JPS5968152A - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
- Publication number
- JPS5968152A JPS5968152A JP17842282A JP17842282A JPS5968152A JP S5968152 A JPS5968152 A JP S5968152A JP 17842282 A JP17842282 A JP 17842282A JP 17842282 A JP17842282 A JP 17842282A JP S5968152 A JPS5968152 A JP S5968152A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porous
- layer
- compound
- photoelectrically
- soft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/39—Charge-storage screens
- H01J29/45—Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、光導電形の撮像管およびその製造方法に関す
るものである。
るものである。
この種の撮像管は、撮像面に対向してカソード側にメツ
シュ電極を備えだものが多い。このメツシュ電極にはカ
ソードから撮像面に向かう電子線の一部や撮像面にラン
ディングせずに反射した電子線等が射突し、その結果、
電極印加電圧にもよるがＸ＠を発生する。特に、高解像
度を得ようとしてメツシュ電極への印加電圧を１０００
〜１６００Ｖ程度まで高くした場合にはこの現象が著し
い。
シュ電極を備えだものが多い。このメツシュ電極にはカ
ソードから撮像面に向かう電子線の一部や撮像面にラン
ディングせずに反射した電子線等が射突し、その結果、
電極印加電圧にもよるがＸ＠を発生する。特に、高解像
度を得ようとしてメツシュ電極への印加電圧を１０００
〜１６００Ｖ程度まで高くした場合にはこの現象が著し
い。
これらのＸ線のうち、特に撮像面で反射した電子線等に
よって発生するものは、葎帥姉抽胃姐←プ手放射七モ久
中間の吸収層がないため、撮像面が放射線損傷を受けて
暗電流や光導電特性が変化してしまうことが多い。特に
Ｓｔを主成分とした阻止形撮像面ではこの傾向が大きい
。
よって発生するものは、葎帥姉抽胃姐←プ手放射七モ久
中間の吸収層がないため、撮像面が放射線損傷を受けて
暗電流や光導電特性が変化してしまうことが多い。特に
Ｓｔを主成分とした阻止形撮像面ではこの傾向が大きい
。
そこで、撮像面の電子線入射側表面に光導電現像とは直
接関係がなくかつ電子のランディングを妨げない電子反
射率の低い材料１組織からなる層（ビームランディング
層）を形成することが行なわれている。例えば最も広く
用いられているものとしては、低真空雰囲気でや＼多孔
質性に形成したｓｂ、ｓ３がある。
接関係がなくかつ電子のランディングを妨げない電子反
射率の低い材料１組織からなる層（ビームランディング
層）を形成することが行なわれている。例えば最も広く
用いられているものとしては、低真空雰囲気でや＼多孔
質性に形成したｓｂ、ｓ３がある。
しかしながらこの５ｂｔｓ３は、Ｘ線の遮断率が十分に
高くないため、相当量のＸ線が遮断されずに内部の光導
電部に到達してしまう。
高くないため、相当量のＸ線が遮断されずに内部の光導
電部に到達してしまう。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり
、その目的は、メツシュ電極で発生したＸ線が撮像面を
形成する光導電部に侵入して光電変換および暗抵抗特性
を変化させるのを有効に防ぐことが可能な撮像管を提供
すること、およびこのような撮像管を容易に製造するこ
とが可能な撮像管の製造方法を提供することにある。
、その目的は、メツシュ電極で発生したＸ線が撮像面を
形成する光導電部に侵入して光電変換および暗抵抗特性
を変化させるのを有効に防ぐことが可能な撮像管を提供
すること、およびこのような撮像管を容易に製造するこ
とが可能な撮像管の製造方法を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、撮像管に
おいて電子線入射側表面に多孔質Ｂａ化合物層からなる
軟Ｘ線阻止層を備えた光導電面を用いたもの、およびそ
のような撮像管の製造方法としてＢａＡ７４を蒸発源と
してガス雰囲気中で分解分溜蒸着することによシ光導電
膜上に多孔質Ｂａ化合物層を形成するものである。
おいて電子線入射側表面に多孔質Ｂａ化合物層からなる
軟Ｘ線阻止層を備えた光導電面を用いたもの、およびそ
のような撮像管の製造方法としてＢａＡ７４を蒸発源と
してガス雰囲気中で分解分溜蒸着することによシ光導電
膜上に多孔質Ｂａ化合物層を形成するものである。
すなわち、本発明は、１５００Ｖ程度で発生する超軟Ｘ
線の透過率の低いビームランディング層として多孔質Ｂ
ａ化合物層を設けることを特徴とする。同様の目的を達
成する材料としては他にも例えばｐｂｏやｐｂｓ等があ
るが、これらは空気中できわめて不安定であるだめ取扱
いがむずかしく、生産性が低い。同様に金属Ｂａも軟Ｘ
線吸収作用が太きいが、空気中で不安定であ如実際上Ｂ
ａのままで利用することは困難である。
線の透過率の低いビームランディング層として多孔質Ｂ
ａ化合物層を設けることを特徴とする。同様の目的を達
成する材料としては他にも例えばｐｂｏやｐｂｓ等があ
るが、これらは空気中できわめて不安定であるだめ取扱
いがむずかしく、生産性が低い。同様に金属Ｂａも軟Ｘ
線吸収作用が太きいが、空気中で不安定であ如実際上Ｂ
ａのままで利用することは困難である。
一般に、上述したようなビームランディング層には各種
の条件を満足することが要求される。すなわち、先ず多
孔質であること。これは、ち密で平坦な表面では電子線
の反射率が大きくなることからきわめて重要である。ま
た、電子が光導電部まで侵入しないようにそれ自体導電
性を有すること、および当然のことながら２次電子放射
率が小さいこと、さらにそれ自体光導電性は持たないこ
と電気抵抗値が、撮像面用として充分高いこと等が望ま
れる。多孔質Ｂａ化合物として酸化物、硫化物等はこれ
らの条件を満足し、望ましいビームランデ４７７層を形
成することが可能である。また、この場合多孔質Ｂａ化
合物層は、３００〜８０００Ａ程度、よシ一般的には８
００〜１５００Ａ程度の厚みに形成すればよい。
の条件を満足することが要求される。すなわち、先ず多
孔質であること。これは、ち密で平坦な表面では電子線
の反射率が大きくなることからきわめて重要である。ま
た、電子が光導電部まで侵入しないようにそれ自体導電
性を有すること、および当然のことながら２次電子放射
率が小さいこと、さらにそれ自体光導電性は持たないこ
と電気抵抗値が、撮像面用として充分高いこと等が望ま
れる。多孔質Ｂａ化合物として酸化物、硫化物等はこれ
らの条件を満足し、望ましいビームランデ４７７層を形
成することが可能である。また、この場合多孔質Ｂａ化
合物層は、３００〜８０００Ａ程度、よシ一般的には８
００〜１５００Ａ程度の厚みに形成すればよい。
光導電面上に、このような多孔質Ｂａ化合物層を形成す
る際の各種条件の限定理由等につき、以下実施例を用い
て説明する。
る際の各種条件の限定理由等につき、以下実施例を用い
て説明する。
先ず、このような薄膜を形成する方法として真空蒸着法
によることはごく一般的であるが、この場合ＢａＯ，Ｈ
ａｓ、ＢａＣＯ３およびそれらの混合体などの高抵抗Ｂ
ａ化合物膜を形成するのに蒸発源としてこれらの化合物
自体を用いることは例えばＢａＯの如く高融点であり多
孔性蒸着困難であったシ、硫化物、炭酸塩などは真空加
熱で分解してしまったシするので成膜が困難である。ま
た、金属Ｂ＆はそれ自体蒸発し易いが、先に述べたよう
に空気中では不安定で取扱い中に酸素に触れてＢａＯ化
してしまうため上述したと同様の問題が生じる。これに
対し、ＢａＡｌ４は通常ゲッター材として用いられるも
ので空気中できわめて安定である。しかも、これを蒸発
源とするとき、はじめにＢａが分解して蒸発し、次いで
Ａｌが蒸発するため、この差を利用してＢａのみを分解
分溜蒸着することができる。
によることはごく一般的であるが、この場合ＢａＯ，Ｈ
ａｓ、ＢａＣＯ３およびそれらの混合体などの高抵抗Ｂ
ａ化合物膜を形成するのに蒸発源としてこれらの化合物
自体を用いることは例えばＢａＯの如く高融点であり多
孔性蒸着困難であったシ、硫化物、炭酸塩などは真空加
熱で分解してしまったシするので成膜が困難である。ま
た、金属Ｂ＆はそれ自体蒸発し易いが、先に述べたよう
に空気中では不安定で取扱い中に酸素に触れてＢａＯ化
してしまうため上述したと同様の問題が生じる。これに
対し、ＢａＡｌ４は通常ゲッター材として用いられるも
ので空気中できわめて安定である。しかも、これを蒸発
源とするとき、はじめにＢａが分解して蒸発し、次いで
Ａｌが蒸発するため、この差を利用してＢａのみを分解
分溜蒸着することができる。
したがって、この蒸着を酸素ガス雰囲気中で行なうこと
により、ＢａＯ膜が形成できる。この場合酸素ガス雰囲
気の気圧は５×ｌＯ〜Ｉ Ｘ １０ ｔｏｒｒ程度が
適当である。
により、ＢａＯ膜が形成できる。この場合酸素ガス雰囲
気の気圧は５×ｌＯ〜Ｉ Ｘ １０ ｔｏｒｒ程度が
適当である。
これに対し、上記蒸着は例えばアルゴンガス等の不活性
ガス中で行ない、Ｂａ膜を形成した後に酸化してＢａＯ
膜とする方法を用いてもよい。この場合、Ｂａ膜を蒸着
形成後ゆ着装置内に酸素を導入して酸化してもよいこと
は勿論であるが、Ｂ！１膜形成後単に空気中に放置する
のみでもよい。
ガス中で行ない、Ｂａ膜を形成した後に酸化してＢａＯ
膜とする方法を用いてもよい。この場合、Ｂａ膜を蒸着
形成後ゆ着装置内に酸素を導入して酸化してもよいこと
は勿論であるが、Ｂ！１膜形成後単に空気中に放置する
のみでもよい。
また、酸素もしくは空気に限らず、ＩＩｔＳ、ＳＯ！。
ＣＯ，などの気体またはその混合体、またはその稀釈体
ガスを用いることによＩ） ＢａＯに限らずＢａＳ 。
ガスを用いることによＩ） ＢａＯに限らずＢａＳ 。
Ｂ ａ Ｓ ＯＢ 、Ｂ ａ ＣＯＢまだはこれらの複
塩などＢ＆化合物からなる多孔質膜を形成できる。上記
複塩からなる多孔質膜を形成する場合には、各ガスの濃
度や速度を変えることによシ成分比を変えることができ
る。
塩などＢ＆化合物からなる多孔質膜を形成できる。上記
複塩からなる多孔質膜を形成する場合には、各ガスの濃
度や速度を変えることによシ成分比を変えることができ
る。
このようなガス体との反応によってＢａ化合物膜は十分
に多孔質化するので、必ずしも膜厚制御のむずかしい低
真空中での多孔質蒸着法を用いることなく、容易に多孔
質のＢａ化合物膜を得ることができる。
に多孔質化するので、必ずしも膜厚制御のむずかしい低
真空中での多孔質蒸着法を用いることなく、容易に多孔
質のＢａ化合物膜を得ることができる。
因に、ＢａＯ薄膜の形成方法としてはスパッタリング法
も広く用いられているが、こσ場合形成されるＢａＯ膜
はち密で電子反射率が大きくなるために不適当である。
も広く用いられているが、こσ場合形成されるＢａＯ膜
はち密で電子反射率が大きくなるために不適当である。
なお、Ｂ２Ｏは、従来ビームランディング層に用いられ
ているｓｂ、ｓ５等に比較して抵抗がやや高い。
ているｓｂ、ｓ５等に比較して抵抗がやや高い。
このだめ、これらの５ｂ２Ｓ、１ 、５ｂ１８＋４その
他の物質を抵抗減少用添加物として併用することは有益
である。
他の物質を抵抗減少用添加物として併用することは有益
である。
以上説明したように、本発明によれば、電子線入射側表
面に多孔質Ｂａ化合物層からなる軟Ｘ線阻止層を備えた
光導電面を用いたことにより、メツシュ電極で発生する
Ｘ線が光導電部に侵入するのを有効に阻止することがで
き、撮像面の光電変換および暗抵抗特性の変化を防止す
ることができる。
面に多孔質Ｂａ化合物層からなる軟Ｘ線阻止層を備えた
光導電面を用いたことにより、メツシュ電極で発生する
Ｘ線が光導電部に侵入するのを有効に阻止することがで
き、撮像面の光電変換および暗抵抗特性の変化を防止す
ることができる。
まだ、ＢａＡｌ４を蒸発源としてガス雰囲気中で分解分
溜蒸着するととによ漫このような多孔質Ｂａ化合物層を
容易に形成することができる。
溜蒸着するととによ漫このような多孔質Ｂａ化合物層を
容易に形成することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光導電面からなる撮像面と、との撮像面に対向して
電子線入射側に配置したメツシュ電極とを備えた撮像管
において、光導電面として電子線入射側表面に多孔質Ｂ
ａ化合物からなる軟Ｘ線阻止層を備えた光導電面を設け
たことを特徴とする撮像管。 ２、 ＢａＡ４を蒸発源として不活性ガス雰囲気中で
Ｈ，Ｏ，Ｓｏ、またはその混合体を含む雰囲気で処理し
多孔質層を形成する工程を有する撮像管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178422A JPH0622100B2 (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 撮像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57178422A JPH0622100B2 (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 撮像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5968152A true JPS5968152A (ja) | 1984-04-18 |
| JPH0622100B2 JPH0622100B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=16048220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57178422A Expired - Lifetime JPH0622100B2 (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | 撮像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622100B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49129427A (ja) * | 1973-04-11 | 1974-12-11 | ||
| JPS5488720A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-14 | Sony Corp | Image pick up tube unit |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP57178422A patent/JPH0622100B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49129427A (ja) * | 1973-04-11 | 1974-12-11 | ||
| JPS5488720A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-14 | Sony Corp | Image pick up tube unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0622100B2 (ja) | 1994-03-23 |
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