JPH0675309B2 - 光磁気記録媒体用ピツクアツプ - Google Patents
光磁気記録媒体用ピツクアツプInfo
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- JPH0675309B2 JPH0675309B2 JP62096718A JP9671887A JPH0675309B2 JP H0675309 B2 JPH0675309 B2 JP H0675309B2 JP 62096718 A JP62096718 A JP 62096718A JP 9671887 A JP9671887 A JP 9671887A JP H0675309 B2 JPH0675309 B2 JP H0675309B2
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- recording medium
- optical waveguide
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光磁気ディスク等の光磁気記録媒体に記録さ
れている信号を読み取るためのピックアップ、特に詳細
には光導波路を用いたピックアップに関するものであ
る。
れている信号を読み取るためのピックアップ、特に詳細
には光導波路を用いたピックアップに関するものであ
る。
（従来の技術） 近時、画像信号や音声信号等の記録媒体として、光磁気
ディスク等の光磁気記録媒体が広く実用に供されてい
る。この光磁気記録媒体に磁化の向きの形で記録されて
いる信号は、光学式のピックアップによって読み取られ
る。このピックアップは、例えばレーザ光等の直線偏光
光を光磁気記録媒体表面に照射し、該記録媒体において
反射した光の偏光面が磁化の向きに対応して回転する現
象（磁気カー効果）を利用して、記録媒体上の磁化の向
きを検出するようにしたものである。
ディスク等の光磁気記録媒体が広く実用に供されてい
る。この光磁気記録媒体に磁化の向きの形で記録されて
いる信号は、光学式のピックアップによって読み取られ
る。このピックアップは、例えばレーザ光等の直線偏光
光を光磁気記録媒体表面に照射し、該記録媒体において
反射した光の偏光面が磁化の向きに対応して回転する現
象（磁気カー効果）を利用して、記録媒体上の磁化の向
きを検出するようにしたものである。
具体的にこの光磁気記録媒体用ピックアップにおいて
は、記録媒体からの反射光を検光子を通して光検出器に
より検出し、該反射光の偏光面回転に応じて検出光量が
変化することを利用して上記磁化の向き、すなわち記録
情報を読み取るようにしている。またこのピックアップ
においては、上述のようにして記録情報読取りを行なう
とともに、トラッキングエラー検出、つまり磁化状態検
出のための光ビームが所定のグルーブに沿ったトラック
の中心から左右どちら側にずれて照射されているかを検
出するための機能、およびフォーカスエラー検出、つま
り上記光ビームの焦点が光磁気記録媒体の反射面よりも
近くにあるかあるいは遠くにあるかを検出するための機
能を備えることが求められる。すなわちこのトラッキン
グエラー、フォーカスエラーの検出信号は、該信号が打
ち消されるようにトラッキング制御、フォーカス制御を
かけて、光ビームを所定のトラックに正しく照射するた
め、また該光ビームを光磁気記録媒体の反射面上で正し
く合焦させるために利用される。なお従来より、トラッ
キングエラー検出方法としてはプッシュプル法、ヘテロ
ダイン法、時間差検出法等が知られており、一方フォー
カスエラー検出方法としては、非点収差法、臨界角検出
法、フーコー法等が知られている。
は、記録媒体からの反射光を検光子を通して光検出器に
より検出し、該反射光の偏光面回転に応じて検出光量が
変化することを利用して上記磁化の向き、すなわち記録
情報を読み取るようにしている。またこのピックアップ
においては、上述のようにして記録情報読取りを行なう
とともに、トラッキングエラー検出、つまり磁化状態検
出のための光ビームが所定のグルーブに沿ったトラック
の中心から左右どちら側にずれて照射されているかを検
出するための機能、およびフォーカスエラー検出、つま
り上記光ビームの焦点が光磁気記録媒体の反射面よりも
近くにあるかあるいは遠くにあるかを検出するための機
能を備えることが求められる。すなわちこのトラッキン
グエラー、フォーカスエラーの検出信号は、該信号が打
ち消されるようにトラッキング制御、フォーカス制御を
かけて、光ビームを所定のトラックに正しく照射するた
め、また該光ビームを光磁気記録媒体の反射面上で正し
く合焦させるために利用される。なお従来より、トラッ
キングエラー検出方法としてはプッシュプル法、ヘテロ
ダイン法、時間差検出法等が知られており、一方フォー
カスエラー検出方法としては、非点収差法、臨界角検出
法、フーコー法等が知られている。
信号読取機能に加えて上述のような機能を備えるために
従来の光磁気記録媒体用ピックアップは、光磁気記録媒
体において反射したビームを、該媒体に向けて照射され
ている光ビームから分離するためのビームスプリッタ
や、この反射ビームをフォトダイオード等の光検出器の
近傍で集束させるためのレンズや、前述の検光子や、さ
らには上記トラッキングエラー検出方法およびフォーカ
スエラー検出方法を実行するためのプリズム等の微小光
学素子から構成されていた。
従来の光磁気記録媒体用ピックアップは、光磁気記録媒
体において反射したビームを、該媒体に向けて照射され
ている光ビームから分離するためのビームスプリッタ
や、この反射ビームをフォトダイオード等の光検出器の
近傍で集束させるためのレンズや、前述の検光子や、さ
らには上記トラッキングエラー検出方法およびフォーカ
スエラー検出方法を実行するためのプリズム等の微小光
学素子から構成されていた。
（発明が解決しようとする問題点） しかし上記のような微小光学素子は精密な加工を要し、
またピックアップ組立てに際しての相互の位置調整も面
倒であるので、このような光学素子を用いるピックアッ
プは必然的に高価なものとなっていた。さらにこのよう
な構成のピックアップは、大型で重いものとなるので、
読取装置の小型軽量化や、アクセスタイム短縮化の点で
不利なものとなっていた。特に、読取信号のS/N向上の
ために差動検出を実行する場合には、反射ビームを２本
に分割するためのハーフミラー等が必要になり、その上
差動検出光学系によっては検光子を２個必要とすること
もあるので、ピックアップはより一層複雑化し、大型で
重いものとなる。
またピックアップ組立てに際しての相互の位置調整も面
倒であるので、このような光学素子を用いるピックアッ
プは必然的に高価なものとなっていた。さらにこのよう
な構成のピックアップは、大型で重いものとなるので、
読取装置の小型軽量化や、アクセスタイム短縮化の点で
不利なものとなっていた。特に、読取信号のS/N向上の
ために差動検出を実行する場合には、反射ビームを２本
に分割するためのハーフミラー等が必要になり、その上
差動検出光学系によっては検光子を２個必要とすること
もあるので、ピックアップはより一層複雑化し、大型で
重いものとなる。
上記の不具合を解消するため従来より、例えば非球面レ
ンズ等の特殊な光学素子を用いてピックアップの構成を
簡素化する試みも種々なされている。しかしこの種の光
学素子は特に高価であるので、このような素子を用いる
ピックアップは、構成は簡素化されても、コストの点で
は前述のようなピックアップとさほど変わり無いものと
なっている。
ンズ等の特殊な光学素子を用いてピックアップの構成を
簡素化する試みも種々なされている。しかしこの種の光
学素子は特に高価であるので、このような素子を用いる
ピックアップは、構成は簡素化されても、コストの点で
は前述のようなピックアップとさほど変わり無いものと
なっている。
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであ
り、小型軽量で、しかも極めて安価に形成されうる光磁
気記録媒体用ピックアップを提供することを目的とする
ものである。
り、小型軽量で、しかも極めて安価に形成されうる光磁
気記録媒体用ピックアップを提供することを目的とする
ものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明の光磁気記録媒体用ピックアップは、先に述べた
ビームスプリッタ、レンズ、プリズム、検光子、さらに
は差動検出を実行するためのハーフミラーなどが果たす
作用を、集光性回折格子を備えた２つの光導波路素子に
よって得るようにしたものであり、具体的には、 光ディスク等の光磁気記録媒体の表面に直線偏光した光
ビームを照射する光源と、上記光ビームを光磁気記録媒
体の反射面上で集束させる対物レンズと、互いに重なる
状態に一体化され、光磁気記録媒体で反射した反射ビー
ムを一表面で受けるような向きに配置された第１および
第２の光導波路とを設け、 第１の光導波路の表面の反射ビーム照射位置には、それ
ぞれ上記反射ビームを該第１の光導波路内に入射させる
第1,第２の集光性回折格子を並設し、 一方第２の光導波路の表面の反射ビーム照射位置、つま
り上記第１および第２の集光性回折格子と重なる位置に
は、反射ビームを該第２の光導波路内に入射させる第３
の集光性回折格子を設け、 上記第1,第２の集光性回折格子は、第１の光導波路を照
射する反射ビームの略中心を通りかつ該光導波路の表面
上をトラッキング方向に略直角に延びる軸をはさんで並
び、それぞれがTE、TMいずれか一方の導波モードを励振
し、この光導波路内を互いに等しい導波モードで導波す
る反射ビームを上記軸をはさんで互いに離れた位置に各
々集束させるように形成し、 一方第３の集光性回折格子は、第１および第２の集光性
回折格子による導波モードとは異なる導波モード（つま
り例えば第1,第２の集光性回折格子がTE導波モードを励
起する場合はTM導波モード）を励振して上記反射ビーム
を第２の光導波路内に入射させ、この光導波路内を導波
する反射ビームを集束させるように形成し、 また上記第１または第２の光導波路の表面あるいは端面
に、上記第1,第２および第３の集光性回折格子により集
束された各反射ビームをそれぞれ検出する第1,第２およ
び第３の光検出器を取り付け、 さらに上記第１および第２の光検出器の出力に基づいて
トラッキングエラーとフォーカスエラー検出を行なうエ
ラー検出回路と、 上記第１および／または第２の光検出器の出力と、第３
の光検出器の出力の差とに基づいて記録情報を検出する
差動検出回路とを設けてなるものである。
ビームスプリッタ、レンズ、プリズム、検光子、さらに
は差動検出を実行するためのハーフミラーなどが果たす
作用を、集光性回折格子を備えた２つの光導波路素子に
よって得るようにしたものであり、具体的には、 光ディスク等の光磁気記録媒体の表面に直線偏光した光
ビームを照射する光源と、上記光ビームを光磁気記録媒
体の反射面上で集束させる対物レンズと、互いに重なる
状態に一体化され、光磁気記録媒体で反射した反射ビー
ムを一表面で受けるような向きに配置された第１および
第２の光導波路とを設け、 第１の光導波路の表面の反射ビーム照射位置には、それ
ぞれ上記反射ビームを該第１の光導波路内に入射させる
第1,第２の集光性回折格子を並設し、 一方第２の光導波路の表面の反射ビーム照射位置、つま
り上記第１および第２の集光性回折格子と重なる位置に
は、反射ビームを該第２の光導波路内に入射させる第３
の集光性回折格子を設け、 上記第1,第２の集光性回折格子は、第１の光導波路を照
射する反射ビームの略中心を通りかつ該光導波路の表面
上をトラッキング方向に略直角に延びる軸をはさんで並
び、それぞれがTE、TMいずれか一方の導波モードを励振
し、この光導波路内を互いに等しい導波モードで導波す
る反射ビームを上記軸をはさんで互いに離れた位置に各
々集束させるように形成し、 一方第３の集光性回折格子は、第１および第２の集光性
回折格子による導波モードとは異なる導波モード（つま
り例えば第1,第２の集光性回折格子がTE導波モードを励
起する場合はTM導波モード）を励振して上記反射ビーム
を第２の光導波路内に入射させ、この光導波路内を導波
する反射ビームを集束させるように形成し、 また上記第１または第２の光導波路の表面あるいは端面
に、上記第1,第２および第３の集光性回折格子により集
束された各反射ビームをそれぞれ検出する第1,第２およ
び第３の光検出器を取り付け、 さらに上記第１および第２の光検出器の出力に基づいて
トラッキングエラーとフォーカスエラー検出を行なうエ
ラー検出回路と、 上記第１および／または第２の光検出器の出力と、第３
の光検出器の出力の差とに基づいて記録情報を検出する
差動検出回路とを設けてなるものである。
上記集光性回折格子（FGC:Focusing Grating Coupler）
は、曲りとチャープ、または曲りを有する回折格子であ
り、光導波路外の空間光波面と光導波路内を進行する導
波光の波面とを直接結合し、また光導波路内において反
射ビームを集束させる。
は、曲りとチャープ、または曲りを有する回折格子であ
り、光導波路外の空間光波面と光導波路内を進行する導
波光の波面とを直接結合し、また光導波路内において反
射ビームを集束させる。
（作用） 光磁気記録媒体からの反射ビームを上記の集光性回折格
子によって光導波路内に取り込むことにより、該反射ビ
ームは光源から光磁気記録媒体に向かう光ビームの光路
から分離される。これは前述のビームスプリッタが果た
す作用と同じである。また集光性回折格子は光導波路内
で反射ビームを集束させるが、これは前述のレンズが果
たす作用と同じである。さらに第１および第２の集光性
回折格子が２個前述のような位置に配されているから、
光磁気記録媒体からの反射ビームは互いにトラッキング
方向に分離されて２箇所で集束する。これは前述のプリ
ズムが果たす作用と同じである。
子によって光導波路内に取り込むことにより、該反射ビ
ームは光源から光磁気記録媒体に向かう光ビームの光路
から分離される。これは前述のビームスプリッタが果た
す作用と同じである。また集光性回折格子は光導波路内
で反射ビームを集束させるが、これは前述のレンズが果
たす作用と同じである。さらに第１および第２の集光性
回折格子が２個前述のような位置に配されているから、
光磁気記録媒体からの反射ビームは互いにトラッキング
方向に分離されて２箇所で集束する。これは前述のプリ
ズムが果たす作用と同じである。
また第1,第２の集光性回折格子はTE（TM）導波モードを
励振し、一方第３の集光性回折格子はTM（TE）導波モー
ドを励振するように形成しておくことにより、第１およ
び／または第２の光検出器の出力と第３の光検出器の出
力は、反射ビームの偏光の向きに応じて相補的に変化す
るようになるので、上記２組の出力の差を差動検出回路
で検出すれば、反射ビームの偏光の向き、つまり光磁気
記録媒体の記録情報が読み取れることになる。これによ
り、差動検出光学系を設けて差動検出を行なう場合と同
様に、S/Nの高い読取信号を得ることができる。すなわ
ち第１および第２の集光性回折格子に加えて第３の集光
性回折格子を設けたことにより、前述のハーフミラー等
が果たすビーム分割作用が得られ、そして各集光性回折
格子による励振導波モードを上記のように設定すること
により、前述の２つの検光子が果たす作用が得られる。
励振し、一方第３の集光性回折格子はTM（TE）導波モー
ドを励振するように形成しておくことにより、第１およ
び／または第２の光検出器の出力と第３の光検出器の出
力は、反射ビームの偏光の向きに応じて相補的に変化す
るようになるので、上記２組の出力の差を差動検出回路
で検出すれば、反射ビームの偏光の向き、つまり光磁気
記録媒体の記録情報が読み取れることになる。これによ
り、差動検出光学系を設けて差動検出を行なう場合と同
様に、S/Nの高い読取信号を得ることができる。すなわ
ち第１および第２の集光性回折格子に加えて第３の集光
性回折格子を設けたことにより、前述のハーフミラー等
が果たすビーム分割作用が得られ、そして各集光性回折
格子による励振導波モードを上記のように設定すること
により、前述の２つの検光子が果たす作用が得られる。
なお上記第1,第２および第３の集光性回折格子を１つの
光導波路の表面上に並べて配置することも考えられる
が、第１および第２の集光性回折格子によりTE（TM）モ
ード導波光と結合する反射ビームのＳ（Ｐ）偏光成分が
第３の集光性回折格子によっては光導波路内に入射し得
ない、ということがあるので、この場合は、このような
反射ビームのＳ（Ｐ）偏光成分のうち第３の集光性回折
格子の部分に照射された分は、全く利用され得ないこと
になる。また当然ながら、この反対のことも起こりう
る。しかし本発明装置におけるように第1,第２の集光性
回折格子と、第３の集光性回折格子とを、互いに重なる
状態に設けておけば、第1,第２（第３）の集光性回折格
子によって第１（第２）の光導波路内に入射しなかった
反射ビームの偏光成分も、この回折格子を透過して、第
３（第1,第２）の集光性回折格子により第２（第１）の
光導波路内に入射しうるようになるから、反射ビームの
検出効率ひいては光利用効率が上記の場合よりも向上す
る。
光導波路の表面上に並べて配置することも考えられる
が、第１および第２の集光性回折格子によりTE（TM）モ
ード導波光と結合する反射ビームのＳ（Ｐ）偏光成分が
第３の集光性回折格子によっては光導波路内に入射し得
ない、ということがあるので、この場合は、このような
反射ビームのＳ（Ｐ）偏光成分のうち第３の集光性回折
格子の部分に照射された分は、全く利用され得ないこと
になる。また当然ながら、この反対のことも起こりう
る。しかし本発明装置におけるように第1,第２の集光性
回折格子と、第３の集光性回折格子とを、互いに重なる
状態に設けておけば、第1,第２（第３）の集光性回折格
子によって第１（第２）の光導波路内に入射しなかった
反射ビームの偏光成分も、この回折格子を透過して、第
３（第1,第２）の集光性回折格子により第２（第１）の
光導波路内に入射しうるようになるから、反射ビームの
検出効率ひいては光利用効率が上記の場合よりも向上す
る。
（実施例） 以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の第１実施例による光磁気記録媒体用ピ
ックアップを示すものであり、第２図はこのピックアッ
プの光導波路の平面形状と電気回路を示すものである。
第１図に示されるようにこのピックアップは、紙面に略
垂直な方向に延びるロッド11,11に沿って移動自在とさ
れたブロック12を有している。このブロック12は所定の
グルーブに沿った信号列（トラック）に追随するため
に、例えば精密送りネジと光学系送りモータ等により、
上記トラックの方向（ビーム照射位置において矢印Ｕ方
向）に直角な方向、あるいはそれに近い方向に移動され
るようになっている。
ックアップを示すものであり、第２図はこのピックアッ
プの光導波路の平面形状と電気回路を示すものである。
第１図に示されるようにこのピックアップは、紙面に略
垂直な方向に延びるロッド11,11に沿って移動自在とさ
れたブロック12を有している。このブロック12は所定の
グルーブに沿った信号列（トラック）に追随するため
に、例えば精密送りネジと光学系送りモータ等により、
上記トラックの方向（ビーム照射位置において矢印Ｕ方
向）に直角な方向、あるいはそれに近い方向に移動され
るようになっている。
上記ブロック12には、光磁気ディスク13の反射面14に向
けて直線偏光した光ビーム（レーザビーム）15を発する
半導体レーザ16と、該半導体レーザ16から発せられた発
散ビームを平行ビームにするコリメータレンズ17と、平
行ビームとされた光ビーム15を上記反射面14で集束させ
る対物レンズ18とが取り付けられている。この対物レン
ズ18は後に詳述するトラッキング制御、フォーカス制御
のために、トラッキング方向（矢印Ｕ方向に直角な方
向）およびフォーカス方向（矢印Ｖ方向）に移動可能に
支持され、トラッキングコイル19、フォーカスコイル20
によりそれぞれ上記の方向に移動されるようになってい
る。
けて直線偏光した光ビーム（レーザビーム）15を発する
半導体レーザ16と、該半導体レーザ16から発せられた発
散ビームを平行ビームにするコリメータレンズ17と、平
行ビームとされた光ビーム15を上記反射面14で集束させ
る対物レンズ18とが取り付けられている。この対物レン
ズ18は後に詳述するトラッキング制御、フォーカス制御
のために、トラッキング方向（矢印Ｕ方向に直角な方
向）およびフォーカス方向（矢印Ｖ方向）に移動可能に
支持され、トラッキングコイル19、フォーカスコイル20
によりそれぞれ上記の方向に移動されるようになってい
る。
上記コリメータレンズ17と対物レンズ18との間には、光
磁気ディスク13で反射した反射ビーム15′を表面29aで
受けるような向きにして、第２の光導波路29が配置され
ている。この第２の光導波路29は、透明な基板23上に形
成された第１の光導波路22と、バッファ層28を介して重
ね合わせて一体化されている。バッファ層28は、光導波
路22,29よりも低屈折率の透明材料から形成されてい
る。また上記反射ビーム15′が照射される位置において
第１の光導波路22の表面22aには、第1,第２の集光性回
折格子（以下、FGCと称する）31,32が相隣接して設けら
れている（第３図参照）。これらのFGC31,32は曲りとチ
ャープ、あるいは曲りを有する回折格子であり、それぞ
れが反射ビーム15′を第１の光導波路22内に入射させ、
そしてこの光導波路22内の一点で集束させるように形成
されている。第1,第２のFGC31,32は、前述のトラッキン
グ方向に対して直角で反射ビーム15′のほぼ中心を通る
光導波路22上の軸（第２図のｙ軸）をはさんで並設さ
れ、またそれぞれがこのｙ軸をはさんで互いに離れた位
置に反射ビーム15′を集束させるように形成されてい
る。
磁気ディスク13で反射した反射ビーム15′を表面29aで
受けるような向きにして、第２の光導波路29が配置され
ている。この第２の光導波路29は、透明な基板23上に形
成された第１の光導波路22と、バッファ層28を介して重
ね合わせて一体化されている。バッファ層28は、光導波
路22,29よりも低屈折率の透明材料から形成されてい
る。また上記反射ビーム15′が照射される位置において
第１の光導波路22の表面22aには、第1,第２の集光性回
折格子（以下、FGCと称する）31,32が相隣接して設けら
れている（第３図参照）。これらのFGC31,32は曲りとチ
ャープ、あるいは曲りを有する回折格子であり、それぞ
れが反射ビーム15′を第１の光導波路22内に入射させ、
そしてこの光導波路22内の一点で集束させるように形成
されている。第1,第２のFGC31,32は、前述のトラッキン
グ方向に対して直角で反射ビーム15′のほぼ中心を通る
光導波路22上の軸（第２図のｙ軸）をはさんで並設さ
れ、またそれぞれがこのｙ軸をはさんで互いに離れた位
置に反射ビーム15′を集束させるように形成されてい
る。
一方第２の光導波路29の表面29aには、第３のFGC33が設
けられている。この第３のFGC33は基本的に上記第1,第
２のFGC31,32と同様のもので、これらFGC31および32の
開口面積とほぼ等しい開口面積を有し、FGC31,32と互い
に重なる位置に設けられている。
けられている。この第３のFGC33は基本的に上記第1,第
２のFGC31,32と同様のもので、これらFGC31および32の
開口面積とほぼ等しい開口面積を有し、FGC31,32と互い
に重なる位置に設けられている。
ここで第1,第２のFGC31,32はTE導波モードを励振し、一
方第３のFGC33はTM導波モードを励振するようにそれぞ
れ格子ピッチが設定されている。そして光導波路22,29
は第２図に示すように、反射ビーム15′の直線偏光の向
き（矢印Ｐ方向）に対して、ｘ軸が45°傾くような向き
に配置されている。なお反射ビーム15′の直線偏光の向
きは、光磁気ディスク13における磁化の向きに対応して
回転するので、本例においては、磁化されていない部分
で反射した反射ビーム15′の直線偏光の向きを基準と
し、この向きとｘ軸とが45°の角度をなすようにしてい
る。なおFGC31,32は、光導波路22の表面22aとは反対側
の表面（第１図中の下表面）に設けられてもよい。また
FGC33についても同様である。
方第３のFGC33はTM導波モードを励振するようにそれぞ
れ格子ピッチが設定されている。そして光導波路22,29
は第２図に示すように、反射ビーム15′の直線偏光の向
き（矢印Ｐ方向）に対して、ｘ軸が45°傾くような向き
に配置されている。なお反射ビーム15′の直線偏光の向
きは、光磁気ディスク13における磁化の向きに対応して
回転するので、本例においては、磁化されていない部分
で反射した反射ビーム15′の直線偏光の向きを基準と
し、この向きとｘ軸とが45°の角度をなすようにしてい
る。なおFGC31,32は、光導波路22の表面22aとは反対側
の表面（第１図中の下表面）に設けられてもよい。また
FGC33についても同様である。
上記のような作用を果たすFGC31,32のｍ番目の格子パタ
ーン形状式は、光導波路22上の位置を第２図図示のｘ軸
（トラッキング方向軸）とｙ軸とによって規定してFGC3
1,32によるビーム集束位置の座標をそれぞれ（−Fx,F
y）、（Fx,Fy）とし、そして反射ビーム15′の光波長を
λ、該ビーム15′のFGC31,32への入射角をθ、TEモード
光に対する第１の光導波路22の実効屈折率をNTEとする
と、 ［複号はFGC31に関して＋、FGC32に関して−］で与えら
れる。
ーン形状式は、光導波路22上の位置を第２図図示のｘ軸
（トラッキング方向軸）とｙ軸とによって規定してFGC3
1,32によるビーム集束位置の座標をそれぞれ（−Fx,F
y）、（Fx,Fy）とし、そして反射ビーム15′の光波長を
λ、該ビーム15′のFGC31,32への入射角をθ、TEモード
光に対する第１の光導波路22の実効屈折率をNTEとする
と、 ［複号はFGC31に関して＋、FGC32に関して−］で与えら
れる。
一方、FGC33のｍ番目の格子パターン形状式は、FGC33に
よるビーム集束位置の座標を（0,Fy）、TMモード光に対
する第２の光導波路29の実効屈折率をNTM、その他は上
記と同様に規定すると、 で与えられる。
よるビーム集束位置の座標を（0,Fy）、TMモード光に対
する第２の光導波路29の実効屈折率をNTM、その他は上
記と同様に規定すると、 で与えられる。
第１の光導波路22は、例えばパイレックスガラス製基板
23上に＃7059ガラスをスパッタして形成することができ
る。また第２の光導波路29も、第１の光導波路22上に例
えばSiO2からなる透明バッファ層28を設けた後、その上
に＃7059ガラスをスパッタする等して形成することがで
きる。一方FGC31,32,33は、光導波路22あるいは29上にS
i-NをPCVDにて製膜し、電子ビーム直接描画によりレジ
ストパターンを形成した後、RIEでSi−Ｎ膜に転写す
る、等の方法によって形成することができる。ちなみ
に、上記の材料で光導波路22,29（厚さ0.76μｍ）およ
びFGC31,32,33を形成した場合、前述の各形状式で格子
パターンが規定されるFGC31,32（TEモード励振とする）
の中心周期は0.782μｍ、FGC33（TMモード励振とする）
の中心周期は0.786μｍとなる。
23上に＃7059ガラスをスパッタして形成することができ
る。また第２の光導波路29も、第１の光導波路22上に例
えばSiO2からなる透明バッファ層28を設けた後、その上
に＃7059ガラスをスパッタする等して形成することがで
きる。一方FGC31,32,33は、光導波路22あるいは29上にS
i-NをPCVDにて製膜し、電子ビーム直接描画によりレジ
ストパターンを形成した後、RIEでSi−Ｎ膜に転写す
る、等の方法によって形成することができる。ちなみ
に、上記の材料で光導波路22,29（厚さ0.76μｍ）およ
びFGC31,32,33を形成した場合、前述の各形状式で格子
パターンが規定されるFGC31,32（TEモード励振とする）
の中心周期は0.782μｍ、FGC33（TMモード励振とする）
の中心周期は0.786μｍとなる。
一方第１の光導波路22のみを示した第３図に表わされて
いるように、該光導波路22の表面22aには、前述のよう
にして集束された反射ビーム15′をそれぞれ検出するよ
うに、第１の光検出器24および第２の光検出器25が設け
られている。また第２の光導波路29の表面29aには、同
様に第３の光検出器26が設けられている。第１の光検出
器24は一例として前記ｙ軸と平行に延びるギャップで２
分割されたフォトダイオードPD1,PD2からなり、また第
２の光検出器25も同様のフォトダイオードPD3,PD4から
なる。一方第３の光検出器26は１つのフォトダイオード
PD5からなる。フォトダイオードPD5は一例として第４図
に詳しく示すように、光導波路29上に下部透明電極27
a、薄膜状光導電性材料27b、および上部電極27cをこの
順に装荷して形成されたものである。そして下部透明電
極27aと上部電極27cとの間には、電源27dから所定の電
界が印加される。この構成のフォトダイオードPD5にお
いては、光導電性材料27bが光照射を受けるとその光量
に応じた光電流が流れる。したがって、端子27eにおけ
る電位変化を検出すれば、光導電性材料27bの受光光量
を検出することができる。フォトダイオードPD1〜４
も、フォトダイオードPD5と同様に形成されている。な
お薄膜状光導電性材料27bは、例えばIV族のSi、Ge、IV
族のSe、III-V族のGaAs、II−VI族のZnO、CdS、IV-VI族
のPbS等のエピタキシャル膜、多結晶体膜、非晶質膜等
から形成可能であり、また非晶質カルコゲン膜（a-Se、
a-Se-As-Teなど）、非晶質Siを主体として水素および／
またはフッ素を含む膜（a-Si:H、a-SiGe:H、a-SiC:Hな
ど）にIII族、Ｖ族の原子（Ｂ、Ｐなど）を添加するこ
とによりpn接合、p-i-n接合を得てフォトダイオードを
形成する膜、前記非晶質Siを主体とし水素および／また
はフッ素を含む膜とショットキー接合を構成する電極を
用いてフォトダイオードを形成する膜等から形成するこ
ともできる。
いるように、該光導波路22の表面22aには、前述のよう
にして集束された反射ビーム15′をそれぞれ検出するよ
うに、第１の光検出器24および第２の光検出器25が設け
られている。また第２の光導波路29の表面29aには、同
様に第３の光検出器26が設けられている。第１の光検出
器24は一例として前記ｙ軸と平行に延びるギャップで２
分割されたフォトダイオードPD1,PD2からなり、また第
２の光検出器25も同様のフォトダイオードPD3,PD4から
なる。一方第３の光検出器26は１つのフォトダイオード
PD5からなる。フォトダイオードPD5は一例として第４図
に詳しく示すように、光導波路29上に下部透明電極27
a、薄膜状光導電性材料27b、および上部電極27cをこの
順に装荷して形成されたものである。そして下部透明電
極27aと上部電極27cとの間には、電源27dから所定の電
界が印加される。この構成のフォトダイオードPD5にお
いては、光導電性材料27bが光照射を受けるとその光量
に応じた光電流が流れる。したがって、端子27eにおけ
る電位変化を検出すれば、光導電性材料27bの受光光量
を検出することができる。フォトダイオードPD1〜４
も、フォトダイオードPD5と同様に形成されている。な
お薄膜状光導電性材料27bは、例えばIV族のSi、Ge、IV
族のSe、III-V族のGaAs、II−VI族のZnO、CdS、IV-VI族
のPbS等のエピタキシャル膜、多結晶体膜、非晶質膜等
から形成可能であり、また非晶質カルコゲン膜（a-Se、
a-Se-As-Teなど）、非晶質Siを主体として水素および／
またはフッ素を含む膜（a-Si:H、a-SiGe:H、a-SiC:Hな
ど）にIII族、Ｖ族の原子（Ｂ、Ｐなど）を添加するこ
とによりpn接合、p-i-n接合を得てフォトダイオードを
形成する膜、前記非晶質Siを主体とし水素および／また
はフッ素を含む膜とショットキー接合を構成する電極を
用いてフォトダイオードを形成する膜等から形成するこ
ともできる。
第２図に示すようにフォトダイオードPD1,PD2の出力は
加算アンプ34で加算され、またフォトダイオードPD3,PD
4の出力も同様に加算アンプ37で加算され、そして第1,
第２の光検出器24,25それぞれの外側のフォトダイオー
ドPD1,PD4の出力が加算アンプ35で加算され、内側のフ
ォトダイオードPD2,PD3の出力が加算アンプ36で加算さ
れる。また上記加算アンプ34,37の出力は加算アンプ38
および差動アンプ40に入力され、そして加算アンプ35,3
6の出力は差動アンプ39に入力される。上記加算アンプ3
8の出力とフォトダイオードPD5の出力は差動アンプ41に
入力される。この差動アンプ41の出力S1、差動アンプ39
の出力S2、および差動アンプ40の出力S3はそれぞれ、読
取回路42、フォーカスコイル駆動制御回路43およびトラ
ッキングコイル駆動制御回路44に入力される。
加算アンプ34で加算され、またフォトダイオードPD3,PD
4の出力も同様に加算アンプ37で加算され、そして第1,
第２の光検出器24,25それぞれの外側のフォトダイオー
ドPD1,PD4の出力が加算アンプ35で加算され、内側のフ
ォトダイオードPD2,PD3の出力が加算アンプ36で加算さ
れる。また上記加算アンプ34,37の出力は加算アンプ38
および差動アンプ40に入力され、そして加算アンプ35,3
6の出力は差動アンプ39に入力される。上記加算アンプ3
8の出力とフォトダイオードPD5の出力は差動アンプ41に
入力される。この差動アンプ41の出力S1、差動アンプ39
の出力S2、および差動アンプ40の出力S3はそれぞれ、読
取回路42、フォーカスコイル駆動制御回路43およびトラ
ッキングコイル駆動制御回路44に入力される。
次に、上記構成のピックアップの作動について説明す
る。半導体レーザ16から発せられ平行ビームとされた光
ビーム（レーザビーム）15は基板23,第１の光導波器22,
バッファ層28および第２の光導波路29を透過し、光磁気
ディスク13の反射面14上で合焦するように対物レンズ18
によって集束される。光磁気ディスク13は図示しない回
転駆動手段により、上記光ビーム15の照射位置において
トラックが矢印Ｕ方向に移動するように回転される。周
知の通り上記トラックは、磁化の向き（第１図において
反射面14の上側に矢印で示す）の形で記録された画像信
号や音声信号等の列であり、光磁気ディスク13からの反
射ビーム15′の直線偏光の向きは、磁化されていない部
分からの反射ビーム15′の直線偏光の向きと比べると、
磁化の向きに応じて互いに反対方向に回転する。つまり
ある方向に磁化している部分からの反射ビーム15′の偏
光の向きは、第２図の矢印Ｐで示す偏光方向から時計方
向に回転し、それとは反対方向に磁化している部分から
の反射ビーム15′の偏光の向きは、上記矢印Ｐで示す偏
光方向から反時計方向に回転する。
る。半導体レーザ16から発せられ平行ビームとされた光
ビーム（レーザビーム）15は基板23,第１の光導波器22,
バッファ層28および第２の光導波路29を透過し、光磁気
ディスク13の反射面14上で合焦するように対物レンズ18
によって集束される。光磁気ディスク13は図示しない回
転駆動手段により、上記光ビーム15の照射位置において
トラックが矢印Ｕ方向に移動するように回転される。周
知の通り上記トラックは、磁化の向き（第１図において
反射面14の上側に矢印で示す）の形で記録された画像信
号や音声信号等の列であり、光磁気ディスク13からの反
射ビーム15′の直線偏光の向きは、磁化されていない部
分からの反射ビーム15′の直線偏光の向きと比べると、
磁化の向きに応じて互いに反対方向に回転する。つまり
ある方向に磁化している部分からの反射ビーム15′の偏
光の向きは、第２図の矢印Ｐで示す偏光方向から時計方
向に回転し、それとは反対方向に磁化している部分から
の反射ビーム15′の偏光の向きは、上記矢印Ｐで示す偏
光方向から反時計方向に回転する。
この反射ビーム15′のＳ偏光成分は対物レンズ18を通過
し、FGC33によって第２の光導波路29内に取り込まれ
る。また、この光導波路29を透過した反射ビーム15′の
Ｐ偏光成分は、FGC31,32によって第１の光導波路22内に
取り込まれる。第２の光導波路29内を導波する反射ビー
ム15′は、FGC33のビーム集束作用により、ｙ軸上の１
点で集束する。一方第１の光導波路22内を導波する反射
ビーム15′は、FGC31,32それぞれのビーム集束作用によ
り、ｙ軸をはさんだ２点で集束するようになる。ここ
で、先に述べたように第1,第２のFGC31,32はTE導波モー
ドを励振するように形成され、第２図の矢印Ｅで示す方
向の電界ベクトルを有する光を光導波路22内において導
波させ、一方第３のFGC33はTM導波モードを励振するよ
うに形成され、第２図中紙面に垂直な方向の電界ベクト
ルを有する光を光導波路29内において導波させる。した
がって、反射ビーム15′の直線偏光の向きが矢印Ｐで示
す方向よりも時計方向に回転すれば、第３のFGC33によ
り光導波路29内に取り込まれる反射ビーム15′の光量が
増大する一方、第1,第２のFGC31,32により光導波路22内
に取り込まれる反射ビーム15′の光量が減少する。反射
ビーム15′の直線偏光の向きが矢印Ｐ方向よりも反時計
方向に回転すれば、上記の逆となる。より詳しく説明す
れば、反射ビーム15′の直線偏光の向きと第２図のｘ軸
がなす角度をφとし、FGC31および32の開口面積とFGC33
の開口面積が等しいとすると、FGC31および32によって
第１の光導波路22内に取り込まれる光量I1と、FGC33に
よって第２の光導波路29内に取り込まれる光量I2は、そ
れぞれ第11図に曲線，で示すようにcos2φ，sin2φ
に比例して変化する。つまり上記角度φが45°未満の場
合は、FGC31および32によって光導波路22内に取り込ま
れる光量I1が、FGC33によって光導波路29内に取り込ま
れる光量I2より大となり、角度φが45°を超えると上記
の関係は逆転する。したがって、例えば加算アンプ38の
ゲインを適当に設定すれば、反射ビーム15′の直線偏光
の向きが第２図の矢印Ｐで示す方向より時計方向に回転
しているときは差動アンプ41の出力を−（マイナス）と
し、反対に反時計方向に回転しているときは差動アンプ
41の出力を＋（プラス）とすることができる。こうして
差動アンプ41の出力S1を判別することにより、光磁気デ
ィスク13上の磁化の向き、つまり記録情報を読み取るこ
とができる。
し、FGC33によって第２の光導波路29内に取り込まれ
る。また、この光導波路29を透過した反射ビーム15′の
Ｐ偏光成分は、FGC31,32によって第１の光導波路22内に
取り込まれる。第２の光導波路29内を導波する反射ビー
ム15′は、FGC33のビーム集束作用により、ｙ軸上の１
点で集束する。一方第１の光導波路22内を導波する反射
ビーム15′は、FGC31,32それぞれのビーム集束作用によ
り、ｙ軸をはさんだ２点で集束するようになる。ここ
で、先に述べたように第1,第２のFGC31,32はTE導波モー
ドを励振するように形成され、第２図の矢印Ｅで示す方
向の電界ベクトルを有する光を光導波路22内において導
波させ、一方第３のFGC33はTM導波モードを励振するよ
うに形成され、第２図中紙面に垂直な方向の電界ベクト
ルを有する光を光導波路29内において導波させる。した
がって、反射ビーム15′の直線偏光の向きが矢印Ｐで示
す方向よりも時計方向に回転すれば、第３のFGC33によ
り光導波路29内に取り込まれる反射ビーム15′の光量が
増大する一方、第1,第２のFGC31,32により光導波路22内
に取り込まれる反射ビーム15′の光量が減少する。反射
ビーム15′の直線偏光の向きが矢印Ｐ方向よりも反時計
方向に回転すれば、上記の逆となる。より詳しく説明す
れば、反射ビーム15′の直線偏光の向きと第２図のｘ軸
がなす角度をφとし、FGC31および32の開口面積とFGC33
の開口面積が等しいとすると、FGC31および32によって
第１の光導波路22内に取り込まれる光量I1と、FGC33に
よって第２の光導波路29内に取り込まれる光量I2は、そ
れぞれ第11図に曲線，で示すようにcos2φ，sin2φ
に比例して変化する。つまり上記角度φが45°未満の場
合は、FGC31および32によって光導波路22内に取り込ま
れる光量I1が、FGC33によって光導波路29内に取り込ま
れる光量I2より大となり、角度φが45°を超えると上記
の関係は逆転する。したがって、例えば加算アンプ38の
ゲインを適当に設定すれば、反射ビーム15′の直線偏光
の向きが第２図の矢印Ｐで示す方向より時計方向に回転
しているときは差動アンプ41の出力を−（マイナス）と
し、反対に反時計方向に回転しているときは差動アンプ
41の出力を＋（プラス）とすることができる。こうして
差動アンプ41の出力S1を判別することにより、光磁気デ
ィスク13上の磁化の向き、つまり記録情報を読み取るこ
とができる。
第１〜３の光検出器24,25,26が出力する光検出信号に
は、例えば半導体レーザ16の光強度変動によるノイズ、
光磁気ディスク13の記録磁性膜の反射率の変動や結晶粒
に起因するノイズ等が含まれることが多い。これらのノ
イズ成分は第1,2の光検出器24,25の出力と、第３の光検
出器26の出力とにおいて互いに同相となるので、上述の
ような信号成分の差動検出を行なうことにより、これら
のノイズ成分が打ち消され、S/Nの高い読取信号S1を得
ることができる。
は、例えば半導体レーザ16の光強度変動によるノイズ、
光磁気ディスク13の記録磁性膜の反射率の変動や結晶粒
に起因するノイズ等が含まれることが多い。これらのノ
イズ成分は第1,2の光検出器24,25の出力と、第３の光検
出器26の出力とにおいて互いに同相となるので、上述の
ような信号成分の差動検出を行なうことにより、これら
のノイズ成分が打ち消され、S/Nの高い読取信号S1を得
ることができる。
また前記第11図から明らかなように、角度φの変化幅が
一定ならば、φ＝45°を変化の中心としたときが光量
I1、I2の変化量が最大となり、差動出力S1も最大とな
る。したがって、光磁気ディスク13上の磁化の向きの違
いによる反射ビーム15′の直線偏光面回転角（カー回転
角）が、極めて小さいものであっても（一般に0.3〜0.5
°程度）、この偏光面の回転を精度良く検出可能とな
る。
一定ならば、φ＝45°を変化の中心としたときが光量
I1、I2の変化量が最大となり、差動出力S1も最大とな
る。したがって、光磁気ディスク13上の磁化の向きの違
いによる反射ビーム15′の直線偏光面回転角（カー回転
角）が、極めて小さいものであっても（一般に0.3〜0.5
°程度）、この偏光面の回転を精度良く検出可能とな
る。
なお上記例においては、第１および第２の光検出器24,2
5の出力を加算した信号と、第３の光検出器26の出力信
号との差を検出するようにしているが、光検出器24,25
の一方の出力信号と光検出器26の出力信号との差を検出
して信号読取りを行なうことも可能である。しかしその
場合は、トラッキングエラーによって光検出器24または
25の出力が変動するので、この変動による信号誤検出を
防止するためには上記実施例におけるようにするのが好
ましい。
5の出力を加算した信号と、第３の光検出器26の出力信
号との差を検出するようにしているが、光検出器24,25
の一方の出力信号と光検出器26の出力信号との差を検出
して信号読取りを行なうことも可能である。しかしその
場合は、トラッキングエラーによって光検出器24または
25の出力が変動するので、この変動による信号誤検出を
防止するためには上記実施例におけるようにするのが好
ましい。
ブロック12は先に述べたように光学系送りモータの駆動
によって矢印Ｕ方向と直角な方向、あるいはそれに近い
方向に送られ、それにより光磁気ディスク13上の光ビー
ム15の照射位置（ディスク径方向位置）が変えられて、
記録信号が連続的に読み取られる。ここで上記光ビーム
15は、所定の信号列（トラック）の中心に正しく照射さ
れなければならない。以下、このように光ビーム15の照
射位置を正しく維持する制御、すなわちトラッキング制
御について説明する。反射ビーム15′の中心がちょうど
FGC31とFGC32との間に位置するとき、第１の光検出器24
（フォトダイオードPD1とPD2）によって検出される光量
と、第２の光検出器25（フォトダイオードPD2とPD4）に
よって検出される光量とは一致する。したがってこの場
合は差動アンプ40の出力S3は０（ゼロ）となる。一方光
ビーム15の照射位置が不正になって、反射ビーム15′の
光強度分布が第２図中上方側に変位すると、第１の光検
出器24の検出光量が第２の光検出器25の検出光量を上回
る。したがって差動アンプ40の出力S3は＋（プラス）と
なる。反対に反射ビーム15′の光強度分布が第２図中下
方側に変位すると、差動アンプ40の出力S3は−（マイナ
ス）となる。つまり差動アンプ40の出力S3は、トラッキ
ングエラーの方向（第２図の矢印ｘ方向）を示すものと
なる。この出力S3はトラッキングエラー信号としてトラ
ッキングコイル駆動制御回路44に送られる。なおこのよ
うにフォトダイオードPD1〜４の出力を処理してトラッ
キングエラーを検出する方法は、プッシュプル法として
従来から確立されているものである。トラッキングコイ
ル駆動制御回路44は上記トラッキングエラー信号S3を受
け、該信号S3が示すトラッキングエラーの方向に応じた
電流Itをトラッキングコイル19に供給し、このトラッキ
ングエラーが解消される方向に対物レンズ18を移動させ
る。それにより光ビーム15は、常に信号列の中心に正し
く照射されるようになる。
によって矢印Ｕ方向と直角な方向、あるいはそれに近い
方向に送られ、それにより光磁気ディスク13上の光ビー
ム15の照射位置（ディスク径方向位置）が変えられて、
記録信号が連続的に読み取られる。ここで上記光ビーム
15は、所定の信号列（トラック）の中心に正しく照射さ
れなければならない。以下、このように光ビーム15の照
射位置を正しく維持する制御、すなわちトラッキング制
御について説明する。反射ビーム15′の中心がちょうど
FGC31とFGC32との間に位置するとき、第１の光検出器24
（フォトダイオードPD1とPD2）によって検出される光量
と、第２の光検出器25（フォトダイオードPD2とPD4）に
よって検出される光量とは一致する。したがってこの場
合は差動アンプ40の出力S3は０（ゼロ）となる。一方光
ビーム15の照射位置が不正になって、反射ビーム15′の
光強度分布が第２図中上方側に変位すると、第１の光検
出器24の検出光量が第２の光検出器25の検出光量を上回
る。したがって差動アンプ40の出力S3は＋（プラス）と
なる。反対に反射ビーム15′の光強度分布が第２図中下
方側に変位すると、差動アンプ40の出力S3は−（マイナ
ス）となる。つまり差動アンプ40の出力S3は、トラッキ
ングエラーの方向（第２図の矢印ｘ方向）を示すものと
なる。この出力S3はトラッキングエラー信号としてトラ
ッキングコイル駆動制御回路44に送られる。なおこのよ
うにフォトダイオードPD1〜４の出力を処理してトラッ
キングエラーを検出する方法は、プッシュプル法として
従来から確立されているものである。トラッキングコイ
ル駆動制御回路44は上記トラッキングエラー信号S3を受
け、該信号S3が示すトラッキングエラーの方向に応じた
電流Itをトラッキングコイル19に供給し、このトラッキ
ングエラーが解消される方向に対物レンズ18を移動させ
る。それにより光ビーム15は、常に信号列の中心に正し
く照射されるようになる。
次にフォーカス制御、すなわち光ビーム15を光磁気ディ
スク13の反射面14上に正しく集束させる制御について説
明する。光ビーム15が光磁気ディスク13の反射面14上で
合焦しているとき、FGC31により集束される反射ビーム1
5′はフォトダイオードPD1とPD2との中間位置で集束す
る。このとき同様にFGC32により集束される反射ビーム1
5′は、フォトダイオードPD3とPD4との中間位置で集束
する。したがって加算アンプ35の出力と加算アンプ36の
出力は等しくなり、差動アンプ39の出力S2は０（ゼロ）
となる。一方光ビーム15が上記反射面14よりも近い位置
で集束しているときは、FGC31,32に入射する反射ビーム
15′は収束ビームとなり、光検出器24,25の各々におけ
る反射ビーム15′の照射位置はそれぞれ内側（フォトダ
イオードPD2側およびフォトダイオードPD3側）に変位す
る。したがってこの場合は加算アンプ35の出力が加算ア
ンプ36の出力を下回り、差動アンプ39の出力S2は−（マ
イナス）となる。反対に光ビーム15が反射面14よりも遠
い位置で集束しているときは、FGC31,32に入射する反射
ビーム15′は発散ビームとなり、光検出器24,25の各々
における反射ビーム15′の照射位置はそれぞれ外側（フ
ォトダイオードPD1側およびフォトダイオードPD4側）に
変位する。したがってこの場合は加算アンプ35の出力が
加算アンプ36の出力を上回り、差動アンプ39の出力S2は
＋（プラス）となる。このように差動アンプ39の出力S2
は、フォーカスエラーの方向を示すものとなる。この出
力S2は、フォーカスエラー信号としてフォーカスコイル
駆動制御回路43に送られる。なおこのようにフォトダイ
オードPD1〜４の出力を処理してフォーカスエラーを検
出する方法は、従来より、フーコープリズムを用いるフ
ーコー法において実行されているものである。フォーカ
スコイル駆動制御回路43は上記フォーカスエラー信号S2
を受け、該信号S2が示すフォーカスエラーの方向に応じ
た電流Ifをフォーカスコイル20に供給し、このフォーカ
スエラーが解消される方向に対物レンズ18を移動させ
る。それにより光ビーム15は、常に光磁気ディスク13の
反射面14上で正しく集束するようになる。
スク13の反射面14上に正しく集束させる制御について説
明する。光ビーム15が光磁気ディスク13の反射面14上で
合焦しているとき、FGC31により集束される反射ビーム1
5′はフォトダイオードPD1とPD2との中間位置で集束す
る。このとき同様にFGC32により集束される反射ビーム1
5′は、フォトダイオードPD3とPD4との中間位置で集束
する。したがって加算アンプ35の出力と加算アンプ36の
出力は等しくなり、差動アンプ39の出力S2は０（ゼロ）
となる。一方光ビーム15が上記反射面14よりも近い位置
で集束しているときは、FGC31,32に入射する反射ビーム
15′は収束ビームとなり、光検出器24,25の各々におけ
る反射ビーム15′の照射位置はそれぞれ内側（フォトダ
イオードPD2側およびフォトダイオードPD3側）に変位す
る。したがってこの場合は加算アンプ35の出力が加算ア
ンプ36の出力を下回り、差動アンプ39の出力S2は−（マ
イナス）となる。反対に光ビーム15が反射面14よりも遠
い位置で集束しているときは、FGC31,32に入射する反射
ビーム15′は発散ビームとなり、光検出器24,25の各々
における反射ビーム15′の照射位置はそれぞれ外側（フ
ォトダイオードPD1側およびフォトダイオードPD4側）に
変位する。したがってこの場合は加算アンプ35の出力が
加算アンプ36の出力を上回り、差動アンプ39の出力S2は
＋（プラス）となる。このように差動アンプ39の出力S2
は、フォーカスエラーの方向を示すものとなる。この出
力S2は、フォーカスエラー信号としてフォーカスコイル
駆動制御回路43に送られる。なおこのようにフォトダイ
オードPD1〜４の出力を処理してフォーカスエラーを検
出する方法は、従来より、フーコープリズムを用いるフ
ーコー法において実行されているものである。フォーカ
スコイル駆動制御回路43は上記フォーカスエラー信号S2
を受け、該信号S2が示すフォーカスエラーの方向に応じ
た電流Ifをフォーカスコイル20に供給し、このフォーカ
スエラーが解消される方向に対物レンズ18を移動させ
る。それにより光ビーム15は、常に光磁気ディスク13の
反射面14上で正しく集束するようになる。
なお、半導体レーザ16から発せられた光ビーム15は、コ
リメータレンズ17から対物レンズ18に向かう際にFGC31,
32,33によって一部が光導波路22,29に取り込まれるの
で、この光ビーム15が光導波路22,29の端面22c,29cで反
射して光検出器24,25,26に受光されることがないよう
に、上記端面22c,29cには光吸収部材45を貼着したり、
あるいはこの端面22c,29cを粗面加工しておくのが望ま
しい。
リメータレンズ17から対物レンズ18に向かう際にFGC31,
32,33によって一部が光導波路22,29に取り込まれるの
で、この光ビーム15が光導波路22,29の端面22c,29cで反
射して光検出器24,25,26に受光されることがないよう
に、上記端面22c,29cには光吸収部材45を貼着したり、
あるいはこの端面22c,29cを粗面加工しておくのが望ま
しい。
またこの実施例において２つのFGC31,32は、それぞれの
格子が連続して互いに密接した状態に形成されている
が、これらのFGC31,32は少しの距離をおいて互いに独立
に形成されてもよい。これは以下に説明する実施例にお
いても同様である。
格子が連続して互いに密接した状態に形成されている
が、これらのFGC31,32は少しの距離をおいて互いに独立
に形成されてもよい。これは以下に説明する実施例にお
いても同様である。
またFGC31,32によってそれぞれ集束される反射ビーム1
5′を互いに交差させる、つまり第２図で説明すればFGC
31によるビーム集束位置がｙ軸の下側に、FGC32による
ビーム集束位置がｙ軸の上側に位置するようにFGC31,32
を形成しても構わない。
5′を互いに交差させる、つまり第２図で説明すればFGC
31によるビーム集束位置がｙ軸の下側に、FGC32による
ビーム集束位置がｙ軸の上側に位置するようにFGC31,32
を形成しても構わない。
さらに上記実施例では第1,第２のFGC31,32がTE導波モー
ドを、第３のFGC33がTM導波モードを励振するようにし
てあるが、これとは反対に第1,第２のFGC31,32がTM導波
モードを、第３のFGC33がTE導波モードを励振するよう
にしてもよい。また上記実施例では、第1,第２のFGC31,
32が設けられた第１の光導波路22を基板23上に設け、そ
の上に第２の光導波路29を設けているが、両光導波路2
2,29はその反対に配置されても構わない。
ドを、第３のFGC33がTM導波モードを励振するようにし
てあるが、これとは反対に第1,第２のFGC31,32がTM導波
モードを、第３のFGC33がTE導波モードを励振するよう
にしてもよい。また上記実施例では、第1,第２のFGC31,
32が設けられた第１の光導波路22を基板23上に設け、そ
の上に第２の光導波路29を設けているが、両光導波路2
2,29はその反対に配置されても構わない。
次に第５図を参照して本発明の第２実施例について説明
する。なおこの第５図において、第１図中の要素と同等
の要素には同番号を付し、それらについては必要の無い
限り説明を省く（以下、同様）。この第２実施例のピッ
クアップにおいては、第１図の装置において設けられた
コリメータレンズ17が省かれ、光磁気ディスク13からの
反射ビーム15′は収束ビームの状態で光導波路22,29内
に取り込まれるようになっている。この場合も、光導波
路22,29内において収束する３系統の反射ビーム15′
を、第２図図示のような第1,第2,第３の光検出器24,25,
26で検出し、それらの検出信号を前述のように処理すれ
ば、記録信号、トラッキングエラー、フォーカスエラー
を検出できる。
する。なおこの第５図において、第１図中の要素と同等
の要素には同番号を付し、それらについては必要の無い
限り説明を省く（以下、同様）。この第２実施例のピッ
クアップにおいては、第１図の装置において設けられた
コリメータレンズ17が省かれ、光磁気ディスク13からの
反射ビーム15′は収束ビームの状態で光導波路22,29内
に取り込まれるようになっている。この場合も、光導波
路22,29内において収束する３系統の反射ビーム15′
を、第２図図示のような第1,第2,第３の光検出器24,25,
26で検出し、それらの検出信号を前述のように処理すれ
ば、記録信号、トラッキングエラー、フォーカスエラー
を検出できる。
この実施例におけるFGC31,32のｍ番目の格子パターン形
状式は、光導波路22上の位置、およびFGC31,32によるビ
ーム収束位置の座標を第１実施例におけるのと同様に規
定し、反射ビーム15′の光波長をλ、該ビーム15′の中
心軸と光導波路22がなす角をθ、ビーム発散点からFGC3
1,32までのビーム中心軸の距離をｌ（第５図参照）、TE
モード光に対する光導波路22の実効屈折率をNTEとする
と、 ［複号はFGC31に関して＋、FGC32に関して−］で与えら
れる。
状式は、光導波路22上の位置、およびFGC31,32によるビ
ーム収束位置の座標を第１実施例におけるのと同様に規
定し、反射ビーム15′の光波長をλ、該ビーム15′の中
心軸と光導波路22がなす角をθ、ビーム発散点からFGC3
1,32までのビーム中心軸の距離をｌ（第５図参照）、TE
モード光に対する光導波路22の実効屈折率をNTEとする
と、 ［複号はFGC31に関して＋、FGC32に関して−］で与えら
れる。
一方FGC33のｍ番目の格子パターン形状式は、FGC33によ
るビーム集束位置の座標を第１実施例におけるのと同様
に規定し、ビーム発散点からFGC33までのビーム中心軸
の距離をＬ、TMモード光に対する光導波路29の実効屈折
率をNTM、その他は上記と同様に規定すると、 で与えられる。
るビーム集束位置の座標を第１実施例におけるのと同様
に規定し、ビーム発散点からFGC33までのビーム中心軸
の距離をＬ、TMモード光に対する光導波路29の実効屈折
率をNTM、その他は上記と同様に規定すると、 で与えられる。
次に第６図を参照して本発明の第３実施例について説明
する。この第３実施例のピックアップにおいては、基板
50が十分屈折率が大きい材料から形成され、光ビーム15
はこの基板50と透明なバッファ層51の界面で反射して光
磁気ディスク13側に進行するようになっている。なお上
記のように光ビーム15を反射させるために、バッファ層
51と基板50との間に金属等の反射性薄膜を設けてもよ
い。この場合も光磁気ディスク13からの反射ビーム15′
は、３つのFGC31,32,33によって光導波路22,29内に取り
込まれる。
する。この第３実施例のピックアップにおいては、基板
50が十分屈折率が大きい材料から形成され、光ビーム15
はこの基板50と透明なバッファ層51の界面で反射して光
磁気ディスク13側に進行するようになっている。なお上
記のように光ビーム15を反射させるために、バッファ層
51と基板50との間に金属等の反射性薄膜を設けてもよ
い。この場合も光磁気ディスク13からの反射ビーム15′
は、３つのFGC31,32,33によって光導波路22,29内に取り
込まれる。
上記の構成とする場合には、基板50を透明部材から形成
する必要がない。したがってこの場合は基板50を例えば
ｎタイプのSi基板から形成し、導波している反射ビーム
15′の浸み出し光（エバネッセント光）が上記基板50内
に入射することを防ぐバッファ層51を設け、第７図図示
のようなｐタイプSi層52と電極53を設けてフォトダイオ
ードPD1〜PD5を集積化することが可能となる。このよう
にして集積化されたフォトダイオードPD1〜PD5は、高速
応答が可能であるので特に好ましい。
する必要がない。したがってこの場合は基板50を例えば
ｎタイプのSi基板から形成し、導波している反射ビーム
15′の浸み出し光（エバネッセント光）が上記基板50内
に入射することを防ぐバッファ層51を設け、第７図図示
のようなｐタイプSi層52と電極53を設けてフォトダイオ
ードPD1〜PD5を集積化することが可能となる。このよう
にして集積化されたフォトダイオードPD1〜PD5は、高速
応答が可能であるので特に好ましい。
上記のように本実施例においては、第１の光導波路22の
表面にすべてのフォトダイオードPD1〜PD5が形成されて
いる。そこで第６図に示されるように、第２の光導波路
29のバッファ層28側の表面には、この光導波路29内を集
束しつつ導波している反射ビーム15′を該光導波路29外
に出射させる線状回折格子（Linear Grating Coupler:
以下LGCと称する）55が設けられ、一方第１の光導波路2
2のバッファ層28側の表面にも、上記LGC55に対向する位
置においてLGC56が設けられている。LGC55によって第２
の光導波路29から出射した反射ビーム15′は、上記LGC5
6によって第１の光導波路22内に取り込まれ、フォトダ
イオードPD5によって検出される。フォトダイオードPD1
〜５の平面的な位置関係は、第２図に示す第１実施例に
おけるのと同様である。
表面にすべてのフォトダイオードPD1〜PD5が形成されて
いる。そこで第６図に示されるように、第２の光導波路
29のバッファ層28側の表面には、この光導波路29内を集
束しつつ導波している反射ビーム15′を該光導波路29外
に出射させる線状回折格子（Linear Grating Coupler:
以下LGCと称する）55が設けられ、一方第１の光導波路2
2のバッファ層28側の表面にも、上記LGC55に対向する位
置においてLGC56が設けられている。LGC55によって第２
の光導波路29から出射した反射ビーム15′は、上記LGC5
6によって第１の光導波路22内に取り込まれ、フォトダ
イオードPD5によって検出される。フォトダイオードPD1
〜５の平面的な位置関係は、第２図に示す第１実施例に
おけるのと同様である。
なお、上記の例におけるのとは反対に、第１の光導波路
22から集束しつつある２系統の導波光（反射ビーム1
5′）を出射させて第２の光導波路29内に入射させると
ともに、この第２の光導波路29にすべてのフォトダイオ
ードPD1〜５を設けて、それらによって３系統の導波光
を検出するようにしてもよい。
22から集束しつつある２系統の導波光（反射ビーム1
5′）を出射させて第２の光導波路29内に入射させると
ともに、この第２の光導波路29にすべてのフォトダイオ
ードPD1〜５を設けて、それらによって３系統の導波光
を検出するようにしてもよい。
第８図は本発明の第４実施例によるピックアップを示す
ものである。この実施例においては、半導体レーザ16か
ら発せられた光ビーム15を発散ビームの状態のまま基板
50とバッファ層51の界面において反射させ、光磁気ディ
スク13に向けて進行させるようにしている点が、上記第
３実施例と異なっている。
ものである。この実施例においては、半導体レーザ16か
ら発せられた光ビーム15を発散ビームの状態のまま基板
50とバッファ層51の界面において反射させ、光磁気ディ
スク13に向けて進行させるようにしている点が、上記第
３実施例と異なっている。
次に第９図を参照して本発明の第５実施例について説明
する。この実施例においては、光導波路22,29と対物レ
ンズ18とが１つのヘッド60に固定されて一体化され、こ
のヘッド60がブロック12に対してトラッキング方向およ
びフォーカス方向に移動自在に支持されている。そして
このヘッド60は、トラッキングコイル19、フォーカスコ
イル20によって移動される。つまり本例ではトラッキン
グ制御、フォーカス制御のために、光導波路22,29が対
物レンズ18とともに移動される。このようにすれば、対
物レンズ18のみを移動させる場合のようにトラッキング
制御によって対物レンズ18が光導波路22,29に対してオ
フセットすることが無くなり、トッラキング制御をより
精度良く行なえるようになる。
する。この実施例においては、光導波路22,29と対物レ
ンズ18とが１つのヘッド60に固定されて一体化され、こ
のヘッド60がブロック12に対してトラッキング方向およ
びフォーカス方向に移動自在に支持されている。そして
このヘッド60は、トラッキングコイル19、フォーカスコ
イル20によって移動される。つまり本例ではトラッキン
グ制御、フォーカス制御のために、光導波路22,29が対
物レンズ18とともに移動される。このようにすれば、対
物レンズ18のみを移動させる場合のようにトラッキング
制御によって対物レンズ18が光導波路22,29に対してオ
フセットすることが無くなり、トッラキング制御をより
精度良く行なえるようになる。
なおこの第９図の例においては、基板50とバッファ層51
の界面で反射した光ビーム15を光磁気ディスク13に照射
させるようにしているが、上述のように光導波路22,29
と対物レンズ18を一体的に移動させる場合においても、
光導波路22,29を透過した光ビーム15を光磁気ディスク1
3に照射させることも可能であるし、また光ビームが発
散ビームの状態で光導波路22,29を透過あるいは上記界
面で反射するようにしてもよいことは勿論である。ま
た、半導体レーザ16およびコリメータレンズ17もヘッド
60に固定して、光導波路22,29および対物レンズ18と一
体的に移動させることも可能である。
の界面で反射した光ビーム15を光磁気ディスク13に照射
させるようにしているが、上述のように光導波路22,29
と対物レンズ18を一体的に移動させる場合においても、
光導波路22,29を透過した光ビーム15を光磁気ディスク1
3に照射させることも可能であるし、また光ビームが発
散ビームの状態で光導波路22,29を透過あるいは上記界
面で反射するようにしてもよいことは勿論である。ま
た、半導体レーザ16およびコリメータレンズ17もヘッド
60に固定して、光導波路22,29および対物レンズ18と一
体的に移動させることも可能である。
次に、第10図を参照して本発明の第６実施例について説
明する。この実施例においては、第１実施例におけるの
と同様に第１の光導波路22は透明基板23上に形成され、
また第１および第２の光検出器24,25を構成するフォト
ダイオードPD1,2およびPD3,4は、光導波路22の端面22b
を研磨した上でその上に密着固定されている。一方第２
の光導波路29は、上記基板23とは別の透明基板70上に形
成され、フォトダイオードPD5もこの光導波路29の端面2
9bに結合されている。そして第1,第２の光導波路22,29
は、第1,第２のPGC31,32と第３のPGC33とが互いに重な
るようにして一体化されている。以上述べた点以外、本
実施例装置は第１実施例装置と同様に形成されている。
明する。この実施例においては、第１実施例におけるの
と同様に第１の光導波路22は透明基板23上に形成され、
また第１および第２の光検出器24,25を構成するフォト
ダイオードPD1,2およびPD3,4は、光導波路22の端面22b
を研磨した上でその上に密着固定されている。一方第２
の光導波路29は、上記基板23とは別の透明基板70上に形
成され、フォトダイオードPD5もこの光導波路29の端面2
9bに結合されている。そして第1,第２の光導波路22,29
は、第1,第２のPGC31,32と第３のPGC33とが互いに重な
るようにして一体化されている。以上述べた点以外、本
実施例装置は第１実施例装置と同様に形成されている。
上述のように第1,第２の光導波路22,29を別々の基板上
に形成してから重ね合わせても、共通基板上に両光導波
路22,29を積層する場合と同様の効果が得られる。な
お、先に述べた第２〜５実施例のようにピックアップを
構成する場合においても、上述のように第1,第２の光導
波路22,29を別々の基板上に形成しうることは勿論であ
る。
に形成してから重ね合わせても、共通基板上に両光導波
路22,29を積層する場合と同様の効果が得られる。な
お、先に述べた第２〜５実施例のようにピックアップを
構成する場合においても、上述のように第1,第２の光導
波路22,29を別々の基板上に形成しうることは勿論であ
る。
以上説明した６つの実施例においては、第1,第2,第３の
光検出器24,25,26が光導波路22,29の表面22a,29aに装荷
あるいは集積化され、さらには端面22b,29bに結合され
ているが、これらの光検出器24,25,26はその他の形態で
光導波路22,29に取り付けることも可能である。すなわ
ち例えば第12図に示すように、光導波路29の表面29aに
近接させて光検出器24,25,26を配置することもできる。
この場合は先に第３実施例で説明したようにして、光導
波路22内を導波する導波光をそこから出射させて第２の
光導波路29内に取り込むようにすればよい。またこのよ
うに光導波路29の表面29aに光検出器24,25,26を近接さ
せて配置する場合、第13図図示のように、光導波路29の
表面29aに反射ビーム15′（導波光）を光導波路29外に
出射させる回折格子80を設けて、光検出器24,25,26の受
光効率を高めることも可能である。
光検出器24,25,26が光導波路22,29の表面22a,29aに装荷
あるいは集積化され、さらには端面22b,29bに結合され
ているが、これらの光検出器24,25,26はその他の形態で
光導波路22,29に取り付けることも可能である。すなわ
ち例えば第12図に示すように、光導波路29の表面29aに
近接させて光検出器24,25,26を配置することもできる。
この場合は先に第３実施例で説明したようにして、光導
波路22内を導波する導波光をそこから出射させて第２の
光導波路29内に取り込むようにすればよい。またこのよ
うに光導波路29の表面29aに光検出器24,25,26を近接さ
せて配置する場合、第13図図示のように、光導波路29の
表面29aに反射ビーム15′（導波光）を光導波路29外に
出射させる回折格子80を設けて、光検出器24,25,26の受
光効率を高めることも可能である。
またPGC31,32,33は、先に述べた製造方法に限らず、公
知のフォトリソ法、ホログラフィック転写法等によりす
べてプレーナ技術で形成可能であり、容易に大量複製可
能である。
知のフォトリソ法、ホログラフィック転写法等によりす
べてプレーナ技術で形成可能であり、容易に大量複製可
能である。
（発明の効果） 以上詳細に説明した通り本発明の光磁気記録媒体用ピッ
クアップにおいては、従来のピックアップにおいてビー
ムスプリッタ、レンズ、プリズム、ハーフミラーおよび
検光子等の光学素子が果たしていた作用が光導波路上に
形成した集光性回折格子によって得られるようになって
いる。したがって本発明のピックアップは、部品点数が
極めて少なく小形軽量に形成されるので、従来装置に比
べて大幅なコストダウンが可能となり、またアクセスタ
イムの短縮も可能となる。
クアップにおいては、従来のピックアップにおいてビー
ムスプリッタ、レンズ、プリズム、ハーフミラーおよび
検光子等の光学素子が果たしていた作用が光導波路上に
形成した集光性回折格子によって得られるようになって
いる。したがって本発明のピックアップは、部品点数が
極めて少なく小形軽量に形成されるので、従来装置に比
べて大幅なコストダウンが可能となり、またアクセスタ
イムの短縮も可能となる。
そして本発明のピックアップは、その主要部分がプレー
ナ技術により容易に大量生産されうるので、この点から
も大幅なコストダウンを実現できるものとなる。
ナ技術により容易に大量生産されうるので、この点から
も大幅なコストダウンを実現できるものとなる。
また本発明のピックアップにおいては、上記のような光
学素子の位置調整は勿論不要であり、また光導波路に光
検出器を結合したことにより光学素子と光検出器との位
置調整も不要であり、この点でもコストダウンが達成さ
れる。
学素子の位置調整は勿論不要であり、また光導波路に光
検出器を結合したことにより光学素子と光検出器との位
置調整も不要であり、この点でもコストダウンが達成さ
れる。
さらに本発明のピックアップにおいては、第1,第２の集
光性回折格子と第３の集光性回折格子を互いに重なるよ
うに配置しているので、光利用効率が高められ、よって
消費電力を低く抑える効果も得られる。
光性回折格子と第３の集光性回折格子を互いに重なるよ
うに配置しているので、光利用効率が高められ、よって
消費電力を低く抑える効果も得られる。
第１図は本発明の第１実施例装置を示す側面図、 第２図は上記第１実施例装置の光導波路の平面形状と電
気回路を示す概略図、 第３図は上記第１実施例装置の第１の光導波路を示す部
分平面図、 第４図は上記第１実施例装置の光検出器を詳しく示す側
面図、 第５および６図はそれぞれ、本発明の第２実施例装置、
第３実施例装置を示す側面図、 第７図は上記第３実施例装置の光検出器を詳しく示す側
面図、 第8,9および10図はそれぞれ、本発明の第4,5および６実
施例装置を示す側面図、 第11図は本発明に係る反射ビーム直線偏光面角度と、集
光性回折格子により光導波路内に取り込まれる光量との
関係を示すグラフ、 第12および13図はそれぞれ、本発明装置に用いられる光
検出器の他の例を示す側面図である。 13…光磁気ディスク、14…ディスクの反射面 15…光ビーム、15′…反射ビーム 16…半導体レーザ、17…コリメータレンズ 18…対物レンズ、19…トラッキングコイル 20…フォーカスコイル、22…第１の光導波路 22a…第１の光導波路の表面 22b…第１の光導波路の端面 23,50,70…基板、24…第１の光検出器 25…第２の光検出器、26…第３の光検出器 28,51…バッファ層、29…第２の光導波路 29a…第２の光導波路の表面 29b…第２の光導波路の端面 31…第１のFGC、32…第２のFGC 33…第３のFGC 34,35,36,37,38…加算アンプ 39,40,41…差動アンプ、42…読取回路 43…フォーカスコイル駆動制御回路 44…トラッキングコイル駆動制御回路 60…ヘッド、PD1〜５…フォトダイオード
気回路を示す概略図、 第３図は上記第１実施例装置の第１の光導波路を示す部
分平面図、 第４図は上記第１実施例装置の光検出器を詳しく示す側
面図、 第５および６図はそれぞれ、本発明の第２実施例装置、
第３実施例装置を示す側面図、 第７図は上記第３実施例装置の光検出器を詳しく示す側
面図、 第8,9および10図はそれぞれ、本発明の第4,5および６実
施例装置を示す側面図、 第11図は本発明に係る反射ビーム直線偏光面角度と、集
光性回折格子により光導波路内に取り込まれる光量との
関係を示すグラフ、 第12および13図はそれぞれ、本発明装置に用いられる光
検出器の他の例を示す側面図である。 13…光磁気ディスク、14…ディスクの反射面 15…光ビーム、15′…反射ビーム 16…半導体レーザ、17…コリメータレンズ 18…対物レンズ、19…トラッキングコイル 20…フォーカスコイル、22…第１の光導波路 22a…第１の光導波路の表面 22b…第１の光導波路の端面 23,50,70…基板、24…第１の光検出器 25…第２の光検出器、26…第３の光検出器 28,51…バッファ層、29…第２の光導波路 29a…第２の光導波路の表面 29b…第２の光導波路の端面 31…第１のFGC、32…第２のFGC 33…第３のFGC 34,35,36,37,38…加算アンプ 39,40,41…差動アンプ、42…読取回路 43…フォーカスコイル駆動制御回路 44…トラッキングコイル駆動制御回路 60…ヘッド、PD1〜５…フォトダイオード
Claims (10)
- 【請求項１】光磁気記録媒体の表面に直線偏光した光ビ
ームを照射する光源と、 前記光ビームを前記光磁気記録媒体の反射面上で集束さ
せる対物レンズと、 互いに重なる状態に一体化され、前記光磁気記録媒体で
反射した反射ビームを一表面で受ける向きに配置された
第１および第２の光導波路と、 この第１の光導波路の表面の反射ビーム照射位置におい
て、該ビームの略中心を通りかつ該表面上をトラッキン
グ方向に略直角に延びる軸をはさんで並設され、それぞ
れがTE、TMいずれか一方の導波モードを励振して前記反
射ビームを該第１の光導波路内に入射させるとともに、
この光導波路内を互いに等しい導波モードで導波する反
射ビームを前記軸をはさんで互いに離れた位置に各々集
束させる第1,第２の集光性回折格子と、 前記第２の光導波路の表面の反射ビーム照射位置におい
て前記第１および第２の集光性回折格子と重なる状態に
設けられ、これらの回折格子による導波モードとは異な
る導波モードを励振して前記反射ビームを該第２の光導
波路内に入射させ、集束させる第３の集光性回折格子
と、 前記第１または第２の光導波路の表面あるいは端面に取
り付けられ、前記第1,第２および第３の集光性回折格子
により集束された各反射ビームを検出する第1,第２およ
び第３の光検出器と、 前記第１および第２の光検出器の出力に基づいてトラッ
キングエラーとフォーカスエラー検出を行なうエラー検
出回路と、 前記第１および／または第２の光検出器の出力と、前記
第３の光検出器の出力との差に基づいて、前記記録媒体
に記録された情報を検出する差動検出回路とからなる光
磁気記録媒体用ピックアップ。 - 【請求項２】前記第1,第２の光導波路が、互いに透明な
バッファ層を介して共通の基板上に形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒
体用ピックアップ。 - 【請求項３】前記第1,第２の光導波路がそれぞれ別個の
基板上に形成され、両光導波路の間に位置する基板が透
明基板とされていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の光磁気記録媒体用ピックアップ。 - 【請求項４】前記軸と反射ビームの中心軸とを含む面
と、反射ビームの偏光方向が略45°傾くように、前記第
１および第２の光導波路が配置されていることを特徴と
する特許請求の範囲第１項から第３項いずれか１項記載
の光磁気記録媒体用ピックアップ。 - 【請求項５】前記第1,第２の光検出器がそれぞれ、トラ
ッキングエラー検出、フォーカスエラー検出をそれぞれ
プッシュプル法，フーコー法で行なえるように、前記軸
と略平行に延びるギャップで分割された２分割光検出器
からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第
４項いずれか１項記載の光磁気記録媒体用ピックアッ
プ。 - 【請求項６】前記第１および第２の光導波路の基板が透
明部材からなり、これの光導波路が前記光源と対物レン
ズとの間に配置されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項から第５項いずれか１項記載の光磁気記録媒
体用ピックアップ。 - 【請求項７】前記第１または第２の光導波路と基板との
間にバッファ層が設けられ、該光導波路が、前記光源か
ら発せられた光ビームを前記バッファ層と基板の界面に
おいて反射させて、前記光磁気記録媒体に向けて進行さ
せるように配置されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項から第５項いずれか１項記載の光磁気記録媒
体用ピックアップ。 - 【請求項８】前記第1,第２の光導波路と対物レンズとが
互いに独立して配設され、該対物レンズのみがトラッキ
ング制御およびフォーカス制御のために移動されるよう
になっていることを特徴とする特許請求の範囲第１項か
ら第７項いずれか１項記載の光磁気記録媒体用ピックア
ップ。 - 【請求項９】前記第1,第２の光導波路が前記対物レンズ
と一体化され、トラッキング制御およびフォーカス制御
のために該対物レンズとともに移動されるようになって
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項から第７項
いずれか１項記載の光磁気記録媒体用ピックアップ。 - 【請求項１０】前記第１および第２の光導波路の表面
に、これらのうちの一方の光導波路内を導波している前
記反射ビームを該光導波路から出射させて他方の光導波
路内に入射させる回折格子がそれぞれ設けられ、前記第
1,2および３の光検出器がすべてこの他方の光導波路の
表面あるいは端面に取り付けられていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項から第９項いずれか１項記載の
光磁気記録媒体用ピックアップ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62096718A JPH0675309B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 光磁気記録媒体用ピツクアツプ |
| DE8888106320T DE3879996T2 (de) | 1987-04-20 | 1988-04-20 | Aufnahmekopf fuer magnetooptischen aufzeichnungstraeger. |
| EP88106320A EP0288033B1 (en) | 1987-04-20 | 1988-04-20 | Pickup apparatus for magneto-optical recording medium |
| US07/183,878 US4868803A (en) | 1987-04-20 | 1988-04-20 | Magneto-optic pickup head including tracking and focusing error correction |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62096718A JPH0675309B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 光磁気記録媒体用ピツクアツプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63261557A JPS63261557A (ja) | 1988-10-28 |
| JPH0675309B2 true JPH0675309B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=14172522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62096718A Expired - Fee Related JPH0675309B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 光磁気記録媒体用ピツクアツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675309B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07287883A (ja) * | 1994-04-19 | 1995-10-31 | Victor Co Of Japan Ltd | 光集積回路 |
| DE69941132D1 (de) | 1999-05-31 | 2009-08-27 | Fujitsu Ltd | Vorrichtung |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP62096718A patent/JPH0675309B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63261557A (ja) | 1988-10-28 |
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