JPH06223618A - 厚膜導体ペースト - Google Patents
厚膜導体ペーストInfo
- Publication number
- JPH06223618A JPH06223618A JP2966293A JP2966293A JPH06223618A JP H06223618 A JPH06223618 A JP H06223618A JP 2966293 A JP2966293 A JP 2966293A JP 2966293 A JP2966293 A JP 2966293A JP H06223618 A JPH06223618 A JP H06223618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- conductor paste
- palladium
- film conductor
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ステインの発生を抑え、半田濡れ性が良好で
リード線の半田付けが容易でかつ電極と基板との接合力
が十分強い厚膜導体ペーストを提供する。 【構成】 銀粉、パラジウム、銀−パラジウム粉等を導
体成分とし、ガラス粉を結合材として含有し有機ビヒク
ル中に分散させた銀パラジウム厚膜導体ペーストにおい
て、Ｂ2 Ｏ3 含有率が８〜５０モル％であるＢｉ2 Ｏ3
−Ｂ2 Ｏ3 熔融粉砕物が含有されていることを特徴とす
る。
リード線の半田付けが容易でかつ電極と基板との接合力
が十分強い厚膜導体ペーストを提供する。 【構成】 銀粉、パラジウム、銀−パラジウム粉等を導
体成分とし、ガラス粉を結合材として含有し有機ビヒク
ル中に分散させた銀パラジウム厚膜導体ペーストにおい
て、Ｂ2 Ｏ3 含有率が８〜５０モル％であるＢｉ2 Ｏ3
−Ｂ2 Ｏ3 熔融粉砕物が含有されていることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子材料として用いられ
るＲｕｏ2 系抵抗体の電極として適する厚膜導体ペース
トに関する。
るＲｕｏ2 系抵抗体の電極として適する厚膜導体ペース
トに関する。
【０００２】
【従来の技術】厚膜抵抗体の電極材料として、銀粉、パ
ラジウム粉、銀−パラジウム合金粉等の導電成分と、ガ
ラス粉及び酸化ビスマス粉（以後Ｂｉ2 Ｏ3 と称する）
の結合材とを含有する銀パラジウム厚膜導体ペーストが
用いられている。厚膜導体ペーストは通常導電成分をペ
ースト中で７０〜９０ｗｔ％（Ａｇ／Ｐｄ比＝１．５／
１〜２０／１）、結合材５〜２０ｗｔ％（一般に２〜７
ｗｔ％のガラスと３〜１３ｗｔ％のＢｉ2 Ｏ3 より成
る）とする固形分を有機ビヒクル中に分散させたもので
ある。通常、この厚膜導体ペーストをセラミック基板上
に印刷、乾燥、焼成して電極を形成し、この電極間に抵
抗体ペーストを印刷、乾燥、焼成して抵抗体を形成させ
る。ところが、抵抗体中に導電成分としてＲｕＯ2 を含
有する場合、抵抗体ペースト焼成後、抵抗体と重なった
電極の界面付近が黒く変色することがある。この変色を
「ステイン」と称する。ステインはＲｕＯ2 含有率の高
い低抵抗用ペーストを印刷した基板を多数、密集して焼
成すると顕著に発生することから、抵抗体ペースト焼成
時に抵抗体から気体状の酸化ルテニウム（ＲｕＯ3 、Ｒ
ｕＯ4 等）が揮発して、これが電極中のＢｉ2 Ｏ3 と反
応することによりＢｉ2 Ｒｕ2 Ｏ7 を生成するのが原因
であると考えられている。
ラジウム粉、銀−パラジウム合金粉等の導電成分と、ガ
ラス粉及び酸化ビスマス粉（以後Ｂｉ2 Ｏ3 と称する）
の結合材とを含有する銀パラジウム厚膜導体ペーストが
用いられている。厚膜導体ペーストは通常導電成分をペ
ースト中で７０〜９０ｗｔ％（Ａｇ／Ｐｄ比＝１．５／
１〜２０／１）、結合材５〜２０ｗｔ％（一般に２〜７
ｗｔ％のガラスと３〜１３ｗｔ％のＢｉ2 Ｏ3 より成
る）とする固形分を有機ビヒクル中に分散させたもので
ある。通常、この厚膜導体ペーストをセラミック基板上
に印刷、乾燥、焼成して電極を形成し、この電極間に抵
抗体ペーストを印刷、乾燥、焼成して抵抗体を形成させ
る。ところが、抵抗体中に導電成分としてＲｕＯ2 を含
有する場合、抵抗体ペースト焼成後、抵抗体と重なった
電極の界面付近が黒く変色することがある。この変色を
「ステイン」と称する。ステインはＲｕＯ2 含有率の高
い低抵抗用ペーストを印刷した基板を多数、密集して焼
成すると顕著に発生することから、抵抗体ペースト焼成
時に抵抗体から気体状の酸化ルテニウム（ＲｕＯ3 、Ｒ
ｕＯ4 等）が揮発して、これが電極中のＢｉ2 Ｏ3 と反
応することによりＢｉ2 Ｒｕ2 Ｏ7 を生成するのが原因
であると考えられている。
【０００３】ステインの発生によって、電極の半田流れ
性が低下し、リード線の半田付けが困難となる。そのた
めに、導体中のＢｉ2 Ｏ3 量を少なくしてステインの発
生を防止しようとすると、電極と基板との接合力が低下
すると共に、半田濡れ性、半田耐食性も低下してしまう
という問題がある。
性が低下し、リード線の半田付けが困難となる。そのた
めに、導体中のＢｉ2 Ｏ3 量を少なくしてステインの発
生を防止しようとすると、電極と基板との接合力が低下
すると共に、半田濡れ性、半田耐食性も低下してしまう
という問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点を満足するためにステインの発生を抑え、半田濡
れ性が良好で、かつリード線の半田付けが容易であり、
しか電極と基板との接合力を十分備えた厚膜導体ペース
トを提供することにある。
問題点を満足するためにステインの発生を抑え、半田濡
れ性が良好で、かつリード線の半田付けが容易であり、
しか電極と基板との接合力を十分備えた厚膜導体ペース
トを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、銀粉、パラジ
ウム粉、銀−パラジウム合金粉等を導電成分とし、ガラ
ス粉を結合材として含有する銀パラジウム厚膜導体ペー
ストにおいて、Ｂ2 Ｏ3 含有率が８〜５０モル％である
Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 熔融粉砕物が含有されている点に
特徴がある。
ウム粉、銀−パラジウム合金粉等を導電成分とし、ガラ
ス粉を結合材として含有する銀パラジウム厚膜導体ペー
ストにおいて、Ｂ2 Ｏ3 含有率が８〜５０モル％である
Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 熔融粉砕物が含有されている点に
特徴がある。
【０００６】
【作用】該熔融粉砕物は、Ｂｉ2 Ｏ3 とＢ2 Ｏ3 を所定
の割合で混合、粉砕したものを６５０〜８５０℃にて熔
融した後、冷却固化し、再び粉砕することにより得られ
る。該熔融粉砕物中のＢ2 Ｏ3 含有量は８〜５０モル
％、望ましくは１０〜４０モル％とする必要がある。８
モル％未満ではステイン防止の効果は小さく、又、５０
モル％を超えるとステイン防止の効果が減少すると共に
半田濡れ性も低下し、電極材料として不適である。
の割合で混合、粉砕したものを６５０〜８５０℃にて熔
融した後、冷却固化し、再び粉砕することにより得られ
る。該熔融粉砕物中のＢ2 Ｏ3 含有量は８〜５０モル
％、望ましくは１０〜４０モル％とする必要がある。８
モル％未満ではステイン防止の効果は小さく、又、５０
モル％を超えるとステイン防止の効果が減少すると共に
半田濡れ性も低下し、電極材料として不適である。
【０００７】又、該熔融粉砕物は固形分中に３〜１３ｗ
ｔ％含有すると良い。３ｗｔ％未満では基板に対する接
合力が不十分で、一方１３ｗｔ％を超えると半田濡れ性
が低下する為、有用でない。本発明で使用するガラス粉
は、通常の厚膜導体ペーストに使用されるもの、例えば
ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系のガラス等であれば特に差
し支えなく使うことができる。本発明で使用する有機ビ
ヒクルは、常用のものであれば良く、例えばエチルセル
ロースを含有するターピネオール系の溶液がある。Ａｇ
粉、Ｐｄ粉とその他の無機添加物とを有機ビヒクルと共
に３本ロールミルで分散、混練することにより、本発明
の厚膜導体ペーストが得られる。
ｔ％含有すると良い。３ｗｔ％未満では基板に対する接
合力が不十分で、一方１３ｗｔ％を超えると半田濡れ性
が低下する為、有用でない。本発明で使用するガラス粉
は、通常の厚膜導体ペーストに使用されるもの、例えば
ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系のガラス等であれば特に差
し支えなく使うことができる。本発明で使用する有機ビ
ヒクルは、常用のものであれば良く、例えばエチルセル
ロースを含有するターピネオール系の溶液がある。Ａｇ
粉、Ｐｄ粉とその他の無機添加物とを有機ビヒクルと共
に３本ロールミルで分散、混練することにより、本発明
の厚膜導体ペーストが得られる。
【０００８】該熔融粉砕物を使用することでステインを
防止できるのは、Ｂｉ2 Ｏ3 単味の時に抵抗体ペースト
焼成の際、気体状のＲｕＯ3 やＲｕＯ4 等と反応してＢ
ｉ2Ｒｕ2 Ｏ7 を生成していたのに対し、Ｂｉ2 Ｏ3 が
Ｂ2 Ｏ3 と固溶体を形成することにより、ＲｕＯ3 やＲ
ｕＯ4 等と反応しないためと考えられる。
防止できるのは、Ｂｉ2 Ｏ3 単味の時に抵抗体ペースト
焼成の際、気体状のＲｕＯ3 やＲｕＯ4 等と反応してＢ
ｉ2Ｒｕ2 Ｏ7 を生成していたのに対し、Ｂｉ2 Ｏ3 が
Ｂ2 Ｏ3 と固溶体を形成することにより、ＲｕＯ3 やＲ
ｕＯ4 等と反応しないためと考えられる。
【０００９】
【実施例】まず、Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 中のＢ2 Ｏ3 含
有率が４、８、１０、２０、３０、５０、及び６０モル
％となる様に、Ｂｉ2 Ｏ3 とＢ2 Ｏ3 をライカイ機で混
合、粉砕し、これを７５０℃にて２時間熔融した後、冷
却固化させ、再びライカイ機で粉砕して５００メッシュ
のふるいをすることにより熔融粉砕物を得た。各熔融粉
砕物を種々の割合で含有する銀パラジウム系厚膜導体ペ
ーストを作成し、試験を行った。各ペースト中のＢｉ2
Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 熔融粉砕物の組成を表１に示す。使用原
料は、Ａｇは平均粒径１．３８μｍの球状銀粉、Ｐｄは
平均粒径０．０２μｍのパラジウム粉、ガラスはＰｂＯ
６６モル％、Ｂ2 Ｏ3 １０モル％、ＺｎＯ１４モル％、
その他より成るガラス粉、そして有機ビヒクルはエチル
セルロースを含有するターピネオール溶液とした。各々
のペースト中の組成は、Ａｇ５６ｗｔ％、Ｐｄ１４ｗｔ
％、ガラス３ｗｔ％、及び熔融粉砕物と有機ビヒクルで
２７ｗｔ％とした。
有率が４、８、１０、２０、３０、５０、及び６０モル
％となる様に、Ｂｉ2 Ｏ3 とＢ2 Ｏ3 をライカイ機で混
合、粉砕し、これを７５０℃にて２時間熔融した後、冷
却固化させ、再びライカイ機で粉砕して５００メッシュ
のふるいをすることにより熔融粉砕物を得た。各熔融粉
砕物を種々の割合で含有する銀パラジウム系厚膜導体ペ
ーストを作成し、試験を行った。各ペースト中のＢｉ2
Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 熔融粉砕物の組成を表１に示す。使用原
料は、Ａｇは平均粒径１．３８μｍの球状銀粉、Ｐｄは
平均粒径０．０２μｍのパラジウム粉、ガラスはＰｂＯ
６６モル％、Ｂ2 Ｏ3 １０モル％、ＺｎＯ１４モル％、
その他より成るガラス粉、そして有機ビヒクルはエチル
セルロースを含有するターピネオール溶液とした。各々
のペースト中の組成は、Ａｇ５６ｗｔ％、Ｐｄ１４ｗｔ
％、ガラス３ｗｔ％、及び熔融粉砕物と有機ビヒクルで
２７ｗｔ％とした。
【００１０】
【表１】
【００１１】試験方法 １）ステイン試験 ５．８×４．４ｃｍのアルミナ基板上に３００本の抵抗
体が形成される様々な電極、抵抗体テストパターンでペ
ーストを塗布する。まず、上記導体ペーストを電極パタ
ーンでスクリーン印刷し、３５０℃で乾燥させた後、８
５０℃で焼成して電極を形成させた。次にこの電極上に
面積抵抗値が１００Ω／□級のＲｕＯ2系抵抗体ペース
ト（８５０℃焼成用）を抵抗体パターンでスクリーン印
刷し、乾燥させた後、ベルト焼成炉中で焼成した。焼成
後、電極部を観察し、変色の有無を調べた。４０倍の実
体顕微鏡でも変色が認められなければ◎、わずかに観察
できるものを○、肉眼でわずかに観察できるものを△、
肉眼で明らかに変色が認められるものを×とする。
体が形成される様々な電極、抵抗体テストパターンでペ
ーストを塗布する。まず、上記導体ペーストを電極パタ
ーンでスクリーン印刷し、３５０℃で乾燥させた後、８
５０℃で焼成して電極を形成させた。次にこの電極上に
面積抵抗値が１００Ω／□級のＲｕＯ2系抵抗体ペース
ト（８５０℃焼成用）を抵抗体パターンでスクリーン印
刷し、乾燥させた後、ベルト焼成炉中で焼成した。焼成
後、電極部を観察し、変色の有無を調べた。４０倍の実
体顕微鏡でも変色が認められなければ◎、わずかに観察
できるものを○、肉眼でわずかに観察できるものを△、
肉眼で明らかに変色が認められるものを×とする。
【００１２】２）接着強度試験 ２．５４ｃｍ角のアルミナ基板上に、導体ペーストを２
ｍｍ角パターンで印刷し、乾燥、８５０℃焼成後、導体
部に線径０．６５ｍｍの錫メッキ銅線を６３Ｓｎ／３７
Ｐｂ半田で接合し、引っ張り試験を行った。１５０℃×
４８ｈｒｓ時の値が１．７ｋｇ以上を合格とする。
ｍｍ角パターンで印刷し、乾燥、８５０℃焼成後、導体
部に線径０．６５ｍｍの錫メッキ銅線を６３Ｓｎ／３７
Ｐｂ半田で接合し、引っ張り試験を行った。１５０℃×
４８ｈｒｓ時の値が１．７ｋｇ以上を合格とする。
【００１３】３）半田濡れ性試験 ２．５４ｃｍ角のアルミナ基板上に、導体ペーストを１
０ｍｍ角パターンで印刷し、乾燥、８５０℃焼成後、導
体部にフラックスを滴下し、直径４ｍｍ、高さ２．８５
ｍｍの円柱状の６３Ｓｎ／３７Ｐｂ半田を載せ、この基
板を２３０℃の半田浴上に浮かべ、１０秒後に取り出
し、熔融固化した半田の拡がり直径を測定した。この直
径が大きい程、半田濡れ性が良いことを示す。直径６．
１ｍｍ以上を合格とする。各々の試験結果を表１に示
す。
０ｍｍ角パターンで印刷し、乾燥、８５０℃焼成後、導
体部にフラックスを滴下し、直径４ｍｍ、高さ２．８５
ｍｍの円柱状の６３Ｓｎ／３７Ｐｂ半田を載せ、この基
板を２３０℃の半田浴上に浮かべ、１０秒後に取り出
し、熔融固化した半田の拡がり直径を測定した。この直
径が大きい程、半田濡れ性が良いことを示す。直径６．
１ｍｍ以上を合格とする。各々の試験結果を表１に示
す。
【００１４】表１の結果から、Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 熔
融粉砕物中のＢ2 Ｏ3 含有率は８〜５０モル％とする必
要があることがわかる。又、この粉砕物は接着強度と半
田濡れ性の確保の点より、固形分中にＢｉ2 Ｏ3 と同様
に３〜１３ｗｔ％の範囲内とすることが望ましい。
融粉砕物中のＢ2 Ｏ3 含有率は８〜５０モル％とする必
要があることがわかる。又、この粉砕物は接着強度と半
田濡れ性の確保の点より、固形分中にＢｉ2 Ｏ3 と同様
に３〜１３ｗｔ％の範囲内とすることが望ましい。
【００１５】
【発明の効果】本発明を行うことにより、ステインの発
生を抑え、半田濡れ性が良好で、リード線の半田付けが
容易で、かつ電極と基板との接合力を十分備えた厚膜導
体ペーストを提供でき、その効果は大きい。
生を抑え、半田濡れ性が良好で、リード線の半田付けが
容易で、かつ電極と基板との接合力を十分備えた厚膜導
体ペーストを提供でき、その効果は大きい。
Claims (1)
- 【請求項１】 銀粉、パラジウム粉、銀−パラジウム粉
等を導体成分とし、ガラス粉を結合材として含有し、有
機ビヒクル中に分散させた銀パラジウム厚膜導体ペース
トにおいて、Ｂ2 Ｏ3 含有率が８〜５０モル％であるＢ
ｉ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 熔融粉砕物が含有されていることを
特徴とする厚膜導体ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2966293A JPH06223618A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | 厚膜導体ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2966293A JPH06223618A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | 厚膜導体ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06223618A true JPH06223618A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=12282333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2966293A Pending JPH06223618A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | 厚膜導体ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06223618A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005120140A1 (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Exink Co., Ltd. | 回路基板、それを製造するための金属ペースト及び方法 |
| KR100796892B1 (ko) * | 2005-04-25 | 2008-01-22 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 후막 전도체 조성물 및 ｌｔｃｃ 회로 및 장치에서의 그의용도 |
| CN115804477A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-03-17 | 深圳市卓尔悦电子科技有限公司 | 发热件、雾化芯、气溶胶发生装置及发热件制备方法 |
-
1993
- 1993-01-27 JP JP2966293A patent/JPH06223618A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005120140A1 (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Exink Co., Ltd. | 回路基板、それを製造するための金属ペースト及び方法 |
| KR100796892B1 (ko) * | 2005-04-25 | 2008-01-22 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 후막 전도체 조성물 및 ｌｔｃｃ 회로 및 장치에서의 그의용도 |
| KR100842468B1 (ko) * | 2005-04-25 | 2008-07-01 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 후막 전도체 조성물 및 ｌｔｃｃ 회로 및 장치에서의 그의용도 |
| CN115804477A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-03-17 | 深圳市卓尔悦电子科技有限公司 | 发热件、雾化芯、气溶胶发生装置及发热件制备方法 |
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