JPH06223769A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH06223769A JPH06223769A JP5011855A JP1185593A JPH06223769A JP H06223769 A JPH06223769 A JP H06223769A JP 5011855 A JP5011855 A JP 5011855A JP 1185593 A JP1185593 A JP 1185593A JP H06223769 A JPH06223769 A JP H06223769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- arm
- disc
- ion
- ion beams
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属汚染を低減し、かつ高精度な基板中性化
を実現できるイオン注入装置を提供する。 【構成】 基板固定用ディスクまたは腕１０に連動する
カバー１５を設けることにより、イオンビームが基板以
外に照射されないようにしたイオン注入装置。
を実現できるイオン注入装置を提供する。 【構成】 基板固定用ディスクまたは腕１０に連動する
カバー１５を設けることにより、イオンビームが基板以
外に照射されないようにしたイオン注入装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
において使用されるイオン注入装置に関する。
において使用されるイオン注入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のイオン注入装置は、図４ａおよび
ｂに示すようにＡｌ等の金属製のディスク２１（図４
ａ）または円周軸２２から放射上に伸びた腕２３（図４
ｂ）等の円周上に基板１１を固定し、該ディスク２１ま
たは腕２３等を１分間に３００〜１６００回転程度で回
転させながら、かつ、該ディスク２１または腕２３等を
秒速１〜２０ｃｍ程度で並進運動させて基板１１をイオ
ンビーム１２に対して走査しながらさらすことにより、
基板１１全面に均一に不純物イオンを注入している。更
に正の電荷を持つイオンビーム１２により基板１１が帯
電することを防ぐため、負の電荷を持つ電子を基板１１
に照射する機構を備え、基板の電気的中性化を図ってい
る。
ｂに示すようにＡｌ等の金属製のディスク２１（図４
ａ）または円周軸２２から放射上に伸びた腕２３（図４
ｂ）等の円周上に基板１１を固定し、該ディスク２１ま
たは腕２３等を１分間に３００〜１６００回転程度で回
転させながら、かつ、該ディスク２１または腕２３等を
秒速１〜２０ｃｍ程度で並進運動させて基板１１をイオ
ンビーム１２に対して走査しながらさらすことにより、
基板１１全面に均一に不純物イオンを注入している。更
に正の電荷を持つイオンビーム１２により基板１１が帯
電することを防ぐため、負の電荷を持つ電子を基板１１
に照射する機構を備え、基板の電気的中性化を図ってい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来は、基板固定用デ
ィスクまたは腕が並進運動するため、図３に示すよう
に、基板以外のディスクや腕の部分がイオンビームにさ
らされることになる。このため、該ディスクまたは腕を
構成するＡｌ等の金属原子が、イオン照射の衝撃により
飛び出すスパックリング現象を生じて飛散し、基板を汚
染したり、また、該ディスクまたは腕等から発生する二
次電子が基板を負に帯電させ、基板の電気的中性化を保
つことを困難にしているという問題があった。
ィスクまたは腕が並進運動するため、図３に示すよう
に、基板以外のディスクや腕の部分がイオンビームにさ
らされることになる。このため、該ディスクまたは腕を
構成するＡｌ等の金属原子が、イオン照射の衝撃により
飛び出すスパックリング現象を生じて飛散し、基板を汚
染したり、また、該ディスクまたは腕等から発生する二
次電子が基板を負に帯電させ、基板の電気的中性化を保
つことを困難にしているという問題があった。
【０００４】そこで、本発明は、基板固定用ディスクま
たは腕等からの金属汚染や、二次電子の発生を抑えるこ
とにより、清浄でかつ高精度に基板の電気的中性を保つ
ことが可能なイオン注入装置を提供することを目的とす
る。
たは腕等からの金属汚染や、二次電子の発生を抑えるこ
とにより、清浄でかつ高精度に基板の電気的中性を保つ
ことが可能なイオン注入装置を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記課題を解決するた
めに、本発明のイオン注入装置は、基板を固定している
基板固定具を運動させることによりイオンビームに対し
て基板を走査し、イオンを基板内へ注入するイオン注入
装置において、該基板固定具の運動に連動してイオンビ
ームを遮蔽する手段を有することを特徴とする。
めに、本発明のイオン注入装置は、基板を固定している
基板固定具を運動させることによりイオンビームに対し
て基板を走査し、イオンを基板内へ注入するイオン注入
装置において、該基板固定具の運動に連動してイオンビ
ームを遮蔽する手段を有することを特徴とする。
【０００６】
【作用】上述のように構成された本発明のイオン注入装
置は、基板固定具の運動に連動してイオンビームを遮蔽
する手段を設けることにより、イオンビームが基板固定
具に照射されることを防ぎ、該基板固定具から発生する
金属汚染および二次電子を防ぐことができるため、基板
を清浄かつ高精度に電気的中性を保つことができる。
置は、基板固定具の運動に連動してイオンビームを遮蔽
する手段を設けることにより、イオンビームが基板固定
具に照射されることを防ぎ、該基板固定具から発生する
金属汚染および二次電子を防ぐことができるため、基板
を清浄かつ高精度に電気的中性を保つことができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。
説明する。
【０００８】図１は、本発明によるイオン注入装置おけ
る基板固定具とイオンビーム遮蔽手段の一実施例を説明
するための図面である。
る基板固定具とイオンビーム遮蔽手段の一実施例を説明
するための図面である。
【０００９】図１において基板１１は基板固定用ディス
ク２１または腕２３に円周上に固定されており、該ディ
スク２１または腕２３は回転機構（図示せず）が設けら
れた回転軸１０に取付けられており、回転軸１０は支柱
１４により支えられており、支柱１４はディスク２１ま
たは腕２３全体を並進運動させる。さらに、支柱１４に
は、イオンビーム１２がディスク２１または腕２３に照
射されるのを防止する遮蔽板１５がディスク２１または
腕２３に載置されている基板の周囲部分直上からディス
ク２１または腕２３の並進運動にてイオンビーム１２が
照射される領域を覆うように取付けられている。さら
に、イオン注入の際のイオンビーム電流の値を測定する
ファラデーカップ１７が設けられている。このファラデ
ーカップ１７はグラファイトでできている。
ク２１または腕２３に円周上に固定されており、該ディ
スク２１または腕２３は回転機構（図示せず）が設けら
れた回転軸１０に取付けられており、回転軸１０は支柱
１４により支えられており、支柱１４はディスク２１ま
たは腕２３全体を並進運動させる。さらに、支柱１４に
は、イオンビーム１２がディスク２１または腕２３に照
射されるのを防止する遮蔽板１５がディスク２１または
腕２３に載置されている基板の周囲部分直上からディス
ク２１または腕２３の並進運動にてイオンビーム１２が
照射される領域を覆うように取付けられている。さら
に、イオン注入の際のイオンビーム電流の値を測定する
ファラデーカップ１７が設けられている。このファラデ
ーカップ１７はグラファイトでできている。
【００１０】本装置によりイオンビーム１２を基板に注
入するには、回転軸１０によりディスク２１または腕２
３を回転させ、かつ支柱１４により並進運動させること
によりイオンビーム１２に対して、基板を走査しながら
イオンを基板に注入する。このとき、遮蔽板１５が支柱
１４に固定されているため、ディスク２１または腕２３
にはイオンビーム１２が照射されない。このため、ディ
スク２１または腕２３からのスパッタリング現象により
発生する金属による汚染または二次電子による基板の帯
電を防止できる。なお、遮蔽板１５としてはグラファイ
ト等の非金属製の板がよい。これはグラファイトを用い
た場合には、照射されるイオンビーム１２をほとんど吸
収するため、基板１１の直上でイオンが乱反射すること
なく、また、グラファイトは導電性であるため、これを
アースすることにより、遮蔽板１５が帯電するのを防止
することができるためである。
入するには、回転軸１０によりディスク２１または腕２
３を回転させ、かつ支柱１４により並進運動させること
によりイオンビーム１２に対して、基板を走査しながら
イオンを基板に注入する。このとき、遮蔽板１５が支柱
１４に固定されているため、ディスク２１または腕２３
にはイオンビーム１２が照射されない。このため、ディ
スク２１または腕２３からのスパッタリング現象により
発生する金属による汚染または二次電子による基板の帯
電を防止できる。なお、遮蔽板１５としてはグラファイ
ト等の非金属製の板がよい。これはグラファイトを用い
た場合には、照射されるイオンビーム１２をほとんど吸
収するため、基板１１の直上でイオンが乱反射すること
なく、また、グラファイトは導電性であるため、これを
アースすることにより、遮蔽板１５が帯電するのを防止
することができるためである。
【００１１】図２は、本発明によるスパッタ装置の他の
実施例のイオンビームを遮蔽する手段を説明するための
図面である。この実施例は、イオンビーム１２を加速す
る加速管１３の出口に支柱１４の並進運動に連動するビ
ームマスク１６を設け、基板１１の通過とともにビーム
マスク１６を移動させて該基板１１以外にイオンビーム
１２が照射されないようにしたものである。
実施例のイオンビームを遮蔽する手段を説明するための
図面である。この実施例は、イオンビーム１２を加速す
る加速管１３の出口に支柱１４の並進運動に連動するビ
ームマスク１６を設け、基板１１の通過とともにビーム
マスク１６を移動させて該基板１１以外にイオンビーム
１２が照射されないようにしたものである。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、支
柱の並進運動、すなわち基板固定具であるディスクまた
は腕等の並進運動に連動させて動く遮蔽板もしくはビー
ムマスクを設け基板以外にイオンビームが照射されない
ようにしたため、イオン注入中の基板を清浄でかつ高精
度に中性化を保ちながら、イオン注入を行うことができ
る。
柱の並進運動、すなわち基板固定具であるディスクまた
は腕等の並進運動に連動させて動く遮蔽板もしくはビー
ムマスクを設け基板以外にイオンビームが照射されない
ようにしたため、イオン注入中の基板を清浄でかつ高精
度に中性化を保ちながら、イオン注入を行うことができ
る。
【図１】 本発明の一実施例のイオン注入装置の基板固
定具とイオンビーム遮蔽手段を説明するための図面であ
る。
定具とイオンビーム遮蔽手段を説明するための図面であ
る。
【図２】 本発明の他の実施例のイオン注入装置の基板
固定具とイオンビーム遮蔽手段を説明するための図面で
ある。
固定具とイオンビーム遮蔽手段を説明するための図面で
ある。
【図３】 従来のイオン注入装置の基板固定具を説明す
るための図面である。
るための図面である。
【図４】 図４ａは基板固定用ディスクを説明するため
の図面であり、図４ｂは基板固定用の腕を説明するため
の図面である。
の図面であり、図４ｂは基板固定用の腕を説明するため
の図面である。
１０…回転軸、 １１…基
板、１２…イオンビーム、 １３…
加速管、１４…支柱、 １
５…遮蔽板、１６…ビームマスク、
１７…ファラデーカップ ２１…ディスク、 ２２…円周
軸、２３…腕。
板、１２…イオンビーム、 １３…
加速管、１４…支柱、 １
５…遮蔽板、１６…ビームマスク、
１７…ファラデーカップ ２１…ディスク、 ２２…円周
軸、２３…腕。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板を固定している基板固定具を運動さ
せることによりイオンビームに対して基板を走査し、イ
オンを基板内へ注入するイオン注入装置において、該基
板固定具の運動に連動してイオンビームを遮蔽する手段
を有することを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5011855A JPH06223769A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5011855A JPH06223769A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06223769A true JPH06223769A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11789346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5011855A Withdrawn JPH06223769A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06223769A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999004410A1 (en) * | 1997-07-16 | 1999-01-28 | Applied Materials, Inc. | Scanning wheel for ion implantation process chamber |
| JP2010507194A (ja) * | 2006-10-11 | 2010-03-04 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | イオン注入装置のためのセンサ |
-
1993
- 1993-01-27 JP JP5011855A patent/JPH06223769A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999004410A1 (en) * | 1997-07-16 | 1999-01-28 | Applied Materials, Inc. | Scanning wheel for ion implantation process chamber |
| JP2010507194A (ja) * | 2006-10-11 | 2010-03-04 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | イオン注入装置のためのセンサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1490481A (en) | Particle implantation | |
| JPH06223769A (ja) | イオン注入装置 | |
| GB2049739A (en) | Vacuum evaporation using a modulated electron beam and x-ray opaque screen | |
| US5486702A (en) | Scan technique to reduce transient wafer temperatures during ion implantation | |
| US7528391B2 (en) | Techniques for reducing contamination during ion implantation | |
| US4687930A (en) | Ion beam apparatus | |
| JPS5478091A (en) | Ion implanting unit | |
| JPS63314750A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH02236940A (ja) | イオン注入装置 | |
| US5977553A (en) | Mechanism for preventing metallic ion contamination of a wafer in ion implantation equipment | |
| JPH0834093B2 (ja) | イオン注入方法 | |
| JPH04124268A (ja) | イオン打ち込み装置 | |
| JPH03101221A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH0737231Y2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2573028Y2 (ja) | イオン注入装置用ディスク | |
| JPH05136078A (ja) | イオン注入装置 | |
| KR19990080237A (ko) | 챔버 벽면의 오염을 방지하는 이온 주입장치 | |
| JPS6321088Y2 (ja) | ||
| JPH10283973A (ja) | ウエハメカニカルスキャン方法及びイオン注入装置 | |
| JP2916325B2 (ja) | イオン注入装置及びイオン注入方法 | |
| JP2976491B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2002208374A (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| Rathmell et al. | Metals contamination reduction on the NV-8200P | |
| JPS58142751A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2564115B2 (ja) | ウエハ−の帯電抑制装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000404 |