JPH0622060B2 - 光情報処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 発明の要約 光と磁気を利用して光磁気ディスクに磁気的にデータを
書込むまたは同ディスクから読出すための装置であり，
書込み，読出し用の第１の光学系と第１の光学系のスポ
ットを光磁気ディスクの案内溝にそわせるためのエラー
検出用の第２の光学系とを備えている。いずれの光学系
も，基板上に形成された光導波路，この光導波路にレー
ザ光を導入するための光源および光導波路を伝播する光
を斜め上方に出射させかつ２次元的に集光するレンズ手
段を備えている。第１の光学系はさらに，斜め上方から
の反射光を受光する少なくとも２つの受光素子と，これ
らの受光素子上に主軸が互いに90゜ずらして配置された
検光子とを備えている。第２の光学系には斜め上方から
反射してくる光を受光してトラッキング・エラーおよび
フォーカシング・エラーを検出するための手段が設けら
れている。

発明の背景 （１）技術分野 この発明は，きわめて高密度のデータの記録，再生，消
去が自在で将来その実用化が期待されている光磁気ディ
スクにデータを書込む（記録，消去）および／または読
出す（再生）ための光情報処理装置に関する。

（２）従来技術 光磁気ディスクは，光ディスクで困難とされていたデー
タの書込み／読出しが自在にできるという特徴を持つた
めに，その研究が盛んに行なわれており，いくつかのタ
イプの記録再生装置が試作されている。

光磁気ディスクの記録原理は次のようなものである。光
磁気ディスク等の記録媒体に光を照射して局部的にその
温度を上昇させると同時に外部から磁気を与えて，その
局部の磁化の向きを変える。レーザ光を集光すると温度
を上昇させる領域を直径１μｍ程度のきわめて小さな範
囲とすることができるので，高密度の記録が可能とな
る。磁気記録に必要な磁界は記録媒体の温度が高くなる
につれて一般に小さくなり，きわめて弱い磁界でも記録
が可能となる。

現在のところ記録，消去には２つの方式が考えられてい
る。一方は磁界変調方式であり，これはレーザ光を記録
媒体に常に照射しておき，印加する磁界を記録すべきデ
ータに応じて変えるものである。他方は光変調方式で常
に直流磁界を与えておき照射するレーザ光をデータに応
じて点滅するものである。

光再生方式には直接光再生方式と間接光再生方式とがあ
るとされている。直接光再生方式は記録場所に直線偏光
を直接に照射し，その反射光（または透過光）の偏光方
向が磁気光学効果によって回転することを利用してい
る。間接光再生方式は記録パターンを磁性薄膜に転写し
たのちこれを光で読出すものである。

いずれにしても，現在までに試作されている光磁気記録
再生装置とくにその再生部分は，光ディスクに照射する
光と光ディスクからの反射光とを分離するアイソレータ
光学系，光ディスクに照射される光を１μｍ径程度のス
ポットに集束させるビーム集光光学系，フォーカシング
・エラーやトラッキング・エラーを検出するためのエラ
ー検出光学系等を備えており，これらの光学系は，光源
としての半導体レーザ，各種レンズ類，プリズム類，回
折格子，ミラー，１／４波長板，フォト・ダイオード，
偏光子，検光子などの素子を適宜組合せることにより構
成されるので，光学系が複雑で光軸合わせがめんどうで
あるとともに，振動により光軸がずれやすい，部品点数
が多く，組立てに時間がかかる，光学部品が高価である
ために全体としても高価になる，光学部品が大きいため
に光ピックアップ装置も大型となり，光学部品を保持す
る機構も必要であるから全体として重くなる等の問題点
をもっている。

発明の概要 （１）発明の目的 この発明は，小型かつ軽量でしかも簡単な構成の光情報
処理装置を提供することを目的とする。

（２）発明の構成，および効果 この発明による光情報処理装置は，光磁気ディスクへの
データの書込みおよび／または光磁気ディスクからのデ
ータの読出しを行なうための装置であり，書込みおよび
／または読出しのために光磁気ディスク上に焦点を結ぶ
光スポットを投射しかつその反射光を受光する第１の光
学系と，この第１の光学系の光スポットを光磁気ディス
クの案内溝に追従させるためにエラーを検出する第２の
光学系とを有し，第１の光学系が，基板上に形成された
光導波路，光導波路に導入されるレーザ光の光源，光導
波路上に形成され，光導波路を伝播する光を斜め上方に
出射させかつ２次元的に集光するレンズ手段，斜め上方
から反射してくる光を受光する少なくとも２つの受光素
子を有する受光手段，および上記受光素子上に主軸が互
いに90゜ずらして配置された検光子を備え，第２の光学
系が，基板上に形成された光導波路，光導波路に導入さ
れるレーザ光の光源，光導波路上に形成され，光導波路
を伝播する光を斜め上方に出射させかつ２次元的に集光
するレンズ手段，および斜め上方から反射してくる光を
受光する手段を備えていることを特徴とする。

この発明は，上述した磁界変調方式および光変調方式の
両方の記録方式に適用可能であり，また直接光再生方式
に適用することができる。記録する場合には磁界を与え
るコイルが設けられるのはいうまでもない。

この発明においては，光学部品としてのレンズ，プリズ
ム，回折格子，ミラー，１／４波長板等が用いられてい
ないので，装置の小型化，軽量化を図ることができる。
とくに，書込み，読出し用の第１の光学系とエラー検出
用の第２の光学系のいずれもが光導波路からレーザ光を
斜め上方に出射させかつ斜め上方からの反射光を受光す
るように構成されているから，アイソレータ光学系を省
略することができる。

実施例の説明 （１）ヘッドの構成の概要 第１図は光磁気書込み，読取り用ヘッド９の構成の一例
を示している。この図には光学系のみが示され，光磁気
書込みに必要な磁界を発生するコイルは図示されていな
い。

まず，フォーカシング・エラーおよびトラッキング・エ
ラー検出用の光学系（第２の光学系）について説明す
る。

基台10上に，光源としての半導体レーザ13および基板11
が配置されかつ固定されている。

基板11にはたとえばSi結晶が用いられ，この基板11上面
にSiの熱酸化またはSiO₂の蒸着もしくはスパッタにより
基板11上面にSiO₂バッファ層が形成されたのち，たとえ
ばコーニング7059などのガラスをスパッタすることによ
り光導波層12が形成されている。半導体レーザ13はバッ
ト・エッジ（butt edge）結合法により光導波層12の一
端に光結合している。半導体レーザ13から出射したレー
ザ光はこの光導波層12に入射しかつ伝播する。光導波層
12上にはコリメーティング・レンズ14，カップリング・
レンズ15，漏洩光検知素子16，漏洩光遮断用溝17および
受光部20がこの順序配列で設けられている。コリメーテ
ィング・レンズ14は半導体レーザ13から出射した広がり
をもつレーザ・ビームを平行光に変換するものである。
コリメーティング・レンズには，図示されているような
フレネル・レンズの他に，ブラッグ・グレーティング・
レンズ，ルネブルグ・レンズ，ジオデシック・レンズな
どがある。カップリング・レンズ15は，光導波層12を伝
播してきたレーザ光を斜め上方に出射させるとともに，
２次元的に集光する（フォーカシング）するものであ
る。このカップリング・レンズは，２次元フォーカシン
グ・グレーティング・カプラといわれているもので，１
つのレンズで光の出射機能と２次元集光機能をもつ。こ
れは，光の進行方向に向うほど周期（間隔）が小さくな
る円弧状のグレーティングから構成されている。出射し
たレーザ光が集光してスポット（１μｍ径程度）を形成
する点がＰで示されている。このレーザ・スポットは後
述する読取り，書込み用のレーザ・スポットと同一点に
あり，この点Ｐが光磁気ディスクの情報記録面上とくに
その案内溝内に位置するように，このヘッド９が配置さ
れる。

受光部20は，光磁気ディスクの面からの反射光を受光す
るためのものであり，上述のレーザ・スポットＰの位置
から斜め下方に反射してくる光を受光できる位置に配置
されている。

受光部20は，４つの独立した受光素子21〜24からなる。
受光素子21，22は中央に隣接して配置され，これらの受
光素子21，22の前後に他の受光素子23，24が設けられて
いる。これらの受光素子21〜24を形成すべき部分を，バ
ッファ層および光導波層12を形成するときにマスクで覆
っておいて光導波層12が形成されるのを排除しておく。
そして，この部分に不純物を拡散させてＰＮ接合（フォ
トダイオード）をつくることにより，受光素子21〜24を
構成する。受光素子21〜24の出力信号は基板11上に形成
された配線パターン（図示略）により外部に取出され
る。

光導波層12を伝播する光のすべてがカップリング・レン
ズ15により出射（エア・カップリング）される訳ではな
く，出射されずにレンズ15の位置を通過して受光部20の
方に漏洩する光も存在する。漏洩光検知素子16は，この
漏洩光の強度を検知するものである。光導波層12を伝播
する光の強度変動は漏洩光の強度変動としても現われる
から，漏洩光の強度を検知することにより光導波層12を
伝播する光の強度が間接的に検知される。この検知され
た強度信号は半導体レーザ13の駆動回路（図示略）にフ
ィードバックされ，半導体レーザ13の出力光の安定化が
図られる。検知素子16としてはアモルファス・シリコン
(a−Si)，CdTe，CdSなどが用いられ，ＣＶＤ法，蒸着
法，スパッタ法等により光導波層12上に直接に形成され
る。検知素子16の検知信号は光導波層12上に形成された
配線パターン（図示略）により外部に取出される。

カップリング・レンズ15からの漏洩光のすべてが検知素
子16で消費されるとは限らない。受光部20は同一基板11
に形成されているから，検知素子16の部分を通過する漏
洩光があればこれを検知してしまうおそれがある。

漏洩光遮断用溝17は，検知素子16と受光部20との間に設
けられており，検知素子16の位置を通過して受光部20に
向う光の伝播を，溝17の壁面での光の反射や減衰により
防止する役目をもっている。この溝17は，イオンビーム
加工，電子ビーム加工またはレーザ加工などにより基板
11の光導波層12上に直接に形成すればよい。溝17の長さ
は伝播する光の幅よりも大きい。また溝17の深さは光導
波層12の厚さ程度でよい。

光磁気ディスクのデータの書込みおよび読取り用の光学
系（第１の光学系）もまた上述の光学系と同じように，
半導体レーザ33，コリメーティング・レンズ34，カップ
リング・レンズ35，漏洩光検知素子36，漏洩光遮断用溝
17および受光部40を有している。半導体レーザ33からの
出射光はコリメーティング・レンズ34でコリメートされ
たのち，カップリング・レンズ35から空中に出射し，上
述の点Ｐに焦点を結ぶ。そして，光磁気ディスクの磁気
記録面からの反射光が受光部40で受光される。光検知素
子36および遮断溝37の役割は同16,17のそれと同じであ
る。

カップリング・レンズ35上には偏光子片38が貼付されて
いる。この偏光子片38はカップリング・レンズ35から出
射する光を直線偏光に変換するものである。

受光部40は，多数の受光素子41a,42aを有している（第
２図参照）。これらの受光素子41a,42aもまた受光素子2
1〜24と同じようにしてつくられる。これらの受光素子4
1a,42a上には検光子片41，42がそれぞれ貼付されてい
る。検光子片41と42はそれらの主軸が互いに90゜ずれる
ように配置されている。また，互いに90゜ずれるように
配置された検光子片41,42が交互に設けられている。

上記実施例では受光素子21〜24,41a,42aの部分には光導
波層12は形成されていないが，光導波層12上に直接にＣ
ＶＤ法により受光素子となるアモルファス・シリコン(a
−Si)を形成してもよい。受光素子の材料としては，他
にCdTe，CdSなどを用いることができる。

カップリング・レンズを，平行光を光導波層12上で集束
させる機能をもつフレネル型のグレーティング・レンズ
と，光導波層12を伝播する光を空中に出射させるともに
一直線状に集光する機能をもつチャープ型グレーティン
グ・カプラとの組合せにより構成することもできる。グ
レーティング・カプラは光の進行方向に向って周期（間
隔）が小さくなる直線状のグレーティングである。グレ
ーティング・レンズの焦点とグレーティング・カプラの
焦点とが同一点Ｐにあれば，光導波層12から出射した光
は点Ｐで１点に集光する。

第１図においては，１つの基板上に光を空中に出射させ
る光学系と受光光学系とが設けられているが，これらの
光学系をそれぞれ別個の基板に設けてもよい。また，受
光光学系が設けられる基板または基板部分には光導波層
を形成しなくてもよい。

さらに基板としてnGaAs結晶を用い，この基板上面にAlG
aAs層を介してpGaAsによる光導波層を形成し，さらに半
導体レーザを基板に一体的に形成してもよい。

さらに，エラー検出用の光学系として第１図には１ビー
ム方式が採用されているが，２ビーム方式，３ビーム方
式としてもよい。この場合には，コリメーティング・レ
ンズ14によって平行化された光を２または３の光ビーム
に分離し，これらを２または３のカップリング・レンズ
によって独立に空中に出射させ，別個の位置に集光させ
ればよい。２または３の光ビームのスポットは，書込
み，読取り用の光学系のスポットＰの近傍に形成される
ようにする。３ビームの光学系の一例が，たとえば特願
昭59-184777号に記載されている。この光学系による
と，もちろんフォーカシング・エラーおよびトラッキン
グ・エラーの検出が可能である。

（２）書込みおよび読取りの原理 光磁気ディスクのデータの書込みは，磁界変調方式また
は光変調方式に依る。この場合にはレーザ・スポットＰ
の近傍にコイルが配置される。

光磁気ディスクからのデータの読取りは直接光再生方式
に依る。

第４図の矢印ａ，ｂは検光子片41,42の主軸方向を示し
ている。このように検光子片41，42の主軸の方向は90゜
異なっている。

第３図は読取り回路の一例を示している。一方の検光子
片41の下にある受光素子41aの出力信号（端子A1〜A5）
は加算回路51に入力し相互に加算される。他方の検光子
片42の下にある受光素子42aの出力信号（端子B1〜B5）
は加算回路52に入力し，相互に加算される。これらの加
算回路51，52の出力は差動増巾回路53に送られその差が
演算される。

カップリング・レンズ35から出射され偏光子38によって
直線偏光に変換された光は光磁気ディスク面に当って反
射し，検光子片41，42を通して受光素子41a,42aによっ
て検知される。第５図(A)における太い実線の矢印ｃ
は，光磁気ディスクのデータの記録されていない部分で
反射した光の偏光方向を示している。検光子片41，42の
主軸方向に対してこの反射光の偏光方向が±45゜傾いて
いるものとする。この場合には加算回路51，52の出力の
大きさは等しく，これをIoとする。光磁気ディスクの磁
気記録部分に光が当ると磁気光学効果（カー効果）によ
って反射光の偏光面がある角度θだけ回転する。このと
きの反射光の偏光方向が第５図(B)に矢印ｃで示されて
いる。このときの加算回路51，52の出力はそれぞれ（Io
＋Ａθ），（Io−Ａθ）となる。ここでＡは定数であ
る。したがって，差動増巾回路53の出力信号は2Aθとな
る。これが読取り信号であり，この信号の大きさは光磁
気ディスクに記録されている信号の大きさに比例してい
る。

（３）フォーカシング・エラーの検出 光磁気ディスクの情報記録面にはそのトラックにそって
データの書込み，読取りのガイドとなる案内溝が形成さ
れている。第６図は，光磁気ディスク81と書込み，読取
り用ヘッド９との位置関係を光磁気ディスク81をその周
方向にそって切断して示すものである。カップリング・
レンズ15から出射したレーザ光は光磁気ディスク81の情
報記録面（第６図では案内溝82を含む部分）で反射して
受光部20で受光される。第６図ではより分りやすくする
ために受光素子21〜24がやや突出して描かれている。第
７図は，光磁気ディスク81からの反射光が受光部20を照
射するその範囲を示している。

第６図において，実線で示された光磁気ディスク81およ
び案内溝82は，ディスク81とヘッド９との間の距離が最
適であり，出射光のディスク81上へのフォーカシングが
正しく行なわれている様子を示すものである。このとき
の受光部20における反射光の照射領域がＱで示されてい
る。この照射領域Ｑは中央の受光素子21，22上に位置し
ており，他の受光素子23，24には反射光は受光されな
い。

光磁気ディスク81とヘッド９との間の距離が相対的に大
きくまたは小さくなって適切なフォーカシングが行なわ
れない場合のディスク81の位置が第６図に鎖線で示され
ている。ディスク81とヘッド９との間の距離が相対的に
小さくなった場合（−△ｄの変位）には，反射光の照射
領域（Ｑ１で表わされている）は受光素子23側に寄る。
受光素子23は差動増幅器71の負側に，受光素子24は正側
にそれぞれ接続されているから，この場合には差動増幅
器71の出力は負の値を示し，この値は変位量−△ｄの大
きさを表わしている。

ディスク81とヘッド９との間の距離が相対的に大きくな
った場合（＋△ｄの変位）には，反射光の照射領域（Ｑ
２で表わされている）は受光素子24側に寄る。差動増幅
器71の出力は正の値を示し，かつこの値は変位量＋△ｄ
を表わす。

このようにして，ヘッド９からの出射光ビームのフォー
カシングが適切であるかどうか，フォーカシング・エラ
ーが生じている場合にはエラーの方向と大きさが差動増
幅器71の出力から検知される。フォーカシング・エラー
が無い場合には差動増幅器71の出力は零である。

（４）トラッキング・エラーの検出 第８図は，光磁気ディスク81に形成された案内溝82と受
光部20の受光素子21，22とを同一平面上に配置して示し
たものであり，いわば光磁気ディスク81をその面方向に
透視して受光素子21，22をみた図である。差動増幅器72
は受光素子21，22との電気的接続関係を明らかにする目
的で図示されている。第８図(A)は，レーザ・ビーム・
スポットＰがトラック（案内溝82）の巾方向の中心上に
正確に位置している様子を示している。第８図(B)(C)は
スポットＰがトラック（案内溝82）の左右にそれぞれ若
干ずれ，トラッキング・エラーが生じている様子を示し
ている。いずれの場合にも，適切にフォーカシングされ
ているものとする。

レーザ・スポットＰが光磁気ディスク81の情報記録面に
当たり，その反射光の強度が案内溝82の存在によって変
調される。すなわち案内溝82の存在によって受光部20に
受光される光強度は小さくなる。

受光素子21と22は光軸を境として左右に分割されてい
る。レーザ・スポットＰの中心と案内溝82の巾方向の中
心とが一致している場合には，受光素子21と22に受光さ
れる光量は等しく，差動増幅器72の出力は零である。

第８図(B)に示すように，レーザ・スポットＰが案内溝8
2の左側にずれた場合には，受光素子21に受光される光
量の方が多くなり，差動増幅器72からは正の出力が発生
する。逆に，第８図(C)に示すように，レーザ・スポッ
トＰが案内溝82の右側にずれると差動増幅器72には負の
出力が生じる。

このようにして，差動増幅器72の出力によりビーム・ス
ポットＰがディスク81のトラックに正確に沿っている
か，トラッキング・エラーが生じているか，それは左，
右のどちらにずれたエラーかが検出される。

（５）フォーカシングおよびトラッキング駆動機構 第９図から第11図はフォーカシング駆動機構およびトラ
ッキング駆動機構を示している。

支持板100の一端部に支持部材101が立設されている。こ
の支持部材101の両側下端部は切欠かれている（符号10
2）。支持板100の他端部上方には可動部材103が位置し
ている。上下方向に弾性的に屈曲しうる４つの板ばね12
1,122の一端は支持部材101の上端両側および下部切欠き
102に固定されており，他端は可動部材103の上端および
下端の両側にそれぞれ固定されている。したがって，可
動部材103はこれらの板ばね121,122を介して上下方向に
運動しうる状態で支持部材101に支持されている。

ヘッド９を載置したステージ110は，上部の方形枠112,
方形枠112の両端から下方にのびた両脚114,115および方
形枠112の中央部から下方にのびた中央脚113から構成さ
れている。方形枠112上にヘッド９が載置固定されてい
る。横方向に弾性的に屈曲しうる４つの板ばね131の一
端は可動部材103の両側上，下部に固定され，他端はス
テージ110の中央脚113の両側上，下部に固定されてい
る。ステージ110は，これらの板ばね131を介して横方向
（第８図の左右方向と一致する）に，運動しうる状態で
支持されている。したがって，ステージ110は，上下方
向（フォーカシング）および横方向（トラッキング）に
移動自在である。

支持板100，支持部材101，可動部材103およびステージ1
10は非磁性材料，たとえばプラスチックにより構成され
ている。

支持部材101および可動部材103の内面にはヨーク104,10
5が固定されている。ヨーク104は，支持部材101に固定
された垂直部分104aと，これと間隔をおいて位置するも
う１つの垂直部分104bと，これらの両部分104a,104bを
それらの下端で結合させる水平部分とから構成されてい
る。ヨーク105もヨーク104と全く同じ形状であり，一定
の間隔をおいて離れた２つの垂直部分105a,105bを備え
ている。

これらのヨーク104,105の垂直部分104a,105aの内面に
は，この内面側をたとえばＳ極とする永久磁石106がそ
れぞれ固定されている。そして，ヨーク104,105の他方
の垂直部分104b,105bと永久磁石106との間に，ステージ
110の脚114,115がそれらに接しない状態でそれぞれ入り
込んでいる。

ステージ110の両脚114,115のまわりにはフォーカシング
駆動用コイル123が水平方向に巻回されている。またこ
れらの脚114,115の一部には，永久磁石106と対向する部
分において上下方向に向う部分を有するトラッキング駆
動用コイル133が巻回されている。

フォーカシング駆動機構は第10図に最もよく示されてい
る。永久磁石106から発生した磁束Ｈは鎖線で示されて
いるようにヨーク104,105の垂直部分104b,105bにそれぞ
れ向う。この磁界を横切って水平方向に配設されたコイ
ル123に，たとえば第10図において紙面に向う方向に駆
動電流が流されると，上方に向う力Ｆｆが発生する。こ
の力Ｆｆによってステージ110は上方に移動する。ステ
ージ110の移動量はコイル123に流される電流の大きさに
よって調整することができる。したがって，上述した差
動増幅器71の出力信号に応じてこの駆動電流の方向を切
換えることにより，および電流の大きさを調整するまた
は電流をオン，オフすることにより，フォーカシング制
御を行なうことができる。

トラッキング駆動機構は第11図に最もよく表わされてい
る。コイル133の磁界Ｈを上下方向に横切って配設され
た部分に，たとえば第11図で紙面に向う方向に（第９図
で下方に向って）駆動電流を流すと，第11図において上
方に向う力（第９図において横方向に向う力）Ｆｔが発
生し，ステージ110は同方向に移動する。上述した差動
増幅器72の出力信号に応じてコイル133に流す電流をオ
ン，オフしたり，電流の方向，必要ならばその大きさを
調整することにより，トラッキング制御を行なうことが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は光磁気書込み，読取り用ヘッドを示す斜視図で
ある。 第２図は読取り用受光部の構成を示す平面図である。 第３図は読取り回路を示している。 第４図は検光子片の主軸の方向を示す図，第５図は反射
光の基準偏光方向および磁気光学効果によって回転され
た偏光方向を示す図である。 第６図は，光磁気ディスクと光磁気書込み読取りヘッド
との位置関係を示す断面図である。 第７図は，受光部上におけるフォーカシング・エラーの
検出原理を示す図である。 第８図は，トラッキング・エラーの検出原理を示す図で
ある。 第９図から第11図は，フォーカシングおよびトラッキン
グ駆動機構を示すもので，第９図は斜視図，第10図は第
９図のＸ−Ｘ線にそう断面図，第11図はヘッドを除去し
て示す平面図である。 9……光磁気書込み読取りヘッド，11……基板， 12……光導波路，13,33……半導体レーザ， 14,34……コリメーティング・レンズ， 15,35……カップリング・レンズ， 20,40……受光部，21〜24,41a,42a……受光素子， 41,42……検光子片，104,105……ヨーク， 106……永久磁石，110……ステージ， 121,122,131……板ばね， 123……フォーカシング駆動用コイル， 133……トラッキング駆動用コイル。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光磁気ディスクへのデータの書込みおよび
   ／または光磁気ディスクからのデータの読出しを行なう
   ための光情報処理装置であり， 書込みおよび／または読出しのために光磁気ディスク上
   に焦点を結ぶ光スポットを投射しかつその反射光を受光
   する第１の光学系と， この第１の光学系の光スポットを光磁気ディスクの案内
   溝に追従させるためにエラーを検出する第２の光学系と
   を有し， 第１の光学系が， 基板上に形成された光導波路， 光導波路に導入されるレーザ光の光源， 光導波路上に形成され，光導波路を伝播する光を斜め上
   方に出射させかつ２次元的に集光するレンズ手段， 斜め上方から反射してくる光を受光する少なくとも２つ
   の受光素子を有する受光手段，および 上記受光素子上に主軸が互いに90゜ずらして配置された
   検光子を備え， 第２の光学系が， 基板上に形成された光導波路， 光導波路に導入されるレーザ光の光源， 光導波路上に形成され，光導波路を伝播する光を斜め上
   方に出射させかつ２次元的に集光するレンズ手段，およ
   び 斜め上方から反射してくる光を受光する手段を備えてい
   る， 光情報処理装置。