを超えると、焼結体の強度が低下するのみなら
ず、耐酸化性も低下するので好ましくない。
5μm以下であるのが好ましい。15μmを超えると、
焼結体の強度が低下するため好ましくない。また、焼成
面に存在する窒化珪素柱状粒子の大きさは、短軸長4μ
m×長軸長50μm以下であるのが好ましい。この値を
超えると、柱状粒子が破壊の起点となるとなるため強度
の低下を招き好ましくない。更に、本発明の焼結体は、
肉薄体のみならず肉厚体としても優れた性質を有し、肉
厚体、例えば、肉厚が20〜150mm程度の場合でも
優れた性質を有し、種々の用途に適用可能である。
説明する。まず、α−Si3N4とβ−Si3N4とを、次
式 β/α+β=0.05〜0.50 (式中のαは、α−Si3N4の重量、βは、β−Si3
N4の重量を示す。)で表される関係を満足するように
混合する。この際、α−Si3N4原料粉末の平均粒径は
0.3〜1.0μm、β−Si3N4原料粉末の平均粒径
は0.3〜3μmとするのが好ましい。これは、α−S
i3N4の平均粒子径が1.0μm以上であると焼結性の
低下を招き、β−Si3N4の平均粒子径が3μmを超え
ると焼結体として得られるβ−Si3N4の柱状粒子の短
径の大きさが3μm以上となり好ましくないからであ
る。また、α−Si3N4原料粉末を、例えば300〜8
00℃に制御された加熱炉内で1〜20時間流動させた
り、水分量を制御した30〜80℃の泥漿中で攪拌する
こと等により、α−Si3N4原料粉末の酸素含有量を増
大させることができる。かかる処理を施すことにより、
得られるSi3N4焼結体の強度等を一層向上させること
ができるので、施すのが好ましい。
粉末と添加する焼結助剤との合計量の3〜25重量%の
希土類元素酸化物、金属炭化物等の焼結助剤を添加す
る。この焼結助剤としては、特に限定されるものではな
く、Y2O3、Yb2O3、Er2O3、MoC2、SiC等
を例示できる。次いで、得られた混合物を、例えば、窒
化珪素玉石を用いて混合粉砕し、乾燥して成形用粉末を
得る。
形、押出成形、鋳込み成形等の方法で成形することによ
り所望形状を有する成形体を得る。そして、得られた成
形体を、1気圧以上の窒素雰囲気下約1800〜200
0℃で約2〜8時間焼成することにより、Si3N4焼結
体を得ることができる。かかる焼成に際し、焼成時の窒
素雰囲気圧力と温度は、窒化珪素が分解しないような範
囲内に制御するのが好ましい。また、焼成後、所要に応
じて、約1000〜1500℃の大気雰囲気中で約0.
5〜10時間の熱処理を施してもよい。
に説明するが、本発明はこれに限定されるものではな
い。 (実施例1〜6)純度97重量%、酸素含有率1.40
重量%、BET比表面積12.0m2/gのα−Si3N
4粉末と、純度98重量%、酸素含有率0.8重量%、
BET比表面積9.0m2/gのβ−Si3N4粉末を表
1に示すような比率で配合した。得られた混合粉末に対
し、焼結助剤として、平均粒径0.7μm、BET比表
面積10.0m2/gのY2O3、平均粒径1.5μm、
BET比表面積2.0m2/gのMoC2及び平均粒径
0.2μm、BET比表面積20.0m2/gのSiC
を添加した。但し、上記混合粉末と添加する焼結助剤と
の合計量に対し、それぞれ8重量%(Y2O3)、2重量
%(MoC2)、1重量%(SiC)の割合で添加し
た。
石40g及び水とともに内容積100lの媒体攪拌型粉
砕機に投入し、3時間粉砕した。次いで、乾燥して水分
を蒸発させ、平均粒径50μmに造粒して成形用粉末を
得た。次に、この成形用粉末を200kg/cm2でプ
レス成形した後、5ton/cm2の圧力で静水圧加圧
し、80×80×6mm(厚さ)の成形体を得た。そし
て、この成形体を9.5気圧の窒素雰囲気下1900℃
で3時間焼成して約67×67×5mm(厚さ)の窒化
珪素焼結体を得た。
成面を引張面とし、引張面粗度以外はJIS R 16
01に準拠した4点曲げ強度(抗折強度)試験を室温及
び1400℃で行い、得られた結果を表1に示した。 (2)気孔サイズ 焼成面強度を測定した試験片の破壊部分を走査型電子顕
微鏡で観察し、破壊部分の起点に存在する気孔を試料毎
に検査した。5個以上の試料について気孔サイズを測定
し、得られた結果の平均値を表1に示す。
子顕微鏡で観察し、焼成面の柱状粒子を100個無作為
に抽出し、その柱状粒子の短径と長径の大きさの平均値
を表1に示した。 (4)表面粗度 焼成面の表面粗度Rmaxを表面粗さ計にて測定し、その
結果を表1に示した。
0.8s以下になるように加工し、この加工を施した焼
結体について、上記同様に常温及び1400℃で4点曲
げ強度試験を行った。この際、引張面は、得られた5m
m厚焼結体内部の中心部近傍でとった。得られた結果を
表1に示す。また、加工面の室温強度に対する焼成面の
室温強度の強度比(σas/σ#800)を併記した。
Si3N4粉末との配合比率を表1に示すように変化させ
た以外は、実施例1〜6と同様の操作を行い、窒化珪素
焼結体を得た。上記と同様の性能評価を行い、得られた
結果を表1に示した。
Si3N4粉末とβ−Si3N4粉末の配合比率、焼結助剤
の種類及び添加量、並びに焼成条件を表2に示すように
変化させた以外は、実施例1〜6と同様の操作及び性能
評価を行い、得られた結果を表3に示した。但し、用い
た焼結助剤の性状は、下記の通りである。 Yb2O3 ・・・平均粒径0.5μm、BET比表面積9.0m2/g Er2O3 ・・・平均粒径0.6μm、BET比表面積9.0m2/g Sc2O3 ・・・平均粒径0.9μm、BET比表面積9.0m2/g WC ・・・平均粒径0.6μm、BET比表面積2.5m2/g NbC ・・・平均粒径2.0μm、BET比表面積3.0m2/g MoSi2・・・平均粒径3.0μm、BET比表面積4.0m2/g WSi2 ・・・平均粒径3.0μm、BET比表面積3.0m2/g
−Si3N4粉末を、粉末と水分の合計量に対して水分5
0重量%及び温度50℃の条件下アトライターミルを用
いて5時間攪拌処理し、α−Si3N4粉末の酸素含有率
を1.40重量%から1.50重量%に増大させた。ま
た、焼結助剤の種類及び添加量を表4に示すものとした
以外は、実施例1〜6と同様の操作及び性能評価を行
い、得られた結果を表5に示した。但し、焼結助剤の性
状については上記と同様である。
5)α−Si3N4粉末を電気炉中500℃で5時間処理
し、その酸素含有率を1.40重量%から1.55重量
%に増大した以外は、実施例1〜6と同様の操作及び性
能評価を行い、得られた結果を表4及び5に示した。但
し、焼結助剤の性状については上記と同様である。
α−Si3N4粉末として、純度97重量%、平均粒径
0.6μm、酸素含有量1.3重量%及びBET比表面
積12m2/g(α含有率98%)のもの、β−Si3N
4粉末として、純度98重量%、平均粒径0.8μm、
酸素含有量1.0重量%、BET比表面積9m2/g
(β含有率95%)のものを用い、表6に示す配合比
率、焼成条件とした以外は、実施例1〜6と同様の操作
及び性能評価を行い、得られた結果を表6に示した。
80×24mm(厚さ)、100×100×60mm
(厚さ)及び150×150×120mm(厚さ)の成
形体を処理し、それぞれ厚さが20mm、50mm及び
100mmの肉厚焼結体を製造した。これら焼結体の焼
成面強度及び加工面強度を測定し、得られた結果を表7
に示した。但し、強度測定に関しては、焼成面から50
0μm研削して得られた加工面を引張面とする場合(焼
結体外部)と、焼結体の厚みの半分の厚さの部分(面)
を引張面とする場合(焼結体内部)との2態様につき測
定した。焼結体外部と内部に関する室温強度比:(σas
/σout)及び(σas/σin)を併記する。
に属する実施例1〜20の窒化珪素焼結体は、加工面と
焼成面との強度差が小さく、気孔サイズが小さいことが
わかる。また、表5に示したように、α−Si3N4粉末
に酸素富化処理を施すことにより、得られる窒化珪素焼
結体の性能が一層向上することがわかる。更に、実施例
21〜24に示したように、本発明の焼結体において
は、焼結体内部及び外部においても、上述の強度比が保
たれており、優れた強度特性を示すことがわかる。
β−Si3N4の原料粉末への配合比率を特定の値にする
ことにしたため、焼成面の強度に優れ、最終製品の製造
をコストダウンできる窒化珪素焼結体及びその製造方法
を提供することができる。即ち、得られた焼結体を後加
工して製品に必要とされる強度を付与しなくてもよく、
成形体を、加工代を見込まないニアネットシェイプで作
成した場合には、焼結体について後加工が不要となると
いう利点がある。また、肉厚焼結体においても、良好な
強度特性を示し、窒化珪素焼結体の用途を拡大すること
ができる。
Claims (4)
- 【請求項1】 窒化珪素と希土類元素化合物から実質的
に成る窒化珪素焼結体において、引張面の表面粗さを
0.8sに加工したときの室温での抗折強度に対する、
焼成面をそのまま引張面にしたときの室温での抗折強度
の強度比が0.7以上であり、且つこの強度比が、0.
8sに加工する引張面を焼成面以外の任意の部分でとっ
た場合にも満足されることを特徴とする窒化珪素焼結
体。 - 【請求項2】 上記焼成面における気孔サイズが50×
50μm以下であり、その室温での抗折強度が650M
Pa以上であることを特徴とする請求項1記載の焼結
体。 - 【請求項3】 上記焼成面における表面粗度Rmaxが1
5μm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載
の焼結体。 - 【請求項4】 窒化珪素と希土類元素化合物を含有する
窒化珪素焼結体を製造するに当たり、α−Si3N4粉末
とβ−Si3N4粉末とが、次式 β/α+β=0.05〜0.50 (式中のαは、α−Si3N4の重量、βは、β−Si3
N4の重量を示す。)で表される関係を満足する原料粉
末を焼結助剤と混合し、次いで、得られた成形用粉末を
成形し、しかる後、得られた成形体を1気圧以上の窒素
雰囲気下1800〜2000℃で焼成することを特徴と
する窒化珪素焼結体の製造方法。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5945363A (en) * | 1996-08-20 | 1999-08-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon nitride sintered material |
| JP2000515481A (ja) * | 1997-05-28 | 2000-11-21 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | セラミック複合構造体からなる成形体の製造法 |
| WO2019059641A3 (ko) * | 2017-09-20 | 2019-05-09 | 주식회사 엘지화학 | 질화규소 소결체 제조를 위한 테이프 캐스팅용 슬러리 조성물 |
| JP2020528861A (ja) * | 2017-09-20 | 2020-10-01 | エルジー・ケム・リミテッド | 窒化ケイ素焼結体製造のためのテープキャスティング用スラリー組成物 |
| JP2020180346A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 日本製鉄株式会社 | セラミックス積層体の製造方法およびそれによって製造されたセラミックス積層体 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3042402B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2000-05-15 | 住友電気工業株式会社 | 窒化珪素系セラミックス摺動材料及びその製造方法 |
| US6004895A (en) * | 1998-03-11 | 1999-12-21 | Ceradyne, Inc. | Pigmented silicon nitride |
| US6610113B1 (en) | 1999-09-09 | 2003-08-26 | Kennametal Pc Inc. | Process for heat treating ceramics and articles of manufacture made thereby |
| US6977233B2 (en) * | 2003-07-15 | 2005-12-20 | Honeywell International, Inc. | Sintered silicon nitride |
| JP5673106B2 (ja) * | 2009-01-13 | 2015-02-18 | 日立金属株式会社 | 窒化珪素基板の製造方法、窒化珪素基板、窒化珪素回路基板および半導体モジュール |
| US10040134B2 (en) | 2012-09-04 | 2018-08-07 | 3M Innovative Properties Company | Method of producing a dental restoration |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63147867A (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-20 | 住友化学工業株式会社 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
| JPS63252967A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体の製造方法 |
| JPH01145380A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-07 | Kyocera Corp | 窒化珪素質焼結体の製法 |
| JPH03290370A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-20 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 高靭性窒化けい素焼結体の製造法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58151371A (ja) * | 1982-02-25 | 1983-09-08 | 住友電気工業株式会社 | 窒化珪素焼結体の製造法 |
| JPS62297269A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-24 | 住友電気工業株式会社 | 窒化珪素焼結体とその製造方法 |
| US4904624A (en) * | 1986-10-28 | 1990-02-27 | Norton Company | Silicon nitride with improved high temperature strength |
| DE3705278A1 (de) * | 1986-11-08 | 1988-05-11 | Bosch Gmbh Robert | Elektronische steuereinrichtung zur kraftstoffmengenmodulation einer brennkraftmaschine |
| US4820665A (en) * | 1986-12-16 | 1989-04-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic sintered bodies and a process for manufacturing the same |
| JPH0250076A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-20 | Iseki & Co Ltd | 穀粒乾燥機の伝動装置 |
| JPH02255573A (ja) * | 1989-03-29 | 1990-10-16 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 高靭性窒化珪素焼結体の製造法 |
| EP0409193B1 (en) * | 1989-07-18 | 1994-04-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for production of sintered silicon nitride made article |
| JPH04223808A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-08-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化珪素系焼結体工具 |
| US5229046A (en) * | 1990-05-17 | 1993-07-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for producing thermal shock-resistant silicon nitride sintered material |
| JPH08733B2 (ja) * | 1990-05-17 | 1996-01-10 | 日本碍子株式会社 | 耐熱衝撃性窒化珪素焼結体及びその製造方法 |
| DE4038003C2 (de) * | 1990-11-29 | 1997-01-02 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Sinterwerkstoffen auf Si¶3¶N¶4¶-Basis |
| DE4233602C2 (de) * | 1992-10-06 | 1996-01-25 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung eines dichten Si¶3¶N¶4¶-Werkstoffes sowie dessen Verwendung |
-
1993
- 1993-01-22 JP JP5009481A patent/JP2670221B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-01-20 DE DE4401589A patent/DE4401589C5/de not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-01-22 US US08/589,171 patent/US5691261A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-08-01 US US08/905,025 patent/US5804521A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63147867A (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-20 | 住友化学工業株式会社 | 窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
| JPS63252967A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-20 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体の製造方法 |
| JPH01145380A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-07 | Kyocera Corp | 窒化珪素質焼結体の製法 |
| JPH03290370A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-20 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 高靭性窒化けい素焼結体の製造法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5945363A (en) * | 1996-08-20 | 1999-08-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon nitride sintered material |
| US6099794A (en) * | 1996-08-20 | 2000-08-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for production of silicon nitride material |
| JP2000515481A (ja) * | 1997-05-28 | 2000-11-21 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | セラミック複合構造体からなる成形体の製造法 |
| WO2019059641A3 (ko) * | 2017-09-20 | 2019-05-09 | 주식회사 엘지화학 | 질화규소 소결체 제조를 위한 테이프 캐스팅용 슬러리 조성물 |
| JP2020528861A (ja) * | 2017-09-20 | 2020-10-01 | エルジー・ケム・リミテッド | 窒化ケイ素焼結体製造のためのテープキャスティング用スラリー組成物 |
| US11046617B2 (en) | 2017-09-20 | 2021-06-29 | Lg Chem, Ltd. | Tape casting slurry composition for preparing silicon nitride sintered body |
| JP2020180346A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 日本製鉄株式会社 | セラミックス積層体の製造方法およびそれによって製造されたセラミックス積層体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4401589A1 (de) | 1994-08-04 |
| US5804521A (en) | 1998-09-08 |
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| DE4401589C5 (de) | 2008-02-14 |
| DE4401589B4 (de) | 2005-03-17 |
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