JPH0622100B2 - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
- Publication number
- JPH0622100B2 JPH0622100B2 JP57178422A JP17842282A JPH0622100B2 JP H0622100 B2 JPH0622100 B2 JP H0622100B2 JP 57178422 A JP57178422 A JP 57178422A JP 17842282 A JP17842282 A JP 17842282A JP H0622100 B2 JPH0622100 B2 JP H0622100B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porous
- image pickup
- film
- photoconductive
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、光導電形の撮像管に関するもである。
この種の撮像管は、撮像面に対向してカソード側にメツ
シユ電極を備えたものが多い。このメツシユ電極にはカ
ソードから撮像面に向かう電子線の一部や撮像面にラン
デイングせずに反射した電子線等が射突し、その結果、
電極印加電圧にもよるがＸ線を発生する。特に、高解像
度を得ようとしてメツシユ電極への印加電圧を１０００
〜１６００Ｖ程度まで高くした場合にはこの現象が著し
い。
シユ電極を備えたものが多い。このメツシユ電極にはカ
ソードから撮像面に向かう電子線の一部や撮像面にラン
デイングせずに反射した電子線等が射突し、その結果、
電極印加電圧にもよるがＸ線を発生する。特に、高解像
度を得ようとしてメツシユ電極への印加電圧を１０００
〜１６００Ｖ程度まで高くした場合にはこの現象が著し
い。
これらのＸ線のうち、特に撮像面で反射した電子線等に
よつて発生するものは、中間の吸収層がないため、撮像
面が放射線損傷を受けて暗電流や光導電特性が変化して
しまうことが多い。特にＳｉを主成分とした阻止形撮像
面ではこの傾向が大きい。
よつて発生するものは、中間の吸収層がないため、撮像
面が放射線損傷を受けて暗電流や光導電特性が変化して
しまうことが多い。特にＳｉを主成分とした阻止形撮像
面ではこの傾向が大きい。
そこで、撮像面の電子線入射側表面に光導電現像とは直
接関係がなくかつ電子のランデイングを妨げない電子反
射率の低い材料，組織からなる層（ビームランデイング
層）を形成することが行なわれている。例えば最も広く
用いられているものとしては、低真空雰囲気でやゝ多孔
質性に形成したSb2S3がある。
接関係がなくかつ電子のランデイングを妨げない電子反
射率の低い材料，組織からなる層（ビームランデイング
層）を形成することが行なわれている。例えば最も広く
用いられているものとしては、低真空雰囲気でやゝ多孔
質性に形成したSb2S3がある。
しかしながらこのSb2S3は、Ｘ線の遮断率が十分に高く
ないため、相当量のＸ線が遮断されずに内部の光導電部
に到達してしまう。
ないため、相当量のＸ線が遮断されずに内部の光導電部
に到達してしまう。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであ
り、その目的は、メツシユ電極で発生したＸ線が撮像面
を形成する光導電部に侵入して光電変換および暗抵抗特
性を変化させるのを有効に防ぐことが可能な撮像管を提
供すること、にある。
り、その目的は、メツシユ電極で発生したＸ線が撮像面
を形成する光導電部に侵入して光電変換および暗抵抗特
性を変化させるのを有効に防ぐことが可能な撮像管を提
供すること、にある。
このような目的を達成するために、本発明は、特にＳｉ
を主成分とした光導電面からなる撮像管において電子線
入射側表面に多孔質Ba化合物層からなる軟Ｘ線阻止層を
備えた光導電面を用いたもの、およびそのような撮像管
の製造方法としてBaAl4を蒸発源としてガス雰囲気中で
分解分溜蒸着することにより光導電膜上に多孔質Ba化合
物層を形成するものである。
を主成分とした光導電面からなる撮像管において電子線
入射側表面に多孔質Ba化合物層からなる軟Ｘ線阻止層を
備えた光導電面を用いたもの、およびそのような撮像管
の製造方法としてBaAl4を蒸発源としてガス雰囲気中で
分解分溜蒸着することにより光導電膜上に多孔質Ba化合
物層を形成するものである。
すなわち、本発明は、１５００Ｖ程度で発生する超軟Ｘ
線の透過率の低いビームランデイング層として多孔質Ba
化合物層を設けることを特徴とする。同様の目的を達成
する材料としては他にも例えばPbOやPbS等があるが、こ
れは空気中できわめて不安定であるため取扱いがむずか
しく、生産性が低い。同様に金属Baも軟Ｘ線吸収作用が
大きいが、空気中で不安定であり実際上Baのままで利用
することは困難である。
線の透過率の低いビームランデイング層として多孔質Ba
化合物層を設けることを特徴とする。同様の目的を達成
する材料としては他にも例えばPbOやPbS等があるが、こ
れは空気中できわめて不安定であるため取扱いがむずか
しく、生産性が低い。同様に金属Baも軟Ｘ線吸収作用が
大きいが、空気中で不安定であり実際上Baのままで利用
することは困難である。
一般に、上述したようなビームランデイング層には各種
の条件を満足することが要求される。すなわち、先ず多
孔質であること。これは、ち密で平坦な表面では電子線
の反射率が大きくなることからきわめて重要である。ま
た、電子が光導電部まで侵入しないようにそれ自体導電
性を有すること、および当然のことながら２次電子放射
率が小さいこと、さらにそれ自体光導電性は持たないこ
と電気抵抗値が、撮像面用として充分高いこと等が望ま
れる。多孔質Ba化合物として酸化物，硫化物等はこれら
の条件を満足し、望ましいビームランデイング層を形成
することが可能である。また、この場合多孔質Ba化合物
層は、300〜8000Å程度、より一般的には800〜1500Å程
度の厚みに形成すればよい。
の条件を満足することが要求される。すなわち、先ず多
孔質であること。これは、ち密で平坦な表面では電子線
の反射率が大きくなることからきわめて重要である。ま
た、電子が光導電部まで侵入しないようにそれ自体導電
性を有すること、および当然のことながら２次電子放射
率が小さいこと、さらにそれ自体光導電性は持たないこ
と電気抵抗値が、撮像面用として充分高いこと等が望ま
れる。多孔質Ba化合物として酸化物，硫化物等はこれら
の条件を満足し、望ましいビームランデイング層を形成
することが可能である。また、この場合多孔質Ba化合物
層は、300〜8000Å程度、より一般的には800〜1500Å程
度の厚みに形成すればよい。
光導電面上に、このような多孔質Ba化合物層を形成する
際に各種条件の限定理由等につき、以下実施例を用いて
説明する。
際に各種条件の限定理由等につき、以下実施例を用いて
説明する。
先ず、このような薄膜を形成する方法として真空蒸着法
によることはごく一般的であるが、この場合BaO,BaS,Ba
CO3およびそれらの混合体などの高抵抗Ba化合物膜を形
成するのに蒸発源としてこれらの化合物自体を用いるこ
とは例えばBaOの如く高融点であり多孔性蒸着困難であ
つたり、硫化物，塩酸塩などは真空加熱で分解してしま
つたりするので成膜が困難である。また、金属Baはそれ
自体蒸発し易いが、先に述べたように空気中では不安定
で取扱い中に酸素に触れてBaO化してしまうため上述し
たと同様の問題が生じる。これに対し、BaAl4は通常ゲ
ツター材として用いられるもので空気中できわめて安定
である。しかも、これを蒸発源とするとき、はじめにBa
が分解して蒸発、次いでAlが蒸発するため、この差を利
用してBaのみを分解分溜蒸着することができる。
によることはごく一般的であるが、この場合BaO,BaS,Ba
CO3およびそれらの混合体などの高抵抗Ba化合物膜を形
成するのに蒸発源としてこれらの化合物自体を用いるこ
とは例えばBaOの如く高融点であり多孔性蒸着困難であ
つたり、硫化物，塩酸塩などは真空加熱で分解してしま
つたりするので成膜が困難である。また、金属Baはそれ
自体蒸発し易いが、先に述べたように空気中では不安定
で取扱い中に酸素に触れてBaO化してしまうため上述し
たと同様の問題が生じる。これに対し、BaAl4は通常ゲ
ツター材として用いられるもので空気中できわめて安定
である。しかも、これを蒸発源とするとき、はじめにBa
が分解して蒸発、次いでAlが蒸発するため、この差を利
用してBaのみを分解分溜蒸着することができる。
したがつて、この蒸着を酸素ガス雰囲気中で行なうこと
により、BaO膜が形成できる。この場合酸素ガス雰囲気
の気圧は５×10-4〜１×10-1torr程度が適当である。
により、BaO膜が形成できる。この場合酸素ガス雰囲気
の気圧は５×10-4〜１×10-1torr程度が適当である。
これに対し、上記蒸着は例えばアルゴンガス等の不活性
ガス中で行ない、Ba膜を形成した後に酸化してBaO膜と
する方法を用いてもよい。この場合、Ba膜を蒸着形成後
に蒸着装置内に酸素を導入して酸化してもよいことは勿
論であるが、Ba膜形成後単に空気中に放置するのみでよ
い。
ガス中で行ない、Ba膜を形成した後に酸化してBaO膜と
する方法を用いてもよい。この場合、Ba膜を蒸着形成後
に蒸着装置内に酸素を導入して酸化してもよいことは勿
論であるが、Ba膜形成後単に空気中に放置するのみでよ
い。
また、酸素もしくは空気に限らず、H2S,SO2，ＣO2など
の気体またはその混合体、またはその稀釈体ガスを用い
ることによりBaOに限らずBaS，BaSO3，BaCO3またはこれ
ら複塩などBa化合物からなる多孔質膜を形成できる。上
記複塩からなる多孔質膜を形成する場合には、各ガスの
濃度や速度を変えることにより成分比を変えることがで
きる。
の気体またはその混合体、またはその稀釈体ガスを用い
ることによりBaOに限らずBaS，BaSO3，BaCO3またはこれ
ら複塩などBa化合物からなる多孔質膜を形成できる。上
記複塩からなる多孔質膜を形成する場合には、各ガスの
濃度や速度を変えることにより成分比を変えることがで
きる。
このようなガス体との反応によつてBa化合物膜は十分に
多孔質化するので、必ずしも膜厚制御のむずかしい低真
空中での多孔質蒸着法を用いることなく、容易に多孔質
のBa化合物膜を得ることができる。
多孔質化するので、必ずしも膜厚制御のむずかしい低真
空中での多孔質蒸着法を用いることなく、容易に多孔質
のBa化合物膜を得ることができる。
因に、BaO薄膜の形成方法としてはスパツタリング法も
広く用いられているが、この場合形成されるBaO膜はち
密で電子反射率が大きくなるために不適当である。
広く用いられているが、この場合形成されるBaO膜はち
密で電子反射率が大きくなるために不適当である。
なお、BaOは、従来ビームランデイング層に用いられて
いるSb2S3等に比較して抵抗がやや高い。このため、こ
れらのSb2S3，Sb2Se3その他の物質を抵抗減少用添加物
として併用することは有益である。
いるSb2S3等に比較して抵抗がやや高い。このため、こ
れらのSb2S3，Sb2Se3その他の物質を抵抗減少用添加物
として併用することは有益である。
以上説明したように、本発明によれば、電子線入射側表
面に多孔質Ba化合物層からなる軟Ｘ線阻止層を備えた高
導電面を用いたことにより、メツシユ電極で発生するＸ
線が光導電部に侵入するのを有効に阻止することがで
き、撮像面の光電変換および暗抵抗特性の変化を防止す
ることができる。また、BaAl4を蒸発源としてガス雰囲
気中で分解分溜蒸着することによりこのような多孔質Ba
化合物層を容易に形成することができる。
面に多孔質Ba化合物層からなる軟Ｘ線阻止層を備えた高
導電面を用いたことにより、メツシユ電極で発生するＸ
線が光導電部に侵入するのを有効に阻止することがで
き、撮像面の光電変換および暗抵抗特性の変化を防止す
ることができる。また、BaAl4を蒸発源としてガス雰囲
気中で分解分溜蒸着することによりこのような多孔質Ba
化合物層を容易に形成することができる。
Claims (1)
- 【請求項１】Ｓｉを主成分とした光導電面からなる撮像
面と、この撮像面に対向して電子線入射側に配置したメ
ッシュ電極とを備えた撮像管において、光導電面の電子
線入射側表面に多孔質Ｂａ化合物からなる軟Ｘ線阻止層
を設けたことを特徴とする撮像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178422A JPH0622100B2 (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 撮像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178422A JPH0622100B2 (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 撮像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5968152A JPS5968152A (ja) | 1984-04-18 |
| JPH0622100B2 true JPH0622100B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=16048220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57178422A Expired - Lifetime JPH0622100B2 (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 撮像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622100B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49129427A (ja) * | 1973-04-11 | 1974-12-11 | ||
| JPS5488720A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-14 | Sony Corp | Image pick up tube unit |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP57178422A patent/JPH0622100B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5968152A (ja) | 1984-04-18 |
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