JPS60217626A - レジストパタ−ンの現像制御方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの現像制御方法Info
- Publication number
- JPS60217626A JPS60217626A JP59073462A JP7346284A JPS60217626A JP S60217626 A JPS60217626 A JP S60217626A JP 59073462 A JP59073462 A JP 59073462A JP 7346284 A JP7346284 A JP 7346284A JP S60217626 A JPS60217626 A JP S60217626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- patterns
- pattern
- development
- monitor
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、荷電子線ポジ型レジストの現像制御方法に関
するものである。
するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体素子の微細化・高集積化が進むにつれて、高精度
微細レジストパターンの形成が重要になっている。荷電
子線ポジ型レジストの場合、パターン幅は現像によって
制御される。現像の制御方法として、現像時間を一定に
する方法とパターン幅を測定する方法がある。前者の方
法とは、あらかじめ電子顕微鏡などを用いて現像時間と
現像状態の関係を調べ、適正現像時間を決め、−炬時間
現像する方法である。荷電子線ポジ型レジストの場合、
現像液に、主として有機溶剤を用いるだめ、現像温度の
ばらつきに伴なう現像状態のばらつきが大きく、更に、
レジスト膜厚のばらつきによる現像状態のばらつきもあ
り、したがって、この゛方法では、高精度なレジストパ
ターンは期待できず、実用的とは言えない。一方、後者
の方法とは、光学的に拡大したレジストパターンの幅を
測定することにより現像制御する方法で、これによると
、寸法測微計による測定精度が不充分であり、とシわけ
、サブミクロンのパターンになると、はとんど、測定で
きなくなる。
微細レジストパターンの形成が重要になっている。荷電
子線ポジ型レジストの場合、パターン幅は現像によって
制御される。現像の制御方法として、現像時間を一定に
する方法とパターン幅を測定する方法がある。前者の方
法とは、あらかじめ電子顕微鏡などを用いて現像時間と
現像状態の関係を調べ、適正現像時間を決め、−炬時間
現像する方法である。荷電子線ポジ型レジストの場合、
現像液に、主として有機溶剤を用いるだめ、現像温度の
ばらつきに伴なう現像状態のばらつきが大きく、更に、
レジスト膜厚のばらつきによる現像状態のばらつきもあ
り、したがって、この゛方法では、高精度なレジストパ
ターンは期待できず、実用的とは言えない。一方、後者
の方法とは、光学的に拡大したレジストパターンの幅を
測定することにより現像制御する方法で、これによると
、寸法測微計による測定精度が不充分であり、とシわけ
、サブミクロンのパターンになると、はとんど、測定で
きなくなる。
発明の目的
本発明は、これらの問題点を解決し、微細な荷電子線ポ
ジ型しジストハターンを高精度に、しかも容易に形成す
るだめのレジストパターンの現像制御方法を提供するも
のである。
ジ型しジストハターンを高精度に、しかも容易に形成す
るだめのレジストパターンの現像制御方法を提供するも
のである。
発明の構成
本発明は、基板上に形成した荷電子線ポジ型レジストに
、荷電子線を用いて、所定パターンを形成する際に、照
射量の異なる複数個のパターンを試料の一部にモニター
パターンとして形成し、モニタパターンの膜減シを観察
することにより、所定パターンのパターン幅を制御する
方法であり、モニタパターンとして、等比級数的に変化
する照射量のパターンを持ち、その比ｒが ０ （ｒ≦１０ −１ で定められることを特徴とするレジストパターンの現像
制御方法であって、本発明を用いることによって、微細
な荷電子線ポジ型レジストパターン−を精度よく、しか
も廉価・簡便に形成することが可能となる。
、荷電子線を用いて、所定パターンを形成する際に、照
射量の異なる複数個のパターンを試料の一部にモニター
パターンとして形成し、モニタパターンの膜減シを観察
することにより、所定パターンのパターン幅を制御する
方法であり、モニタパターンとして、等比級数的に変化
する照射量のパターンを持ち、その比ｒが ０ （ｒ≦１０ −１ で定められることを特徴とするレジストパターンの現像
制御方法であって、本発明を用いることによって、微細
な荷電子線ポジ型レジストパターン−を精度よく、しか
も廉価・簡便に形成することが可能となる。
実施例の説明
本１発明の実施例を第１図ａ〜Ｃ及び第２図に基づいて
説明する。は°じめに、第１図ａのように、基板１上に
、ＰＭＭＡ（ポリ・メチル・メタ・アクリレート）２を
形成する。つぎに、第１図すのように、２０ ＫｅＶの
電子線を用いて、６４ μＣ／ｃ１ｒｌの露光量で所定
パターン３をＰＭＭＡ２の上に形成するとともに、ＰＭ
ＭＡ２の一部に、露光量が、１０ ｐ ｃ／Ｊから１０
０μＨｃ／ｃｗｔまでたとえば、０ （ｒ≦１０°、０
１ 、で表わされる等比級数ｒにしたがって、等比級数
的に異なる１００個の５０μｍ口のパターン４をモニタ
として形成する。次に、あらかじめ、電子顕微鏡の断面
観察によりめたレジストパターン幅とモニタパターンの
膜減りの関係を基に、第１図Ｃのように、モニタパター
ン４のうち所定露光量以上のパターン５の残膜がなくな
る丑で現像し、レジストパターン６を形成する。なお、
第１図ｄおよび同ｅは、第１図すおよび同Ｃの各対応物
の平面パターン図である。
説明する。は°じめに、第１図ａのように、基板１上に
、ＰＭＭＡ（ポリ・メチル・メタ・アクリレート）２を
形成する。つぎに、第１図すのように、２０ ＫｅＶの
電子線を用いて、６４ μＣ／ｃ１ｒｌの露光量で所定
パターン３をＰＭＭＡ２の上に形成するとともに、ＰＭ
ＭＡ２の一部に、露光量が、１０ ｐ ｃ／Ｊから１０
０μＨｃ／ｃｗｔまでたとえば、０ （ｒ≦１０°、０
１ 、で表わされる等比級数ｒにしたがって、等比級数
的に異なる１００個の５０μｍ口のパターン４をモニタ
として形成する。次に、あらかじめ、電子顕微鏡の断面
観察によりめたレジストパターン幅とモニタパターンの
膜減りの関係を基に、第１図Ｃのように、モニタパター
ン４のうち所定露光量以上のパターン５の残膜がなくな
る丑で現像し、レジストパターン６を形成する。なお、
第１図ｄおよび同ｅは、第１図すおよび同Ｃの各対応物
の平面パターン図である。
この方法では、比較的低倍率の光学顕微鏡で観察でき、
モニタパターンの残膜の状態も容易に判定可能であるか
ら、簡便・安価で個人差のない現像制御ができる。また
、第２図ａの特性図にみられるように、電子顕微鏡の断
面観察よりめたレジスト寸法とモニタパターンの膜減り
状態の関係より実施例で用いたモニタパターンの現像制
御分解能は０．０３μｍと充分に高い。更に、第２図す
の特性図のように、現像温度ばらつきによる精度の低下
はほとんどなく高精度可レジストパターンを形成できる
。
モニタパターンの残膜の状態も容易に判定可能であるか
ら、簡便・安価で個人差のない現像制御ができる。また
、第２図ａの特性図にみられるように、電子顕微鏡の断
面観察よりめたレジスト寸法とモニタパターンの膜減り
状態の関係より実施例で用いたモニタパターンの現像制
御分解能は０．０３μｍと充分に高い。更に、第２図す
の特性図のように、現像温度ばらつきによる精度の低下
はほとんどなく高精度可レジストパターンを形成できる
。
なお、本発明の現像制御法を用いれば、試料間のレジス
ト膜厚ばらつきや露光電流密度のばらつきかある場合に
も、パターン寸法精度の低下は少なく、サブミクロンパ
ターンも簡便・高精度に現像することが可能である。
ト膜厚ばらつきや露光電流密度のばらつきかある場合に
も、パターン寸法精度の低下は少なく、サブミクロンパ
ターンも簡便・高精度に現像することが可能である。
発明の効果
以上詳述したように、本発明は、基板上に形成した荷電
子線ポジ型レジストに荷電子線を用いて、所定パターン
を形成する際に、照射量の異なる複数個のパターンを試
料の一部にモニタパターンとして形成し、モニタパター
ンの膜減りを観察することにより、所定パターンのパタ
ーン幅を制御する方法であり、モニタパターンとして、
等比級数的に変化する照射量のパターンを持ち、その比
ｒが、 ｏ（ｒ≦１０−１ で定められることを特徴とするレジストパターンの現像
制御方法であって、本発明を用いることに −より、荷
電子線ポジ型レジストパターンを高精度に、再現性よく
、廉価・簡便に形成することが可能となる。
子線ポジ型レジストに荷電子線を用いて、所定パターン
を形成する際に、照射量の異なる複数個のパターンを試
料の一部にモニタパターンとして形成し、モニタパター
ンの膜減りを観察することにより、所定パターンのパタ
ーン幅を制御する方法であり、モニタパターンとして、
等比級数的に変化する照射量のパターンを持ち、その比
ｒが、 ｏ（ｒ≦１０−１ で定められることを特徴とするレジストパターンの現像
制御方法であって、本発明を用いることに −より、荷
電子線ポジ型レジストパターンを高精度に、再現性よく
、廉価・簡便に形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図ａ−Ｃは本発明によるＰＭＭＡレジストパターン
形成工程の断面図、同ｄ、ｅはそれぞれ同す、ｃの平面
図、第２図ａ、ｂは現像によるレジストパターン幅とモ
ニタパターンの膜減りの関係を示す特性図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ＰＭＭＡ、３・・
・・・・パターン、４・・・・・・モニタパターン、６
・・・・・・残膜のない現像後のモニタパターン、６・
・・・・・現像後のレジストノくターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （０−） （ｅ） 第２図 （０Ｌ） ２５ ’ ３０ ３５ 露 光 量 （μ／Ｃ処り （ｂ〕 ２５３０ ３５ 露光量（％Ｃ／ｃｆｙ１す
形成工程の断面図、同ｄ、ｅはそれぞれ同す、ｃの平面
図、第２図ａ、ｂは現像によるレジストパターン幅とモ
ニタパターンの膜減りの関係を示す特性図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ＰＭＭＡ、３・・
・・・・パターン、４・・・・・・モニタパターン、６
・・・・・・残膜のない現像後のモニタパターン、６・
・・・・・現像後のレジストノくターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 （０−） （ｅ） 第２図 （０Ｌ） ２５ ’ ３０ ３５ 露 光 量 （μ／Ｃ処り （ｂ〕 ２５３０ ３５ 露光量（％Ｃ／ｃｆｙ１す
Claims (2)
- （１）基板上に形成した荷電子線ポジ型レジストに荷電
子線を用いて、所定パターンを形成する際に、照射量の
異なる複数個のパターンを試料の一部にモニタパターン
として形成し、モニタパターンの膜減シを観察すること
により、所定パターンのパターン幅を制御することを特
徴とするレジストパターンの現像制御方法。 - （２）モニタパターンとして、等比級数的に変化する照
射量のパターンを持ち、その比Ｘが０ （ｒ≦１０ −
１ で定められることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のレジストパターンの現像制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073462A JPH0622196B2 (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | レジストパタ−ンの現像制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073462A JPH0622196B2 (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | レジストパタ−ンの現像制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217626A true JPS60217626A (ja) | 1985-10-31 |
| JPH0622196B2 JPH0622196B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=13518945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59073462A Expired - Lifetime JPH0622196B2 (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | レジストパタ−ンの現像制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0622196B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142433A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | 露光線量決定方法及び露光装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5842229A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPS58114429A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-07 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
-
1984
- 1984-04-12 JP JP59073462A patent/JPH0622196B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5842229A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPS58114429A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-07 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142433A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg | 露光線量決定方法及び露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0622196B2 (ja) | 1994-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62135838A (ja) | パタ−ン形成方法及び装置 | |
| JPH0722156B2 (ja) | 半導体デバイスのパタ−ン形成方法 | |
| JPS60217626A (ja) | レジストパタ−ンの現像制御方法 | |
| JPS6275442A (ja) | 感光性ラツカ−層の露光量決定方法 | |
| Škriniarová et al. | Investigation of the AZ 5214E photoresist by the laser interference, EBDW and NSOM lithographies | |
| JPS62175739A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| Raab et al. | Analyzing deep-uv lens aberrations using aerial image and latent image metrologies | |
| JPS62113136A (ja) | レジスト組成物 | |
| JP2002305135A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS63254729A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| RU2072644C1 (ru) | Способ формирования структур в микролитографии | |
| Rau et al. | Sensitivity and image quality of resists with electron-beam, ion-beam, and optical exposure | |
| JP3294506B2 (ja) | ビーム径の推定方法 | |
| JPH09236932A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| Miller et al. | Super-resolution critical dimension limits of positive tone i-line photoresists | |
| JPS60217628A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0414235A (ja) | レジスト膜欠陥の検出方法 | |
| JP2966127B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH01501345A (ja) | 多層レジスト構造 | |
| EP0127415A2 (en) | A resist for vacuum ultraviolet lithography | |
| JPH02101468A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP3735665B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| de Pinillos et al. | Semiconductor Microelectronics and Nanoelectronics Programs | |
| Sautter | In-line process monitoring of spray developed diazoquinone photoresist | |
| JPH03179444A (ja) | レジストパターン形成方法 |