JPH0622196B2 - レジストパタ−ンの現像制御方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの現像制御方法Info
- Publication number
- JPH0622196B2 JPH0622196B2 JP59073462A JP7346284A JPH0622196B2 JP H0622196 B2 JPH0622196 B2 JP H0622196B2 JP 59073462 A JP59073462 A JP 59073462A JP 7346284 A JP7346284 A JP 7346284A JP H0622196 B2 JPH0622196 B2 JP H0622196B2
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- resist
- development
- resist pattern
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、荷電子線ポジ型レジストの現像制御方法に関
するものである。
するものである。
従来例の構成とその問題点 半導体素子の微細化・高集積化が進むにつれて、高精度
微細レジストパターンの形成が重要になっている。荷電
子線ポジ型レジストの場合、パターン幅は現像によって
制御される。現像の制御方法として、現像時間を一定に
する方法とパターン幅を測定する方法がある。前者の方
法とは、あらかじめ電子顕微鏡などを用いて現像時間と
現像状態の関係を調べ、適正現像時間を決め、一定時間
現像する方法である。荷電子線ポジ型レジストの場合、
現像液に、主として有機溶剤を用いるため、現像温度の
ばらつきに伴なう現像状態のばらつきが大きく、更に、
レジスト膜厚のばらつきによる現像状態のばらつきもあ
り、したがって、この方法では、高精度なレジストパタ
ーンは期待できず、実用的とは言えない。一方、後者の
方法とは、光学的に拡大したレジストパターンの幅を測
定することにより現像制御する方法で、これによると、
寸法測微計による測定精度が不充分であり、とりわけ、
サブミクロンのパターンによると、ほとんど、測定でき
なくなる。
微細レジストパターンの形成が重要になっている。荷電
子線ポジ型レジストの場合、パターン幅は現像によって
制御される。現像の制御方法として、現像時間を一定に
する方法とパターン幅を測定する方法がある。前者の方
法とは、あらかじめ電子顕微鏡などを用いて現像時間と
現像状態の関係を調べ、適正現像時間を決め、一定時間
現像する方法である。荷電子線ポジ型レジストの場合、
現像液に、主として有機溶剤を用いるため、現像温度の
ばらつきに伴なう現像状態のばらつきが大きく、更に、
レジスト膜厚のばらつきによる現像状態のばらつきもあ
り、したがって、この方法では、高精度なレジストパタ
ーンは期待できず、実用的とは言えない。一方、後者の
方法とは、光学的に拡大したレジストパターンの幅を測
定することにより現像制御する方法で、これによると、
寸法測微計による測定精度が不充分であり、とりわけ、
サブミクロンのパターンによると、ほとんど、測定でき
なくなる。
発明の目的 本発明は、これらの問題点を解決し、微細な荷電子ポジ
型レジストパターンを高精度に、しかも容易に形成する
ためのレジストパターンの現像制御方法を提供するもの
である。
型レジストパターンを高精度に、しかも容易に形成する
ためのレジストパターンの現像制御方法を提供するもの
である。
発明の構成 本発明は、基板上に形成した荷電子線ポジ型レジスト
に、荷電子線を用いて、所定パターンを形成する際に、
照射量の異なる複数個のパターンを試料の一部にモニタ
ーパターンとして形成し、モニタパターンの膜減りを観
察することにより、所定パターンのパターン幅を制御す
る方法であり、モニタパターンとして、等比級数的に変
化する照射量のパターンを持ち、その比ｒが ０＜ｒ≦１０0.01−１ で定められることを特徴とするレジストパターンの現像
制御方法であって、本発明を用いることによって、微細
な荷電子線ポジ型レジストパターンを精度よく、しかも
廉価・簡便に形成することが可能となる。
に、荷電子線を用いて、所定パターンを形成する際に、
照射量の異なる複数個のパターンを試料の一部にモニタ
ーパターンとして形成し、モニタパターンの膜減りを観
察することにより、所定パターンのパターン幅を制御す
る方法であり、モニタパターンとして、等比級数的に変
化する照射量のパターンを持ち、その比ｒが ０＜ｒ≦１０0.01−１ で定められることを特徴とするレジストパターンの現像
制御方法であって、本発明を用いることによって、微細
な荷電子線ポジ型レジストパターンを精度よく、しかも
廉価・簡便に形成することが可能となる。
実施例の説明 本発明の実施例を第１図ａ〜ｃ及び第２図に基づいて説
明する。はじめに、第１図ａのように、基板１上に、Ｐ
ＭＭＡ（ポリ・メチル・メタ・アクリレート）２を形成
する。つぎに、第１図ｂのように、２０ＫｅＶの電子線
を用いて、６４μc/cm2の露光量で所定パターン３をＰ
ＭＭＡ２の上に形成するとともに、ＰＭＭＡ２の一部
に、露光量が、１０μc/cm2から１００μc/cm2またとえ
ば、０＜ｒ≦１０0.01−１で表わされる等比級数ｒにし
たがって、等比級数的に異なる１００個の５０μｍ□の
パターン４をモニタとして形成する。次に、あらかじ
め、電子顕微鏡の断面観察により求めたレジストパター
ン幅とモニタパターンの膜減りの関係を基に、第１図ｃ
のように、モニタパターン４のうち所定露光量以上のパ
ターン５の残膜がなくなるまで現像し、レジストパター
ン６を形成する。なお、第１図ｄおよび同ｅは、第１図
ｂおよび同ｃの各対応物の平面パターン図である。
明する。はじめに、第１図ａのように、基板１上に、Ｐ
ＭＭＡ（ポリ・メチル・メタ・アクリレート）２を形成
する。つぎに、第１図ｂのように、２０ＫｅＶの電子線
を用いて、６４μc/cm2の露光量で所定パターン３をＰ
ＭＭＡ２の上に形成するとともに、ＰＭＭＡ２の一部
に、露光量が、１０μc/cm2から１００μc/cm2またとえ
ば、０＜ｒ≦１０0.01−１で表わされる等比級数ｒにし
たがって、等比級数的に異なる１００個の５０μｍ□の
パターン４をモニタとして形成する。次に、あらかじ
め、電子顕微鏡の断面観察により求めたレジストパター
ン幅とモニタパターンの膜減りの関係を基に、第１図ｃ
のように、モニタパターン４のうち所定露光量以上のパ
ターン５の残膜がなくなるまで現像し、レジストパター
ン６を形成する。なお、第１図ｄおよび同ｅは、第１図
ｂおよび同ｃの各対応物の平面パターン図である。
この方法では、比較的低倍率の光学顕微鏡で観察でき、
モニタパターンの残膜の状態も容易に判定可能であるか
ら、簡便・安価で個人差のない現像制御ができる。ま
た、第２図ａの特性図にみられるように、電子顕微鏡の
断面観察より求めたレジスト寸法とモニタパターンの膜
減り状態の関係より実施例で用いたモニタパターンの現
像制御分解能は0.03μｍと充分に高い。更に第２図ｂの
特性図のように、現像温度ばらつきによる精度の低下は
ほとんどなく高精度なレジストパターンを形成できる。
モニタパターンの残膜の状態も容易に判定可能であるか
ら、簡便・安価で個人差のない現像制御ができる。ま
た、第２図ａの特性図にみられるように、電子顕微鏡の
断面観察より求めたレジスト寸法とモニタパターンの膜
減り状態の関係より実施例で用いたモニタパターンの現
像制御分解能は0.03μｍと充分に高い。更に第２図ｂの
特性図のように、現像温度ばらつきによる精度の低下は
ほとんどなく高精度なレジストパターンを形成できる。
なお、本発明の現像制御法を用いれば、試料間のレジス
ト膜厚ばらつきや露光電流密度のばらつきがある場合に
も、パターン寸法精度の低下は少なく、サブミクロンパ
ターンも簡便・高精度に現像することが可能である。
ト膜厚ばらつきや露光電流密度のばらつきがある場合に
も、パターン寸法精度の低下は少なく、サブミクロンパ
ターンも簡便・高精度に現像することが可能である。
発明の効果 以上詳述したように、本発明は、基板上に形成した荷電
子線ポジ型レジストに荷電子線を用いて、所定パターン
を形成する際に、照射量の異なる複数個のパターンを試
料の一部にモニタパターンとして形成し、モニタパター
ンの膜減りを観察することにより、所定パターンのパタ
ーン幅を制御する方法であり、モニタパターンとして、
等比級数的に変化する照射量のパターンを持ち、その比
ｒが、 ０＜ｒ≦１０0.01−１ で定められることを特徴とするレジストパターンの現像
制御方法であって、本発明を用いることにより、荷電子
線ポジ型レジストパターンを高精度に、再現性よく、廉
価・簡便に形成することが可能となる。
子線ポジ型レジストに荷電子線を用いて、所定パターン
を形成する際に、照射量の異なる複数個のパターンを試
料の一部にモニタパターンとして形成し、モニタパター
ンの膜減りを観察することにより、所定パターンのパタ
ーン幅を制御する方法であり、モニタパターンとして、
等比級数的に変化する照射量のパターンを持ち、その比
ｒが、 ０＜ｒ≦１０0.01−１ で定められることを特徴とするレジストパターンの現像
制御方法であって、本発明を用いることにより、荷電子
線ポジ型レジストパターンを高精度に、再現性よく、廉
価・簡便に形成することが可能となる。
第１図ａ〜ｃは本発明によるＰＭＭＡレジストパターン
形成工程の断面図、同ｄ，ｅはそれぞれ同ｂ，ｃの平面
図、第２図ａ，ｂは現像によるレジストパターン幅とモ
ニタパターンの膜減りの関係を示す特性図である。 １……基板、２……ＰＭＭＡ、３……パターン、４……
モニタパターン、５……残膜のない現像後のモニタパタ
ーン、６……現像後のレジストパターン。
形成工程の断面図、同ｄ，ｅはそれぞれ同ｂ，ｃの平面
図、第２図ａ，ｂは現像によるレジストパターン幅とモ
ニタパターンの膜減りの関係を示す特性図である。 １……基板、２……ＰＭＭＡ、３……パターン、４……
モニタパターン、５……残膜のない現像後のモニタパタ
ーン、６……現像後のレジストパターン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−4018（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−162834（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−148427（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に形成した荷電子線ポジ型レジスト
に荷電子線を用いて、所定パターンを形成する際に、照
射量の異なる複数個のパターンを試料の一部にモニタパ
ターンとして形成し、該モニタパターンのうち所定露光
量以上のパターンの残膜がなくなるまで現像することに
より、前記所定パターンのパターン幅を制御することを
特徴とするレジストパターンの現像制御方法。 - 【請求項２】モニタパターンとして、等比級数的に変化
する照射量のパターンを持ち、その比ｒが ０＜ｒ≦１０0.01−１ で定められることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のレジストパターンの現像制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073462A JPH0622196B2 (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | レジストパタ−ンの現像制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073462A JPH0622196B2 (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | レジストパタ−ンの現像制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217626A JPS60217626A (ja) | 1985-10-31 |
| JPH0622196B2 true JPH0622196B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=13518945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59073462A Expired - Lifetime JPH0622196B2 (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | レジストパタ−ンの現像制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622196B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1788445A1 (en) * | 2005-11-18 | 2007-05-23 | Advanced Mask Technology Center GmbH & Co. KG | A method of determining an exposure dose and exposure apparatus |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5842229A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPS58114429A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-07 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
-
1984
- 1984-04-12 JP JP59073462A patent/JPH0622196B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60217626A (ja) | 1985-10-31 |
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