JPH0737231Y2 - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH0737231Y2 JPH0737231Y2 JP1989108799U JP10879989U JPH0737231Y2 JP H0737231 Y2 JPH0737231 Y2 JP H0737231Y2 JP 1989108799 U JP1989108799 U JP 1989108799U JP 10879989 U JP10879989 U JP 10879989U JP H0737231 Y2 JPH0737231 Y2 JP H0737231Y2
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- ion
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、加速されたイオンビームを基板に照射して
イオン注入を行うイオン注入装置に関し、より具体的に
は、イオン注入の際のチャージアップ（帯電）現象によ
る基板表面での微小放電を防止する手段に関する。
イオン注入を行うイオン注入装置に関し、より具体的に
は、イオン注入の際のチャージアップ（帯電）現象によ
る基板表面での微小放電を防止する手段に関する。
加速されたイオンビームを基板に照射してイオン注入を
行う場合、基板自体またはその表面が絶縁物の場合は特
に、イオン注入に伴う正電荷が基板表面に蓄積してチャ
ージアップ現象が生じる。
行う場合、基板自体またはその表面が絶縁物の場合は特
に、イオン注入に伴う正電荷が基板表面に蓄積してチャ
ージアップ現象が生じる。
そしてこれを放置しておくと、基板表面の電位の上昇に
よって基板表面で微小放電が生じ、基板表面（処理面）
の著しい損傷を招く。
よって基板表面で微小放電が生じ、基板表面（処理面）
の著しい損傷を招く。
そこでこれを防止するため、従来は例えば、電子放出用
のフィラメントおよび電子加速用の引出し電極から成る
電子シャワー装置を設け、イオンビーム照射と同時に基
板に対して電子シャワー照射を行って基板表面の電荷を
中和するようにしていた。
のフィラメントおよび電子加速用の引出し電極から成る
電子シャワー装置を設け、イオンビーム照射と同時に基
板に対して電子シャワー照射を行って基板表面の電荷を
中和するようにしていた。
ところが、上記のように電子シャワー照射を行う場合
は、電子シャワー装置の取り付けのため、基板を収納
する真空容器等の構造が複雑になる、電子シャワー装
置のためにコストアップになる、フィラメントからの
電子を引出し電極を用いて加速して基板に照射するが、
このときの電子の有するエネルギーが大きいために、一
旦基板表面の電荷が中和された後も電子による電荷蓄積
が起こり、逆に負のチャージアップ現象が生じる、等の
問題がある。
は、電子シャワー装置の取り付けのため、基板を収納
する真空容器等の構造が複雑になる、電子シャワー装
置のためにコストアップになる、フィラメントからの
電子を引出し電極を用いて加速して基板に照射するが、
このときの電子の有するエネルギーが大きいために、一
旦基板表面の電荷が中和された後も電子による電荷蓄積
が起こり、逆に負のチャージアップ現象が生じる、等の
問題がある。
そこでこの考案は、基板表面のチャージアップ現象自体
を防止するのではなく、それに伴う最大の弊害である基
板表面での微小放電を防止するようにしたイオン注入装
置を提供することを主たる目的とする。
を防止するのではなく、それに伴う最大の弊害である基
板表面での微小放電を防止するようにしたイオン注入装
置を提供することを主たる目的とする。
上記目的を達成するため、この考案のイオン注入装置
は、前述したような基板を、その周辺の大地電位にある
金属部から電気的に浮遊させたことを特徴とする。
は、前述したような基板を、その周辺の大地電位にある
金属部から電気的に浮遊させたことを特徴とする。
従来、基板表面で微小放電が起こっていたのは、基板表
面に蓄積された電荷が、基板を載せる基板台のような大
地電位にある金属部へ移動することによるものである。
面に蓄積された電荷が、基板を載せる基板台のような大
地電位にある金属部へ移動することによるものである。
従って上記のように、基板をその周辺の大地電位にある
金属部から電気的に浮遊（フローティング）させると、
上記のような電荷の移動が阻止されるため、基板表面で
の微小放電が防止される。
金属部から電気的に浮遊（フローティング）させると、
上記のような電荷の移動が阻止されるため、基板表面で
の微小放電が防止される。
第１図は、この考案の一実施例に係るイオン注入装置を
示す断面図である。
示す断面図である。
このイオン注入装置は、図示しない真空排気装置によっ
て真空排気される真空容器16と、その上部に取り付けら
れたイオン源２とを有しており、このイオン源２から加
速して引き出したイオンビーム14を、真空容器16内に収
納した基板18に照射してイオン注入を行うよう構成され
ている。
て真空排気される真空容器16と、その上部に取り付けら
れたイオン源２とを有しており、このイオン源２から加
速して引き出したイオンビーム14を、真空容器16内に収
納した基板18に照射してイオン注入を行うよう構成され
ている。
イオン源２は、ガス10を導入してプラズマを作るプラズ
マソース部４と、そこからイオンビーム14を引き出す引
出し電極系６とを有している。
マソース部４と、そこからイオンビーム14を引き出す引
出し電極系６とを有している。
引出し電極系６は、この例では、引出し電源12から正の
高電圧が印加されるプラズマ電極７と、接地電位にされ
る接地電極８とで構成されているが、この構成に限られ
るものではない。例えば、接地電極８を用いずに、イオ
ンビーム14をプラズマ電極７と後述する基板台20等との
間の電位差により加速するものでも良い。
高電圧が印加されるプラズマ電極７と、接地電位にされ
る接地電極８とで構成されているが、この構成に限られ
るものではない。例えば、接地電極８を用いずに、イオ
ンビーム14をプラズマ電極７と後述する基板台20等との
間の電位差により加速するものでも良い。
真空容器16内には、上記基板18を載せる基板台20が設け
られている。この基板台20は、通常は金属製でしかも電
気的に接地されている。
られている。この基板台20は、通常は金属製でしかも電
気的に接地されている。
そしてこの例では、基板18と基板台20との間に絶縁物22
を設け、これによって基板18を大地電位にある基板台20
から電気的に浮遊させている。
を設け、これによって基板18を大地電位にある基板台20
から電気的に浮遊させている。
その場合、基板18と基板台20との間の沿面距離を長くし
て基板18上に蓄積される電荷の移動をより確実に阻止す
るためには、第１図に示すように基板台20を絶縁物22で
囲むようにするか、または第２図に示すように基板台20
に比べて充分に大きい絶縁物22を用いるのが好ましい。
もっとも、前者の方が小型で大きい沿面距離を得ること
ができるのでより好ましいと言える。
て基板18上に蓄積される電荷の移動をより確実に阻止す
るためには、第１図に示すように基板台20を絶縁物22で
囲むようにするか、または第２図に示すように基板台20
に比べて充分に大きい絶縁物22を用いるのが好ましい。
もっとも、前者の方が小型で大きい沿面距離を得ること
ができるのでより好ましいと言える。
絶縁物22の種類は、充分な絶縁性能を有するものであれ
ば特定のものに限定されないが、イオンビーム14が当っ
ても基板18に対する不純物混入の原因になるガスが放出
されにくく、しかも絶縁性能が高い等の理由から、例え
ば石英、窒化物セラミックス、酸化物セラミックス等を
この絶縁物22に用いるのが好ましい。
ば特定のものに限定されないが、イオンビーム14が当っ
ても基板18に対する不純物混入の原因になるガスが放出
されにくく、しかも絶縁性能が高い等の理由から、例え
ば石英、窒化物セラミックス、酸化物セラミックス等を
この絶縁物22に用いるのが好ましい。
上記のようにして基板18を大地電位にある基板台20から
電気的に浮かせると、イオン注入に伴って基板18上に蓄
積される電荷の基板台20への移動が阻止されるため、基
板表面での微小放電が防止される。
電気的に浮かせると、イオン注入に伴って基板18上に蓄
積される電荷の基板台20への移動が阻止されるため、基
板表面での微小放電が防止される。
しかも、従来のように基板に対して電子シャワー照射を
行う場合と違って、電子シャワー装置が不要なので、装
置の構造が簡単になり、かつコスト的にも安くなる。ま
た、電子シャワー照射による負のチャージアップ現象が
生じる恐れもない。
行う場合と違って、電子シャワー装置が不要なので、装
置の構造が簡単になり、かつコスト的にも安くなる。ま
た、電子シャワー照射による負のチャージアップ現象が
生じる恐れもない。
なお、上記のように基板18と基板台20との間に絶縁物22
を設ける代わりに、例えば第３図に示すように、基板台
20自体を絶縁物で構成し、それによって基板18を大地電
位部から浮遊させても良い。この場合は、基板台20の背
面に段部を設ける等して、基板18と真空容器16との間の
沿面距離をできるだけ大きくするのが好ましい。
を設ける代わりに、例えば第３図に示すように、基板台
20自体を絶縁物で構成し、それによって基板18を大地電
位部から浮遊させても良い。この場合は、基板台20の背
面に段部を設ける等して、基板18と真空容器16との間の
沿面距離をできるだけ大きくするのが好ましい。
あるいは第４図に示すように、基板台20を真空容器16か
ら絶縁物24で電気的に絶縁して支持することによって、
基板18を基板台20ごと大地電位部から浮遊させても良
い。この場合は、基板台20は金属でも絶縁物でも良い。
ら絶縁物24で電気的に絶縁して支持することによって、
基板18を基板台20ごと大地電位部から浮遊させても良
い。この場合は、基板台20は金属でも絶縁物でも良い。
以上のようにこの考案によれば、基板をその周辺の大地
電位にある金属部から電気的に浮遊させたので、イオン
注入に伴って基板表面に蓄積される電荷の大地電位部へ
の移動が阻止され、基板表面での微小放電が防止され
る。従って、微小放電によって基板表面が損傷されるこ
ともなくなる。
電位にある金属部から電気的に浮遊させたので、イオン
注入に伴って基板表面に蓄積される電荷の大地電位部へ
の移動が阻止され、基板表面での微小放電が防止され
る。従って、微小放電によって基板表面が損傷されるこ
ともなくなる。
しかも、従来のように基板に対して電子シャワー照射を
行う場合と違って、電子シャワー装置が不要なので、装
置の構造が簡単になり、かつコスト的にも安くなる。ま
た、電子シャワー照射による負のチャージアップ現象が
生じる恐れもない。
行う場合と違って、電子シャワー装置が不要なので、装
置の構造が簡単になり、かつコスト的にも安くなる。ま
た、電子シャワー照射による負のチャージアップ現象が
生じる恐れもない。
また、基板に特別な加工を施しておく必要がないので、
どのような基板に対しても対応することができ、汎用性
が高い。
どのような基板に対しても対応することができ、汎用性
が高い。
第１図は、この考案の一実施例に係るイオン注入装置を
示す断面図である。第２図ないし第４図は、それぞれ、
基板台周りの他の例を示す断面図である。 ２…イオン源、14…イオンビーム、16…真空容器、18…
基板、20…基板台、22,24…絶縁物。
示す断面図である。第２図ないし第４図は、それぞれ、
基板台周りの他の例を示す断面図である。 ２…イオン源、14…イオンビーム、16…真空容器、18…
基板、20…基板台、22,24…絶縁物。
Claims (1)
- 【請求項１】加速されたイオンビームを基板に照射して
イオン注入を行う装置において、前記基板を、その周辺
の大地電位にある金属部から電気的に浮遊させたことを
特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989108799U JPH0737231Y2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989108799U JPH0737231Y2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348854U JPH0348854U (ja) | 1991-05-10 |
| JPH0737231Y2 true JPH0737231Y2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=31657418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989108799U Expired - Fee Related JPH0737231Y2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737231Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3430806B2 (ja) * | 1996-07-25 | 2003-07-28 | 日新電機株式会社 | イオン注入装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52119177A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Nec Corp | Target for charged particle |
| JPS5652860A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | Ion injection device |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP1989108799U patent/JPH0737231Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0348854U (ja) | 1991-05-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |